硅晶體管技術專題資料-薄膜晶體管的多晶硅-半導體晶體管-晶體-金屬柵極晶體管-形成晶體管類資料(238元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：238元;資料（光盤）編號：F410836。
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硅晶體管技術專題資料
1012823-0200-0001)高遷移率塊體硅p溝道場效應晶體管
100)和制造該場效應晶體管的方法。所述場效應晶體管包括在柵電介質層(155)上表面(170)上形成的柵電極(165)，所述柵電介質層位于單晶硅溝道區(110)的上表面(160)上，所述單晶硅溝道區位于鍺包含層(135)的上表面上，所述鍺包含層位于單晶硅襯底(150)的上表面上，所述鍺包含層位于單晶硅襯底的上表面上的第一電介質層(215A)和第二電介質層(215B)之間。
1012823-0032-0002)亞四分之一微米級硅－絕緣體的MOS場效應晶體管
1012823-0141-0003)碳化硅功率MOS場效應晶體管及制造方法
MOSFET)可以包括n型碳化硅漂移層(12)、毗鄰漂移層且其中包含第一n型碳化硅區的第一p型碳化硅區(28)、漂移層上的氧化物層、以及漂移層和第一p型區一部分之間的n型碳化硅**區(26)。**區的載流子濃度可以高于漂移層的載流子濃度。同時還提供了制備碳化硅MOSFET器件的方法。
1012823-0215-0004)抬高外基區鍺硅異質結晶體管及其制備工藝
1012823-0022-0005)高壓金屬氧化物硅場效應晶體管(MOSFET)結構及其制造方法
1012823-0030-0006)擊穿電壓增加的雙極絕緣體上硅晶體管
1012823-0234-0007)絕緣層上有硅芯片的鰭狀元件及應用它的單一晶體管靜態隨機存取內存
1012823-0132-0008)應用于高效能薄膜晶體管的多晶硅退火結構及其方法
1012823-0207-0009)低溫直接沉積多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
“TFT”)裝置之方法，其包括：提供基板；在該基板上形成圖案化第一金屬層；在該圖案化第一金屬層上方形成絕緣層；在該絕緣層上方形成非晶硅層；在該非晶硅層上方形成第一多晶硅層；在該第一多晶硅層上方形成第二多晶硅層；對該第二多晶硅層加以摻雜以形成摻雜多晶硅層；圖案化上述這些非晶硅層、第一多晶硅層及摻雜多晶硅層以形成該TFT裝置之作用區域層；及在該作用區域層上方形成圖案化第二金屬層。
1012823-0223-0010)具有多晶硅浮置隔片的鏡像存儲單元晶體管對的制造方法
圖1)設置成對稱對(30)，可以實現芯片密度的提高。對每對這樣的晶體管來說，浮置柵極(17a，17b)橫向地與在每一個浮置柵極的橫向向外的邊緣上的浮置隔片(45，47)對準。在橫向向內邊緣處，兩個晶體管共用一個公用電極(57)。除了該公用的電極外，晶體管彼此是相互獨立的。隧道氧化物(41)將浮置隔片與浮置柵極分隔開，但該隔片與柵極保持在一共同的電位上，從而當電荷被編程電壓驅動時，為電荷從隧道氧化物出去提供了兩條通路。該晶體管對可以在垂直于對的方向的列的方向上以列對準從而形成存儲器陣列。
1012823-0059-0011)使用含碳硅和鍺化硅外延源/漏極的高性能應力增強金屬氧化物半導體場效應晶體管及制造方法
1012823-0008-0012)具有最佳鍺分布的硅鍺雙級晶體管
1012823-0219-0013)一種硅基側柵單電子晶體管及其制作方法
1012823-0192-0014)用于制造晶體管的低熱預算氮化硅膜及其制備方法
1012823-0049-0015)液晶顯示器的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0036-0016)用作電源開關的碳化硅N溝場效應晶體管及其制造方法
1012823-0131-0017)具有多晶硅層的薄膜晶體管、制造方法及平板顯示器
1012823-0005-0018)用于可編程邏輯設備中絕緣體外延硅晶體管的設備和方法
1012823-0107-0019)硅薄膜結晶方法、用該方法的薄膜晶體管及其平板顯示器
1012823-0226-0020)一種體硅納米線晶體管器件的制備方法
1012823-0114-0021)多晶硅薄膜晶體管陣列板及其制造方法
1012823-0162-0022)多晶硅薄膜制造方法和具有其的薄膜晶體管的制造方法
1012823-0174-0023)使用應變硅晶體管柵極圖案化用硬掩模的方法和結構
1012823-0231-0024)多晶硅薄膜晶體管離子注入機
1012823-0109-0025)硅鍺雙極型晶體管
1012823-0232-0026)低溫多晶硅薄膜晶體管
1012823-0151-0027)具有應變的硅溝道的場效應晶體管及其制造方法
1012823-0190-0028)多晶硅橫向結晶方法以及應用其制造的多晶硅薄膜晶體管
1012823-0168-0029)薄膜晶體管的制造方法與修補多晶硅膜層之缺陷的方法
1012823-0078-0030)形成低溫多晶硅薄膜晶體管的方法
1012823-0140-0031)低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0009-0032)多晶硅結晶方法、薄膜晶體管及其液晶顯示器的制造方法
1012823-0087-0033)形成多晶硅層及多晶硅薄膜晶體管的方法
1012823-0161-0034)形成具有集成的金屬硅化物柵電極的晶體管的方法
1012823-0139-0035)低溫多晶硅薄膜晶體管全集成有源選址基板及制備方法
1012823-0097-0036)制造多晶硅薄膜的方法及用其制造晶體管的方法
1012823-0020-0037)一種硅化物全自對準槽柵絕緣柵雙極晶體管設計及制備工藝
1012823-0054-0038)一種源體歐姆接觸絕緣體上硅晶體管的制作方法
1012823-0055-0039)高壓應力薄膜與應變硅金屬氧化物半導體晶體管及其制法
1012823-0221-0040)作為薄膜晶體管的介電層或平面化層的低溫溶膠-凝膠硅酸鹽
1012823-0067-0041)硅晶體管自動／手動兩用測試儀
1012823-0011-0042)降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
1012823-0177-0043)通過注氧進行量子**的硅基單電子晶體管及制作方法
1012823-0012-0044)準絕緣體上的硅場效應晶體管及實現方法
1012823-0123-0045)在晶體管的有源區域分兩次形成硅化物的工藝
1012823-0169-0046)高壓水氣退火的多晶硅薄膜晶體管組件的制作方法
1012823-0166-0047)多晶硅薄膜晶體管液晶顯示面板及其制造方法
1012823-0220-0048)制作應變硅互補金屬氧化物半導體晶體管的方法
1012823-0196-0049)一種新型金屬氧化物硅場效應晶體管柵極結構及其制備工藝
1012823-0058-0050)包括低溫多晶硅薄膜晶體管的影像顯示系統及其制造方法
1012823-0028-0051)復原非晶硅薄膜晶體管器件閾值電壓漂移的裝置
1012823-0116-0052)低溫多晶硅薄膜晶體管的制作方法
1012823-0208-0053)碳化硅MOS場效應晶體管以及其制造方法
1012823-0142-0054)多晶化方法、制造多晶硅薄膜晶體管的方法及用于該方法的激光輻照裝置
1012823-0086-0055)使用非晶硅晶體管的有源矩陣有機發光二極管
1012823-0023-0056)絕緣體上硅薄膜晶體管
1012823-0031-0057)硅/鍺硅垂直結型場效應晶體管
1012823-0101-0058)具有重組區域的絕緣體上硅場效應晶體管及形成該場效應晶體管的方法
1012823-0021-0059)制造金屬氧化物硅場效應晶體管的方法
1012823-0188-0060)使用絕緣體上硅晶片制造晶體管的方法
1012823-0083-0061)基于區熔硅單晶的雙極光晶體管及其探測方法
1012823-0117-0062)具多晶硅射極雙極性晶體管的制造方法
1012823-0013-0063)用于薄膜晶體管的多晶硅薄膜及使用該多晶硅薄膜的顯示器件
1012823-0186-0064)制作應變硅晶體管的方法
1012823-0015-0065)碳化硅金屬半導體場效應晶體管和制造碳化硅金屬半導體場效應晶體管的方法
1012823-0205-0066)一種雙硅納米線圍柵場效應晶體管及其制備方法
1012823-0225-0067)多晶硅薄膜晶體管
1012823-0130-0068)用于射頻橫向擴散場效應晶體管的自對準硅化物方法
1012823-0126-0069)多晶硅薄膜晶體管的制作方法
1012823-0187-0070)制作應變硅互補式金屬氧化物半導體晶體管的方法
1012823-0154-0071)抗輻射加固的特殊體接觸絕緣體上硅場效應晶體管及制備方法
1012823-0045-0072)全耗盡型集電極硅絕緣體雙極晶體管
1012823-0001-0073)用硅絕緣體(SOI)基片上的應變Si/SiGe層的遷移率增強的NMOS和PMOS晶體管
1012823-0014-0074)硅-雙極型晶體管,電路設置和制造硅-雙極型晶體管的方法
1012823-0093-0075)非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器及其制造方法
1012823-0214-0076)由碳化硅制造的單片垂直結場效應晶體管和肖特基勢壘二極管及其制造方法
1012823-0048-0077)半導體襯底、場效應晶體管、鍺化硅層形成方法及其制造方法
1012823-0029-0078)制造結晶硅半導體和薄膜晶體管的方法
1012823-0084-0079)具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置
1012823-0075-0080)用于結晶多晶硅的掩膜及利用該掩膜形成薄膜晶體管的方法
1012823-0182-0081)制作高張力薄膜及應變硅金屬氧化物半導體晶體管的方法
1012823-0052-0082)改善硅化鎳層性能方法及形成PMOS晶體管方法
1012823-0124-0083)用于應變硅MOS晶體管的金屬硬掩模方法和結構
1012823-0100-0084)制造多晶硅薄膜的方法和使用該多晶硅的薄膜晶體管
1012823-0088-0085)一種體硅MOS晶體管及其制作方法
1012823-0121-0086)具有應變硅鍺層磊晶的場效應晶體管結構及其制造方法
1012823-0199-0087)多晶硅膜的制造方法以及薄膜晶體管的制造方法
1012823-0062-0088)基于虛襯底的硅鍺異質結光晶體管
1012823-0122-0089)低溫多晶硅薄膜晶體管及其多晶硅層的制造方法
1012823-0203-0090)具有自對準硅化物和外基極的雙極晶體管
1012823-0112-0091)具有集成非晶硅薄膜晶體管驅動列的液晶顯示裝置
1012823-0034-0092)降低絕緣體上硅晶體管寄生雙極電流的方法和裝置
1012823-0019-0093)在碳化硅中制造雙極結晶體管的方法和得到的器件
1012823-0099-0094)利用多晶硅的薄膜晶體管制造方法
1012823-0103-0095)硅薄膜晶體管及其制造方法以及顯示屏
1012823-0050-0096)碳化硅橫向場效應晶體管和制造方法及其使用
1012823-0233-0097)低溫多晶硅薄膜晶體管
1012823-0213-0098)NPN型的鍺硅異質結雙極晶體管及其制造方法
1012823-0163-0099)降低多晶耗盡效應的制作多晶硅柵極晶體管的方法
1012823-0211-0100)一種硅基平面側柵單電子晶體管及其制作方法
1012823-0056-0101)功率金屬氧化物硅場效應晶體管
1012823-0206-0102)非晶硅薄膜晶體管及具有該晶體管的有機發光顯示器件
1012823-0079-0103)底柵控制型多晶硅薄膜晶體管的制造方法
1012823-0074-0104)具多個共通電壓驅動電路的多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器
1012823-0181-0105)多晶硅薄膜、其制法以及用該膜制造的薄膜晶體管
1012823-0160-0106)具有單層多晶硅的鏡像非易失性存儲器單元晶體管對
1012823-0179-0107)用于應變硅MOS晶體管的多晶硅柵極摻雜方法和結構
1012823-0159-0108)懸空硅層的金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
1012823-0150-0109)基于絕緣體上的硅材料的場效應晶體管抗輻照的加固方法
1012823-0027-0110)硅單晶薄片制造晶體管的方法
1012823-0025-0111)全溫區工作的硅晶體管的制造技術
1012823-0063-0112)制作應變硅溝道金屬半導體晶體管的方法
1012823-0071-0113)低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
1012823-0077-0114)包括多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置及其制造方法
1012823-0057-0115)用于應變硅MOS晶體管的使用硬掩模的刻蝕方法和結構
1012823-0113-0116)一種低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
1012823-0158-0117)用于化學機械研磨平面化的雙硅層鰭狀場效應晶體管
1012823-0222-0118)應變硅互補型金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
1012823-0092-0119)帶有結型場效應晶體管的碳化硅半導體器件及其制造方法
1012823-0165-0120)溝道區中具有硅和碳層的晶體管
1012823-0135-0121)具源極穿孔絕緣體硅基板上金氧半導體晶體管
1012823-0178-0122)使用應變硅用于晶體管的集成設計方法和結構
1012823-0189-0123)具有碳化硅鈍化層的碳化硅雙極結型晶體管及其制造方法
1012823-0172-0124)薄膜晶體管及低溫多晶硅薄膜晶體管之多晶硅層的制造方法
1012823-0146-0125)功能有機薄膜,有機薄膜晶體管,含π電子共軛分子的硅化合物,它們的形成方法
1012823-0133-0126)形成場效應晶體管的金屬硅化柵極的方法
1012823-0043-0127)具有硅－鍺(Sii－x－Gex)門極MOS晶體管的集成CMOS電路的半導體裝置及其生產方法
1012823-0070-0128)薄膜晶體管的多晶硅制造方法
1012823-0171-0129)半導體器件及改善體接觸絕緣體上硅(SOI)場效應晶體管的方法
1012823-0217-0130)應變硅、柵極構建的費米場效應晶體管
1012823-0108-0131)形成多晶硅層的方法以及制造多晶硅薄膜晶體管的方法
1012823-0216-0132)多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0224-0133)金屬氧化物半導體晶體管的金屬硅化工藝及晶體管結構
1012823-0148-0134)激光退火多晶硅薄膜晶體管柵絕緣層的制備方法
1012823-0155-0135)低溫多晶硅薄膜晶體管顯示面板及其制造方法
1012823-0183-0136)具有多晶硅薄膜晶體管的平板顯示裝置
1012823-0006-0137)一種功率型多晶硅發射極晶體管
1012823-0039-0138)高溫應用碳化硅場效應晶體管及其使用和制造方法
1012823-0104-0139)制造具有低溫多晶硅的頂柵型薄膜晶體管的方法
1012823-0098-0140)多晶硅薄膜晶體管的多晶硅膜的形成方法
1012823-0152-0141)形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0047-0142)氣源分子束外延生長鍺硅異質結雙極晶體管材料摻雜方法
1012823-0110-0143)薄膜晶體管用非晶硅的結晶方法
1012823-0120-0144)低溫多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0209-0145)低溫多晶硅薄膜晶體管結構及其制造方法
1012823-0095-0146)提高截止頻率的硅鍺晶體管
1012823-0076-0147)具有多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器及其制造方法
1012823-0085-0148)半導體元件與其中的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0134-0149)德爾塔摻雜的碳化硅金屬半導體場效應晶體管及其制造方法
1012823-0194-0150)多晶硅層以及薄膜晶體管的制造方法
1012823-0038-0151)硅鍺射頻功率晶體管發射極分配方法和系統
1012823-0102-0152)包含金屬硅化物柵和溝道注入的晶體管構件及其制造方法
1012823-0073-0153)多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器的電路布局方法
1012823-0228-0154)形成多晶硅的方法和采用多晶硅的薄膜晶體管及其制法
1012823-0201-0155)全硅化外基極晶體管
1012823-0044-0156)評定多晶硅的方法和系統及制造薄膜晶體管的方法和系統
1012823-0035-0157)半絕緣碳化硅基底上基于氮化物的晶體管
1012823-0002-0158)輕摻雜漏極結構的低溫多晶硅薄膜晶體管及其制作方法
1012823-0004-0159)超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
1012823-0051-0160)非自對準抬高外基區鍺硅異質結晶體管及其制備工藝
1012823-0090-0161)形成具有完全硅化結構的半導體組件及晶體管的方法
1012823-0173-0162)用于形成用于應變硅MOS晶體管的第二隔片的方法和結構
1012823-0024-0163)鍺硅陽極絕緣柵異質結晶體管
1012823-0204-0164)用于制造深結絕緣體上硅晶體管的方法
1012823-0184-0165)疊層儲存電容器結構、低溫多晶硅薄膜晶體管液晶顯示器
1012823-0080-0166)垂直雙溝道絕緣硅晶體管及其制造方法
1012823-0164-0167)用于通過減少自對準硅化物界面電阻改善晶體管性能的方法
1012823-0042-0168)形成在源漏極上具有金屬硅化物的晶體管的方法
1012823-0094-0169)包括多晶硅薄膜晶體管的液晶顯示器件及其制造方法
1012823-0185-0170)制作高頻大功率硅鍺異質結雙極晶體管結構的方法
1012823-0176-0171)制作應變硅晶體管的方法
1012823-0105-0172)形成多晶硅層以及制作多晶硅薄膜晶體管的方法
1012823-0137-0173)具有雙柵極結構的非晶硅薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0033-0174)具有P＋多晶硅柵極的金屬氧化物半導體晶體管的制作方法
1012823-0129-0175)采用硅-鍺和硅-碳合金的異質結場效應晶體管
1012823-0138-0176)低溫多晶硅薄膜晶體管及其通道層的制造方法
1012823-0037-0177)形成異質結雙極晶體管的硅－鍺基區的方法
1012823-0096-0178)硅化金屬柵極晶體管的結構和方法
1012823-0230-0179)制造低溫多晶硅晶體管的多晶硅的組合設備工具
1012823-0197-0180)含側鏈型有機硅烷化合物，薄膜晶體管及其制造方法
1012823-0061-0181)用于在場效應晶體管的鰭之上形成雙重全硅化柵極的方法
1012823-0081-0182)具有硅氧烷聚合物界面的有機薄膜晶體管
1012823-0210-0183)多晶硅薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
1012823-0145-0184)平坦多晶硅薄膜晶體管的制作方法
1012823-0066-0185)硅材料高頻低功耗功率結型場效應晶體管(JFET)制造方法
1012823-0046-0186)制造絕緣層上硅的金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
1012823-0156-0187)薄膜晶體管與多晶硅層的制造方法
1012823-0167-0188)具有低摻雜漏極結構的低溫多晶硅薄膜晶體管的制造方法
1012823-0191-0189)薄硅單擴散場效應晶體管及其制造方法
1012823-0111-0190)清洗硅表面的方法以及用此方法制造薄膜晶體管的方法
1012823-0229-0191)多晶硅的制法、薄膜晶體管及制法及有機發光二極管顯示裝置
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