器件,形成半導體器件,半導體器件金屬,電子器件封裝類技術資料(168元/全套)（貨到付款）
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[8127-0212-0001] 具有埋入觸頭的多層薄膜太陽能電池
[摘要] 一個多層太陽能電池結構包括一堆Ｐ型和n型交替的半導體層（１０、１１、１２、１３、１４）。它們排列形成多個整流的光電壓結（１５、１６、１７、１８）。低成本電池可以用劣質材料，通過在薄膜中采用高摻雜水平對之優化而加以制造。通常摻雜水平高于１０17原子／cm3，并且層厚度和載流子在厚度方向的擴散長度有關，用埋入觸頭結構與下置各層接觸，這種觸頭結構包括向下延伸經過所有活性層的溝道，每條溝道壁（３３、３４）根據相應觸頭連接的層情況摻以n型或Ｐ型雜質，并且溝道用金屬接觸材料填充或部分填充。
[8127-0131-0002] 制造半導體器件的方法
[摘要] 在利用硅半導體制造半導體器件的工藝中，在含氫的氣氛中進行熱處理。此時，通過氫和加熱的鎳材料接觸，產生激活氫。例如，為了產生激活氫，利用加熱器加熱用鎳材料覆蓋其內表面的管道和把氫輸入到該管道中，這樣則利用激活氫，對在耐熱低的樹脂襯底上形成的半導體器件進行退火，退火溫度保持在１５０℃±２０℃，時間為預定的時間。
[8127-0037-0003] 具有高非離子載流子遷移率有機材料的應用
公開了使用有機材料作為電荷傳送介質的用途，該有機材料的電導率小于１０-2Ｓ／ｃｍ，非離子載流子遷移率大于１０-4ｃｍ2／Ｖｓ，其附帶條件為，在該有機材料中載流子深度的增加１０倍或更多不是由于吸收光引起的，并公開了相應的電化學電池。
[8127-0216-0004] 穩定非晶硅及含穩定非晶硅的器件
[摘要] 通過獨特的等離子淀積工藝，生產可有效防止光誘發退化和電流誘發退化的高品質、高穩定的光電器件和電子器件。通過該獨特的等離子淀積工藝，可制造具有高開路電壓和高負荷系數及具有較寬帶隙的大功率、高效單結和多結太陽能電池。優選的工藝是較低的溫度、較高的壓力和由有高濃度氫氣的硅烷輝光放電。
[8127-0134-0005] 半導體器件中接觸的形成方法
[摘要] 公開了一種半導體器件的接觸的形成方法，在半導體襯底上淀積有不同腐蝕速率的絕緣膜和金屬氧化物膜，形成光刻膠圖形，使其寬度是用常規曝光設備所能達到的最小線寬。用光刻膠圖形腐蝕絕緣膜和金屬氧化物膜時，由于彼此的腐蝕速率不同，使構成的接觸孔比其常規接觸孔更精細。而且不必購置另外的設備就能制成精細接觸孔，可用于具有較高集成度的半導體器件。
[8127-0160-0006] 有機器件的鈍化
[摘要] 本發明涉及一種在支持基片上鈍化有機器件的方法，該方法包括把一層低溫沉積的絕緣薄膜覆蓋在有機器件上，并且在該絕緣材料上密閉地封接一層無機材料層從而實質性地密封該有機器件。在一個典型的實施例中，該絕緣層是二氧化硅（ＳiO2），該無機材料層是一個金屬外殼。
[8127-0022-0007] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在一種半導體器件及其制造方法中，在鄰接第二雜質區（６）的端部設置一隔離絕緣膜（２），還帶有延伸到半導體襯底（１）的凹槽。這就去掉了存在于隔離絕緣膜端部的晶體缺陷，因而防止了從存儲結點（１０）在此部分的漏電流。因此，在鄰接雜質區的隔離氧化膜的端部的凹槽構造去掉了在此區域的晶體缺陷，于是消除了漏電的可能性。
[8127-0057-0008] ＭＩＳ門復合半導體裝置及其驅動方法以及電源轉換裝置
[摘要] 本發明為一種復合半導體裝置，包括串聯在一起的一個ＭＩＳ場效應管和一個可控硅，這里，或者把ＭＩＳ場效應管的Ｐ基極層和可控硅Ｐ基極層之間的可承受電壓設置成低于該ＭＩＳ場效應管的可承受電壓，在ＭＩＳ場效應管的p基極層和可控硅p基極層通過—p通道連接的條件下使該ＭＩＳ場效應管“斷掉”，或者減小該可控硅p基極層的側向電阻，從而擴展了該復合半導體裝置的安全操作區間。
[8127-0012-0009] 具有基板結構的矽半導體整流電橋
[摘要] 本發明涉及一種半導體器件，是一種整流電橋。由基片、整流二極管、端子和外殼組成。基片采用耐溫絕緣材料基板，先將導電構件安裝在基板上，再按橋路組合導電構件與整流二極管，最后在封裝工序中使基板與單面的模具注塑形成腔室，同時四個端子亦由基板封隔成胚體內及胚體外部分，基板可制備成連結件形式，使封裝工序中各構件均可采用連結件形式。便于操作加工，可提高工效及降低成本。
[8127-0146-0010] 耗散熱量的半導體器件
[摘要] 一種半導體器件，包括一個容納半導體芯片的封裝外殼和多個連接引線。每個連接引線的一端通過粘結構件連接到半導體芯片上，另一端位于封裝外殼的外面且連接到電路襯底上。半導體器件還包括至少一個散熱導片，其一端通過粘結構件連接到半導體芯片上，另一端位于封裝外殼的外面且與電路襯底隔開。半導體器件還包括一個插進粘結構件之中的散熱體，并且它有一部分連接到散熱導片上。
[8127-0124-0011] 一種半導體器件及其制造工藝
[8127-0198-0012] 用于形成半導體裝置的精細圖形的方法
[8127-0191-0013] 固體攝象器件及其制造方法
[8127-0213-0014] 電路裝置及適用于該電路裝置的結型場效應晶體管
[8127-0149-0015] 半導體基片的清洗方法、清洗系統和制造清洗液的方法
[8127-0117-0016] 未封裝半導體芯片的測試裝置
[8127-0150-0017] 用于形成半導體器件雜質結區的方法
[8127-0060-0018] 制造半導體器件中晶體管的方法
[8127-0172-0019] 用堆疊集成電路芯片平面陣列的方式來制作單片電子組件的方法
[8127-0107-0020] 變容二極管和制造變容二極管的方法
[8127-0178-0021] 半導體器件及其制造方法
[8127-0193-0022] 半導體器件
[8127-0205-0023] 奇數尼龍高溫鐵電體的制備方法
[8127-0167-0024] 制造金屬氧化物硅場效應晶體管的方法
[8127-0055-0025] 橫向型霍爾器件
[8127-0176-0026] 封裝芯片的方法、載體及模具零件
[8127-0086-0027] 半導體裝置
[8127-0023-0028] 雙極晶體管電路元件
[8127-0005-0029] 防止焊墊金屬剝離的裝置
[8127-0173-0030] 隱埋引線式芯片座及使用該座的芯片封裝
[8127-0043-0031] 半導體器件及其制造方法
[8127-0003-0032] 制造薄膜晶體管的方法及設備
[8127-0181-0033] 半導體晶片邊緣檢查方法和設備
[8127-0025-0034] 集成電路的靜電放電防護電路
[8127-0067-0035] 平板顯示器與集成電路器件的接合方法
[8127-0210-0036] 用于形成鎢布線的方法
[8127-0208-0037] 制造半導體器件中的場氧化層的方法
[8127-0152-0038] 半導體元件互連器件及其制造方法
[8127-0096-0039] 碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
[8127-0214-0040] 柵控晶閘管
[8127-0087-0041] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0136-0042] 電源檢測電路
[8127-0199-0043] 制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法
[8127-0116-0044] 用于形成半導體的元件隔離膜的方法
[8127-0192-0045] 半導體器件及其制造方法
[8127-0129-0046] 測定發光器件老化的方法及使用該方法的光發射驅動裝置
[8127-0147-0047] 一種半導體器件的制造方法
[8127-0045-0048] 金剛石膜上的薄層硅結構芯片材料及其制備方法
[8127-0215-0049] 能抑制軟差錯的電阻負載型靜態隨機存取存儲器單元
[8127-0016-0050] 半導體器件的制造方法
[8127-0203-0051] 不夾持的真空傳熱站
[8127-0065-0052] 光電轉換器及其制造方法
[8127-0052-0053] 半導體裝置的制造方法
[8127-0141-0054] 形成半導體器件的旋涂玻璃膜的方法
[8127-0026-0055] 靜電放電防護電路
[8127-0119-0056] 半導體器件及其裝配方法
[8127-0143-0057] 有源矩陣光電器件
[8127-0126-0058] 具有分級位線結構的半導體存儲器件
[8127-0179-0059] 功率半導體模塊
[8127-0190-0060] 形成半導體器件金屬布線的方法
[8127-0040-0061] 多層混合集成的厚膜電路
[8127-0120-0062] 突起形成體及突起的形成方法
[8127-0127-0063] 在基片上形成凸起的方法
[8127-0169-0064] 感離子場效應管傳感器的靜電放電保護
[8127-0001-0065] 利用晶界形成半導體器件中的兩層多晶硅柵極的方法
[8127-0189-0066] 形成半導體器件精細圖案的方法
[8127-0093-0067] 發光二極管結構
[8127-0159-0068] 半導體器件及其制造
[8127-0029-0069] 散熱器
[8127-0102-0070] 絲焊方法,半導體器件,絲焊的毛細管及球塊形成方法
[8127-0186-0071] 用于軸外照明的標度掩模板
[8127-0161-0072] 用于清洗半導體晶片的裝置和方法
[8127-0111-0073] 絕緣柵異質結雙極晶體管
[8127-0038-0074] 太陽能電池元件組,太陽能電池組件及其制造方法
[8127-0073-0075] 熱紅外探測器
[8127-0075-0076] 用于高密度信息圖象顯示裝置的二維有機發光二極管陣列
[8127-0069-0077] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8127-0088-0078] 用肉眼檢查半導體器件引線的方法及設備
[8127-0031-0079] 連接一個電子元件的端子到另一個電子元件的端子的方法
[8127-0004-0080] 固態成像器件及其制造方法
[8127-0033-0081] 半導體器件的金屬接觸法
[8127-0154-0082] 一種制造具有高電流密度的超導帶材的方法
[8127-0211-0083] 用鍺進行硅/硅鍵合的方法及其制備的硅器件襯底片
[8127-0206-0084] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0059-0085] 半導體器件的結構及形成該器件外殼的方法
[8127-0074-0086] 光檢測裝置及其制造方法
[8127-0083-0087] 限流裝置
[8127-0050-0088] 半導體器件壓觸管殼
[8127-0103-0089] 集成電光封裝
[8127-0165-0090] 半導體器件
[8127-0133-0091] 高速去膠法
[8127-0072-0092] 半導體器件的制造方法
[8127-0002-0093] 用于引線連接式芯片的有機芯片載體
[8127-0011-0094] 半導體集成電路器件及其制造工藝
[8127-0092-0095] 化合物半導體發光器件及其制備方法
[8127-0217-0096] 以槽形外殼構件組構的半導體二極管及其封裝方法
[8127-0018-0097] 高升壓比壓電式變壓器
[8127-0076-0098] 制造掩模只讀存儲器的方法
[8127-0112-0099] 窄禁帶源漏區金屬氧化物半導體場效應晶體管及集成電路
[8127-0200-0100] 高粘度材料用成型模、高粘度材料用成型裝置及高粘度材料的成型方法
[8127-0046-0101] 壓電陶瓷組合物
[8127-0202-0102] 氮化硅電路板
[8127-0142-0103] 制作半導體器件中圓筒形疊層電容器的方法
[8127-0048-0104] 薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0135-0105] 表面安裝型發光二極管
[8127-0125-0106] 閾值電壓穩定的場效應晶體管及其制造方法
[8127-0035-0107] 半導體器件及其制造方法
[8127-0170-0108] 恒溫電熱管
[8127-0032-0109] 等離子體處理裝置
[8127-0183-0110] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8127-0201-0111] 形成三阱的方法
[8127-0094-0112] 具有減小電阻的化合物半導體器件
[8127-0197-0113] 用于制造半導體器件的方法
[8127-0039-0114] 半導體器件及其制造的方法
[8127-0013-0115] 降低集成電路溫漂和全溫程失調的修正技術
[8127-0085-0116] 帶有塑料封裝的半導體器件
[8127-0077-0117] 器件隔離方法
[8127-0162-0118] 半導體組件的制造方法及半導體組件
[8127-0049-0119] 存儲器及其制造方法
[8127-0139-0120] 單片高頻集成電路結構及其制造方法
[8127-0108-0121] 用于形成歐姆電極的疊層體和歐姆電極
[8127-0163-0122] 真空層壓設備和方法
[8127-0006-0123] 形成半導體器件隔離的方法
[8127-0070-0124] 制備半導體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
[8127-0123-0125] 含有波導和光電接收器件的集成光學模塊
[8127-0009-0126] 陶瓷膜結構體及其制造方法
[8127-0166-0127] 測量半導體器件結區漏電流的方法
[8127-0207-0128] 電路的制造方法
[8127-0090-0129] 場致發光裝置
[8127-0068-0130] 用于樹脂密封半導體器件的引線框和樹脂密封半導體器件的制造方法
[8127-0184-0131] 在半導體器件上形成微細圖形的方法
[8127-0194-0132] 用于電子封裝的超薄貴金屬涂層
[8127-0110-0133] 具有浮動集電區的絕緣體上的硅器件
[8127-0195-0134] 用于半導體器件的引線框組件
[8127-0015-0135] 半導體器件場氧化層的形成方法
[8127-0047-0136] 壓電元件及其制造方法
[8127-0007-0137] 外延片及其制造方法
[8127-0121-0138] 熱電式冷卻裝置、其所用半導體的制備方法及熱電式冷凍機
[8127-0156-0139] 連接襯底的結構和方法
[8127-0157-0140] 隔離柵半導體器件及其制造方法
[8127-0151-0141] 厚膜電阻元件制造方法
[8127-0175-0142] 半導體器件及其制造方法
[8127-0063-0143] 有最佳靜電放電保護的輸入/輸出晶體管
[8127-0089-0144] 用于以良好生產率密封半導體芯片的模塑模具和用于安裝半導體芯片的引線框架
[8127-0109-0145] 包括Z軸導電膜的微電子組件
[8127-0034-0146] 半導體器件及其制造方法
[8127-0082-0147] 制造半導體器件的方法
[8127-0081-0148] 被研磨基板的保持裝置基板的研磨裝置及基板的研磨方法
[8127-0140-0149] 帶有電鍍引線的半導體器件的制造方法
[8127-0155-0150] 封裝引線框架的方法和預壓坯以及預壓坯的加工設備
[8127-0171-0151] 制造半導體器件電容器的方法
[8127-0128-0152] 形成半導體器件金屬互連的方法
[8127-0028-0153] 半導體裝置
[8127-0091-0154] 光電池、光電池陣列及其組成的電解裝置
[8127-0061-0155] 用于制造半導體器件的曝光裝置
[8127-0218-0156] 高輸出功率的高頻靜態感應晶體管
[8127-0118-0157] 用于把兩個集成電路直流上相互隔離的方法和設備
[8127-0137-0158] 電子元件的接頭
[8127-0020-0159] 氮化物半導體發光器件
[8127-0153-0160] 一種電介質,其制造方法,和半導體器件
[8127-0180-0161] 帶突出電極的電子部件的制造裝置和制造方法
[8127-0027-0162] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8127-0017-0163] 靜電放電保護電路
[8127-0144-0164] 半導體器件及其制造方法
[8127-0209-0165] 硅片的制造方法及其裝置
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[8127-0008-0168] 制造半導體器件的方法
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[8127-0185-0173] 形成半導體器件的電荷儲存電極的方法
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[8127-0145-0177] 使半導體元件免受靜電損壞的保護二極管
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[8127-0041-0180] 半導體器件
[8127-0174-0181] 用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
[8127-0058-0182] 樹脂密封式半導體裝置及其制造方法
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[8127-0062-0185] 半導體器件及其制造方法
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[8127-0130-0194] 制造半導體器件的方法及實施該方法的設備
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中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
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