絕緣半導體技術專題資料-氧半導體-物半導體-外延半導體-絕緣體型半導體-絕緣半導體類資料(268元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：268元;資料（光盤）編號：F410851。
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絕緣半導體技術專題資料
1013029-0130-0001)制造過氧化物交聯絕緣層和/或半導體層電纜的方法和設備
1013029-0228-0002)絕緣柵半導體器件
1013029-0049-0003)在半導體基片上形成溝槽絕緣的方法
1013029-0273-0004)金屬/絕緣體/金屬電容結構的半導體裝置
MIM)電容結構的半導體裝置，在至少兩個以上的絕緣層上形成多個MIM電容結構圖案，絕緣層包含半導體裝置的介層及金屬化層，在至少兩個鄰接的MIM電容圖案之間的絕緣層頂部形成一凹型區域，當沉積MIM電容結構的上平板材質時，上平板材質將填入鄰接的MIM電容圖案之間的上絕緣層的凹型區域，形成連接區域，以耦合鄰接MIM電容結構的上平板電極，并且在半導體裝置的第一金屬化層中形成一部分的MIM電容下電極。
1013029-0112-0005)制造具有絕緣性能提高的氮化膜的半導體器件的方法
1013029-0056-0006)具有金屬－絕緣體－金屬電容的半導體器件
1013029-0054-0007)絕緣柵型半導體器件及其制造方法
1013029-0231-0008)具有半導體元件、絕緣基板和金屬電極的半導體器件
3、4)；夾在電極(3、4)之間的半導體元件(1、2)；以及分別設置在電極(3、4)上并且與半導體元件(1、2)相對的第一和第二絕緣基板(5、6)。每個絕緣基板(5、6)由陶瓷制成。電極(3、4)中至少一個包括在平行于層疊方向的方向上層疊的多個層(3a、3b、4a、4b)。設置在半導體元件側的一層(3b、4b)具有的熱膨脹系數比設置在絕緣基板側的另一層(3a、4a)的熱膨脹系數高。
1013029-0022-0009)硅半導體二極管元件和芯片與絕緣胴體的結構及其制法
1013029-0027-0010)半導體裝置的層間絕緣膜的形成方法
1013029-0190-0011)薄型絕緣半導體之絕緣間隙壁
1013029-0197-0012)絕緣襯底和半導體器件
1013029-0244-0013)絕緣柵極型半導體裝置
1013029-0100-0014)使位于電絕緣材料表面上的半導體層的厚度降低和均勻化的方法
1013029-0073-0015)絕緣柵功率半導體的柵極驅動
1013029-0221-0016)半導體均壓層和中導電性硅橡膠及制備合成絕緣子的工藝
1013029-0229-0017)在絕緣體半導體器件上的半導體及其制造方法
1013029-0132-0018)在基板上形成絕緣膜的方法、半導體裝置的制造方法和基板處理裝置
1013029-0162-0019)絕緣柵型半導體器件
1013029-0257-0020)制造絕緣體上半導體型異質結構的方法
1013029-0040-0021)含大量絕緣柵場效應晶體管的高集成電路半導體器件
1013029-0243-0022)用于半導體器件的絕緣膜沉積方法
1013029-0143-0023)多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制造方法、層間絕緣膜和半導體裝置
1013029-0119-0024)絕緣體上半導體溝道結構
1013029-0121-0025)半導體裝置的絕緣膜形成方法及半導體裝置
1013029-0274-0026)具有凹陷抵抗埋入絕緣層的絕緣層上有半導體的結構
1013029-0136-0027)低消耗功率金屬-絕緣體-半導體半導體裝置
1013029-0064-0028)增強雪崩型絕緣體基硅互補金屬氧化物半導體器件的設計
1013029-0096-0029)絕緣膜研磨劑組合物及半導體集成電路的制造方法
1013029-0277-0030)絕緣型大功率電力半導體模塊
1013029-0207-0031)半導體裝置及該半導體裝置用絕緣襯底
1013029-0088-0032)體約束的絕緣體上硅半導體器件及其制造方法
1013029-0084-0033)制造絕緣層和半導體器件的方法及由此形成的半導體器件
1013029-0159-0034)多孔膜形成用組合物,多孔膜的制備方法,多孔膜、層間絕緣膜和半導體器件
1013029-0111-0035)硅氧烷基的樹脂和使用其制造的半導體器件的層間絕緣膜
1013029-0123-0036)完全耗盡型絕緣層上硅結構的摻雜方法和包含所形成摻雜區的半導體器件
1013029-0085-0037)一種廣義的絕緣體上半導體薄膜材料及制備方法
1013029-0199-0038)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
1013029-0093-0039)以低介電常數為絕緣埋層的絕緣層上半導體結構及其方法
1013029-0233-0040)應變絕緣體上半導體材料及制造方法
1013029-0222-0041)金屬-絕緣-金屬結構的電容器、半導體裝置及制造方法
1013029-0140-0042)具有不同厚度柵極絕緣膜的半導體器件的制造方法
1013029-0087-0043)微機電系統器件加工中絕緣層與半導體導電層圖形對準誤差電學測試結構
1013029-0179-0044)含有有機硅烷、有機硅氧烷化合物形成的絕緣膜用材料、其制造方法和半導體器件
1013029-0135-0045)形成半導體基體上的絕緣膜的方法
1013029-0094-0046)絕緣體上半導體裝置的制造方法
1013029-0155-0047)具有凹陷抵抗埋入絕緣層的絕緣層上有半導體的結構及其制造方法
1013029-0200-0048)絕緣膜以及半導體器件的制造方法
1013029-0242-0049)應變全耗盡絕緣層上覆硅半導體裝置及其制造方法
1013029-0253-0050)形成絕緣膜的方法和制造半導體器件的方法
1013029-0065-0051)“絕緣體上的硅”結構的半導體裝置
1013029-0227-0052)具有金屬絕緣體轉換膜電阻器的半導體存儲器件
1013029-0182-0053)采用突變金屬-絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
1013029-0218-0054)采用局部絕緣體上半導體制作半導體器件的方法
1013029-0275-0055)半導體均壓合成絕緣子
1013029-0168-0056)具多厚度絕緣層上半導體的結構及其形成方法
1013029-0031-0057)用以形成半導體裝置的中間層絕緣薄膜的方法
1013029-0259-0058)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0044-0059)“絕緣體上的硅”半導體裝置及其制造方法
1013029-0254-0060)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0237-0061)絕緣柵極半導體器件及其生產方法
1013029-0224-0062)半導體元件及制造鑲嵌結構中的金屬絕緣金屬電容的方法
1013029-0107-0063)表面覆有無機半導體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子
1013029-0082-0064)具有絕緣柵型雙極晶體管的半導體器件及其制造方法
1013029-0156-0065)具有溝渠絕緣的半導體電路裝置及其制造方法
1013029-0255-0066)絕緣膜的制造方法及半導體器件的制造方法
1013029-0025-0067)帶有埋置絕緣氧化物區的金屬氧化物半導體晶體管制作方法
1013029-0217-0068)絕緣柵型半導體裝置及其制造方法
1013029-0002-0069)超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
1013029-0026-0070)具有改良的絕緣柵型晶體管的半導體器件
1013029-0010-0071)埋置絕緣體型半導體碳化硅襯底的制作方法和制作裝置
1013029-0272-0072)絕緣體上半導體芯片
1013029-0261-0073)絕緣柵半導體器件及其制造方法
1013029-0126-0074)生產具有半導體或絕緣體的金屬復合團簇的方法及裝置
1013029-0006-0075)絕緣膜形成材料,絕緣膜,形成絕緣膜的方法及半導體器件
1013029-0012-0076)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
1013029-0048-0077)金屬絕緣體金屬或金屬絕緣體半導體電子源的結構和制造方法
1013029-0139-0078)含有絕緣柵場效應晶體管的半導體器件及其制造方法
1013029-0066-0079)絕緣襯底、其制作方法及具有絕緣襯底的模塊半導體器件
1013029-0177-0080)絕緣柵型半導體器件
1013029-0039-0081)一種層間絕緣膜受到保護的半導體器件和制作方法
1013029-0161-0082)一種砷化鎵基半導體-氧化物絕緣襯底及其制備方法
1013029-0184-0083)具有注入漏極漂移區和厚底部氧化物的溝槽金屬-絕緣體-半導體器件及其制造方法
1013029-0061-0084)絕緣柵型雙極型半導體裝置
1013029-0091-0085)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0052-0086)在半導體襯底中建立高導電性埋入的側面絕緣區域的方法
1013029-0167-0087)具有抗凹蝕絕緣層的半導體結構及其制作方法
1013029-0149-0088)具有多柵極絕緣層的半導體裝置及其制造方法
1013029-0150-0089)絕緣體上硅襯底和半導體集成電路器件
1013029-0212-0090)絕緣膜的形成方法及其形成系統、半導體裝置的制造方法
1013029-0160-0091)多孔膜形成用組合物、多孔膜制造法、多孔膜、層間絕緣膜及半導體裝置
1013029-0106-0092)具有復合絕緣層的半導體封裝結構
1013029-0081-0093)用于半導體和功率模件的絕緣襯底板
1013029-0186-0094)雙淺溝絕緣半導體裝置及其制造方法
1013029-0029-0095)制造絕緣體上的硅結構的半導體器件的方法
1013029-0122-0096)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0071-0097)腐蝕絕緣層和制作半導體器件的工藝
1013029-0204-0098)半導體裝置及互補型金屬絕緣半導體邏輯電路
1013029-0138-0099)作為在半導體器件中的層內和層間絕緣體的超低介電常數材料及其制造方法、以及包含該材料的電子器件
1013029-0147-0100)沸石溶膠及其制法、多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制法、層間絕緣膜和半導體裝置
1013029-0118-0101)具金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
1013029-0208-0102)具有柵極絕緣膜的半導體裝置及其制造方法
1013029-0205-0103)包括高介電常數絕緣層的半導體器件及其制造方法
1013029-0192-0104)半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
1013029-0171-0105)具有絕緣涂層的半導體片式器件及其制造方法
1013029-0213-0106)已處理的半導體晶片的固定的、絕緣的和導電的連接
1013029-0117-0107)包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
1013029-0015-0108)絕緣膜的形成方法和半導體裝置的制造方法
1013029-0151-0109)絕緣膜氮化方法、半導體裝置及其制造方法、基板處理裝置和基板處理方法
1013029-0276-0110)內嵌導熱絕緣體具散熱片的新型半導體器件封裝結構
1013029-0164-0111)在絕緣體上的外延半導體結構和器件
1013029-0262-0112)半絕緣SiC半導體器件的歐姆接觸制作方法
1013029-0141-0113)具有硅絕緣體區域和體區域的半導體裝置及其制造方法
1013029-0230-0114)評價用于半導體裝置的絕緣膜的特性的方法以及形成該絕緣膜的方法
1013029-0098-0115)兩側絕緣體上半導體結構及其制造方法
1013029-0055-0116)垂直型金屬絕緣體半導體場效應晶體管及其制造方法
1013029-0191-0117)絕緣柵型半導體裝置及其制造方法
1013029-0047-0118)半導體器件、靜電放電保護元件及防護絕緣擊穿的方法
1013029-0241-0119)柵極絕緣膜的形成方法、半導體裝置和計算機記錄介質
1013029-0128-0120)耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
1013029-0181-0121)導電和絕緣準氧化鋅襯底及垂直結構的半導體發光二極管
1013029-0175-0122)生產絕緣膜的涂料組合物、使用該涂料組合物制備絕緣膜的方法、由其得到的用于半導體器件的絕緣膜及含有該絕緣膜的半導體器件
1013029-0080-0123)金屬－絕緣體－半導體場效應晶體管
1013029-0092-0124)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0170-0125)絕緣柵半導體器件及其制造方法
1013029-0131-0126)使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合物絕緣體、以及使用該化合物半導體和化合物絕緣體的光電池、電子電路、晶體管和儲存器
1013029-0172-0127)可剝離半導體絕緣屏蔽
1013029-0105-0128)具有復合絕緣層的半導體封裝結構
1013029-0008-0129)具有縱向金屬絕緣物半導體晶體管的半導體器件及其制造方法
1013029-0178-0130)具源極穿孔絕緣體硅基板上金氧半導體晶體管
1013029-0063-0131)具有元件分離絕緣膜的半導體裝置的制造方法
1013029-0124-0132)半導體裝置的具有低介電常數的絕緣層的淀積方法
1013029-0187-0133)具溝渠絕緣的半導體組件及其制造方法
1013029-0148-0134)有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導體器件及其制造方法
1013029-0174-0135)貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導體裝置
1013029-0083-0136)絕緣膜的形成方法及半導體器件的制造方法
1013029-0193-0137)采用絕緣體-半導體轉換材料層作為溝道材料的場效應晶體管及其制造方法
1013029-0248-0138)包含高應變玻璃/玻璃-陶瓷的絕緣體上半導體結構
1013029-0201-0139)含有機硅烷化合物的絕緣膜用材料及其制法及半導體裝置
1013029-0188-0140)半絕緣襯底長波長半導體激光器及其制作方法
1013029-0076-0141)半導體裝置和“絕緣體上的半導體”襯底
1013029-0101-0142)具有沉積阻擋層的玻璃絕緣體上的半導體
1013029-0235-0143)絕緣體上半導體襯底和器件及其形成方法
1013029-0183-0144)絕緣柵半導體器件及其新型自對準制造方法
1013029-0068-0145)通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體體接觸
1013029-0115-0146)具含納米微粒絕緣層之半導體組件裝置
1013029-0034-0147)包括絕緣膜的半導體器件及其制造方法
1013029-0214-0148)絕緣柵型半導體裝置、制造方法及保護電路
1013029-0067-0149)減小絕緣體基外延硅半導體元件中電場強度的方法和器件
1013029-0041-0150)具有半絕緣多晶硅吸雜位置層的半導體襯底及其制造方法
1013029-0173-0151)絕緣柵功率半導體器件
1013029-0013-0152)低介電常數絕緣膜形成用材料、低介電常數絕緣膜、低介電常數絕緣膜的形成方法及半導體器件
1013029-0014-0153)絕緣柵型半導體裝置
1013029-0247-0154)帶有相互電絕緣的連接元件的功率半導體模塊
1013029-0269-0155)具多厚度絕緣層上半導體的結構
1013029-0108-0156)硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
1013029-0165-0157)形成多孔膜的組合物,多孔膜和其制備方法,層間絕緣膜和半導體器件
1013029-0195-0158)包括金屬-絕緣體-金屬電容器排列的半導體器件
1013029-0206-0159)抗高溫應力的應力絕緣體上半導體結構
1013029-0265-0160)對絕緣體上半導體結構進行拋光的方法
1013029-0142-0161)包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
1013029-0003-0162)包含多孔絕緣材料的半導體器件及其制造方法
1013029-0011-0163)具有部分絕緣體基或部分空洞基外延硅構造的半導體器件
1013029-0017-0164)含低介電常數絕緣膜的半導體裝置的制造方法
1013029-0256-0165)絕緣膜材料、多層互連結構及其制造方法和半導體器件的制造方法
1013029-0234-0166)形成半導體設備的絕緣層的方法
1013029-0245-0167)絕緣膜半導體裝置及方法
1013029-0129-0168)絕緣柵極型半導體裝置及其制造方法
1013029-0152-0169)應變半導體覆絕緣層型基底及其制造方法
1013029-0103-0170)全包型陶瓷半導體絕緣加熱裝置
1013029-0001-0171)一種具有多孔絕緣層和空氣隙的半導體設備的制造方法
1013029-0042-0172)能用低介電常數非晶氟化碳膜作為層間絕緣材料的半導體器件及其制備方法
1013029-0099-0173)絕緣材料、布線板和半導體器件
1013029-0004-0174)場增強金屬絕緣體-半導體/金屬絕緣體-金屬電子發射器
1013029-0166-0175)具有電流控制電阻效應的摻雜半導體/絕緣體/半導體材料
1013029-0051-0176)具有低介電常數絕緣膜的半導體器件及其制造方法
1013029-0210-0177)絕緣柵型半導體器件及其制造方法
1013029-0114-0178)集成半導體結構和應變絕緣硅的制造方法及應變絕緣硅
1013029-0251-0179)具有半絕緣性氧化鋅半導體薄膜與硅的異質結的光敏二極管
1013029-0250-0180)絕緣體上半導體(SOI)結構及其制造方法
1013029-0018-0181)絕緣膜用材料，絕緣膜用罩光清漆,以及絕緣膜和采用該膜或該清漆的半導體裝置
1013029-0058-0182)具有絕緣柵極的半導體器件及其制造方法
1013029-0220-0183)半導體器件及改善體接觸絕緣體上硅(SOI)場效應晶體管的方法
1013029-0202-0184)金屬絕緣體半導體晶體管和互補金屬氧化物半導體晶體管
1013029-0157-0185)絕緣襯底上制備高質量半導體晶體薄膜的方法
1013029-0146-0186)沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半導體集成電路
1013029-0075-0187)硅絕緣體結構半導體器件
1013029-0236-0188)形成絕緣膜的組合物以及制造半導體器件的方法
1013029-0037-0189)硅化物層和絕緣層之間不發生分離的半導體器件加工工藝
1013029-0270-0190)絕緣層上有半導體的晶片
1013029-0232-0191)絕緣體上半導體的襯底以及由該襯底所形成的半導體裝置
1013029-0209-0192)快速開關功率絕緣柵半導體器件
1013029-0225-0193)生產高密度半導體功率器件的鈷-硅接觸絕緣金屬工藝
1013029-0176-0194)具有形成在電容器上的可流動絕緣層的半導體裝置及其制造方法
1013029-0062-0195)穩定絕緣體基半導體器件的方法及絕緣體基半導體器件
1013029-0125-0196)具有金屬-絕緣體-金屬電容器的半導體器件及制造方法
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