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    半導體陶瓷技術配方工藝資料,陶瓷接,半導體陶瓷元件,陶瓷材料最新技術匯編(238元/全套)

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    [22107-0107-0001] 雙金屬與陶瓷組成的功率半導體及其制造方法
    [摘要] 本發明涉及一種功率半導體,尤指一種利用雙金屬與陶瓷為基材組成的功率半導體結構。該功率半導體主要是將預設有容置槽的陶瓷基板表面金屬化,并且將延伸有接腳的兩片金屬基板分別置于陶瓷基板兩側后,將芯片置入陶瓷基板的容置槽,使金屬基板與陶瓷基板共燒結,即可構成一雙金屬與陶瓷組成的功率半導體構造。本發明的陶瓷基板的熱傳導效率較環氧樹脂佳,封存的熱能也大為降低,而且兩片金屬基板的散熱面積最少為傳統的兩倍,藉此可使本發明雙金屬與陶瓷共燒結的功率半導體得以長期使用于高溫環境中,并增加使用壽命。
    [22107-0102-0002] 一種用于制備SrTiO3基壓敏電容雙功能陶瓷的方法
    [摘要] 本發明提供了一種由納米摻雜技術制備SrTiO3基功能陶瓷的方法。采用液相化學法制備出La2O3納米的施主、納米的受主及改性添加劑Mn+Al+Si多元氧化物。SrTiO3基壓敏電容雙功能陶瓷瓷料的制備主要包括:一次配料制得納米施主La2O3摻雜的SrTiO3主晶相;以及二次配料制得納米粉體MnO2、Al2O3和SiO2摻雜的復合瓷料。本發明可以直接制備壓敏電容雙功能陶瓷,又可制備SrTiO3基其它類型半導體陶瓷材料。本發明具有壓敏電壓低、非線性系數高、介電常數大,介質損耗低等特點,是一種性能優越的壓敏-電容雙功能元件,在消除電子元件的尖峰干擾、提高電子設備的兼容性和過壓保護等方面具有優異的特性。
    [22107-0115-0003] 包括嵌入的陶瓷電容器的布線板結構
    一種布線板包括基板內層板、陶瓷電容器和組合層。該基板內層板在其中具有在內層板主表面開口的外殼開口部分。該陶瓷電容器被容納在該外殼開口部分中并定向,以便該內層板主表面和每個電容器的電容器主表面面對相同的方向。組合層包括在其表面上的各個位置的半導體集成電路元件安裝區。在基板內層板中,每個陶瓷電容器分別被布置在對應于每個半導體集成電路元件安裝區的區域中。
    [22107-0078-0004] 陶瓷接合體
    [摘要] 本發明的目的是提供一種陶瓷接合體,該陶瓷接合體包括:陶瓷基板和諸如筒狀體那樣的陶瓷體,該陶瓷基板和陶瓷體相互牢固接合,并且用于半導體產品制造/檢查步驟的陶瓷基板的耐腐蝕性優良。根據本發明的陶瓷接合體包括:陶瓷基板,其內部設有導電體;以及陶瓷體,其與陶瓷基板的底面接合。該陶瓷接合體具有在陶瓷基板和陶瓷體的接合界面的上方區域的至少一部分中不形成導電體的區域。
    [22107-0061-0005] 陶瓷電子部件
    [摘要] 一種陶瓷電子部件,它包括具有半導體陶瓷層和內電極的部件本體。所述半導體陶瓷層和內電極交替疊合。半導體陶瓷層的相對密度約為90%或更小并且不含燒結添加劑。部件本體的兩側帶有外電極。該陶瓷電子部件具有低電阻和高耐電壓。
    [22107-0079-0006] 在半導體加工設備中的氧化鋯增韌陶瓷組件和涂層及其制造方法
    [摘要] 半導體加工設備如等離子室組件的抗腐蝕組件,包括作為組件外表面的氧化鋯增韌陶瓷材料。組件可全部由陶瓷材料制成,或陶瓷材料可作為涂層附在襯底上如鋁或鋁合金,不銹鋼或難熔金屬。氧化鋯增韌陶瓷可以是四方氧化鋯多晶(TZP)材料,部分穩定氧化鋯(PSZ)或氧化鋯彌散增韌陶瓷(ZTC),如氧化鋯增韌氧化鋁(四方氧化鋯顆粒彌散在Al2O3中)。在陶瓷氧化鋯增韌的涂層的情況,可在組件和陶瓷涂層之間附以一層或多層中間層。為提高陶瓷涂層的結合力,組件表面或中間層表面可在沉積陶瓷涂層前進行表面粗糙化處理。
    [22107-0119-0007] 用于發光器件的發光陶瓷
    [摘要] 包括沉積在n型區和p型區之間的發光層的半導體發光器件與沉積在發光層發出的光的路徑上的陶瓷層結合。該陶瓷層包括一種波長轉換材料例如磷光體。根據發明實施方式的發光陶瓷層比現有技術的磷光體層對溫度具有更強的魯棒性或更弱的敏感性。另外,發光陶瓷比現有技術的磷光體層顯示出更少的散射并從而提高了轉換效率。
    [22107-0057-0008] 半導體陶瓷材料和使用它的電子元器件
    [摘要] 本發明揭示一種半導體陶瓷材料和使用它的電子元器件。包含鈦酸鋇(BaTiO3)并具有正電阻溫度系數的這種半導體陶瓷材料耐壓能力高。在這種半導體陶瓷材料中,在第1溫度范圍和第2溫度范圍之間的邊界上的邊界溫度是180℃或者高于居里溫度(例如370℃),其中第1溫度范圍高于居里溫度,并且在這種范圍內陶瓷材料具有正電阻溫度系數,第2溫度范圍高于第1溫度范圍,并且在這種范圍內陶瓷材料具有負電阻溫度系數。
    [22107-0054-0009] 電熱膜式陶瓷管、石英管加熱裝置及其生產方法
    [摘要] 本發明所述的電熱膜式陶瓷管、石英管加熱裝置及其生產方法;其加熱裝置結構由鍍有電熱膜的電熱管、不銹鋼屏蔽管、固定板、鍍銀連接導線、集水容器體等組成;其生產方法在于對符合規格尺寸的石英玻璃管或陶瓷管經加熱后鍍半導體微電熱膜,然后在室溫下加裝連接的鍍銀導線,并用環形不銹鋼板固定,再將電熱膜電熱管的上端安裝不銹鋼屏蔽管。本發明具有高效節能、無環境污染、結構簡單、造價低廉、使用可靠壽命長對水磁化性強等特點,廣泛適用于民用系列中鍋爐、茶爐、電熱水器、電熱柜等領域。
    [22107-0094-0010] 準氮化鋁和準氮化鎵基生長襯底及在氮化鋁陶瓷片上生長的方法
    [摘要] 本發明揭示大面積高質量高熱導率的準氮化鋁生長襯底和準氮化鎵基生長襯底及其在氮化鋁陶瓷片上生長的技術和工藝。由此得到的生長襯底可以減小氮化鎵基外延層和生長襯底之間的晶格常數和熱脹系數的差別,具有優良的熱導率,可以應用于低成本的生長高質量大功率的半導體氮化鎵基發光二極管和鋁鎵氮-氮化鎵基高電子遷移率晶體管(HEMT)等半導體芯片和器件。該技術和工藝的一個具體實施實例:中間媒介層(包括鋁和鈦等)層疊在氮化鋁陶瓷生長襯底上,中間媒介層的表面層氮化成為氮化層(包括氮化鋁和氮化鈦等),氮化鋁外延層生長在氮化層上,氮化鋁外延層和氮化鋁陶瓷生長襯底構成準氮化鋁生長襯底。在氮化鋁層上進一步生長氮化鎵基外延層,構成準氮化鎵基生長襯底。
    [22107-0069-0011] 正溫度系數陶瓷半導體餐盒加熱器
    [22107-0076-0012] 陶瓷加熱器與陶瓷接合體
    [22107-0053-0013] 半導體陶瓷電容器的基片生產工藝
    [22107-0117-0014] 錳酸鑭系負溫度系數半導體陶瓷及其制備方法
    [22107-0060-0015] 壓敏非線性電阻器陶瓷、制造方法和壓敏非線性電阻器
    [22107-0012-0016] 陶瓷接合體、其制造方法以及半導體晶片用陶瓷結構體
    [22107-0008-0017] 半導體陶瓷組合物和使用該組合物的半導體陶瓷元件
    [22107-0087-0018] 金屬與玻璃及陶瓷之間的陽極焊接方法
    [22107-0058-0019] 半導體陶瓷和正溫度系數熱敏電阻
    [22107-0109-0020] 制備用于變阻器的包含金屬氧化物的半導體陶瓷的方法
    [22107-0085-0021] 陶瓷接合體、陶瓷接合體的接合方法和陶瓷結構體
    [22107-0062-0022] 中低溫燒結半導體陶瓷及其液相制備方法
    [22107-0097-0023] 由半導體陶瓷制成的NTC熱敏電阻元件
    [22107-0122-0024] 超大功率高真空陶瓷管殼
    [22107-0022-0025] 莫來石基陶瓷材料
    [22107-0021-0026] 高溫正溫度系數熱敏電阻半導體陶瓷材料的制造方法
    [22107-0113-0027] 半導體芯片與引出線焊接、封裝陶瓷焊接模
    [22107-0114-0028] 布線基板、陶瓷電容器
    [22107-0049-0029] 鈦酸鋇半導體陶瓷粉末和疊層的半導體陶瓷器件
    [22107-0073-0030] 陶瓷電極臭氧誘發電極板
    [22107-0103-0031] 一種低溫共燒陶瓷及其制備方法
    [22107-0043-0032] 鈦酸鋇系半導體陶瓷
    [22107-0092-0033] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
    [22107-0040-0034] 新穎的陶瓷點火器及其使用方法
    [22107-0100-0035] 玻璃陶瓷及其制備方法
    [22107-0020-0036] 無銀合金焊料封接陶瓷和柯瓦,陶瓷和銅的固態壓力擴散焊
    [22107-0045-0037] 半導體陶瓷及由其制得的電子元件
    [22107-0023-0038] 陶瓷多層線路板和半導體組件
    [22107-0016-0039] 氮化硅陶瓷電路基片及使用該陶瓷基片的半導體器件
    [22107-0004-0040] 晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
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    [22107-0108-0053] 具有耐腐蝕層的陶瓷制品、結合了該陶瓷制品的半導體加工設備以及制造陶瓷制品的方法
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