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[8138-0008-0001] 半導體存儲器
[摘要] 一種半導體存儲器，其位線振幅對地址的相關性小，位線方向地址所造成的存取時間的分散性小。該半導體存儲器包括：與位線相連接的數據存儲用的多個存儲單元、根據位線方向地址來選擇上述存儲單元用的存儲單元選擇裝置，以及向上述位線供給電位用的位線負載電路；通過上述位線對于由上述存儲單元選擇裝置選擇的存儲單元進行數據讀出或寫入動作；其中還具有用于根據上述位線方向地址來控制上述位線負載電路的阻抗的阻抗控制裝置。
[8138-0132-0002] 半導體裝置及其制造方法，存儲器心部及外圍電路芯片
[摘要] 本發明的半導體裝置包括多個電路塊，該多個電路塊包括一個第一電路塊和一個第二電路塊，該第一電路塊的一個塊參數與該第二電路塊的一個塊參數不同。在該半導體裝置中，該第一電路塊是形成在第一半導體芯片上的，而該第二電路塊是形成在第二半導體芯片上的并與該第一電路塊電連接。
[8138-0140-0003] 透光導電薄膜的半導體晶片結合方法
本發明屬于半導體器領域中的一種制造器件的方法，它主要是將含有半導體元件結構的基片腐蝕，另取一具有同導電性的基片，并鍍以一透光導電薄膜，再將含半導體元件結構的晶片與該基片夾緊置于高溫爐中加熱一段時間以結合基片，本發明既可提高二極管的發光效率，又可以在較低溫度下被結合，同時，薄膜層也成為被結合的晶片間不同晶格常數的緩沖層，從而改良了晶體結合介面的結構，因此本發明具有很好的實用性。
[8138-0058-0004] 薄膜半導體集成電路
[摘要] 在由薄膜晶體管（ｔｆｔｓ）構成的半導體集成電路中，通過在至少包括一個ｐ－溝型ｔｆｔ的電路和至少包括一個ｎ－溝型ｔｆｔ的電路之間設置傳輸門電路，ｐ－溝道型ｔｆｔ或者ｎ－溝道型ｔｆｔ構成非門，或與非門電路。ｎ－溝道型ｔｆｔ接地。用設置的傳輸門電路，或ｐ－溝道或ｎ－溝道型ｔｆｔ產生電壓降，因而，減少了接地的ｎ－溝道型ｔｆｔ的漏電壓，并使ｎ－溝道型ｔｆｔ的漏區附近的電場減弱。
[8138-0144-0005] 非對稱晶閘管的陽極側的短路結構
[摘要] 本發明的晶閘管在陽極（１）和陰極（２）間的半導體襯底（３）中包含一個由一個ｎ型發射層（４）、一個ｐ型基層（５），一個ｎ型基層（６）和一個ｐ型發射層（７）所組成的層系。ｐ型發射層（７）被陽極短路區（８）分割，并因而被分成區段。另外，陽極短路區（８）將ｎ型基區（６）同陽極（１）短路。在陽極短路區（８）和ｐ型發射區層（７）之間布置一個ｐ型阻擋層（９），又稱ｐ型軟層。按照本發明，此阻擋層（９）具有空白區（１２），在此空白區中，ｎ型基區（６）要么直接地，要么經過短路區（８），與陽極（１）接觸。
[8138-0166-0006] 集成電路用電容元件及其制造方法
[摘要] 本發明揭示一種集成電路用電容元件及其制造方法。該方法包括：在基片上形成鈦膜的粘接層，在該粘接層表面區域注入氧離子后進行熱處理，從而形成氧化鈦和擴散阻擋層，以及在該擴散阻擋層上依次形成下電極、強介質膜和上電極等工序。
[8138-0063-0007] 太陽能電池組件
[摘要] 提供一種太陽能電池組件，該電池組件包括一個作為光電元件的光敏半導體層和一層設置在引光側上的透明表面覆蓋材料，該表面覆蓋材料包含一種由烷基化的叔胺化合物組成的光穩定劑。用于該太陽能電池組件的此一表面覆蓋層具有高耐氣候性和高耐熱性，借以把長期使用中該光電元件的性能劣化減至最小，并保護該電池組件免遭外界沖擊之害。
[8138-0019-0008] 大變形壓電陶瓷器件
[摘要] 本發明公開了一種大變形壓電陶瓷器件，它具有壓電陶瓷雙晶片，壓電陶瓷雙晶片具有正變形壓電陶瓷片和負壓電陶瓷片，各壓電陶瓷雙晶片在輸出端與相鄰的壓電陶瓷雙晶片經墊片剛性聯接，組成壓電陶瓷雙晶疊堆，相鄰兩壓電陶瓷雙晶片的變形方向相反。本發明的優點是：變形動態范圍大，變形幅度可達１ｍｍ以上，變形角可達８°（２０℃），體積小重量輕，工作溫度范圍大，精度及重復性好。
[8138-0153-0009] 用于自動檢測儀的連接裝置
[摘要] 本發明提供一種在自動檢測儀的檢測頭部分和一個操縱器械（例如一個探測器）之間的連接裝置，該連接裝置在檢測頭和操縱裝置之間以及在探測器插板和檢測頭之間分別采用預加載的運動偶，這些運動偶允許探測器插板相對在操縱器械中的器件重復定位，這些運動偶還減少了作用在探測器插板上的力，從而防止了探測器插板的變形。該連接裝置提供機械和電分開的連接，從而使機械的精度與電氣結構無關。
[8138-0190-0010] 集成電路
[摘要] 一種集成電路具備多個振蕩器１、環行器２、耦合器３等以及基板７。振蕩器１具有：導體１０、１１；配置在導體１０、１１間的、以預定模式傳輸高頻電磁波的電介質窄條１２；在導體部形成的可與基板７連接的安裝面１９a；以及在導體１０、１１的端部形成的、與從電介質窄條１２的端部１２a輸出的電磁波的行進方向垂直的、而且包含電介質１２的端部１２a附近的垂直端面１９b。其它如環行器２等也以與振蕩器１相同的方式構成。然后將它們在基板上相互連接，進行表面安裝。
[8138-0193-0011] 制造半導體器件的方法
[8138-0184-0012] 具有相等阻值電阻器的電阻器串
[8138-0206-0013] 電容器制造方法
[8138-0083-0014] 具有供補償過擦除操作用的側壁分隔柵非易失半導體器件
[8138-0111-0015] 背部反射體層及其形成方法和應用它的光電元件
[8138-0141-0016] 光電傳感器
[8138-0025-0017] 用來改善聚合物同金屬間界面粘合性的方法和設備
[8138-0079-0018] 結晶硅膜、半導體器件及其制造方法
[8138-0075-0019] 半導體集成電路器件
[8138-0145-0020] 微波集成電路無源元件的結構和降低信號傳播損耗的方法
[8138-0160-0021] 銻化銦霍爾元件的電極及其制造方法
[8138-0172-0022] 半導體器件的制造方法
[8138-0131-0023] 半導體裝置
[8138-0023-0024] 具有激光蝕刻阻當功能的高密度結構及其設計方法
[8138-0086-0025] 半導體器件
[8138-0053-0026] 柔性安裝壓電裝置的方法
[8138-0208-0027] 操作顯示半導體開關
[8138-0127-0028] 防止絕緣層破裂的虛設圖形的形成方法
[8138-0138-0029] 電子發射器件,電子源和圖象形成裝置及其制造方法
[8138-0009-0030] 電鍍的焊接端子
[8138-0124-0031] 半導體器件及其形成方法
[8138-0149-0032] 在多層電路板的相鄰電路板層之間提供電連接的方法
[8138-0207-0033] 光和輻射的半導體探測器及其制造方法
[8138-0192-0034] 晶體管及其制造方法
[8138-0114-0035] 方形扁平封裝的引線質量檢驗系統和檢驗方法
[8138-0176-0036] 制造薄膜晶體管和液晶顯示裝置的方法
[8138-0061-0037] 一種高電子遷移率晶體管器件的自對準制作的方法
[8138-0062-0038] 單片預應力陶瓷器件及其制法
[8138-0179-0039] 半導體裝置
[8138-0215-0040] 帶一散熱銷的內引線焊接(ilb)設備及使用該設備的方法
[8138-0045-0041] 用于制造半導體器件疊層電容器的方法
[8138-0165-0042] 薄膜半導體器件的制造方法
[8138-0031-0043] 直接圓片結合結構和方法
[8138-0161-0044] 帶有凸面膜片部的壓電/電致伸縮膜元件及其制作方法
[8138-0043-0045] 覆埋位線元件及其制備方法
[8138-0115-0046] 增強半導體感光元件及其制造方法
[8138-0011-0047] 半導體器件場氧化層的形成方法
[8138-0116-0048] 電可擦可編程序只讀存儲器及其制造方法
[8138-0169-0049] 高壓ｍｏｓ控制功率半導體器件
[8138-0137-0050] 用于制造半導體器件的方法
[8138-0080-0051] 用于電子光學器件的半導體電路及其制造方法
[8138-0013-0052] 光學器件封裝
[8138-0103-0053] 用于壓電器件的燒滲鎳電極
[8138-0038-0054] 帶有多層連接的電子封裝件
[8138-0084-0055] 半導體器件及其制造方法
[8138-0105-0056] 半導體封裝及制造方法
[8138-0092-0057] 半導體器件的制造方法
[8138-0142-0058] 半導體器件及其制造方法
[8138-0214-0059] 具有靜電保護作用的半導體集成電路器件
[8138-0054-0060] 硅片曝光設備自動裝片臺的支承單元
[8138-0088-0061] 半導體器件的器件隔離方法
[8138-0094-0062] 制造半導體器件電容的方法
[8138-0133-0063] 用激光處理半導體器件的方法
[8138-0016-0064] 大臺面電力半導體器件的玻璃鈍化方法
[8138-0213-0065] 太陽電池裝置及其制造方法
[8138-0113-0066] 一種半導體存貯器系統
[8138-0122-0067] 真空微電子器件制造中的無版光刻工藝
[8138-0041-0068] 化學/機械平面化端點檢測的原位監測法和設備
[8138-0068-0069] 直接把芯片接合于散熱裝置的方法與裝置
[8138-0155-0070] 氨敏半導體器件及其制造方法
[8138-0187-0071] 半導體器件中多層互連的形成方法
[8138-0143-0072] 非易失性半導體存儲裝置及其過寫入補救方法
[8138-0051-0073] 半導體器件制造用爐及用其形成柵氧化層的方法
[8138-0033-0074] 半導體器件及其制造方法
[8138-0036-0075] 半導體集成電路
[8138-0029-0076] 在高溫金屬層上形成介質層的方法
[8138-0050-0077] 半導體存貯裝置
[8138-0209-0078] 半導體器件及其制造方法
[8138-0017-0079] 減小表面粗糙度的半導體晶片的粗拋方法
[8138-0048-0080] 半導體器件、其生產方法及其在液晶顯示器的應用
[8138-0118-0081] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8138-0010-0082] 用于裸露模板試驗和腐蝕的臨時密封裝置
[8138-0006-0083] 改良的導熱連接體
[8138-0078-0084] 半導體器件及其制造方法
[8138-0035-0085] 半導體裝置及其制作方法
[8138-0020-0086] 壓電共振部件的制造方法
[8138-0201-0087] 制造具有各種金屬氧化物半導體場效應晶體管的半導體器件的方法
[8138-0093-0088] 復合結構壓電陶瓷變壓器
[8138-0210-0089] 半導體器件的制造方法
[8138-0123-0090] 固體攝像裝置的驅動方式
[8138-0110-0091] 具雙層硅化物結構的半導體器件制造方法
[8138-0039-0092] 用于多層晶片的吸收層和生產該吸收層的方法
[8138-0203-0093] 芯片插接模塊的封裝方法及實施該方法所用的裝置
[8138-0076-0094] ic引線框架橫向移近的方法及裝置
[8138-0037-0095] 制造半導體器件的方法
[8138-0216-0096] 確定化合物半導體層臨界薄膜厚度及制造半導體器件
[8138-0059-0097] 引線框架和半導體器件
[8138-0100-0098] 形成部分分離薄膜元件條的方法
[8138-0026-0099] 壓電元件安裝到基片上的方法
[8138-0024-0100] 制造半導體器件的方法
[8138-0188-0101] 新型集成電路管腳偏差檢測裝置
[8138-0186-0102] 制造快速電子可擦可編程只讀存儲器的源/漏結構的方法
[8138-0090-0103] 構成半導體器件柵極的方法
[8138-0126-0104] 制造半導體器件的方法
[8138-0175-0105] 相移掩模及其制造方法
[8138-0074-0106] 高效太陽能轉換復合光電極其制造工藝及用途
[8138-0159-0107] 制造半導體器件的方法
[8138-0071-0108] 對配有切割帶作為襯底載體的鋸切架的使用
[8138-0173-0109] 半導體集成電路裝置的制造方法
[8138-0027-0110] 具有三層結構表面覆蓋材料的太陽能電池組件
[8138-0082-0111] 透光樹脂密封的半導體及其制造方法
[8138-0028-0112] 一種薄膜電晶體制作改進方法
[8138-0014-0113] 絕緣基體上的硅及其生產方法
[8138-0205-0114] 半導體器件電容器及其制造方法
[8138-0072-0115] 相移掩模
[8138-0064-0116] 非易失性半導體存儲器
[8138-0157-0117] 用于半導體器件中的曝光掩模
[8138-0095-0118] 半導體器件的制造方法
[8138-0135-0119] 清除溴化物氣蝕刻用真空處理室的方法
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[8138-0218-0121] 半導體裝置的制造方法
[8138-0055-0122] 發光二極管陣列及其制造方法
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[8138-0129-0124] 壓電陶瓷組成物
[8138-0211-0125] 半導體器件、其制造方法和電光器件
[8138-0001-0126] 半導體器件中制作金屬阻擋層的方法
[8138-0047-0127] 固體攝像裝置及其電荷傳送方法
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[8138-0167-0139] 高強度導電性聚噻吩薄膜、薄膜二極管及其制備方法
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[8138-0018-0145] 半導體器件的接觸結構及其制造方法
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[8138-0081-0147] 用于消除電子組件應力的方法和裝置
[8138-0148-0148] 半導體元件的制造設備及制造方法
[8138-0163-0149] 使用保護夾具固定脆性導電引線的方法和裝置
[8138-0177-0150] 半導體器件及其制造方法
[8138-0130-0151] 壓電/電致伸縮膜元件及其制作方法
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