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[8143-0028-0001] 交叉點陣列中存儲單元的隔離
[摘要] 存儲器陣列(100)包括位于第一(30)和第二(50)導體的交叉點處的存儲單元(10)。存儲單元(10)是復合結構，它能夠存儲數據，能將存儲單元(10)和潛通路電流隔離開。存儲單元(10)包括隧道柵極表面效應晶體管，該晶體管有不均勻柵極氧化物(14)。柵極氧化物(14)被支撐在柱狀二極管結構(12)上。存儲單元(10)在柵極氧化物(15)的隧道結(17)中存儲二進制狀態。另外，晶體管(62)的控制柵極(63)斷開隧道結(17)和柱(12)的側壁的連接，阻止了電流流動。控制柵極(63)因而阻止了潛通路電流通過存儲單元(10)。存儲單元(10)中的隔離特性不需要襯底上的空間，允許高陣列密度。另外，存儲單元(10)有低正向壓降，改善了存儲器陣列(100)的可讀性。
[8143-0075-0002] 密鑰安裝系統和實現這一系統的LSI以及密鑰安裝方法
[摘要] 本發明是在密鑰安裝系統中以提高密鑰的機密性和秘匿性為目的。在本發明的密鑰安裝系統中，復原電路12利用被加密密鑰EDK1(MK1)作為密鑰解密被加密密鑰EKY1(EDK1(MK1))，復原電路13利用復原電路12的輸出作為密鑰解密被加密密鑰EMK1(KEY1)。復原電路14利用復原電路13的輸出即內部密鑰MK1作為密鑰解密被加密密鑰EDK1(MK1)，而生成最后密鑰DK1。即，安裝在存儲部1a和LSI10的密鑰全部為加密的密鑰，并在LSI10中生成最后密鑰DK1。
[8143-0050-0003] 在單面上帶塊形連接的垂直導電倒裝芯片式器件
一種倒裝芯片式MOSFET結構具有垂直導電半導體管芯(30)，其中，管芯的下層同管芯頂部上的漏極(32)通過擴散散熱片或導通電極連接。源極(31)和柵極(33，34)也在管芯的上表面上形成，并且具有連接電路板的共面焊球(41，43，43)。結構具有芯片級封裝尺寸。當安裝管芯時轉換的管芯背面可粗糙化或可以金屬化以改進從管芯去除熱量。可并排地將幾個分離的MOSFET結合進管芯，以形成同具有焊球連接體的頂面上的源極和漏極分別連接的一系列MOSFET連接點。多個焊球連接體可為頂部電極提供并被設計在相應的平行行中。管芯可具有拉長矩形的形狀，焊球繞著矩形的對角線呈對稱地分布。
[8143-0034-0004] 薄膜晶體管陣列基板結構
[摘要] 一種薄膜晶體管陣列基板結構，是于薄膜晶體管陣列邊緣控制最后一列像素的掃描配線旁增加配置一列擬電極。其中，此列擬電極重疊于最后一條掃描配線的部分會形成一個電容，此電容相當于其它條掃描配線上方的儲存電容，而此列擬電極上方的液晶層會具有一液晶電容。通過此列擬電極可以補償最后一條掃描配線所缺乏的儲存電容與液晶電容。此外，本發明也可將此列擬電極連接到一電壓上，并調整其重疊在最后一條掃描配線上的面積，使得最后一條掃描配線上的電容與其它掃描配線上的電容等效。
[8143-0182-0005] 利用側壁聚合物柵極結構形成輕摻雜漏極的方法
[摘要] 本發明是提供一種利用側壁聚合物柵極結構形成輕摻雜漏極的方法，其是在一基底表面形成一柵氧化層與多晶硅柵極后，在柵極兩旁形成一側壁聚合物，再以該柵極及側壁聚合物為屏蔽，進行一淺離子植入步驟，利用該側壁聚合物的寬度，在側壁聚合物外的基底中形成一淺離子摻雜區，讓淺離子摻雜區在后續的熱制程中，橫向擴散至側壁聚合物下方的基底，以形成輕摻雜漏極結構。故可確保柵極下方的信道長度，減少多晶硅柵極與淺離子摻雜區的電容，并可防止擊穿效應的產生，使得當組件尺寸縮小的情況下，仍可保持組件的特性，提升產品的合格率。
[8143-0060-0006] 保護帶的貼附和剝離方法
[摘要] 用保護帶貼附裝置在由一吸盤平臺吸附支承的一薄片表面上貼附保護帶。保護帶由一切割單元切割成薄片的形狀。這個過程重復多次，以將多層保護帶貼附到薄片的表面上。使用一個保護帶剝離設備的剝離裝置來從最上層保護帶開始接連地剝離所貼附的諸層保護帶。
[8143-0209-0007] 用于芯片上靜電放電保護的雙極結晶體管及其方法
[摘要] 一種從信號焊盤接收信號的集成電路器件包括：響應來自信號焊盤的信號的至少一個硅雙極結晶體管，用于提供靜電放電保護；和用于檢測來自信號焊盤的信號并給至少一個硅雙極結晶體管提供偏置電壓的檢測電路，其中至少一個硅雙極結晶體管包括形成在單個硅層中并與集成電路器件的襯底隔離的發射極、集電極和基極，并且基極耦合到檢測電路以接收偏置電壓。
[8143-0036-0008] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[摘要] 一種肖特基勢壘二極管及其制造方法。目前，由于有臺面型晶體管蝕刻及厚的聚酰亞胺層等，故不能推進芯片的小型化，并且，電極間存在距離，不能提高特性。另外，其制造方法中肖特基結部分的蝕刻控制很困難。本發明通過在基板表面設置n+型離子注入區域，不再需要設置臺面及聚酰亞胺層，可實現化合物半導體的平面型肖特基勢壘二極管。由于可使電極間距離接近，可實現芯片的縮小，也可提高高頻特性。由于形成肖特基電極時不蝕刻GaAs，故可制造再現性好的肖特基勢壘二極管。
[8143-0063-0009] 存儲器封裝工藝方法
[摘要] 本發明涉及一種存儲器封裝工藝方法，包括粘片、烘烤、鍵合、封入、切筋、脫脂、去毛刺、電鍍步驟，其特征在于：在封入工藝后增加脫脂去毛刺工藝，在切筋工藝后去除脫脂工藝，具體操作步驟如下：粘片-烘烤-鍵合-封入-脫脂-去毛刺-切筋-去毛刺-電鍍-引線加工。采用該工藝方法從根本上提高密著性、解決剝離問題，并可以生產出不存在剝離的制品從而使存儲器的生產得以順利進行、提高成品率。
[8143-0045-0010] 電元件的封裝和制造方法
[摘要] 本發明涉及敏感的元件結構(2)的封裝，這類元件結構用一個由光敏反應樹脂制成的框架結構(6)包封，并在敷設一層輔助薄膜(7)后，該反應樹脂用另一層刻蝕的反應樹脂層(8)覆蓋。例如通過蝕刻印制或光刻可在框架結構(6)上制出匹配的頂蓋結構(10)。外露的輔助薄膜(7)的殘余部分被溶解掉或腐蝕掉。
[8143-0097-0011] 有機薄膜晶體管及制備方法
[8143-0066-0012] 防止金屬導線間短路的方法
[8143-0127-0013] 微電子器件可靠性快速評價方法
[8143-0158-0014] 半導體芯片的制造方法
[8143-0164-0015] 去除遮蔽對準標記物質的方法
[8143-0202-0016] 用于封裝電子器件的封蓋及其制造方法
[8143-0086-0017] 一種大功率可關斷半導體器件
[8143-0062-0018] 激光照射方法和激光照射器件以及制造半導體器件的方法
[8143-0185-0019] 制造半導體器件的方法、用于該方法的粘附薄片和半導體器件
[8143-0193-0020] 形成雙鑲嵌結構的方法
[8143-0113-0021] 半導體元件的制造方法
[8143-0138-0022] 半導體封裝及其制造方法
[8143-0218-0023] 固體攝像器件和使用該攝像器件的攝像機
[8143-0031-0024] 金屬氧化物半導體場效應晶體管
[8143-0207-0025] 金屬內連線結構
[8143-0122-0026] 非致冷紅外焦平面器件用低應力復合介質膜的制備方法
[8143-0103-0027] 在晶片級上形成的集成電路封裝
[8143-0106-0028] 發光元件
[8143-0098-0029] 設有晶片輸送機械臂用嵌入座的大氣壓下晶片輸送模件及其實施方法
[8143-0120-0030] 半導體器件制造設備
[8143-0054-0031] 剝離方法以及制造半導體器件的方法
[8143-0084-0032] 發光器件和采用該器件的電子設備
[8143-0117-0033] 形成開口的方法
[8143-0183-0034] 利用反梯形柵極結構形成輕摻雜漏極的方法
[8143-0078-0035] 強電介質記憶裝置及其制造方法
[8143-0074-0036] 半導體集成電路裝置、安裝襯底和安裝體
[8143-0145-0037] 半導體器件
[8143-0101-0038] 靜電吸盤,基座及其制造方法
[8143-0114-0039] 集成電路制造方法
[8143-0076-0040] 垂直取向的超小型熔斷器和超小型電阻器的電路元件
[8143-0180-0041] 半導體器件的制造方法
[8143-0085-0042] 半導體放電管半導體芯片
[8143-0214-0043] 半導體器件及其制造方法
[8143-0204-0044] 半導體裝置及其制造方法、電路板和電子儀器
[8143-0132-0045] 半導體集成電路的設計方法
[8143-0080-0046] 互補金屬氧化物半導體器件
[8143-0167-0047] 發光器件的制造方法
[8143-0130-0048] 一種電容器和一種晶體管及其制造方法
[8143-0088-0049] 半導體裝置及其制造方法
[8143-0176-0050] 等離子體處理裝置和可變阻抗裝置的校正方法
[8143-0002-0051] 可去除蝕刻制程后的殘留聚合物及降低氧化物損失的方法
[8143-0150-0052] MOS晶體管及其制造方法
[8143-0148-0053] 光纖電荷耦合器件及其制造方法
[8143-0092-0054] 采用有機量子阱結構作空穴傳輸層的有機電致發光器件
[8143-0093-0055] 有機發光器件結構中具有重堿金屬鹵化物的濺射陰極
[8143-0208-0056] 含鈀和/或鉑中間層的結構及其制作方法
[8143-0020-0057] 一種形成閃存晶胞的方法
[8143-0071-0058] 利用通氣孔和間隙的高濕敏性電子器部件及其制造方法
[8143-0195-0059] 防止金屬擠出的方法
[8143-0053-0060] 剝離方法及半導體器件的制造方法
[8143-0190-0061] 芯片元件的搬送保持裝置
[8143-0068-0062] 制造集成半導體裝置的方法、半導體裝置和存儲單元
[8143-0151-0063] 無鋁珠析出的硅太陽電池背場合金配方
[8143-0199-0064] 動態隨機存取存儲器單元的形成方法
[8143-0152-0065] 倒扣封裝背照式光電探測器芯片制作方法
[8143-0139-0066] 電子器件及其制造方法
[8143-0112-0067] 結晶裝置、結晶方法及相位轉換機構
[8143-0189-0068] 諸如晶片的基片的定量質量檢驗的方法和裝置
[8143-0174-0069] 降低復晶硅層的反射率的方法
[8143-0046-0070] 電子裝置及其制造方法
[8143-0205-0071] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8143-0024-0072] 半導體組件及其制造方法
[8143-0048-0073] 半導體器件和該器件的制造方法
[8143-0033-0074] 縱向晶體管、存儲裝置以及用于制造縱向晶體管的方法
[8143-0089-0075] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
[8143-0160-0076] 集成電路封裝壓力釋放裝置和方法
[8143-0163-0077] 整合與自動化作業的方法及系統
[8143-0029-0078] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器
[8143-0037-0079] 電光裝置和電子設備
[8143-0079-0080] 以一次可編程熔斷器/抗熔斷器組合為基礎的存儲單元
[8143-0179-0081] 光加熱裝置
[8143-0104-0082] 功率晶體管模塊和功率放大器及其制造方法
[8143-0006-0083] 制作金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8143-0067-0084] 制造半導體集成電路的方法
[8143-0212-0085] 雙功函數互補金氧半導體晶體管及其制法
[8143-0014-0086] 淺溝槽隔離的形成方法
[8143-0102-0087] 采用平面薄膜電極的靜電吸盤
[8143-0038-0088] 氧化鋅紫外光電探測器原型器件的制備方法
[8143-0216-0089] 半導體存儲裝置
[8143-0133-0090] 半導體器件
[8143-0111-0091] 制造絕緣體上硅鍺襯底材料的方法以及該襯底
[8143-0116-0092] 單晶硅及SOI基板、半導體裝置及其制造方法、顯示裝置
[8143-0107-0093] 壓電元件
[8143-0129-0094] 真空處理裝置的有孔內部部件的涂覆方法及利用該方法涂覆的有孔內部部件
[8143-0056-0095] 半導體器件及其制造方法
[8143-0025-0096] 具有平衡結構的構裝集成電路
[8143-0058-0097] 多晶硅膜的制造方法
[8143-0191-0098] 半導體器件
[8143-0083-0099] 發光器件和使用該器件的電子設備
[8143-0017-0100] 避免于內存組件形成多晶硅縱梁的方法
[8143-0094-0101] 半導體發光元件和半導體發光裝置
[8143-0115-0102] 具應變通道層的晶圓的制作方法
[8143-0126-0103] 具有導電凸塊的覆晶基板及其導電凸塊的制造方法
[8143-0081-0104] 對比度檢測能力強的半導體攝像元件
[8143-0187-0105] 具有利用激光方法成型的接觸電極的接觸器
[8143-0095-0106] 光發射單元、光發射單元組件和由多個光發射單元組裝的發光設備
[8143-0003-0107] 半導體器件的制造方法
[8143-0159-0108] 消去光刻膠與OSG之間的反應的方法
[8143-0143-0109] 具有微機電系統的半導體器件
[8143-0087-0110] 具有硅化物膜的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
[8143-0173-0111] 制造半導體設備的方法和形成圖案的方法
[8143-0141-0112] 類似覆晶型的發光二極管組件封裝
[8143-0096-0113] 一種鈣鈦礦型稀土錳氧化物巨磁電阻材料、制備工藝及其用途
[8143-0157-0114] 新型寬溫域巨磁致伸縮材料及其制備方法
[8143-0198-0115] 調整快閃存儲單元啟始電壓的方法
[8143-0131-0116] 形成多層低介電常數雙鑲嵌連線的制程
[8143-0128-0117] 支撐裝置
[8143-0055-0118] 組合產品的制造系統和制造方法
[8143-0010-0119] 形成金屬-絕緣層-金屬電容器的方法
[8143-0135-0120] 散熱器及其制作方法
[8143-0004-0121] 一種硅化物全自對準槽柵絕緣柵雙極晶體管設計及制備工藝
[8143-0043-0122] 摻雜半導體層的方法,制造薄膜半導體器件的方法及薄膜半導體器件
[8143-0121-0123] 蝕刻方法
[8143-0027-0124] 集成電路內建電感及利用P-N元件阻斷寄生電流的結構
[8143-0118-0125] 制造自裝配微結構的方法
[8143-0110-0126] 多晶硅層的制作方法
[8143-0140-0127] 靜電放電保護電路
[8143-0013-0128] 減少隔離元件對于主動區域的應力與侵蝕效應的方法
[8143-0188-0129] 計算實際增加的缺陷數目的方法
[8143-0177-0130] 在銅金屬圖案表面形成密封層的方法
[8143-0156-0131] 半導體器件和一種使用該半導體器件的光學器件
[8143-0008-0132] 檢測接觸窗蝕刻結果的方法
[8143-0215-0133] 非揮發記憶胞元
[8143-0077-0134] 具有雙隧道結存儲單元的存儲器件
[8143-0184-0135] 影像傳感器封裝法
[8143-0052-0136] 通過使用保護層制造半導體結構的方法和半導體結構
[8143-0082-0137] 發光器件、發光器件驅動方法、以及電子設備
[8143-0064-0138] 內存的區段同步化測試方法與電路
[8143-0136-0139] 散熱器的組合方法
[8143-0149-0140] 半導體器件及其制造方法
[8143-0201-0141] 半導體器件
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[8143-0168-0145] 圖案形成方法`
[8143-0147-0146] 一種快閃存儲器結構及其制作方法
[8143-0030-0147] 光傳感器系統及影像讀取方法
[8143-0108-0148] 自供電遙控裝置及包括該裝置的電氣設備和設施
[8143-0194-0149] 自行對準鈷硅化物的接觸窗制作工藝技術
[8143-0040-0150] 有機發光器件
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[8143-0012-0155] 淺槽隔離結構的形成方法
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[8143-0023-0158] 半導體器件及其制造方法
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[8143-0211-0161] 具有體偏置電路的半導體集成電路器件
[8143-0123-0162] 激光裝置、激光照射方法和半導體器件制造方法
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[8143-0169-0164] 氮化物半導體元件的制造方法和氮化物半導體元件
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[8143-0213-0180] 存儲器器件的結構及其制造方法
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