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[8135-0161-0001] 多晶硅自行對準接觸插塞與多晶硅共享源極線及制作方法
[摘要] 本發明涉及一種多晶硅自行對準接觸插塞與多晶硅共享源極線，形成于一半導體組件中，該半導體組件包括有沿Y軸方向相鄰的一第一單元與一第二單元，每一個單元中包括有：一第一柵極結構以及一第二柵極結構，定義形成于一半導體硅基底的表面上；一側壁子，分別形成于該第一柵極結構以及該第二柵極結構的側壁上；一源極區域，形成于該第一柵極結構以及該第二柵極結構之間的半導體硅基底內；以及一開口。一漏極區域，形成于半導體硅基底內。一接觸洞，形成于該第一單元以及該第二單元之間，以暴露該漏極區域的表面。一多晶硅自行對準接觸插塞，形成于該接觸洞內。一多晶硅共享源極線，形成于該開口內。
[8135-0064-0002] 含有用于卸掉有缺陷部分的卸荷電路的半導體器件
[摘要] 一種半導體器件包括：卸荷主題電路，卸荷電路，及多個熔絲元件。所述卸荷主題電路執行某一預定功能。提供能卸掉所述卸荷主題電路的所述卸荷電路，以執行所述預定功能。提供對應于所述卸荷電路的所述多個熔絲元件，使所述卸荷電路替代所述卸荷主題電路，這樣，當由所述卸荷電路替代所述卸荷主題電路時，能儲存著說明所述卸荷主題電路的信息。
[8135-0194-0003] 表面處理方法和半導體裝置的制造裝置
本發明提供一種表面處理方法，其特征為，包括：通過等離子體使物質等離子體化，生成第一等離子體化物質及第二等離子體化物質的等離子體化工序；開始向基體導入通過該等離子體而等離子體化的該第一等離子體化物質的開始工序；終止向該基體導入該第一等離子體化物質的終止工序；在該終止工序前觀測通過該等離子體而等離子體化的該第二等離子體化物質狀態的觀測工序；和根據該觀測工序的觀測結果，控制表示從該開始工序直到該終止工序為止的時間的等離子體處理時間的控制工序，使表示向該基體導入的第一等離子體化物質的總量的總劑量成為所希望的總劑量。
[8135-0092-0004] 惡劣環境下使用的雪崩光電二極管
[摘要] 本發明提出了利用SiC或GaN材料制造的一種APD器件。根據本發明的實施例，一種用于檢測紫外光子的雪崩光電二極管包括：具有第一摻雜劑的襯底110；位于該襯底之上的具有第一摻雜劑的第一層111；位于第一層之上的具有第二摻雜劑的第二層112；位于第二層之上的具有第二摻雜劑的第三層114；用于在雪崩光電二極管表面上提供電鈍化的鈍化層(116，122)；位于第三層之上用于限制移動離子輸運的磷硅酸鹽玻璃層124；以及用于提供歐姆接觸的一對金屬電極(118，120)，其中第一電極位于襯底之下且第二電極位于第三層之上；其中雪崩光電二極管包括形成傾斜臺面形狀的第一側壁和第二側壁；并且其中雪崩光電二極管工作在溫度大約等于150攝氏度的環境中。
[8135-0016-0005] 半導體接觸電容熱電池
[摘要] 本發明公開了一種由半導體電容器和二極管組成的靜態電源裝置。半導體電容器與二極管同性極板相連，兩種多數載流子擴散的結果使半導體電容器充電，這就使二極管加上了反向偏置電壓。加熱半導體電容器，少數載流子增加。在二極管內電場作用下，兩種載流子分別漂移，形成工作電壓。只需不斷地加熱，熱電池就能把熱能轉化為電能。它可以把太陽能、地熱能、生產和生活中的熱能轉化為電能并進行循環利用，消除能源消費帶來的污染，達到可持續發展的目的。
[8135-0186-0006] 主動式有機發光二極管的制造方法
[摘要] 一種主動式有機發光二極管的制造方法，此方法首先在一基板上形成一柵極以及與柵極連接的一掃描配線。接著，在基板上形成一柵介電層。之后，在柵極上方的柵介電層上形成一微晶硅通道層。繼之，在柵介電層上形成一陽極層，在微晶硅通道層上形成一源極/漏極，并且同時形成與源極連接的一數據配線，而構成一薄膜晶體管。接著，在基板的上方形成一保護層，覆蓋薄膜晶體管上并暴露出陽極層，之后進行一紫外線-臭氧活化工藝，以活化陽極層。接續，于基板的上方依序形成一發光層與一陰極層。
[8135-0054-0007] 多方位儲液槽導熱裝置與方法
[摘要] 本發明提供一種多方位儲液槽導溫裝置與方法，該方法是先將一熱超傳導組合體裝設在一發熱源上，并在該熱超傳導組合體的真空密閉容室的底部內面設有至少一凹槽，使熱超傳導組合體的擺設位置或角度改變時，灌注在真空密閉容室內的導溫材料會流入上述的凹槽內；該裝置是裝設在一發熱源上，并包含一貼設在該發熱源上的熱超傳導組合體，及數個環設在該熱超傳導組合體的翼片。
[8135-0014-0008] 太陽能電池組件和其生產方法
[摘要] 提供一種高品質的薄膜單晶太陽能電池組件，亦即耐久性和撓性優良的薄膜單晶太陽能電池組件和其生產方法。該薄膜單晶從襯底上的剝離是按照使根據薄膜單晶最容易劈裂的那些平面比如{111}的表象形成在薄膜單晶的表面的所有直線的方向，均不同于已剝離單晶前方線的方向的方式進行的。該薄膜單晶可用來生產太陽能電池和圖象顯示部件的驅動電路器件。具有撓性且包含有以薄膜單晶作為其至少一部分的光電元件的太陽能電池組件，是按照使組件固有的容易彎曲的方向不同于薄膜單晶最容易劈裂的方向的方式制造的。
[8135-0195-0009] 半導體晶片背面研磨方法
[摘要] 一種半導體晶片背面研磨方法，該方法通過研磨裝置研磨半導體晶片背面，由此使半導體晶片達到預定厚度，該半導體晶片具有形成在其正面上的多個電路并具有接近半圓截面形狀的外周邊。在研磨半導體晶片背面之前采用了預處理，用于使該半導體晶片的外周邊形成相對于該半導體晶片背面成θ角的平面，80度≤θ≤100度，優選為85度≤θ≤95度。
[8135-0122-0010] 等離子加工裝置
[摘要] 本發明公開了一種能夠限制等離子而不存在等離子密度不均勻和電功率損失的實用的等離子加工裝置。此裝置包括等離子屏蔽罩，其包圍了等離子發生區以防止等離子擴散。該屏蔽罩具有至少一個開口。此裝置包括用于防止等離子通過等離子屏蔽罩的開口而擴散出去的防擴散電極。等離子屏蔽罩上的暴露在等離子中的表面由絕緣體制成。防擴散電極處于朝向開口擴散的電子或者已經從等離子中通過開口擴散出去的電子將流入其自身中的位置處。
[8135-0165-0011] 使集成電路可承受高壓靜電放電的氧化銦錫走線方法
[8135-0094-0012] 硅襯底上生長II－VI族材料薄膜的方法
[8135-0091-0013] 太陽能電池組件的制造方法
[8135-0038-0014] 測量晶片的零傾斜角度的方法
[8135-0040-0015] 觀測可編程數字集成電路芯片內部所有信號的方法和系統
[8135-0153-0016] 一種熱界面材料及其制造方法
[8135-0189-0017] 用于制造發光器件的方法
[8135-0024-0018] 形成抗蝕劑圖案的工藝、半導體器件及其制造
[8135-0141-0019] 互連結構及其形成方法
[8135-0006-0020] 主動式有機發光二極管的像素結構及其制造方法
[8135-0136-0021] 球柵陣列半導體封裝件用的承載裝置
[8135-0021-0022] 半導體制造的Runcard管理系統及方法
[8135-0098-0023] 具除水薄膜的有機發光二極管及其制造方法
[8135-0146-0024] 填補復晶硅細縫的方法
[8135-0097-0025] 有機發光二極管元件及其有機發光層材料
[8135-0085-0026] 具有受應力通道的場效應晶體管及其制造方法
[8135-0061-0027] 多級半導體結構中對準帶帽金屬線和互連的形成
[8135-0138-0028] 減少半導體組件產生淺溝渠隔離凹陷效應的方法
[8135-0125-0029] 半導體器件的制造方法
[8135-0001-0030] 半導體器件，顯示器件，發光器件以及其制作方法
[8135-0154-0031] 電功率半導體裝置
[8135-0199-0032] 元件焊接用基板及其制造方法
[8135-0003-0033] 用于形成具有凹狀微透鏡的圖象傳感器的方法
[8135-0207-0034] 具有未摻雜覆蓋層的第Ⅲ族氮化物LED
[8135-0037-0035] 倒裝芯片半導體器件的側面焊接方法
[8135-0109-0036] 基板處理方法、基板處理裝置和基板處理系統
[8135-0113-0037] 抗蝕液涂敷方法和裝置
[8135-0203-0038] 鎢硅閘極選擇性側壁氧化期間最小化氧化鎢蒸氣沉積之方法
[8135-0209-0039] 前體溶液及其使用方法
[8135-0030-0040] 形成氧化層的方法
[8135-0128-0041] 透過覆層對隧道結器件的隧道阻擋層進行的紫外光處理
[8135-0106-0042] 膜圖案的形成方法、薄膜制造裝置、導電膜布線
[8135-0012-0043] 晶體管、集成電路、電光裝置、電子設備及其制造方法
[8135-0077-0044] 使用多柵極晶體管的互補金屬氧化物半導體晶體管反向器
[8135-0215-0045] 電氣裝置制造方法
[8135-0026-0046] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8135-0104-0047] 連續異常缺陷快速警示系統及方法
[8135-0139-0048] 在半導體基底之中形成淺溝槽隔離物的方法
[8135-0090-0049] 太陽能電池組件
[8135-0009-0050] 具有硅絕緣體區域和體區域的半導體裝置及其制造方法
[8135-0205-0051] 散熱器
[8135-0208-0052] 高功率LED
[8135-0198-0053] 半導體記憶裝置之制造方法
[8135-0005-0054] 主動式有機發光二極管顯示器及其制造方法
[8135-0159-0055] 以導線架為芯片承載件的半導體封裝件及其制法
[8135-0130-0056] 利用非布植方式形成半導體組件的方法
[8135-0162-0057] 一種具有空氣間隔的集成電路結構及其制作方法
[8135-0069-0058] 集成電路電容器
[8135-0179-0059] 異質接面雙極晶體管的功率晶體管
[8135-0119-0060] 多晶硅層的制作方法
[8135-0184-0061] 光電元件
[8135-0201-0062] 兩種存儲器類型的集成
[8135-0216-0063] 被處理體的搬運系統、無人搬運車系統、無人搬運車及被處理體的搬運方法
[8135-0175-0064] 罩幕式只讀存儲器的結構及其制造方法
[8135-0065-0065] 能同時讀寫數據的方法和集成電路
[8135-0182-0066] 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
[8135-0095-0067] 有機發光二極管元件及應用于有機發光二極管元件的材料
[8135-0034-0068] 半導體裝置的制造方法
[8135-0018-0069] 具有菲咯啉稠合的吩嗪的有機發光裝置
[8135-0178-0070] 具有減小應力的濾色層的圖像傳感器及其制造方法
[8135-0053-0071] 一種熱驅動換熱器
[8135-0015-0072] 金屬與半導體接觸電容熱電池
[8135-0187-0073] 橫向磊晶形成磊晶層的方法
[8135-0036-0074] TAB帶狀載體及其生產方法
[8135-0075-0075] 具形成于網區選擇性晶體管之積體半導體內存
[8135-0004-0076] 具有濾色器和微型凹透鏡組合的圖像傳感器
[8135-0002-0077] 光電轉換器件和使用光電轉換器件的攝像系統
[8135-0163-0078] 具有半導體薄膜的組合半導體裝置
[8135-0110-0079] 可在連接狀態下進行質量流控制器檢查的半導體制造裝置
[8135-0131-0080] 半導體器件及其制造方法
[8135-0011-0081] 半導體器件和制造半導體器件的方法
[8135-0062-0082] 用于在休眠狀態下減輕柵極漏泄的方法和電路
[8135-0118-0083] 制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法
[8135-0048-0084] 用于制造具有在位線方向延伸的接觸體的半導體器件的方法
[8135-0116-0085] 減少基極長度偏差的方法
[8135-0059-0086] 包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
[8135-0076-0087] 具有高介電常數穿隧介電層只讀存儲器的結構與制造方法
[8135-0177-0088] 具有在外圍區域的大微透鏡的圖像傳感器
[8135-0134-0089] 等臂直線裂片裝置
[8135-0123-0090] 低介電常數層的制造方法
[8135-0096-0091] 有機發光二極管元件及其有機發光層材料
[8135-0170-0092] 半導體器件
[8135-0157-0093] 半導體裝置及其制造方法
[8135-0043-0094] 處理集成電路的設備和方法
[8135-0129-0095] 形成規格化晶體管組件的方法
[8135-0022-0096] 半導體制造方法及設備
[8135-0046-0097] 用于施加應力圖形的隔離結構
[8135-0029-0098] 低介電常數材料以及化學氣相沉積（CVD）制備方法
[8135-0074-0099] 半導體存儲裝置
[8135-0086-0100] 具有T形柵極電極的半導體器件及其制造方法
[8135-0149-0101] 編碼布植工藝
[8135-0027-0102] 集成電路晶片的平面化方法
[8135-0033-0103] 光學機構的封裝方法及該光學機構
[8135-0071-0104] 多重柵極結構及其制造方法
[8135-0111-0105] 半導體基材及其制作方法
[8135-0087-0106] 金氧半場效晶體管及其制造方法
[8135-0210-0107] 半導體制造裝置的遠程維修系統和遠程維修方法
[8135-0060-0108] 高密度芯片載體及其構成方法
[8135-0142-0109] 半導體器件及其制造方法
[8135-0218-0110] 在半導體或電介質晶片上制作的系統級封裝
[8135-0083-0111] 有機電激發光二極管面板的封裝工藝
[8135-0063-0112] 半導體集成電路設備和在該設備中檢測延遲誤差的方法
[8135-0019-0113] 基于稠合共軛化合物的有機發光器件
[8135-0151-0114] 印刷電路板、半導體封裝、基底絕緣膜以及互連襯底的制造方法
[8135-0183-0115] 疊層型光電元件
[8135-0188-0116] 以碳化硅為基板的發光元件
[8135-0174-0117] 半導體器件及其制造方法
[8135-0020-0118] 流程卡情況下半導體設備的污染控制方法
[8135-0168-0119] 具有多層垂直結構的高容量電容器
[8135-0143-0120] 自定時和自檢測的熔斷器燒斷
[8135-0169-0121] 具有電壓反饋電路的半導體器件及利用它的電子設備
[8135-0080-0122] 利用保護涂層制造和封裝圖象傳感器小片的方法
[8135-0133-0123] 芯片頻率調整的方法
[8135-0127-0124] 利用準分子激光退火工藝制作多晶硅薄膜的方法
[8135-0197-0125] 半導體集成電路器件及其制造方法
[8135-0212-0126] 等離子體刻蝕有機抗反射涂層的方法
[8135-0008-0127] 制備窄摻雜剖面高性能半導體器件的結構和方法
[8135-0190-0128] 發光裝置
[8135-0078-0129] 整合型晶體管及其制造方法
[8135-0140-0130] 在半導體基底之中形成淺溝槽隔離物的方法
[8135-0107-0131] 用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶體管的方法
[8135-0047-0132] 電容器及其制造方法
[8135-0180-0133] 小型非線性異質結雙極晶體管陣列
[8135-0192-0134] 高熱傳導且可隔絕濕氣滲透的致冷晶片及其制造方法
[8135-0066-0135] 半導體集成電路裝置及半導體集成電路裝置的制造方法
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