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詳細光盤目錄列表如下：

半導體,氧化鋅,氮化物類技術資料匯編5110-001 高純度硝酸銀晶體的制備方法
5110-002 化合物半導體制造用的水平反應爐
5110-003 一種激光外延定向凝固技術
5110-004 正交結構B0.4～0.6C0.1～0.3N0.......
5110-005 氮化鎵單晶膜的制造方法
5110-006 *非線性光學晶體材料及其制備方法
5110-007 用于拉晶的方法和設備
5110-008 鈮鋅酸鉛鈦酸鉛固溶體單晶的熔體法生長
5110-009 垂直氣相提拉生長硒化鎘單晶體的方法與設備
5110-010 高硅煤制備納米級SiC/SiO2及其晶須/纖維
5110-011 四針狀氧化鋅晶須生產工藝及設備
5110-012 一種改進氫化物氣相外延生長GaN材料均勻性的方法和裝置
5110-013 碳化硅晶體生長的方法和裝置
5110-014 膠體光子晶體
5110-015 鎢摻加層坩堝及其制造方法
5110-016 化合物氣體噴射系統和方法
5110-017 具有受控缺陷分布的硅晶片、其制法及丘克拉斯基提拉機
5110-018 具有缺陷減少區域的單晶半導體晶片及其制造方法
5110-019 一種制備碳酸鈣晶須的方法
5110-020 多晶硅薄膜及其組件的制備方法
5110-021 外延晶片及其制造方法
5110-022 雌激素受體結構
5110-023 一種納米晶薄膜及其低溫制備方法
5110-024 單晶拉制機與重型晶體的制造方法
5110-025 一種用于以物理氣相傳輸沉淀法生長單晶用的單晶生長設備
5110-026 一種用于控制真空生長室內氣體壓力的壓力自動控制裝置
5110-027 半導體處理用的成膜裝置及其使用方法
5110-028 生長氮化鎵晶體的方法
5110-029 具有表面增強拉曼活性的多枝表面的金微米晶的制備方法
5110-030 結晶金屬膜
5110-031 一種近化學計量比鈮酸鋰晶體的生長方法
5110-032 六鈦酸鉀晶須的合成方法
5110-033 Y和Zn雙摻雜鎢酸鉛晶體及其制備方法
5110-034 正交結構BC3N晶體及其制備方法
5110-035 結構體
5110-036 硅基氮化物單晶薄膜的外延結構及生長方法
5110-037 通過用液態Zn還原SiCl4制備Si的方法
5110-038 單晶氧化鎂及其制造方法
5110-039 一種在*化鎵襯底上外延生長銻化鎵的方法
5110-040 直拉法生長摻鎵硅單晶的方法和裝置
5110-041 高長徑比羥基磷灰石晶須及其制備方法
5110-042 一種鈦酸鉀晶須的制備方法
5110-043 一種制備螺旋狀氮化硅陶瓷晶須的方法
5110-044 一種氧化鋅鐵電薄膜的制備方法
5110-045 用于MEMS器件的大面積3C-SiC薄膜的制備方法
5110-046 微孔板存儲設備及方法
5110-047 低翹曲度、彎曲度和TTV的75毫米碳化硅晶片
5110-048 一種制備納米氧化鋅晶須的方法
5110-049 Re3+,Cr5+:LnVO4自調......
5110-050 用于將固體原材料供應至單晶生長器的裝置和方法
5110-051 半導體制造方法及半導體激光元件制造方法
5110-052 易氧化性或易吸濕性物質的容器以及易氧化性或易吸濕性物質的加熱和加壓處理方法
5110-053 鍵合由從半導體材料中選擇的材料制成的兩片晶片的方法
5110-054 實現熱輻射光譜控制的三維層疊光子晶體
5110-055 水力空化結晶裝備及方法
5110-056 金剛石上的氮化鎵發光裝置
5110-057 硅單晶的培育方法、以及硅晶片和使用該硅晶片的SOI襯底
5110-058 一種制備納米碳化硅的方法
5110-059 P型透明導電氧化物CuAlO2薄膜的制備方法
5110-060 溶劑熱分解法制備單晶鍺納米線的方法
5110-061 一種快速生長出礦物晶簇的方法
5110-062 用于半導體晶片的堿性蝕刻溶液和堿性蝕刻方法
5110-063 處理氣體供給機構、供給方法及氣體處理裝置
5110-064 硅單晶的制造方法和硅晶片
5110-065 源部件、安裝源部件的設備、以及安裝和移走源部件的方法
5110-066 反應器
5110-067 用于形成具有空間均勻性摻雜雜質的SiC晶體的方法和系統
5110-068 一種具有內吸雜功能的摻鍺硅片及其制備方法
5110-069 一種IC片外延的工藝方法
5110-070 多晶硅鑄錠爐的熱場節能增效裝置
5110-071 利用苦鹵合成硼酸鎂晶須的方法
5110-072 鈮酸鋰pn結及其制備方法
5110-073 擋板晶圓及其所用的隨機定向多晶硅
5110-074 低溫多晶硅薄膜制造方法
5110-075 一種直拉硅單晶爐的熔硅液面位置的控制方法
5110-076 多晶硅鑄錠爐的硅液溢流承接裝置
5110-077 硅單晶的制造方法及硅片的制造方法
5110-078 硅外延片及其制造方法
5110-079 一種大規模生產硫酸鈣晶須的新方法
5110-080 一種表面活性劑輔助制備單分散Fe3O4納米晶的方法
5110-081 在晶體生長過程中具有熔體摻雜功能的晶體生長裝置
5110-082 一種改進的生長摻雜硅單晶體的方法及其裝置
5110-083 立方氮化硼薄膜的p型摻雜方法
5110-084 摻鐿鈮酸鈣激光晶體及其制備方法
5110-085 硅單晶的培育方法和采用該方法培育的硅單晶
5110-086 半導體單晶制造裝置
5110-087 半導體單晶制造裝置
5110-088 Ⅲ族氮化物結晶的制造方法、Ⅲ族氮化物結晶的制造裝置及Ⅲ族氮化物結晶
專 5110-089 一種鋁錳玻璃粉及其在a-Al2O3單晶片的應用
料 5110-090 GaN單晶生長方法、GaN基板制備方法、GaN系元件制備方法以及GaN系元件
來 5110-091 第3-5族氮化物半導體多層襯底，用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體元件
源 5110-092 采用熱交換法生長半球型晶體的裝置及方法
金 5110-093 薄膜半導體裝置的制造方法
博 5110-094 薄膜的線掃描順序橫向固化
專 5110-095 從單壁碳納米管中分離金屬性和半導體性納米管的方法
利 5110-096 一種微米級八面體結構ZnO的制備方法
網 5110-097 具有光催化性能的超長二氧化鈦納米管陣列的制備方法
5110-098 一種高比表面積單晶介孔氧化鈣粒子的制備方法
5110-099 用于制造p-摻雜及外延涂覆的硅半導體晶片的方法
5110-100 表面活性劑法制備表面平整的高質量氧化鋅外延薄膜
5110-101 硅半導體晶片及其制造方法
5110-102 具有良好的內在吸收能力的硅晶片及其制造方法
1 5110-103 針狀、片狀納米單晶體鎂鋁水滑石Mɡ6AI2（OH）
1 5110-104 Sb摻雜生長p型Zn1-xMgxO晶體薄膜的方法
6 5110-105 摻鐿鈣鈮石榴石晶體及激光器件
8 5110-106 磁性石榴石材料、光器件、鉍置換稀土類鐵榴石單晶膜及制法、坩堝
8 5110-107 Cr5+∶RVO4晶體、制備方法和激光被動調Q器件
1 5110-108 使用金屬污染及熱處理識別單晶硅中的晶體缺陷區的方法
8 5110-109 一種用于釋放應力的多孔緩沖層制備方法
5110-110 含有針狀結晶的排列體的復合體及其制造方法、以及光電轉換元件、發光元件及電容器
5110-111 檢測外延單晶正常成長的方法
5110-112 在硅片低溫外延生長前去除自然氧化層的方法
5110-113 在硅片低溫外延生長之前去除自然氧化層的方法
5110-114 一種堿金屬硼鋁酸鹽化合物及其單晶和制備方法
5110-115 穩定用于輻射檢測器的光電倍增器的增益的方法和系統
5110-116 半導體器件及其制造方法
5110-117 用于提煉熔融材料的方法及裝置
5110-118 低基面位錯塊體生長的SiC晶片
5110-119 制造GaxIn1-xN（0≤x≤1）晶體的方法、Ga
5110-120 含有針狀結晶的排列體的復合體及其制造方法、以及光電轉換元件、發光元件及電容器
5110-121 生產納米結晶整料物品的方法
5110-122 透明陶瓷復合物
5110-123 Ⅲ-Ⅴ半導體核-異質殼納米晶體
5110-124 制備大面積多晶硅方法
5110-125 硅單晶的生長方法及硅晶片的制造方法
5110-126 鋯酸鑭/鈦酸釔薄膜材料及其制備方法
5110-127 一種化學氣相傳輸方法生長氧化鋅晶體的方法
5110-128 一種合成*硼鈹酸鹽單相多晶粉末的方法
5110-129 將反應氣體引入反應室的設備及應用該設備的外延反應器
5110-130 單晶硅的生長方法
5110-131 制備碳化硅單晶的方法
5110-132 金剛石*器械
5110-133 一種獨立供應金屬鹵化物的氫化物氣相外延裝置
5110-134 一種制備氮化物單晶襯底的氫化物氣相外延裝置
5110-135 藍寶石晶體生長方法
5110-136 熒光氮化硅基納米線及其制備方法
5110-137 一種用于單晶爐的柔性水冷金屬電極
5110-138 用于加熱襯底的方法和裝置
5110-139 用于加熱襯底的方法和裝置
5110-140 一種二氧化鈦雙元納晶多孔薄膜及其制備方法
5110-141 微細金剛石的制造方法及微細金剛石
5110-142 用于保持工藝腔內的近大氣壓力的設備和方法
5110-143 一種培養蛋白質晶體的器皿
5110-144 一種生長氧化鋅薄膜的裝置及方法
5110-145 水平區熔生長碲鋅鎘單晶的裝置和方法
5110-146 一種制備有機化合物單晶納米結構的方法
5110-147 摻鉻鉬酸鋁銫可調諧激光晶體
5110-148 摻釹鈮酸鍶鋇激光晶體及其制備方法和用途
5110-149 摻鐿鉬酸鑭鉀激光晶體及其制備方法和用途
5110-150 一種摻鐿硼酸氧鈣釓鑭激光晶體及其制備方法和用途
5110-151 一種摻鐿硼酸氧鈣釔鑭激光晶體及其制備方法和用途
5110-152 碳納米管的合成方法
5110-153 用于生長單晶金屬的方法和裝置
5110-154 使用超臨界溶劑的結晶制造方法、結晶生長裝置、結晶及器件
5110-155 用于硅結晶的坩堝
5110-156 強化的微機械部件
5110-157 Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
5110-158 表面改性的半導體納米粒子
5110-159 垂直布里奇曼生長爐及爐內溫度場優化方法
5110-160 集成式可編程晶體生長控制系統
5110-161 碳化硅晶體生長的方法和裝置
5110-162 氣體供給裝置和方法、薄膜形成裝置和方法及洗滌方法
5110-163 一種高濃度大量合成銀納米線的方法
5110-164 一種用于太陽能電池的硅晶片的制備方法
5110-165 一種桿狀ZnO單晶材料及其制備方法
5110-166 一種氧化鋅納米晶須的低溫水熱制備方法
5110-167 一種高質量氧化鋁光子晶體的制備方法
5110-168 鈦酸鉍鈉-鈦酸鋇鐵電單晶的制備方法
5110-169 一種制備Si、Cu雙摻N型高阻GaAs單晶材料的方法
5110-170 一種提高N型多晶Bi2Te3熱電性能的熱處理方法
5110-171 高電阻率碲鋅鎘晶體的制備方法
5110-172 制備金屬氧化物晶須的方法
5110-173 納米MgO晶須的低溫制備方法
5110-174 用于強制沉積光子晶體的分子篩微池裝置及其制備方法
5110-175 一種用于高溫擴散系統的尾氣收集裝置
5110-176 鍺單晶熱壓形變裝置
5110-177 鍺單晶熱壓形變工藝
5110-178 分體式鉭坩堝及其制造方法
5110-179 半導體裝置的制造方法和電子儀器的制造方法
5110-180 摻鐿正鈮酸鈣激光晶體及其生長方法
5110-181 在金剛石中形成的結構
5110-182 綠色人造金剛石的制備方法
5110-183 一種制備綠色金剛石的方法
5110-184 蒸發固體有機金屬化合物的方法
5110-185 金納米陣列電極的制備方法
5110-186 一種促使礦物巖石熔體分離結晶出礦物晶體的方法
5110-187 使用提拉法制造半導體單晶的方法以及使用該方法制造的單晶錠和晶片
5110-188 一種防止母液粘舟的液相外延石墨舟
5110-189 單晶硅薄膜及其組件的制備方法
5110-190 外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置
5110-191 一種近化學計量比鉭酸鋰晶體的制備方法
5110-192 CNx納米帶和納米管的溶劑熱合成方法
5110-193 一種生長室和氮化鎵體材料生長方法
5110-194 一種碲化鉛納米線制備方法
5110-195 用n型氧化鋅制備p型氧化鋅薄膜的方法
5110-196 改善晶圓缺陷的方法
5110-197 用來將材料粘合在一起的方法和組合物
5110-198 硅單晶提拉裝置及其方法
5110-199 ZnTe單晶襯底的熱處理方法及ZnTe單晶襯底
5110-200 高電阻率硅結構和用于制備該結構的方法

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