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[8178-0007-0001] 電容元件及其制造方法
[摘要] 一種電容元件及其制造方法是在半導體基板１０上依次形成由白金膜構成的下部電極１１、由強電介質膜或高電介質膜構成的電容絕緣膜１２以及由白金膜構成的上部電極１３之后，在上部電極１３上整個面堆積保護絕緣膜１４。對保護絕緣膜１４，利用在其上形成的電阻掩膜１５進行干蝕刻，在保護絕緣膜１４上形成為第１導電孔１６ａ和第２導電孔１６ｂ。然后，利用有機溶劑構成的掩膜剝離劑除去電阻掩膜１５。該方法能防止電容元件電特性的劣化。
[8178-0089-0002] 電平變換電路
[摘要] 本發明的電平變換電路，備有：輸入作為ｃｍｏｓ電平差動信號的第一ｃｍｏｓ電平信號和其倒置信號的第二ｃｍｏｓ電平信號，輸出根據該輸入信號的電流的第一輸入部；和根據所述第一輸入部的輸出，輸出作為所述ｐｅｃｌ電平差動信號的第一ｐｅｃｌ電平信號和其倒置信號的第二ｐｅｃｌ電平信號的第一變換輸出部；和利用第一及第二電流控制信號控制所述第一變換輸出部的輸出電流，分別確定所述第一及第二ｐｅｃｌ電平信號的高電平及低電平的第一電流控制部。
[8178-0065-0003] 等離子體蝕刻系統
本發明涉及一等離子體體反應器設備（１），其改善了蝕刻均勻性并提高了刻蝕的產量。通過采用新型的氣體輸送機構（９a）和絕熱的晶片吸盤（４２）實現了更好的蝕刻均勻性。真空絕熱的吸盤（４２）還使得能量消耗低、及產量高。
[8178-0021-0004] 制造半導體薄膜的方法及其所用設備
[摘要] 一種制造半導體薄膜的方法包括以下步驟：向真空室中供應源氣；利用通過施加射頻電源產生的射頻感應耦合等離子體（icp），通過等離子體分解來分解所供應的源氣，并由利用所分解源氣的化學汽相淀積工藝，在襯底上形成預定半導體薄膜，其中通過控制形成半導體薄膜期間襯底的加熱溫度，控制要形成的半導體薄膜的結晶條件。
[8178-0154-0005] 硅基片及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種能夠控制所導入的雜質的濃度和截面分布的單晶硅基片以及制造這種基片的方法。該硅基片由一單晶硅底層和一形成于該底層上的單晶硅低氧濃度層組成。該底層具有第一氧濃度，而低氧濃度層具有比第一氧濃度低的第二氧濃度。該方法包括在基片正面生長單晶硅外延層使其具有第二氧濃度，以及熱處理該基片以產生氧外擴散形成低氧濃度層。
[8178-0191-0006] 集成電路中阻止深結注入和硅化物形成的間隔物
[摘要] 本發明提供了一種在一個區域中有效形成深結注入而不會影響集成電路第二區域的注入的方法。它是通過使用與用于填充淺結器件間隙的材料相同的材料形成深結器件的間隔物來實現的。
[8178-0002-0007] 半導體器件及其制作方法
[摘要] 一種半導體器件及其制作方法。硼離子被注入到場氧化物薄膜與ｐ型阱的邊緣，形成一個第一高能硼注入ｐ型層，接著，硼離子被注入到場氧化物薄膜中沿厚度方向靠近中央的位置，形成一個第二高能硼注入ｐ型層，第一和第二高能硼注入ｐ型層是與ｎ型擴散層分離的。
[8178-0213-0008] 用于傳熱增強連接件的方法和裝置
[摘要] 用于連接陶瓷芯片載體組件的傳熱增強連接件的方法和裝置。對于通腔式陶瓷基底，是用柔性粘接劑將散熱塊連接到基底上，該粘接劑具有足夠的接合強度，以將散熱塊緊固到基底上，并具有足夠的熱導率，以允許從芯片到散熱塊形成適當的熱流。粘接劑經過選擇可提供足夠的接合強度以將散熱塊緊固到基底上，而不會過分增大機械約束。粘接劑還能提供從芯片到散熱塊的直接導熱路徑。散熱塊粘合連接到芯片載體上。對于平面、多層式陶瓷基底，是用如上所述的相同粘接劑將散熱器連接到基底上。
[8178-0017-0009] 用于制造半導體器件的觸點的方法
[摘要] 制造半導體存儲器件的觸點的方法包括下列步驟：在層間絕緣膜中形成接觸孔直至露出半導體襯底的一部分；形成連接到接觸孔下面的半導體襯底上的接觸栓塞，其上表面比層間絕緣膜的上表面低；在層間絕緣膜上和接觸孔的拓撲結構上形成第一導電層與接觸栓塞電連接；用材料層填塞接觸孔后在第一導電層上形成第二導電層，或在接觸孔的兩個側壁的第一導電層上形成接觸間隔層；使用接觸電極形成掩模順次腐蝕第二和第一導電層以形成接觸電極。
[8178-0171-0010] 用于準確地轉換非均勻厚度光刻膠層中的潛像的工藝
[摘要] 一種疊層型動態隨即存取存儲器器件，在內層絕緣層內形成有節點接孔，存儲器電極通過節點接孔與存取晶體管的源極區保持接觸，用光刻技術及蝕刻制作節點接孔及存儲器電極，其中用于節點接孔（d０／d１）光刻膠掩膜的厚度與存儲器電極的不同，其差值等于周期性周期的一半，所述周期性代表光刻膠的被感光特性，從而保持兩圖形間的互相嵌套。
[8178-0141-0011] 電路板平面化方法和制造半導體器件的方法
[8178-0172-0012] 半導體器件生產裝置及生產方法
[8178-0082-0013] 亞四分之一微米級硅－絕緣體的mos場效應晶體管
[8178-0135-0014] 提高長期穩定性的有機電場致發光器件
[8178-0131-0015] 用于保持和保護半導體晶片的設備和方法
[8178-0200-0016] 通過電子束輻射制作絕緣膜線路圖形的方法
[8178-0216-0017] 具有晶片預行預燒的半導體元件與方法
[8178-0010-0018] 皇冠型電容結構的制造方法
[8178-0190-0019] 半導體器件及其制造方法
[8178-0078-0020] 具有缺陷祛除區的半導體
[8178-0142-0021] 制作bicmos半導體器件的方法
[8178-0136-0022] 半導體器件及其制造方法
[8178-0071-0023] 半導體器件
[8178-0212-0024] 半導體器件
[8178-0006-0025] 電容元件及其制造方法
[8178-0093-0026] 半導體裝置
[8178-0209-0027] 半導體圖象傳感器的結構及其制造方法
[8178-0015-0028] 用半球形晶粒制造電容的方法
[8178-0070-0029] 半導體器件的制造方法
[8178-0113-0030] 互補型金屬氧化物晶體管半導體器件及其制造方法
[8178-0201-0031] 制造半導體器件的方法
[8178-0042-0032] 快閃電性可抹除只讀存儲器
[8178-0203-0033] 半導體器件生產方法
[8178-0147-0034] 芯片尺寸半導體封裝的制備方法
[8178-0045-0035] 半導體器件及其制造方法
[8178-0134-0036] 壓電元件
[8178-0128-0037] 圖象傳感器芯片及圖象傳感器
[8178-0034-0038] 可再制的熱塑性封裝材料
[8178-0170-0039] 濺射裝置及用其制造半導體器件的方法
[8178-0030-0040] 異質結雙極型晶體管
[8178-0183-0041] 減小半導體器件中的寄生漏電
[8178-0202-0042] 超淺半導體結的制作
[8178-0094-0043] 半導體器件布線布局方法及存儲所用程序的介質
[8178-0199-0044] 從氧化硅膜選擇蝕刻氮化硅膜的方法
[8178-0036-0045] 半導體集成電路器件和制造半導體集成電路器件的方法
[8178-0011-0046] 制造隱匿于半導體基底的水平溝槽電容器的方法
[8178-0085-0047] 固態成像器件及其制造方法
[8178-0073-0048] 采用條紋圖形的覆蓋測定技術
[8178-0164-0049] 簡化三維溝道電容器動態隨機存取存儲器的方法
[8178-0044-0050] 只讀存儲器及其制造方法
[8178-0144-0051] 半導體圖象傳感器及其制造方法
[8178-0110-0052] 縱向晶體管
[8178-0097-0053] 雙鑲嵌式自對準通路互連
[8178-0143-0054] 半導體器件及其制造方法
[8178-0215-0055] 半導體器件及其制造方法
[8178-0086-0056] 高壓cmos結構的半導體器件及其制造方法
[8178-0174-0057] 半導體裝置及其制造方法
[8178-0120-0058] 具有摻雜多晶硅層構成的互連的半導體器件的制造方法
[8178-0161-0059] 半導體器件及其制造方法
[8178-0047-0060] 使用保護夾具固定脆性導電引線的方法和裝置
[8178-0025-0061] 自對準非易失性存儲單元
[8178-0146-0062] 清潔盒
[8178-0153-0063] 干膠片拉伸裝置
[8178-0069-0064] 帶有減少的線連接的存儲器
[8178-0157-0065] 制備多個半導體的方法
[8178-0179-0066] 半導體器件及其制造方法
[8178-0214-0067] 半導體功率器件的封裝及其組裝方法
[8178-0166-0068] 在半導體器件中形成隔離溝槽的方法
[8178-0081-0069] 發光二極管裝置及其制造方法
[8178-0116-0070] 碳化硅上的鋨整流肖特基和歐姆連接以及w/wc/tic歐姆接觸
[8178-0118-0071] 低噪聲的球柵陣列封裝
[8178-0111-0072] 半導體存儲器件及其制造方法
[8178-0130-0073] 電子部件和半導體裝置及其制造方法、電路基板及電子設備
[8178-0019-0074] 接觸窗及接觸窗蝕刻方法
[8178-0048-0075] 制造鐵電存儲器件的方法
[8178-0074-0076] 用于半導體器件中的接觸故障檢測的裝置和方法
[8178-0198-0077] 制造集成電路的化學機械研磨方法及其裝置
[8178-0040-0078] 制造半導體器件的方法
[8178-0037-0079] 超密集動態隨機存取存儲單元及其制造方法
[8178-0102-0080] 半導體器件及其制造方法
[8178-0117-0081] 半導體器件及其生產方法
[8178-0126-0082] 一種熱電材料制成的鑄板
[8178-0095-0083] 半導體器件的制造方法
[8178-0196-0084] 鈦膜形成方法
[8178-0050-0085] 快閃存儲器分離柵極結構的制造方法
[8178-0016-0086] 晶片拋光設備及晶片拋光用襯墊
[8178-0192-0087] 半導體器件及其制造方法
[8178-0114-0088] 半導體裝置中的布線圖形的自動配置
[8178-0125-0089] 控制半導體設備的方法
[8178-0217-0090] 制備層間絕緣層的工藝和其中使用的汽相淀積系統
[8178-0108-0091] 可減小漂移擴散電容的電荷轉移器件和電荷轉移方法
[8178-0133-0092] 通過采用光滑底電極結構具有改進的存儲保持的薄膜鐵電電容器
[8178-0188-0093] 具有偽鍵合線的半導體集成電路器件
[8178-0177-0094] 半導體芯片用的載體元件
[8178-0100-0095] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[8178-0160-0096] 半導體裝置
[8178-0052-0097] 具有分離柵極與源極*的快閃存儲器及其制造方法
[8178-0053-0098] 插塞的制造方法
[8178-0165-0099] 金屬化系統
[8178-0197-0100] 用于集成電路器件制造的先進介電材料和工藝
[8178-0033-0101] 半導體裝置
[8178-0151-0102] 結構化保護層和絕緣層的制備
[8178-0020-0103] 半導體裝置、半導體芯片裝載用基板、它們的制造方法、粘合劑和雙面粘合膜
[8178-0148-0104] 用于布線的鋁膜形成方法
[8178-0031-0105] 半導體裝置
[8178-0101-0106] 半導體裝置的制造方法
[8178-0218-0107] 具有亞芯片規模封裝構造的半導體器件及其制造方法
[8178-0103-0108] 壓電諧振器和包括它的電子元件
[8178-0155-0109] 單片多層壓電驅動器及其制造方法
[8178-0122-0110] 用銅布線膜生產半導體器件的方法
[8178-0206-0111] 金屬絕緣體半導體類型的半導體器件及其制造方法
[8178-0127-0112] 電荷耗散場發射器件
[8178-0013-0113] 用于對物體進行視覺檢測的方法和裝置
[8178-0162-0114] 半導體集成電路的襯底和半導體集成電路的制造方法
[8178-0207-0115] 具有選擇性生長接觸焊盤的半導體器件
[8178-0018-0116] 掩模的制造方法
[8178-0001-0117] 改善高崩潰電壓的半導體功率整流器電壓突降的方法
[8178-0051-0118] 可擦除可編程只讀存儲器隧穿氧化物單元的制造方法
[8178-0107-0119] 在阱區間無臺階的半導體器件
[8178-0180-0120] 高速/高性能金屬氧化物半導體晶體管及其制造方法
[8178-0210-0121] 半導體器件及其制造方法
[8178-0029-0122] 絕緣柵晶體管、其制造方法和半導體集成電路器件
[8178-0063-0123] 集成電路封裝用的芯片級球形格柵陣列
[8178-0163-0124] 用于改善層厚控制的緩沖層
[8178-0138-0125] 動態隨機存取存儲器單元裝置和其制造方法
[8178-0055-0126] 形成沒有凹陷的溝槽隔離的方法
[8178-0059-0127] 步進分析方法和系統
[8178-0187-0128] 半導體器件
[8178-0005-0129] 備有執行閃速存儲器存取控制的存取電路的半導體存儲器
[8178-0079-0130] 構件分離裝置和加工裝置
[8178-0106-0131] 光電功率產生蓋頂及其安裝方法
[8178-0068-0132] 熱沉及帶熱沉的存儲器模塊
[8178-0204-0133] 硬蝕刻掩模
[8178-0181-0134] 半導體器件及其制造方法
[8178-0182-0135] 介質分隔式半導體器件
[8178-0175-0136] 耐腐蝕及耐氣候的分層結構
[8178-0194-0137] 集成電路布線工藝
[8178-0123-0138] 一種用于生產具有雙重波紋結構的半導體器件的方法
[8178-0156-0139] 熱電組件及其制作方法
[8178-0186-0140] 半導體器件
[8178-0046-0141] 帶有用于焊料塊的基底阻擋膜的半導體器件及其制造方法
[8178-0149-0142] 帶半球形晶粒的電容器的制造方法
[8178-0140-0143] 半導體器件、靜電放電保護元件及防護絕緣擊穿的方法
[8178-0009-0144] 形成隨機存取存儲器單元陣列的埋藏式電容陣列的方法
[8178-0173-0145] 半導體處理器件*方法和存儲*程序的存儲介質
[8178-0185-0146] 電容器及其制造方法
[8178-0137-0147] 光電轉換裝置和圖象傳感器
[8178-0043-0148] 具有高耦合率永久性存儲器及其制造方法
[8178-0152-0149] 制造半導體器件的方法
[8178-0067-0150] 半導體器件及其制造方法
[8178-0061-0151] 形成半導體器件中的自對準接觸的方法
[8178-0211-0152] 結合薄膜和體si晶體管的合并邏輯和存儲器
[8178-0139-0153] 互補金屬氧化物半導體器件
[8178-0028-0154] 具光檢測電路的光電集成電路及其制造方法
[8178-0205-0155] 固態成像裝置
[8178-0184-0156] 非易失ｐ溝道金屬氧化物半導體二晶體管存儲單元和陣列
[8178-0035-0157] 半導體器件的制造方法
[8178-0072-0158] 形成半導體器件槽隔離的方法
[8178-0012-0159] 半導體器件及其制造方法
[8178-0014-0160] 半導體器件和半導體器件的制作方法
[8178-0150-0161] 在化學敏感型光刻膠上形成圖形的方法
[8178-0158-0162] 多顏色發光二極體
[8178-0062-0163] 熱平衡射頻功率晶體管的均勻鎮流電阻
[8178-0088-0164] 半導體集成電路
[8178-0121-0165] 制造卡產品的方法及制造裝置
[8178-0056-0166] 形成集成電路的方法
[8178-0109-0167] 具有兩對晶體管和一對負載元件的靜態存儲單元
[8178-0054-0168] 插塞的制造方法
[8178-0124-0169] 光掩膜及其曝光方法
[8178-0022-0170] 碳化硅襯底及其制造方法以及使用碳化硅襯底的半導體元件
[8178-0060-0171] 制造半導體存儲器件的電容器的方法
[8178-0023-0172] *傳感器
[8178-0003-0173] 形成微晶硅系列薄膜的工藝和適于實施所述工藝的裝置
[8178-0178-0174] 限流器
[8178-0058-0175] 降低在蝕刻氮化物時產生微負載的方法
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[8178-0076-0178] 用于半導體裝置中的絕緣膜和半導體裝置
[8178-0096-0179] 半導體器件及其制造方法
[8178-0115-0180] 對準鍵合機或拾放機的焊頭的方法和裝置
[8178-0098-0181] 半導體器件及其制作方法
[8178-0167-0182] 在半導體基片上形成溝槽絕緣的方法
[8178-0027-0183] 半導體光電探測器及其制造方法
[8178-0032-0184] 半導體存儲器電路
[8178-0092-0185] 帶有導熱支持元件的電子封裝件
[8178-0104-0186] 太陽能電池組件及系統,帶太陽能電池的外罩及安裝方法
[8178-0159-0187] 光電元件以及由其組成的組件
[8178-0049-0188] 快閃存儲單元的制造方法
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[8178-0090-0190] 壓裝在印刷電路板孔內從集成電路到散熱器傳熱的導熱基片
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[8178-0083-0192] 具有阻擋層的斷路閘流管
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[8178-0024-0195] 用于雙向光學數據傳輸的光電模塊
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