材料p-n結制造|工藝資料-薄膜,半導體材料,類(168元/全套)
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1-1000211 液相電沉積N-型及P-型一維納米線陣列溫差電材料及設備和制備方法
2-1000211 2
含彌散分布氮化物顆粒的p-型β-FeSi
3-1000211 p型摻雜ZnO基稀磁半導體材料及制備方法
4-1000211 2
納米級P-型Bi
5-1000211 一種P型納米BiTe基材料的制備方法
6-1000211 測量半導體硅材料PN型及電阻率的多功能測試儀
7-1000211 星形結構的p-n高分子電致發光材料
8-1000211 中濃度P型摻雜透射式砷化鎵光陰極材料及其制備方法
9-1000211 一種P型Ⅲ族氮化物材料的制作方法
10-1000211 低阻P型GaN基材料歐姆接觸制備的方法
11-1000211 P型材料及用于電子器件的混合物
12-1000211 應變調制摻雜法制備P型氧化鋅半導體薄膜材料的方法
13-1000211 一種P型透明導體材料及制備方法
14-1000211 一種用于p型透明導體的層狀材料及制備方法
15-1000211 一類用于p型透明導體的黃銅礦型材料及制備方法
16-1000211 一種P型磷化鎵半導體材料及其制備方法
17-1000211 一種P型透明導電的錫銻氧化物薄膜材料及其制造方法
18-1000211 一種P型摻氮的氧化亞銅薄膜材料及其制造方法
19-1000211 一種銦鎵共摻的低阻P型二氧化錫薄膜材料及其制造方法
20-1000211 一種鎘銻基p型熱電材料及其制備方法
21-1000211 一種銦鋁共摻的低阻P型二氧化錫薄膜材料及其制造方法
22-1000211 一種鋇鋅銻基p型熱電材料及其制備方法
23-1000211 選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的制備方法
24-1000211 p
確定塑性材料非比例伸長應力的P
25-1000211 p型銅鐵礦基氧化物臭氧氣敏半導體材料及其制備方法
26-1000211 制備p型氧化鋅半導體體材料的方法
27-1000211 激光加工在P型碲鎘汞材料上形成PN結的方法及裝置
28-1000211 一種p型銪鎘銻基熱電材料及其制備方法
29-1000211 2
p型透明氧化物半導體CuCrO
30-1000211 一種p型銪鋅銻基熱電材料及其制備方法
31-1000211 在p型III-V氮化物材料上制造低電阻率歐姆接觸的方法
32-1000211 一種提高金屬基復合材料腐蝕抗力的表面化學鍍Ni-P層的方法
33-1000211 液相電沉積N型及P型薄膜溫差電材料及制備方法
34-1000211 鎂摻雜氮化鎵基材料和發光二極管P型氮化鎵的激活方法
35-1000211 2
p型摻雜CuCrO
36-1000211 p型半導體材料、半導體元件、有機電致發光元件及p型半導體材料的制造方法
37-1000211 一種氮摻雜氧化鋅p型稀磁半導體材料的制備方法
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