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    供應及其,及其制造,發光器件,制造半導體器件類技術資料(168元/全套)(貨到付
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    [8167-0139-0001] 裝配裝置
    [摘要] 本發明涉及一種裝配裝置(10),特別是用于生產微系統技術產品及用于執行半導體工業中裝配任務的全自動裝配裝置,具有一個裝配臺(12)、至少一個用于輸送待裝設零件的產品的材料輸送系統(38)、至少一個在裝配臺(12)上安置的輸送系統(16、18、54)及至少一個垂直于輸送系統(16、18、54)安置的可以運動的帶有至少一個裝配頭(36、46、66)的零件輸送單元(34、44、64),其中,該或這些零件輸送單元(34、44、64)被安置在一個或者多個可以借助輸送系統(16、18、54)平行于產品的輸送方向行駛的龍門架(20、40、60、64)上,所述產品可借助于該或這些材料輸送系統(38)運動并且待被裝設零件。
    [8167-0123-0002] 將集成電路封裝固定到熱沉上的容性安裝裝置
    [摘要] 在連接到熱沉上的單層PC板的各部分之間的熱沉表面上直接放置IC封裝的導熱安裝凸緣,以便使從封裝的相對側延伸的電引線設置在各相鄰PC板部分的表面上所形成的相應導電區域上。利用穿過介電隔離墊圈固定的各個鎖緊螺釘,將引線與該導電區域電耦連。螺釘足夠緊地固定在隔離墊圈上以便將各封裝引線壓至與導電區域形成固態電接觸。為了避免引線和/或導電區域通過鎖緊螺釘與熱沉短路,切掉鎖緊螺釘周圍的各引線和導電區域的部分以防止接觸。或者,利用封裝引線鎖緊螺釘還可對將IC封裝固定到熱沉安裝凸緣上的保持彈簧的各端部加以固定,以便螺釘將封裝固定到熱沉上和將封裝引線壓至與各導電區域形成固態電接觸。
    [8167-0172-0003] 具有冷卻裝置的圖像傳感器集成電路組件
    本發明提出的這種裝置包括一個CMOS圖像傳感器,它固定在一個與芯片封裝合成一體的有源電子冷卻器件上。這個有源電子冷卻器件可以是一個Peltier、Seebeck、Thompson或通過電流流動使熱得到傳導的其他物理效應器件。
    [8167-0186-0004] 鉛框架和用于鉛框架的銅合金
    [摘要] 一種通過控制最上表層而改進的附著有銅合金的氧化膜,用XRD薄膜法進行評價。在此層中,銅合金結晶具有{100}相對于{111}的不大于0.04的峰強度比率。
    [8167-0145-0005] 發光閘流晶體管及自掃描型發光裝置
    [摘要] 提供一種發光效率好的發光閘流晶體管。根據本發明,在p型及n型的AlGaAs層交互層疊在GaAs襯底上的GaAs緩沖層上的pnpn結構發光閘流晶體管中,特征在于GaAs緩沖層上面的AlGaAs層中的Al的成分呈臺階狀增加的變化,或者Al的成分呈連續增加的變化。
    [8167-0017-0006] 半導體裝置及其制造方法
    [摘要] 本發明提供一種包含不加厚柵氧化膜而防止了柵氧化膜的絕緣破壞的的MOS晶體管的半導體裝置及其制造方法。合并隔離氧化膜BT1的柵電極GT13一側的部分貫通SOI層3到達埋入氧化膜2,而柵電極GT12一側的部分成為在其下部具有阱區的剖面形狀。而且,合并隔離氧化膜BT1的端部邊緣部的形狀成為LOCOS隔離氧化膜中的鳥翅狀。其結果,柵氧化膜G012和G013的端部邊緣部的部分的厚度在局部變厚。
    [8167-0024-0007] 磁隧道結元件和使用它的磁存儲器
    [摘要] 一種磁隧道結元件(1)包括作為存儲層的第一磁性層(12)和第二磁性層(14),放置在第一和第二磁性層之間的第一絕緣層(13)。而且,磁隧道結元件包括在第二磁性層(14)上與第一絕緣層(13)相反的一邊的第三磁性層(15)。該第三磁生層(15)與第二磁性層(14)形成閉合磁路。
    [8167-0063-0008] 垂直金屬-氧化物-半導體晶體管
    [摘要] 提供一種垂直MOS晶體管及其制造方法。當柵極電壓加到柵電極時,沿著溝槽的p-外延生長層內部形成溝道,使電子流從n+漏層流向p-外延生長層。柵極和漏層之間隔著柵極氧化膜相互交疊的面積較先有技術的小,由此使反饋電容變小,使高頻特性得以改善。此外,由于柵極氧化膜中處于溝槽底部的部分較處于溝槽側壁的部分厚,因而柵極與n+半導體基片的距離較先有技術的大,導致柵極與n+半導體基片的電容較先有技術的小,其高頻特性就得以改善。
    [8167-0103-0009] 半導體位置探測器和使用該探測器的測距裝置
    [摘要] 本發明的裝置中,在PSD(14)的受光面上,形成在基線長度方向上延伸的基干導電層(24)、和排列在基線長度方向上,同時每一個都連接到基干導電層(24)上的多個分支導電層(26),各個分支導電層(26)與基線長度方向構成45度的角度。LED(12)可以投射與上述基線長度方向構成45度的角度地延伸的條狀光。
    [8167-0082-0010] 晶片清潔裝置
    [摘要] 提供一種垂直方位的清潔晶片的方法與裝置,該裝置包括一個第一刷子以及離開第一刷子水平放置的第二刷子。在清潔之后卸下晶片的過程中,晶片垂直地處于第一與第二刷子之間并在一對滾子上,在第一與第二刷子之間的區域的上方垂直放置的指端接觸晶片的一個邊緣并因此使晶片處于精確的卸載位置,在該位置上晶片的傳送機器人臂按已編程序咬住/松開晶片,從而,晶片被機器人臂可靠地并重復地咬住。
    [8167-0206-0011] 旋涂玻璃組合物及其在半導體生產中形成氧化硅層的方法
    [8167-0053-0012] 電子部件用托盤
    [8167-0132-0013] 強電介質存儲元件及其制造方法
    [8167-0117-0014] 半導體器件及其制造方法
    [8167-0199-0015] 電光裝置、電光裝置的制造方法和電子裝置
    [8167-0175-0016] 具有改善的顏色輸出的白光照明系統
    [8167-0129-0017] 孔板機構
    [8167-0044-0018] 半導體晶片清洗裝置和方法
    [8167-0081-0019] 銀錫復合LED引線框架
    [8167-0085-0020] 生產用于半導體封裝的環氧樹脂模制材料的工藝方法、其模制材料和獲得的半導體...
    [8167-0076-0021] 半導體存儲器件、其驅動方法及其制造方法
    [8167-0099-0022] 半導體器件以及形成該器件的方法
    [8167-0035-0023] 散熱裝置及其制造方法
    [8167-0006-0024] 單片彩色金屬氧化物半導體圖像傳感器及相鄰行讀出方法
    [8167-0037-0025] 半導體裝置的安裝結構、電光裝置和電子裝置
    [8167-0166-0026] 半導體器件和使用該半導體器件的半導體組件
    [8167-0001-0027] 檢修信號發生電路
    [8167-0216-0028] 半導體器件生產系統和半導體器件生產方法
    [8167-0066-0029] 電攝像感光件及其制備方法
    [8167-0083-0030] 用于等離子加工的彈性接合部件及其制造方法和其應用
    [8167-0095-0031] 用以改善粘接效果的管帽粘接面的改進
    [8167-0057-0032] 半導體裝置
    [8167-0163-0033] 半導體器件粘附層結構及形成結構的工藝
    [8167-0009-0034] 薄膜晶體管及其制造方法
    [8167-0195-0035] 多晶粒模組器件
    [8167-0131-0036] 無氧淀析的切氏硅晶片
    [8167-0052-0037] 半導體器件測試用接觸開關及其制造方法
    [8167-0064-0038] 半導體器件及其制造方法
    [8167-0151-0039] 數據存儲和處理裝置及其制造方法
    [8167-0049-0040] 產生電能的裝置
    [8167-0071-0041] 分子束外延自組織生長量子線結構材料制備方法
    [8167-0130-0042] 半導體襯底及其制造方法、和使用它的半導體器件及其制造方法
    [8167-0174-0043] 納米光-熱伏電池及其制備方法
    [8167-0040-0044] 把光學信號光學產生的電荷存儲在固態成象裝置中的方法
    [8167-0101-0045] 帶凸起的IC密封劑涂敷方法和密封劑涂敷裝置
    [8167-0043-0046] 磁阻裝置和利用磁阻裝置的磁性存儲器
    [8167-0205-0047] 生產半導體器件的工藝
    [8167-0106-0048] 薄膜形成裝置,薄膜形成方法和自發光裝置
    [8167-0194-0049] 一種具有極性記憶效應的有機電雙穩薄膜及其應用
    [8167-0189-0050] 固態圖象讀取裝置及其驅動方法和攝像系統
    [8167-0127-0051] 電拋光半導體器件上金屬互連的方法和裝置
    [8167-0047-0052] 利用N阱隔離得到的PMOS EEPROM陣列內的獨立可編程存儲段及其制造...
    [8167-0124-0053] 用于電子封裝的器件和銷釘固定裝置
    [8167-0062-0054] 垂直金屬-氧化物-半導體晶體管及其制造方法
    [8167-0084-0055] 具有垂直晶體管的集成電路布置結構和該布置結構的制造方法
    [8167-0190-0056] CaAsSb/InP雙異質結晶體三極管及其制備方法
    [8167-0086-0057] 表面具有與集成電路電絕緣的周邊區域的集成電路模塊和包括該模塊的混合連接卡
    [8167-0134-0058] 減少四方性的鐵電薄膜
    [8167-0107-0059] 結晶硅半導體器件及其制造方法
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    [8167-0168-0061] 光電器件
    [8167-0039-0062] 半導體存儲器件
    [8167-0141-0063] 具有散熱片的散熱器及該散熱片的固定方法
    [8167-0019-0064] 半導體集成電路器件及其制造方法
    [8167-0208-0065] 電子設備的靜電擊穿保護裝置
    [8167-0191-0066] 半導體器件及其制造方法
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    [8167-0156-0069] 反向短溝道效應的減少
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    [8167-0114-0073] 具有釕電極的半導體存儲器及其制造方法
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    [8167-0157-0082] 在金屬鑲嵌柵極工藝中形成自對準接觸焊盤的方法
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