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[8154-0125-0001] 金屬內連線的制造方法
[摘要] 一種金屬內連線的制造方法，此方法是在基底上形成一層介電層，并在介電層中形成一開口。然后，在基底上形成一層金屬層以填滿開口。接著，以電化學法在金屬層的表面形成一保護層后，移除開口以外的保護層與金屬層，以完成金屬內連線工藝。由于保護層比金屬層穩定，可防止金屬層繼續氧化，因此能夠延長金屬層沉積后至化學機械研磨前的等候時間(Queue time，Q-time)。
[8154-0036-0002] 固體攝象裝置以及使用該裝置的攝像機微型組件
[摘要] 一種以接合柵型場效應晶體管作像素用的固體攝象裝置。在n型的第1半導體區域(21)的表面區域，n型的源區域(23)及漏區域(22)相互分離形成。與漏區域(22)連接的n型的第2半導體區域(24)形成于第1半導體區域(21)的表面區域。形成于第2半導體區域(24)下部的第1半導體區域(21)內，與第2半導體區域(24)電氣連接，積蓄與入射光對應的信號電荷的p型第3半導體區域(26)被形成。P型的第4半導體區域(25)形成于漏區域(22)與源區域(23)間的第1半導體區域(21)的表面區域。利用這些源區域(23)、漏區域(22)、第2半導體區域(24)及第3半導體區域(26)構成像素，在這一像素的信號電荷積蓄期間、信號讀出期間及信號電荷排出期間分別向漏區域(22)供給不同電壓。
[8154-0187-0003] 包含復合集成電路結構的集成電路及其設計方法
一個多結構集成電路具有說明書集成電路中的復合結構共享的I/O緩沖器，通過將各別的結構的網目錄和管腳-鍵合區分配明細表合并成一個總的網目錄或多結構網目錄，來實現對此多結構集成電路的設計。
[8154-0124-0004] 雙重鑲嵌結構的制造方法
[摘要] 一種雙重鑲嵌結構的制造方法，此方法的步驟如下：首先提供已形成導電層的基底，于此基底上依序形成第一介電層、第二介電層以及同時作為底層抗反射層的頂蓋層。然后，定義頂蓋層、第二介電層與第一介電層以形成暴露導電層的介層窗開口。接著，于頂蓋層上形成一負光阻層，再圖案化負光阻層以形成一開口。接著以負光阻層為罩幕，移除暴露的頂蓋層與第二介電層以形成暴露第一介電層的溝渠，再移除負光阻層。然后，依序于溝渠與介層窗開口內形成共形的障礙層以及導體層，且導體層填滿溝渠與介層窗開口。
[8154-0076-0005] 一種雙位元快速存儲器結構及其制造方法
[摘要] 本發明是提供一種雙位元快速存儲器結構及其制造方法。該方法是先在一硅基底表面形成一柵極氧化層，然后在該柵極氧化層表面形成一多晶鍺化硅層。隨后進行一離子布植制程，在該多晶鍺化硅層中形成至少一絕緣區域，以分隔該多晶鍺化硅層成兩個相互不連續的導電區域，形成一雙位元結構。接著在該多晶鍺化硅層表面形成一介電層，并進行一黃光暨蝕刻制程以蝕刻部分的該介電層以及該多晶鍺化硅層，形成該雙位元快速存儲器的浮動柵極。最后在該浮動柵極上形成一控制柵極。
[8154-0163-0006] 化學溶液輸送裝置和制備懸浮液的方法
[摘要] 一種用于輸送化學溶液到外部設備的裝置。該裝置包括：用于制備懸浮液的備料罐；循環管，其連接到備料罐上以循環懸浮液；輸送管，其連接在備料罐與外部設備之間，以向外部設備輸送懸浮液；泵，其將備料罐中的化學溶液傳送到循環管和輸送管中；濃度檢測器，其設置在泵的下游，用來檢測懸浮液的濃度；控制器，其根據濃度檢測器的檢測值控制備料罐中化學溶液的濃度，并控制化學溶液的輸送。
[8154-0121-0007] 反熔絲的制造方法
[摘要] 一種反熔絲的制造方法，在基底上形成一內金屬介電層，并在其中形成一漏斗形介層窗洞。然后，在基底上形成一層第一導體層，并填滿漏斗形介層窗洞，之后進行例如化學機械研磨制作工藝將漏斗形介層窗洞外的第一導體層去除，以形成導體插塞。之后再進行氧化物化學機械研磨，圓滑化導體插塞表面。接著，在導體插塞上形成一介電層與一頂蓋層，再在基底上形成一層具有介層窗洞的絕緣層，且介層窗洞位于頂蓋層上。最后，在基底上形成一層第二導體層，并填滿介層窗洞。
[8154-0083-0008] 半導體器件用的接觸器和接觸方法
[摘要] 一種半導體器件用的接觸器，此接觸器包括置放工作臺、下側接觸器、上側接觸器和壓力部。半導體器件放在置放工作臺上。當半導體器件放在置放工作臺上時，下側接觸器從下側與半導體器件的端子接觸。上側接觸器具有頭部，該頭部可以相對于放在置放工作臺上的半導體器件的端子上下運動。壓力部通過壓下上側接觸器以使上側接觸器彈性變形，從而使頭部朝向半導體器件的端子運動。
[8154-0143-0009] 具有雙閘極絕緣層的MOS元件及其制作方法
[摘要] 一種具有雙閘極絕緣層的MOS元件及其制作方法，它包括有半導體基底；第一閘極絕緣層是形成于該半導體基底的一預定區域表面上；第二閘極絕緣層是形成于該半導體基底的預定區域以外的部分，以圍繞第一閘極絕緣層，第二閘極絕緣層的厚度是大于第一閘極絕緣層的厚度；閘極層的底部中央處是覆蓋第一閘極絕緣層表面，其底部邊緣處是延伸覆蓋第二閘極絕緣層表面。具有簡化制程及改善閘極的邊緣處的電場分布情形，進而防止通道長度縮短所產生的熱載子效應的功效。
[8154-0186-0010] 功率半導體模塊
[摘要] 功率半導體模塊(1)包含外殼(5)，蓋板(11)和至少兩個子模塊(21，22)。子模塊(21，22)各包含至少一只半導體芯片，該芯片具有導電連接到子模塊的主引線(3，4)的兩主電極。子模塊(21，22)彼此并排安排，并且其兩主表面之一壓緊到模塊的蓋板(11)上。子模塊電串聯。通過彼此并排安排的子模塊的串聯，模塊的最高截止電壓加倍。這降低了用于高壓開關的疊層長度和價格，因為對同一截止電壓而言，要求更少的元件，尤其是要求更少的模塊和冷卻元件。
[8154-0014-0011] 其上結合有薄膜電容器的多層布線基板的制造工藝
[8154-0012-0012] 減少微粒產生的方法
[8154-0178-0013] 快閃存儲胞形成方法
[8154-0118-0014] 半導體裝置的制造方法
[8154-0017-0015] 安裝在芯片上的接觸彈簧
[8154-0108-0016] 半導體設備的制造方法
[8154-0164-0017] 基板干燥裝置以及使用該裝置的基板干燥方法
[8154-0004-0018] 一種制備Si基鐵電薄/厚膜型微絕熱結構陣列的方法
[8154-0146-0019] 提供生產有機發光二極管裝置的結合掩模的定位掩模部分
[8154-0218-0020] 藉由內部及外部光學組件之使用而加強發光二極管中的光放出
[8154-0158-0021] 壓電陶瓷彎曲變換器及其應用
[8154-0176-0022] 非平面結構的非揮發性存儲器單元及制作方法
[8154-0065-0023] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置及其裝配方法
[8154-0019-0024] 多位存儲單元的參考位穩定方法
[8154-0006-0025] 半導體器件制造方法、制造裝置及其清洗方法和制造系統
[8154-0200-0026] 改變透明導電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法
[8154-0058-0027] Silk刻蝕后的濕法去膠工藝
[8154-0046-0028] 顯示器件的制造方法
[8154-0139-0029] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8154-0211-0030] 鈦的緩蝕
[8154-0095-0031] 發光器件
[8154-0119-0032] 攝像傳感器芯片封裝方法及結構
[8154-0102-0033] 非揮發性內存裝置用的雙重間隔器方法
[8154-0153-0034] 非接觸互連系統
[8154-0168-0035] 利用減少漏極植入范圍而縮小器件尺寸的方法
[8154-0011-0036] Z3MS刻蝕后的干法去膠工藝
[8154-0098-0037] 制造半導體發光裝置的方法及其制造的半導體發光裝置
[8154-0105-0038] 受保護超導體組件及其制造方法
[8154-0147-0039] 半導體發光裝置
[8154-0190-0040] 具有四個狀態的存儲單元的存儲器件
[8154-0167-0041] 閘流體的制作方法
[8154-0069-0042] 應用于系統芯片的半導體器件的制造方法
[8154-0135-0043] 多重布線板
[8154-0215-0044] 形成玻璃窗的光電裝置
[8154-0079-0045] 氮化硅只讀存儲器的結構與制造方法
[8154-0161-0046] 制造半導體器件的方法
[8154-0136-0047] 半導體器件
[8154-0090-0048] 半導體裝置
[8154-0010-0049] 用于化學機械研磨的研磨頭
[8154-0047-0050] 半導體器件及其制備方法
[8154-0049-0051] 發光閘流晶體管矩陣陣列及其驅動電路
[8154-0042-0052] 半導體發光器件及其制造方法
[8154-0063-0053] 制造薄膜晶體管的方法
[8154-0001-0054] 復合壓電變壓器
[8154-0193-0055] SNNNS類非揮發性存儲胞的數據寫入與清除方法
[8154-0002-0056] 磁阻效應元件和磁阻效應型磁頭
[8154-0129-0057] 可設置無源組件的基板
[8154-0185-0058] 功率半導體次級組件及功率半導體組件
[8154-0181-0059] 半導體裝置
[8154-0032-0060] 非易失性半導體存儲器
[8154-0048-0061] 具減低捕捉之三族氮化物基礎場效晶體管和高電子移動晶體管及其制造方法
[8154-0059-0062] 改善DxZ氧化硅對Silk粘附性的工藝
[8154-0026-0063] 半導體器件及其制造方法
[8154-0127-0064] 罩幕式只讀存儲器的結構與制造方法
[8154-0195-0065] 具有雙浮置閘極存儲晶胞的集成電路及其制造方法
[8154-0159-0066] 半導體廠自動化的保護電路
[8154-0092-0067] 半導體存儲器件
[8154-0194-0068] 具有多重閘極絕緣層的非揮發性存儲器組件
[8154-0203-0069] 發光元件及其制造方法和用于制造發光元件的引線框
[8154-0070-0070] 雙MONOS單元制造方法及數組結構
[8154-0189-0071] 具有提供在存儲單元中的阱抽頭的半導體器件
[8154-0208-0072] 采用氨中退火來建立超薄柵極絕緣體的方法
[8154-0050-0073] 在基底上制作印刷線路的方法
[8154-0088-0074] 半導體集成電路及其制造方法
[8154-0175-0075] 平面單元存儲元件的硅化物膜制造方法
[8154-0021-0076] 基底/氧化硅/氮化硅/氧化硅/硅組件的制造方法
[8154-0179-0077] 防止嵌入式非揮發性存儲器漏電流的方法
[8154-0117-0078] 具有淺源極/漏極結區的MOS晶體管的制造方法
[8154-0024-0079] 膜載帶
[8154-0111-0080] 階梯式開口的制造方法
[8154-0106-0081] 包封的陶瓷超導體
[8154-0013-0082] 硅的游離基氧化方法和裝置
[8154-0148-0083] 帶有識別節點圖案的壓電變壓器
[8154-0007-0084] 曝光裝置、曝光方法以及元件制造方法
[8154-0160-0085] 一種處理半導體晶片的方法和所用的半導體晶片的襯底
[8154-0180-0086] 制作罩幕式只讀存儲器的埋藏位元線的方法
[8154-0072-0087] 半導體裝置的設計方法和半導體裝置
[8154-0182-0088] 暴露信號線以及在信號線與基片之間有間隙的半導體器件
[8154-0016-0089] 標記位置檢測裝置
[8154-0205-0090] 壓電變壓器
[8154-0062-0091] 低阻值晶體管元件的制作方法
[8154-0053-0092] 調整半導體反應室真空系統的排氣壓力的裝置及方法
[8154-0141-0093] 半導體器件及其制造方法
[8154-0025-0094] 半導體裝置
[8154-0116-0095] 薄膜晶體管的制造方法
[8154-0087-0096] 半導體器件及其制造方法
[8154-0074-0097] 半導體集成電路器件的制造方法
[8154-0120-0098] 集成電路測試基臺結構改進
[8154-0197-0099] 四象限光電探測器檢測與應用的模型法
[8154-0039-0100] 非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件
[8154-0126-0101] 非易失性存儲器的制造方法
[8154-0077-0102] 靜態隨機存儲器的制造方法
[8154-0112-0103] 半導體裝置的制造方法以及研磨裝置
[8154-0213-0104] 用單附加掩模注入操作制造雙閾值電壓N溝道和P溝道MOSFET的方法
[8154-0192-0105] 三維只讀存儲器集成電路
[8154-0216-0106] 高速凹槽雙擴散金屬氧化物半導體
[8154-0008-0107] 聚焦、位置測量、曝光及元件制造的方法及曝光裝置
[8154-0140-0108] 半導體集成電路及其測試方法
[8154-0015-0109] 半導體電路裝置及半導體裝置
[8154-0037-0110] 減小CMOS圖像傳感器暗電流的表面鈍化
[8154-0068-0111] 一種系統整合芯片的制作方法
[8154-0029-0112] 改善玻璃鈍化硅器件高溫反向特性的鈍化玻璃涂敷液
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[8154-0191-0114] 半導體記憶裝置
[8154-0198-0115] 固態成像設備及其制造方法
[8154-0177-0116] 埋入式源/漏極區的存儲器組件的制造方法
[8154-0207-0117] 波像差測定裝置,波像差測定方法,曝光裝置及微型器件的制造方法
[8154-0086-0118] 半導體裝置
[8154-0109-0119] 電子裝置用襯底，電子裝置用襯底的制造方法，及電子裝置
[8154-0138-0120] 半導體集成電路
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