及其,及其制備,半導體裝置,半導體集成電路裝置類技術資料(168元/全套)貨到付款
歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F339320
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8161-0168-0001] 非易失性半導體存儲裝置
[摘要] 防止誤寫入的非易失性半導體存儲裝置。多個存儲器晶體管串聯，兩端分別通過選擇柵極晶體管連接到位線和公用源極線上構成nand單元。給nand單元的被選中的存儲器晶體管的控制柵極加上寫入電壓vpgm進行寫入，給其兩鄰的非被選存儲器晶體管的控制柵極加上vss。在該寫入動作中，在選中從位線bl一側算起的第2號存儲器晶體管時，給從位線bl一側算起的第1號和第3號以后的非被選存儲器晶體管的控制柵極加上中間電壓。
[8161-0058-0002] 半導體晶圓干燥方法
[摘要] 一種半導體晶圓干燥方法，包括有以下步驟：a.晶圓定位；b.惰性氮氣(n2)噴入；c.純水注入；d.定速排水與氣化異丙醇(ipa)噴出；e.快速排水；f.干燥；此種干燥方法無污染，能在短時間內干燥半導體晶圓，且由于在干燥過程中異丙醇(ipa)不需加熱且氣化量極少，不致造成破損與危險，相對具較佳的安全性。
[8161-0009-0003] 點接觸平面柵型單電子晶體管及其制備方法(二)
本發明涉及微電子器件和微加工方法，特別是涉及一種點接觸平面柵型高溫單電子晶體管及其制備方法。用電子束光刻方法及常規光刻法來制備。在襯底上的導電材料層中有源極和漏極；在源極和漏極之間是一含有量子點的窄通道，在窄通道兩邊是點接觸平面柵，在導電材料層上為一沉積的絕緣材料層，在絕緣材料層上覆蓋有表面柵。本發明的單電子晶體管量子點的大小可達原子尺度，能在室溫下工作，滿足單電子晶體管正常動作的兩個基本條件。
[8161-0216-0004] 具有改進的發光效率和輻射率的長效聚合物發光裝置
[摘要] 通過在裝置中使用包括低逸出功層和高逸出功高反射率層的多層陰極以及高逸出功高反射率陽極材料可以提高由有機發光材料制造的發光二極管(leds)的發光效率和輻射率。
[8161-0190-0005] 低壓模式且經通道擦寫的快閃存儲單元及其制作方法
[摘要] 一種低電壓模式且經通道擦寫的快閃存儲單元及其制作方法，包括一n型基底，基底上設一深p型井，深p型井上堆疊一n型井；n型井內布植有深p型布植區及淺p型布植區，深p型布植區與淺p型布植區相連，深p型布植區內還布植有n型布植區，與深p型布植區連接，淺p型布植區一側也布植有n型布植區；該三重井結構在操作時可分別施加同電壓到深p型井與n型井，使漏電流降至最低，抵消端點電壓，降低線路復雜度，提高操作效率。
[8161-0130-0006] 包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
[摘要] 本發明的課題是一種具有非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法，包含以下的工序(a)至(k)。(a)形成元件隔離區300的工序；(b)形成具有第1柵絕緣層12和字柵用的第1導電層并具有在第1方向上延伸的多個開口部的層疊體的工序；(c)形成第2柵絕緣層22的工序；(d)在第1導電層的兩側形成側絕緣層24的工序；(e)在整個面上形成第2導電層的工序；(f)在至少形成共用接觸部的區域上形成第1掩模層的工序；(g)通過利用各向異性刻蝕以刻蝕上述第2導電層來形成側壁狀的第1和第2控制柵、而且至少在形成共用接觸部的區域上形成接觸用導電層的工序；(h)形成構成源區或漏區的雜質擴散層的工序；(i)形成覆蓋控制柵的埋入絕緣層70的工序；(j)在形成共用接觸部的區域上形成第2掩模層230的工序；以及(k)對上述字柵用的第1導電層進行構圖的工序。
[8161-0117-0007] gan基ⅲ－ⅴ族氮化物發光二極管及其制造方法
[摘要] 在此提供一種gan基iii－v族氮化物半導體發光器件及其制造方法。在該gan鵌ii－v族氮化物半導體發光器件中包括面對相反方向或面對相同方向的第一和第二電極，在它們之間夾著高阻蝕基片，以及用于產生激光或發光的材料層，第二電極與通過高阻蝕性基片的被蝕刻區域暴露的最外材料層的一個區域直接接觸。導熱層可以形成在高阻蝕性基片的底部，以覆蓋最外材料層的暴露區域。
[8161-0213-0008] 雙極金屬氧化物半導體場效應晶體管器件
[摘要] 公開了一種半導體器件包括：至少一個單元，該單元包括一個第一種導電型的基區(32)，在其中至少配置了一個第二種導電型的發射區(36a、36b)；一個第二種導電型的第一個阱區(22)；一個第一種導電型的第二個阱區(2a)；一個第二種導電型的漂移區(24)；一個第一種導電型的集電區(14)；一個集電極接點(16)，其中每一個單元放置在第一個阱區(22)中，而第一個阱區(22)放置在第二個阱區(20)中；該器件還包括：第一個柵極(61)，安置在基區(32)上，以使一個mosfet溝道可以在發射區(36a、36b)和第一個阱區(22)之間形成；該器件還包括：第二個柵極，安置在第二個阱區(20)之上，以使一個mosfet溝道可以在第一個阱區(22)和漂移區(24)之間形成。
[8161-0086-0009] 雙位元非揮發性存儲單元的結構及其讀寫方法
[摘要] 一種雙位元非揮發性存儲單元結構及其讀寫方法，此存儲單元包括二堆疊柵結構、二堆疊柵結構間的一摻雜區，及位于二堆疊柵結構外側的二源/漏極區，源/漏極區的摻雜型態與摻雜區相同。寫入時，同時將二堆疊柵結構下方的通道打開，以通道電流的方向選擇欲寫入的浮置柵極。讀數據時，在第一浮置柵極上方的第一、第二控制柵極上施加讀取偏壓、轉移偏壓，以二源/漏極區導通與否來決定數據是否寫入，其中讀取偏壓大于擦除狀態的通道啟始電壓，小于寫入狀態的啟始電壓，轉移偏壓大于寫入狀態的啟始電壓。
[8161-0189-0010] 半導體裝置與其圖案設計方法
[摘要] 將激勵器驅動用的半導體裝置集成于一個芯片內。本發明的半導體裝置是在具有陰極激勵器、陽極激勵器以及存儲部的用來驅動表示顯示器的激勵器中，將與上述存儲部相連接的陽極激勵器區域10、12、13、16在芯片內均等分配，并在其均等分配的各陽極激勵器區域10、12、13、16的附近位置均等地配置sram18、19，從而簡化了布線的折回，可縮小芯片尺寸。
[8161-0214-0011] 發光或者受光用半導體組件及其制造方法
[8161-0197-0012] 單片式微波集成電路及其制造方法
[8161-0029-0013] ⅲ族氮化物單/多層異質應變薄膜的制作方法
[8161-0043-0014] 動態觸發器
[8161-0103-0015] 一種于一硅覆絕緣層上形成摻雜區的方法
[8161-0193-0016] 用于冷卻發熱元件的冷卻裝置和包括有冷卻裝置的電子設備
[8161-0199-0017] 存儲器件的制造和裝配結構及方法
[8161-0211-0018] 具有銦熱偶的電子組件的構造方法及具有銦熱偶的電子組件
[8161-0036-0019] 半導體裝置
[8161-0015-0020] 薄膜晶體管及其制造方法和包括該晶體管的半導體器件
[8161-0136-0021] 封裝的集成電路
[8161-0202-0022] 半導體裝置及其制作方法
[8161-0064-0023] 半導體裝置
[8161-0146-0024] 用于蝕刻碳摻雜有機硅酸鹽玻璃的方法和裝置
[8161-0012-0025] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0203-0026] 半導體裝置和其制造方法
[8161-0157-0027] 低壓力襯里的淺溝隔離元件的制備方法
[8161-0075-0028] 有機電致發光裝置
[8161-0111-0029] 基于二極管和陰極導電性以及陰極發光的數據存儲介質
[8161-0113-0030] 一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池及其制備方法
[8161-0106-0031] 一種微小芯片倒扣工藝技術
[8161-0127-0032] 高準確度及靈敏度霍爾感測元件及集成電路的封裝方法
[8161-0066-0033] 一次可編程半導體非易失性存儲器件及其制造方法
[8161-0038-0034] 導熱管集熱端
[8161-0068-0035] 加熱和冷卻薄片形制品的熱處理室
[8161-0191-0036] 懸吊式電子裝置構造
[8161-0031-0037] 氣體噴射器以及包含該噴射器的蝕刻裝置
[8161-0027-0038] 磁電轉換元件及其制造方法
[8161-0095-0039] 化學機械研磨用研磨劑及基板的研磨法
[8161-0110-0040] 與安裝基片有可靠連接的半導體器件
[8161-0123-0041] 半導體裝置的制造方法
[8161-0087-0042] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0186-0043] 一種制造半導體器件的方法
[8161-0040-0044] 電荷泵電路和使用它的非易失性存儲器的工作方法
[8161-0007-0045] 圖像拾取設備
[8161-0158-0046] 銅導線在下層之內連線的雙鑲嵌的制造方法
[8161-0082-0047] 引線框及使用該引線框的樹脂密封型半導體裝置制造方法
[8161-0092-0048] 半導體和鈣鈦礦結構氧化物p－n結
[8161-0175-0049] 半導體器件及其制造方法
[8161-0079-0050] 鐵電存儲器集成電路的高質量鉛鋯鈦酸鹽膜的制造工藝
[8161-0177-0051] 用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化學氣相沉積氧化硅薄膜
[8161-0021-0052] 制備功率整流器裝置以改變操作參數的方法及其制得的裝置
[8161-0063-0053] 半導體設備
[8161-0151-0054] iii－v族化合物半導體晶體結構及其外延生長方法和半導體器件
[8161-0208-0055] 基底、載物臺裝置、載物臺驅動方法和曝光裝置及曝光方法
[8161-0153-0056] 預清室的硅化物清除方法
[8161-0098-0057] 化學惰性的兆赫聲波換能器系統
[8161-0210-0058] 半導體器件用的保護層
[8161-0085-0059] 半導體存儲裝置
[8161-0080-0060] 使用磁化導熱液體的散熱器
[8161-0196-0061] 適用于靜電放電防護的電壓控制元件及其保護電路
[8161-0122-0062] 薄膜形成裝置和薄膜形成方法
[8161-0188-0063] 測試嵌入式模擬/混合信號磁心的方法和結構
[8161-0135-0064] 降低電氣雜訊的球陣列封裝裝置
[8161-0150-0065] 用直流電等離子聚合在金屬表面連續形成聚合物的設備
[8161-0044-0066] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8161-0152-0067] 預清室的微粒防止方法
[8161-0200-0068] 嵌入式快閃存儲器及其操作方法
[8161-0170-0069] 固體攝象裝置
[8161-0033-0070] 制造半導體裝置的方法及半導體裝置
[8161-0020-0071] 多孔sog膜的制備方法
[8161-0115-0072] 太陽能電池及其制造方法
[8161-0207-0073] 壓電變壓器
[8161-0091-0074] 半導體和鈦酸鋇p－n結
[8161-0057-0075] sigec半導體結晶及其制造方法
[8161-0046-0076] 發光二極管
[8161-0093-0077] 半導體和錳酸鑭p－n結
[8161-0162-0078] 用于半導體和功率模件的絕緣襯底板
[8161-0008-0079] 存儲器一體型顯示元件
[8161-0099-0080] 壓電式彎曲變換器
[8161-0048-0081] 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
[8161-0084-0082] 互補非易失性存儲電路
[8161-0180-0083] 利用分開的介電浮柵的新型易收縮非易失性的半導體存儲單元及其制造方法
[8161-0161-0084] 具有散熱結構的半導體封裝件
[8161-0041-0085] 具有冗余系統的半導體存儲器件
[8161-0051-0086] 半導體器件和設計掩模的方法
[8161-0181-0087] 用于控制至少一個電容調節器的裝置
[8161-0053-0088] 靜電吸盤和處理裝置
[8161-0073-0089] 修改集成電路的方法
[8161-0112-0090] 全耗盡型集電極硅絕緣體雙極晶體管
[8161-0065-0091] 金屬－絕緣－金屬場效應管
[8161-0195-0092] 具有精確導體的互連結構
[8161-0017-0093] 一種微型顯示器件及其制作工藝
[8161-0019-0094] 硅晶片的加強材料和利用這種材料制造集成電路芯片的方法
[8161-0013-0095] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0035-0096] 制造用于半導體裝置的圓柱型電容器的方法
[8161-0134-0097] 半導體集成電路及其制備方法
[8161-0159-0098] 頂部導體包層的制造方法
[8161-0184-0099] 互補掩模對的制造方法
[8161-0102-0100] 生產氮化鎵膜半導體的生產設備以及廢氣凈化設備
[8161-0148-0101] 金屬－絕緣體－半導體場效應晶體管
[8161-0145-0102] 用于降低半導體晶片中的波紋性的方法
[8161-0001-0103] 接合頭及部件安裝裝置
[8161-0016-0104] 使發光二極管產生白色光的方法及裝置
[8161-0028-0105] 光掩模、其制造方法、圖形形成方法及半導體裝置的制造方法
[8161-0076-0106] 圖形形成方法
[8161-0174-0107] 分子隧道二極管及其制造方法
[8161-0026-0108] 側發射型半導體光發射器件及其制造方法
[8161-0215-0109] 發光或者受光用半導體器件及其制造方法
[8161-0141-0110] 太陽能電池及其制造方法
[8161-0071-0111] 集成電路中自調準cu擴散阻擋層的制造方法
[8161-0083-0112] 半導體器件及其制造方法
[8161-0164-0113] 引線架
[8161-0069-0114] 從聚碳硅烷形成的低介電常數聚有機硅涂料
[8161-0094-0115] 用于半導體晶片的夾持裝置
[8161-0142-0116] 發光二極管及其制造方法
[8161-0131-0117] 發光二極管的散熱結構
[8161-0056-0118] 半導體器件、電子裝置的制造方法、電子裝置和攜帶式信息終端
[8161-0119-0119] 半導體發光元件
[8161-0003-0120] 級聯連接多個二極管構成的半導體器件
[8161-0004-0121] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0124-0122] 自適應等離子體表征系統
[8161-0155-0123] 可獲得納米柵的高電子遷移率晶體管制作方法
[8161-0205-0124] 一種鍍有金屬反射鏡膜基板的發光二極管及其制造方法
[8161-0108-0125] 一種層間介電層平坦化的方法
[8161-0183-0126] 激光加工方法及其設備
[8161-0104-0127] 半導體器件的制備方法
[8161-0201-0128] 雙位溝槽式柵極非揮發性快閃存儲單元及其操作方法
[8161-0059-0129] 近環繞閘極及制造具有該閘極的矽半導體裝置的方法
[8161-0166-0130] 半導體裝置及其圖案布線方法
[8161-0060-0131] 半導體裝置和制造半導體設備的方法
[8161-0109-0132] 壓觸式半導體器件
[8161-0081-0133] 半導體模塊及其制造方法
[8161-0156-0134] 用于固定插針的針塊結構
[8161-0090-0135] 量子型光電晶體管
[8161-0179-0136] 薄膜晶體管及其制造方法
[8161-0120-0137] 片式壓電變壓器連續極化的方法及其裝置
[8161-0133-0138] 導線框、使用該導線框的半導體裝置及其制造方法
[8161-0160-0139] 一種內在并行的二維離散小波變換的vlsi結構的設計方法
[8161-0139-0140] 半導體器件、電路襯底、光電裝置和電子設備
[8161-0187-0141] 制造半導體器件的方法
[8161-0039-0142] 半導體器件及其制造方法
[8161-0105-0143] 制造功率整流器件以改變工作參數的改進方法及所得器件
[8161-0137-0144] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0140-0145] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0178-0146] 用于諸如微處理器這樣的集成電路的支座底板
[8161-0054-0147] 印刷線路板傳送裝置
[8161-0037-0148] 電源半導體模塊和容納半導體模塊的冷卻元件
[8161-0167-0149] 半導體器件及其制造方法
[8161-0172-0150] 高壓p型mos管及其制備方法
[8161-0088-0151] 一種基于ⅲ族氮化物異質結構極化效應的高響應光電探測器
[8161-0116-0152] 提高金屬電極反射率的方法
[8161-0204-0153] 具有藍光發光單元以及含硒化鋅的覆蓋部的發光元件
[8161-0011-0154] 半導體器件及其制造方法
[8161-0185-0155] 晶體管t型發射極或柵極金屬圖形的制造方法
[8161-0097-0156] 具有增大柵耦合電容的集成電路
[8161-0072-0157] 為快速擦寫存儲器裝置的多晶硅提供摻雜質濃度的方法
[8161-0074-0158] 壓電陶瓷執行元件及其制造方法
[8161-0067-0159] 一種高亮度藍光發光晶粒的結構
[8161-0100-0160] 一種半導體生產系統
[8161-0030-0161] 一種在半導體基底上形成自行對準的接觸窗結構的方法
[8161-0052-0162] 部件及其制造方法
[8161-0096-0163] 化學機械研磨用研磨劑及研磨方法
[8161-0165-0164] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8161-0047-0165] 改進的用于支撐晶片的梯形舟
[8161-0045-0166] 含有單獨的晶體三極管的存儲器器件及其操作與制造方法
[8161-0128-0167] 去封裝芯片的測試裝置
[8161-0077-0168] ic測試處理機的ic輸送程序及其裝置
[8161-0101-0169] 高p型載流子濃度的氮化鎵基化合物薄膜的生長方法
[8161-0049-0170] 制造晶體管的方法
[8161-0171-0171] 具有絕緣柵型雙極晶體管的半導體器件及其制造方法
[8161-0055-0172] 半導體存儲元件的制造方法
[8161-0206-0173] 高亮度氮化物白光發光二極管及其制備方法
[8161-0032-0174] 在低溫下對硅表面氧化物的去除和外延生長方法
[8161-0194-0175] 用于降低集成電路的壓降的具有多重狹長帶的外部電源環
[8161-0144-0176] 用于半導體處理的氣體分配設備
[8161-0006-0177] 半導體存儲器
[8161-0192-0178] 金屬基座半導體
[8161-0147-0179] 具有存儲單元、邏輯區域和填充結構的半導體存儲元件
[8161-0217-0180] 三族金屬氮化物元件的制造方法
[8161-0023-0181] 信息處理結構體
[8161-0173-0182] 薄膜晶體管基片及其制造方法
[8161-0169-0183] 圖象攝取裝置
[8161-0125-0184] 制造絕緣層上硅的金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8161-0121-0185] 磁阻效應元件及其制造方法
[8161-0014-0186] 半導體器件及其制造方法
[8161-0042-0187] 半導體集成電路器件以及使用它們的電子裝置
[8161-0114-0188] 半導體器件以及顯示裝置
[8161-0005-0189] 半導體器件及其制造方法
[8161-0089-0190] 半導體器件及其制造方法和噴液設備
[8161-0002-0191] 沸騰冷卻裝置
[8161-0126-0192] 在藍寶石襯底上異質外延生長碳化硅薄膜的方法
[8161-0182-0193] 使用化學機械拋光精加工用于接合的晶片的裝置和方法
[8161-0018-0194] 發光器件和制造該器件的方法
[8161-0198-0195] 半導體裝置與其圖案設計方法
[8161-0163-0196] 具有內嵌式散熱塊的半導體封裝件
[8161-0138-0197] 發光器件
[8161-0010-0198] 點接觸平面柵型單電子晶體管及其制備方法(一)
[8161-0218-0199] cvd方法
[8161-0070-0200] 電子器件中有機介電薄膜集成化時使用硅氧烷介電薄膜的工藝
[8161-0024-0201] 半導體器件及其制造方法
[8161-0062-0202] 非著陸制作工藝及光學逼近修正光掩模圖形的產生方法
[8161-0107-0203] 制作在硅晶片上的薄膜無源元件的包裝方法
[8161-0078-0204] 評定多晶硅的方法和系統及制造薄膜晶體管的方法和系統
[8161-0132-0205] 多層金屬電源/接地總線的布局結構
[8161-0209-0206] 無凹陷銅鑲嵌結構的制造工藝
[8161-0176-0207] 多重光源發光裝置
[8161-0050-0208] 半導體晶體的制造方法
[8161-0034-0209] 凸塊制作方法
[8161-0118-0210] 發光單元、發光單元組件和用多個該單元生產的照明裝置
[8161-0154-0211] 氣源分子束外延生長鍺硅異質結雙極晶體管材料摻雜方法
[8161-0129-0212] 埋入式非易失性半導體存儲器單元的制造方法
[8161-0022-0213] 具有硅－鍺(sii－x－gex
[8161-0061-0214] 半導體芯片裝置及其封裝方法
[8161-0212-0215] 使用暈圈植入而制造半導體裝置的方法及系統
[8161-0025-0216] 光源裝置
[8161-0143-0217] 改善有機蒸發鍍膜成膜性能的方法
[8161-0149-0218] 多波長發光裝置、電子設備以及干涉鏡
[8161-0219-0219] 用于降低氮化物消耗的聚集體介電層
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）
金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417 收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中國 銀行：418330501880227509 戶 名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站 收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電 話：0414-2114320 3130161
手 機：13941407298 13050204739
客服QQ：547978981 824312550 517161662
敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。
本公司供應及其,及其制備,半導體裝置,半導體集成電路裝置類技術資料(168元/全套)貨質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
