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[8162-0104-0001] 球腳陣列封裝基板及其制造方法
[摘要] 一種球腳陣列封裝基板及其制造方法，其中基板的一面具有單一圖案層，用以使焊錫球連接于導線圖案，一散熱層結合于基板的另一面，散熱層提供bga基板的接地圖案及/或電源圖案，用以分散該基板圖案層的接地圖案和/或電源圖案所需面積，其中基板的接地焊錫球和/或電源焊錫球是利用填滿貫穿孔的導電膠來與該散熱層相連接。其散熱層不僅是散熱層，同時可作為接地圖案及電源圖案，因此，可分散基板圖案層所需要的接地圖案及電源圖案所需的面積，增加布局設計的彈性，散熱性。
[8162-0165-0002] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，在其半導體本體(1)的表面(2)上形成非易失性存儲器元件，包括源(3)和漏(4)，和與包含控制柵(9)的柵結構(8)電絕緣的存取柵(14)，柵結構(8)與半導體本體(1)通過柵極介質層(11、25)絕緣。柵極介質層(11、25)帶有能以電荷形式存儲數據的電荷存儲區。存取柵(14)具有基本平坦的表面部分(17)，它基本平行于半導體本體(1)的表面(2)延伸且具有挨著柵結構(8)放置但不覆蓋柵結構(8)的塊狀形狀。
[8162-0086-0003] 薄膜晶體管及其制造方法
一種多晶硅薄膜晶體管，通過對非晶硅膜多次照射激光，實現由多個晶粒構成，通過抑制鄰接晶粒的邊界部分中突起的發生，成為至少2個以上的晶粒集合體，在該多晶硅薄膜晶體管的至少一部分中存在(111)優先取向的簇結晶；可達到200cm2/v?s以上的高遷移率特性。
[8162-0160-0004] 半導體晶片及其制造方法
[摘要] 對沉積了segec晶體層8的si襯底1進行熱退火處理，從而在硅襯底1上形賞嘶餝igec晶體層10，該退火sigec晶體層10由被晶格馳豫、且幾乎沒有位錯的矩陣sigec晶體層7和分散在矩陣segec晶體層7中的sic微晶體6構成。然后，在退火segec晶體層10上沉積si晶體層，而形成很少有位錯的應變si晶體層4。
[8162-0100-0005] 在槽內形成襯墊的方法
[摘要] 本發明公開了一種包括具有襯墊的槽的結構，該結構通過快速熱氧化獲得，該襯墊在槽的頂部和底部具有圓的彎角。
[8162-0085-0006] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 半導體器件，具有在半導體襯底上邊被絕緣膜隔離開來形成有第1半導體層的器件襯底。在器件襯底上，把溝形成為使得具有從半導體層的上表面一直達到上述絕緣膜的內部為止的深度，而且，具有在上述絕緣膜的上部溝徑被擴大的溝徑擴大部分。在該溝徑擴大部分上，在與上述半導體層的下表面進行接連的狀態下埋入雜質擴散源。形成具有第2導電類型的第1擴散層和第2擴散層以及在上述雜質擴散源上方的上述溝的側面上中間存在著柵極絕緣膜形成的柵極電極的晶體管。
[8162-0196-0007] 發光器件及其制造方法
[摘要] 提供了一種發光器件，它具有用來降低有機化合物疊層的各個層之間的界面處的能量勢壘的結構。由構成有機化合物層(1)(102)的材料以及構成有機化合物層(2)(103)組成的混合層(105)，被形成在有機化合物層(1)(102)與有機化合物層(2)(103)之間的界面處。于是就能夠降低形成在有機化合物層(1)(102)與有機化合物層(2)(103)之間的能量勢壘。
[8162-0145-0008] 一種平行板二極管
[摘要] 一種平行板二極管，包括金屬電極和與之接觸的半導體材料，其中兩塊金屬制成的薄板電極彼此平行放置，其間夾有薄板狀半導體材料層，該半導體材料層的載流子濃度是金屬中電子濃度的20％以下。所述二金屬電極之一向著半導體材料層的側面自表面向內部制成多個凹部，所述凹部的平均直徑小于4微米。所述凹部為井腔或凹凸相間的突起物陣列形狀；井腔截而的形狀為圓形、方形狀或長方形。這種二極管無需加給偏壓或偏流即可在閉合同路中輸出電流、電壓。
[8162-0134-0009] 用于切割半導體封裝器件的處理系統
[摘要] 一種用于切割半導體封裝器件的處理系統，用以在利用切割設備對半導體半成品或者半成品條進行切割而得到獨立單個的封裝器件之后，通過與一預定質量等級進行比較，根據這些封裝器件的質量來對這些封裝器件進行選擇性存放，其設有：裝載單元、抽出單元、半成品條傳送單元、封裝清洗單元、封裝干燥單元、封裝存放單元、封裝拾取單元、目檢裝置以及封裝托盤存放單元。
[8162-0109-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種具有可通過能量束切斷的熔絲的半導體器件，所述半導體器件具有：在形成多個半導體元件的半導體襯底上配置的由銅布線構成的多個銅布線層；配置在多個所述銅布線層上方、至少包含連接于最上層的所述銅布線的高熔點金屬膜的最上層布線；作為所述最上層布線的一部分形成的熔絲；配置在所述最上層布線上的表面保護膜。
[8162-0187-0011] 功率半導體模塊
[8162-0174-0012] 用于有機薄膜晶體管的取向聚合物
[8162-0049-0013] 包含雙極晶體管元件的半導體器件
[8162-0142-0014] 半導體裝置的制造方法
[8162-0026-0015] 發光二極體結構及其制造方法
[8162-0051-0016] 半導體器件
[8162-0035-0017] 用于形成半導體裝置用內插器的復層板、半導體裝置用內插器以及它們的制造方法
[8162-0083-0018] 半導體存儲器
[8162-0098-0019] 半導體芯片的拾取裝置及其拾取方法
[8162-0162-0020] 用表面涂敷方法降低銅布線的電遷移和應力引起的遷移
[8162-0031-0021] 疊層體、疊層體的制備方法及半導體元件
[8162-0188-0022] 半導體構裝基板及其制作工藝
[8162-0006-0023] 采用碳化硅進行的紅外輻射檢測
[8162-0047-0024] 具有低雜訊高頻信號的集成電路裝置及其制造方法
[8162-0025-0025] 芯片堆疊封裝結構
[8162-0151-0026] 晶圓級封裝制作工藝及其晶片結構
[8162-0216-0027] 襯底處理裝置及采用此裝置的襯底處理方法
[8162-0075-0028] 半導體晶片加工系統中的高壓室的參數監視儀
[8162-0161-0029] 提供連續運動順序橫向固化的方法和系統
[8162-0021-0030] 半導體封裝件及其制造方法
[8162-0218-0031] 形成在源漏極上具有金屬硅化物的晶體管的方法
[8162-0175-0032] mis半導體器件的制造方法
[8162-0088-0033] 光電設備和用于大量制作球形半導體顆粒的批量生產設備
[8162-0125-0034] 薄膜晶體管及其制造方法,以及采用它的液晶顯示器件
[8162-0127-0035] 半導體器件
[8162-0120-0036] 形成金屬互連的方法
[8162-0141-0037] 去除表面污染物的方法以及為此所使用的組合物
[8162-0076-0038] 制作隔離渠溝的方法
[8162-0048-0039] 半導體存儲器及其制造方法
[8162-0078-0040] 具整體封裝包覆散熱結構的覆晶結合模組
[8162-0207-0041] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8162-0042-0042] 硅片的制造方法和硅片
[8162-0039-0043] 發光器件
[8162-0110-0044] cmos半導體器件及其制造方法
[8162-0124-0045] 隧道觸點及其制造方法
[8162-0136-0046] 靜電放電保護電路
[8162-0099-0047] 集成電路及其形成方法
[8162-0205-0048] 半導體裝置
[8162-0052-0049] 半導體器件的制法
[8162-0016-0050] 晶片測試載架
[8162-0173-0051] 涂布的導體的厚膜前體
[8162-0094-0052] 半導體設備及其制造方法
[8162-0106-0053] 一種導熱絕緣片式整流器件水冷方法及裝置
[8162-0193-0054] 半導體器件
[8162-0091-0055] 利用光刻技術和氣相沉積技術制作新型熱電偶
[8162-0114-0056] 一種具有光電和電光轉換的有機薄膜雙功能器件
[8162-0171-0057] 增強的涂布高溫超導體
[8162-0213-0058] 具有分離式隧道窗口的非易失性半導體存儲器單元的制造方法
[8162-0077-0059] 集成電路封裝結構及其制造方法
[8162-0137-0060] 對數跳躍加法器結構及電路
[8162-0074-0061] 保護層的制造方法
[8162-0020-0062] 防止器件位置區域上的焊罩層產生裂縫的基板結構
[8162-0143-0063] 具有多厚度柵極氧化層的槽型半導體器件及其制造方法
[8162-0012-0064] 半導體芯片焊料凸點加工方法
[8162-0008-0065] 半導體器件及其制造方法
[8162-0130-0066] 采用鍺或銻預無定形注入及清洗的鈦硅化物方法
[8162-0050-0067] 鐵電場效應晶體管及其制備方法
[8162-0123-0068] 一種半導體器件及其制造方法與一種半導體器件安裝結構
[8162-0062-0069] 內插器及其制造方法
[8162-0080-0070] 功率型半導體芯片的封裝裝置及封裝方法
[8162-0192-0071] 半導體集成電路
[8162-0079-0072] 晶片型無源元件結構及封裝制造方法
[8162-0133-0073] 一種半導體器件的制造方法和一種半導體器件
[8162-0105-0074] 具有高散熱性的超薄封裝件及其制造方法
[8162-0183-0075] 溝槽隔離區的制作方法
[8162-0170-0076] 半導體發光器件及面發光裝置
[8162-0041-0077] 制造半導體器件的接觸的方法
[8162-0144-0078] 用于芯片模塊的芯片載體及芯片模塊的制造方法
[8162-0018-0079] 薄膜晶體管平面顯示器的制作方法
[8162-0208-0080] 光學裝置及其制造方法以及電子裝置
[8162-0194-0081] 半導體器件及其制造方法
[8162-0019-0082] 具有下彎部的擾流板
[8162-0092-0083] 極化裝置和方法
[8162-0157-0084] 氮化鋁和氧化鋁/氮化鋁柵介質疊層場效應晶體管及形成方法
[8162-0027-0085] 發光二極體及其制造方法
[8162-0197-0086] 壓電元件的極化方法
[8162-0011-0087] 制造含結晶硅有源層的薄膜晶體管的方法
[8162-0116-0088] 改進了品質因素的熱電材料、其制造方法及使用其的組件
[8162-0090-0089] 光半導體器件及其制造方法
[8162-0215-0090] 制造金屬氧化物半導體元件雙層柵極的方法
[8162-0003-0091] 制造絕緣薄膜的方法
[8162-0148-0092] 半導體器件中形成金屬柵的方法
[8162-0007-0093] 混合熱離子能量變換器和方法
[8162-0033-0094] cmos處理過程
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[8162-0023-0096] 加強散熱型四方扁平無接腳封裝
[8162-0158-0097] 光電變換器件
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[8162-0122-0099] 用于最大化每一布線層的信號線數目的具有可變間距觸點陣列的集成電路模和/或...
[8162-0117-0100] 標記探測法及其裝置、曝光法及其設備和器件制造方法及其器件
[8162-0140-0101] 有機電致發光設備
[8162-0014-0102] 關鍵尺寸測試條的結構
[8162-0045-0103] 半導體芯片安裝基板、電光裝置、液晶裝置、電致發光裝置及電子機器
[8162-0070-0104] 金屬氧化物半導體元件的制造方法
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[8162-0037-0107] 具有縱向晶體管的存儲單元的布圖和布線圖
[8162-0107-0108] 封裝影像感測晶片及其封裝方法
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[8162-0053-0113] 銅互連
[8162-0013-0114] 半導體晶片裝置及其封裝方法
[8162-0172-0115] 多層制品及其制造方法
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[8162-0169-0121] 發光二極管、照明裝置以及制造這種發光二極管的方法
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[8162-0024-0125] 將電路和引線框的功率分布功能集成到芯片表面上的電路結構
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[8162-0180-0128] 熱處理設備和制造半導體器件的方法
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