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[8102-0122-0001] 電路裝置
[摘要] 一種電路裝置，在電路裝置上安裝無源元件時，由于電極部鍍錫，在安裝接合部由焊料固定，故不能以單層結構使配線交叉，限制了安裝面積的擴大或在印刷線路板上安裝時的回流溫度，存在封裝后的焊錫裂紋引起的可靠性惡化的問題。將無源元件的電極部鍍金，在電極部上直接固定接合引線。由此，通過用于無源元件固定的安裝接合部、焊盤部的降低、即使單層也可以實現配線的交叉，可謀求安裝密度的提高。可避免在印刷線路板上安裝時要在焊錫的熔點以下進行的限制。
[8102-0208-0002] 具有雙向對準圖案的掩膜
[摘要] 本發明提供一種具有雙向對準圖案的掩膜，其包括一布局圖案區，一位于布局圖案區外圍的外部圖案區，其中外部圖案區上具有復數個由數個水平圖案組與數個垂直圖案組交錯排列所構成的雙向對準圖案，所述雙向對準圖案在進行多重對準時，不但可以提高對準的對準角度，減低因使用多重對準所損失產能的效應并可以節省芯片街道對準記號的空間。
[8102-0065-0003] 半導體封裝及其制造方法
提供了一種半導體封裝及其制造方法，該半導體封裝具有由WCu、WAg、MoCu或MoAg制成的基板。多條引線通過氣密封固定到所述基板而沒有插入的鎳鍍層。蓋利用密封環被結合到所述基板上，該密封環通過銅焊直接鍵合到基板上而沒有插入的鎳鍍層。所述引線在氣密封之后被鍍鎳和鍍金，并且所述密封環在銅焊之后被鍍鎳和鍍金。即使所述基板由金屬合金制成，這種配置也能夠提供具有高氣密度的封裝。
[8102-0084-0004] 電子元件安裝裝置和電子元件安裝方法
[摘要] 在用于從元件供給部分(4)中取出芯片(6)以安裝到由板保持部分(10)保持的板(16)上的電子元件安裝裝置中，利用由攝像機移動機構移動的第二攝像機(35)拍攝設置在元件供給部分(2)的標記柱(18)處的供給部分參考標記的圖像，根據拍攝的圖像的結果校正攝像機坐標系，而后，利用第二攝像機(35)識別芯片(6)的位置，并且根據識別的結果利用安裝頭拾取芯片(6)。從而，通過校正由于攝像機移動機構的熱伸長或收縮的老化變化可以確保穩定的拾取精度。
[8102-0143-0005] 具有柵極電介質結構易失性存儲器的晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明涉及具有能捕獲電荷的柵極電介質結構的易失性存儲器的晶體管及其制造方法。該易失性存儲器的單元區域中的晶體管包括：第一導電型基板；能捕獲電荷并形成在所述基板上的柵極電介質結構；形成在所述柵極電介質結構上的柵極；形成在所述柵極上的柵極絕緣層；形成在所述柵極的每個側面下的基板的預定區域中的第二導電型源極/漏極；形成在所述柵極下的基板的預定區域中的第一導電型溝道離子注入區域。
[8102-0128-0006] 電子器件和該電子器件的制造方法
[摘要] 本發明提供一種電子器件和一種制造該種電子器件的方法。該電子器件包括第一襯底、在第一襯底上提供的第一下電容器、在第一下電容器上提供的第一下開關元件和在第一下開關元件上提供的第二襯底。該電子器件還包括與所述第一下電容器不接觸的第二下開關元件和該第二襯底上的上電容器，其中上電容器的下電極連接第二下開關元件。
[8102-0055-0007] GaN基發射輻射的薄膜半導體器件
[摘要] 本發明提出了一種具有一個GaN基多層結構(12)的發射輻射的薄膜半導體器件，該多層結構包括一層有源的、發射輻射的層(14)，并具有一個第一主面(16)和一個背離該第一主面的第二主面(18)，用以輸出在該有源的、產生輻射的層中產生的輻射。此外，多層結構(12)的第一主面(16)與一層反射層或界面聯接，且與該多層結構的第二主面(18)鄰接的多層結構的區域(22)制成具有凸部(26)的一維或二維結構化。
[8102-0112-0008] 半導體器件
[摘要] 本發明提供一種半導體器件，該半導體器件可以減小管腳的數量和它的尺寸。該半導體器件包括絕緣樹脂形成的密封體，該密封體具有上表面、與上表面相反的下表面和使上表面和下表面彼此連接的側面；密封在密封體內的導電接片；與接片鄰接并部分地暴露到密封體的下表面和側面的接片懸置導線；固定到接片的下表面的半導體芯片；多個導電導線，每個導電導線具有在密封體內設置的內端部分、暴露到密封體的下表面和側面的外端部分和從每個導電導線的側面凸伸到密封體的凸伸部分；從每個接片懸置導線的側面凸伸并設置在密封體內的凸伸部分；和在密封體內設置的并將在半導體芯片的下表面上形成的電極與導電導線和接片懸置導線的凸伸部分連接的導電引線。
[8102-0135-0009] 深溝渠式電容以及單晶體管靜態隨機存取內存單元的結構
[摘要] 一種深溝渠電容內存單元結構，包含第一導電型半導體基底，具有主表面；第二導電型離子注入井，具有井接面深度，設于半導體基底的主表面上；柵極介電層，設于離子注入井上；柵極，設于柵極介電層上；第一導電型重摻雜區，設于柵極一側的離子注入井中；第一導電型輕摻雜區，設于柵極與該第一導電型重摻雜區相反的另一側的離子注入井中；深溝渠電容，垂直主表面形成于該半導體基底內并向下深入超過離子注入井的井接面深度至預定深度，該深溝渠電容包含離子外擴散井，形成于溝渠電容下部，并與離子注入井貫通連結，該深溝渠電容包含有多晶硅電極，由電容介電層及溝渠上端絕緣層與該第一導電型輕摻雜區、該離子注入井及該外擴散井電性隔絕。
[8102-0136-0010] 非揮發性存儲單元及其制造方法
[摘要] 本發明公開一種非揮發性存儲單元及其制造方法，此存儲單元至少是由襯底、柵極、第一源極/漏極區、復合介電層、第二源極/漏極區所構成。其中，襯底具有一溝槽；柵極位于溝槽中；第一源極/漏極區位于溝槽底部；復合介電層位于柵極與溝槽表面之間，且復合介電層至少包括電荷陷阱層；第二源極/漏極區位于柵極兩側的襯底中。
[8102-0029-0011] 氧化鉿鋁介質薄膜
[8102-0066-0012] 半導體基板、半導體裝置、及它們的制造方法
[8102-0119-0013] 具有將可控硅用作保護元件的靜電保護電路的半導體裝置
[8102-0018-0014] 獨石白光發光器件
[8102-0101-0015] 快閃存儲器結構及其制作方法
[8102-0013-0016] 光電半導體元件
[8102-0116-0017] 一種電子熔線及形成該電子熔線的制造方法
[8102-0192-0018] 鐵電器件以及制造該器件的方法
[8102-0080-0019] 制造半導體器件的方法
[8102-0193-0020] NROM存儲器元件,存儲器陣列,相關裝置和方法
[8102-0021-0021] 電子裝置的制造方法
[8102-0213-0022] 金屬-絕緣體-金屬電容器之電極的制造方法
[8102-0072-0023] 抗蝕圖形形成方法、利用該方法的半導體裝置及其曝光裝置
[8102-0001-0024] 硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
[8102-0097-0025] 用于集成電路技術中的局部電阻元件的結構和方法
[8102-0030-0026] 基板處理裝置及其基板處理方法
[8102-0075-0027] 鍍膜裝置
[8102-0100-0028] 非揮發性存儲單元的制造方法
[8102-0085-0029] 半導體器件、其制造方法及其液晶模塊和半導體模塊
[8102-0138-0030] 光感測芯片的封裝結構及其制造方法
[8102-0202-0031] 微T型電極的制造方法
[8102-0046-0032] SOI晶片的制造方法
[8102-0079-0033] 固定在加強半導體晶圓上的加強板的分離方法及其裝置
[8102-0040-0034] 雙金屬鑲嵌溝深度監控系統
[8102-0082-0035] 半導體器件及其制造方法
[8102-0180-0036] 各向異性導電連接器,導電漿料成分,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
[8102-0161-0037] 發光裝置及照明裝置
[8102-0061-0038] 處理裝置
[8102-0070-0039] 執行掩模圖案的透射調節以改善處理寬容度的方法
[8102-0207-0040] 一種制造半導體器件的方法
[8102-0015-0041] 可增加自發光線射出效率的發光二極管
[8102-0102-0042] 浮置柵極的形成方法
[8102-0137-0043] 基于電場可編程的存儲設備
[8102-0090-0044] 帶電流檢測功能的半導體集成電路及使用其的電源裝置
[8102-0218-0045] 自對準式薄膜晶體管的制造方法
[8102-0197-0046] 電氣結面中解除釘止半導體費米能階的方法及結合該結面的設備
[8102-0199-0047] 制造垂直柵極半導體器件的方法
[8102-0190-0048] 隱埋數位線堆積及其制造方法
[8102-0214-0049] 將半導體晶片切割成小片的方法及使用這種方法的設備
[8102-0154-0050] 氮化鎵基Ⅲ-V族化合物半導體發光器件及其制造方法
[8102-0177-0051] 微電極連接方法及基于其的連接結構
[8102-0209-0052] 半導體裝置、電光學裝置、集成電路和電子儀器
[8102-0057-0053] 壓電執行器及其制造方法
[8102-0171-0054] 用于制造半導體器件的集群型灰化設備
[8102-0168-0055] 半導體晶片的制造方法
[8102-0019-0056] 發光裝置及其制造方法
[8102-0191-0057] 集成電路及其制造方法
[8102-0204-0058] 飽和型磷光體固態發射器
[8102-0167-0059] 用于快速熱處理裝置的溫度測量系統的光學路徑提高、焦距變化補償、以及漫射光...
[8102-0054-0060] 半導體發光裝置及其制法和半導體發光裝置用反射器
[8102-0175-0061] 包含金屬硅化物柵和溝道注入的晶體管構件及其制造方法
[8102-0091-0062] 晶片等支撐部件
[8102-0081-0063] 半導體裝置及半導體制造裝置
[8102-0006-0064] 仿神經元突觸結構的柔性三極管
[8102-0172-0065] 從襯底表面選擇性去除材料的方法,用于晶片的掩蓋材料和帶有掩蓋材料的晶片
[8102-0042-0066] 溝槽肖特基勢壘二極管
[8102-0005-0067] 電荷耦合元件的電壓控制裝置及控制方法
[8102-0181-0068] SOI晶片的制造方法
[8102-0025-0069] 使用交替淀積和蝕刻以及脈沖等離子體對高縱橫比SOI結構進行沒有切口的蝕刻
[8102-0067-0070] 半導體器件及其制造方法
[8102-0212-0071] 監測離子植入狀態的芯片重復再使用的方法
[8102-0017-0072] 表面紋理結構與一種最小化和局部化晶格常數及熱漲系數失配的方法
[8102-0176-0073] 用化合物完全或部分覆蓋至少一個電子元件的方法和設備
[8102-0178-0074] 各向異性導電連接器,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
[8102-0077-0075] 半導體晶片、其制造方法以及制造半導體器件的方法
[8102-0114-0076] 半導體裝置、磁傳感器和磁傳感器單元
[8102-0159-0077] 光源組件和車輛用前照燈
[8102-0063-0078] 半導體器件和用于半導體器件的多層基板
[8102-0146-0079] 大面積內部串聯染料敏化納米薄膜太陽電池及其制作方法
[8102-0058-0080] 具有半導體路徑的半導體裝置及其制造方法
[8102-0157-0081] 固態元件和固態元件裝置
[8102-0022-0082] 位于絕緣體上硅結構襯底上的相變存儲器單元
[8102-0071-0083] 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及制法和應用
[8102-0024-0084] 有機發光二極管及包含其的顯示面板與通訊裝置
[8102-0010-0085] 芯片于感光元件上的封裝結構及其電氣封裝結構
[8102-0200-0086] 具有自對準結構的垂直柵半導體器件
[8102-0060-0087] 光耦合器以及使用該光耦合器的電子設備
[8102-0048-0088] 場效應晶體管及其制造方法
[8102-0144-0089] 溝道中具淺鍺注入區的晶體管
[8102-0086-0090] 半導體芯片、半導體裝置、半導體裝置的制造方法
[8102-0124-0091] 疊層式電子部件
[8102-0147-0092] 大面積內部并聯染料敏化納米薄膜太陽電池及其制作方法
[8102-0129-0093] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8102-0174-0094] 薄膜晶體管
[8102-0034-0095] 氧化層的方法及基板的相關支持裝置
[8102-0037-0096] 等離子體處理系統中的整合階梯式統計過程控制
[8102-0126-0097] 半導體裝置制造方法、半導體裝置和半導體芯片
[8102-0132-0098] 半導體存儲器件及其制造方法
[8102-0166-0099] 用于檢測襯底位置/存在的共用傳感器
[8102-0050-0100] 垂直NROM
[8102-0188-0101] 高功率MCM封裝
[8102-0099-0102] 閃存存儲單元的制造方法
[8102-0158-0103] 半導體發光裝置及制造方法
[8102-0087-0104] 一種管狀缺陷的檢測方式
[8102-0109-0105] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8102-0186-0106] 使用碳納米管和CVD增加熱界面的導熱率
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[8102-0173-0108] 使用離散氣體切換方法的高縱橫比/深度蝕刻中的側壁平滑
[8102-0095-0109] 半導體器件的制造方法及由此制造的半導體器件
[8102-0073-0110] 多晶半導體膜制造方法及其裝置和圖像顯示面板
[8102-0195-0111] 場效應晶體管
[8102-0184-0112] 具有芯片級封裝外殼的半導體器件
[8102-0210-0113] 半導體薄膜制造方法及裝置、光束成形掩模及薄膜晶體管
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[8102-0160-0118] 半導體發光器件
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