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[8133-0179-0001] 半導體加工機床檢測的自動化管理系統及方法
[摘要] 本發明提供一種用于半導體加工機床檢測的自動化管理系統，包括：數據庫，用于存儲至少一個加工機床的至少一個測試項目、測試規格以及測試頻率；處理單元，用于在該數據庫中選取相對應的測試規格，以便在新增該加工機床的測試數據時進行即時計算與比對，并且產生檢測結果；以及信息服務器，用于在該檢測結果異常時發送測試異常通知信息給相關工作人員。
[8133-0213-0002] 金屬鑲嵌的制造方法及其結構
[摘要] 一種金屬鑲嵌的制造方法及其結構，此制造方法先于一基礎層上方依序沉積一蝕刻終止層與一介電層，然后于介電層與蝕刻終止層中形成一開孔，再于介電層表面與開孔側邊及底部沉積一碳化硅層，最后于開孔中形成一金屬層。本發明的碳化硅層可避免金屬層擴散至介電層，從而降低漏電流，并能提高與半導體組件可靠度相關的時依性介電崩潰時間與改善偏壓溫度沖擊性能。
[8133-0141-0003] 半導體器件及其制造方法
一種在半導體襯底上帶有鍵合焊盤的半導體器件包括：形成在鍵合焊盤的下表面上的上層銅層，它們中間插有勢壘金屬，并且其具有大于在其里面形成電路互連的層的銅面積比；以及與上層銅層電絕緣的下層銅層，并且其形成為比上層互連更靠近半導體襯底。
[8133-0056-0004] 半導體集成電路
[摘要] 本發明提供一種半導體集成電路，通過以cmos工序構成的電路單元(1)至(3)與連接于此的模擬控制線(5-1、5-2、5-3)在布局上不重疊的方式，以模擬控制線(5-1、5-2)迂回在am?fm共同電路單元(3)的布局外部的方式進行配線，由此，盡量使am?fm電路單元(3)內的信號線與模擬控制線(5-1、5-2)的距離分開，以便使am?fm電路單元(3)內的信號線與模擬控制線(5-1、5-2)不借助寄生電容而結合，從而可抑制在信號線與模擬控制線(5-1、5-2)之間引起信號相互干涉。
[8133-0036-0005] 漏極開路電路的mosfet及其半導體集成電路器件
[摘要] 在傳統的漏極開路電路的n溝道mosfet中，在將正靜電電荷施加在其漏極上時，不存在通過其對靜電電荷進行放電的通路，導致了相當低的靜電耐壓。為了克服此問題，按照本發明，一種漏極開路n溝道mosfet，具有由n型半導體層形成的漏極區、在所述漏極區中形成的p型雜質擴散層、在所述漏極區中形成以將所述p型雜質擴散層夾在中間的兩個高濃度n型雜質擴散層、以及與所述p型雜質擴散層相連并與所述兩個高濃度n型雜質擴散層相連的漏極電極。在將正靜電電荷施加在漏極上時，寄生晶體管開始形成通過其對靜電電荷進行放電的通路。
[8133-0039-0006] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供通過防止tft截止動作時增大漏泄電流的現象，從而提供可靠性高的半導體裝置及其制造方法。該半導體裝置配有薄膜晶體管，該晶體管具有：含有溝道區、源區和漏區的半導體層；設置在半導體層上的柵極絕緣膜；以及控制溝道區的導電性的柵電極，半導體層的表面有微小的凸部，柵電極的側面的傾斜角大于半導體層的凸部的傾斜角。
[8133-0031-0007] 一種有機發光顯示裝置
[摘要] 一種有機發光顯示裝置，包括電源(1)，顯示單元(2)，所述電源(1)的負極通過與所述顯示單元(2)中的陽極(3)，電子傳輸層(4)，復合發光層(5)，陽極(7)和正極依次連接，在所述電子傳輸層(4)中插入p型材料(8)，所述p型材料(8)的一端與電源(10)的正極連接，電源(10)的負極與所述陰極(3)連接；或者：在所述空*傳輸層(6)插入n型材料(9)，所述n型材料(9)的一端與電源(11)的負極連接，所述電源(11)的正極與所述陽極7連接。這樣一種三極式的結構作用是用一個小的電流去控制發光電流，這樣就可以減少驅動電路上的電能消耗；而且能提高有機發光顯示屏的性價比；以及可簡化工藝流程，降低成本；還可采用全有機材料，可做成柔性的顯示器，大大拓展有機發光顯示屏的使用場合。
[8133-0054-0008] 為了改進的焊劑清洗在外殼容器和小硅片之間有較大間隙的高壓半導體裝置殼體
[摘要] 示出和敘述了一半導體裝置，該裝置包括在其一內部接納一半導體小硅片的一金屬容器。金屬容器具有形成在其頂部上的一凹槽。該凹槽提供對金屬容器的頂部的剛性，以允許容器的壁進一步與小硅片分開，從而提供一大得多的敞開通道，該通道便于在焊接之后易于洗凈殘留的焊劑。
[8133-0181-0009] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一個半導體器件，包括：一個半導體襯底，用來提供一個半導體元件；一個硬膜，它覆蓋著該半導體襯底一個側面的一部分或全部，且具有頂面和底面，它們與半導體襯底的頂面和底面大約處在相同的平面內，其中覆蓋有硬膜的該半導體襯底側面經處理后與半導體襯底的表面垂直或基本垂直。
[8133-0208-0010] 使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置
[摘要] 使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置，在沒有特別處理的軟件系統中，通過改變為存儲單元測試而調節的基準電壓和計時，能夠對存儲單元陣列特性進行精確測試。在實施例中，通過使用非易失性鐵電體存儲器，對測試模式和數據引線分配進行了編程，并且根據所編制的編碼，在軟件系統中，調節地址、控制信號和數據引線分配。結果，不需要特別處理，就可精確地測試單元陣列的特性。
[8133-0020-0011] 用于在其上安裝電子器件的薄膜載帶
[8133-0092-0012] 基板處理方法和裝置、半導體裝置的制造裝置
[8133-0201-0013] 射出成型影像感測器封裝方法
[8133-0197-0014] 有機絕緣膜、其制造方法、使用該有機絕緣膜的半導體器件及其制造方法
[8133-0050-0015] 干蝕刻方法
[8133-0006-0016] 圓片測試參數分析方法
[8133-0018-0017] 非揮發性存儲器的結構及其制造方法
[8133-0199-0018] 激光輻照方法，用于制造半導體器件的方法，以及激光輻照系統
[8133-0090-0019] 用于傳遞激發能的包含聚合物和受體的(電致)發光聚合物-受體體系
[8133-0209-0020] 布線圖形埋入檢查方法、半導體器件制造方法及檢查裝置
[8133-0120-0021] 具有出色抗水能力的半導體器件
[8133-0112-0022] 拋光墊及制造半導體器件的方法
[8133-0037-0023] 晶體管器件及其制造方法
[8133-0204-0024] 引線接合方法及引線接合裝置
[8133-0076-0025] 處理裝置和處理方法
[8133-0034-0026] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8133-0212-0027] 半導體器件的制造方法
[8133-0057-0028] 半導體集成電路器件和用于制造半導體集成電路器件的方法
[8133-0099-0029] 基板臺及其制造方法以及等離子體處理裝置
[8133-0024-0030] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0214-0031] 半導體器件及其制造方法
[8133-0157-0032] 鐵電電容器及其制造方法
[8133-0158-0033] 具有拼合頂板結構的鐵電記憶體裝置及其制造方法
[8133-0061-0034] 半導體晶片舉升裝置以及實施方法
[8133-0095-0035] 強電介體薄膜的制造方法
[8133-0144-0036] 半導體器件及其制造方法
[8133-0047-0037] 等離子體處理裝置及等離子體處理方法
[8133-0128-0038] 半導體裝置的制造方法
[8133-0042-0039] 氮化鎵基ⅲ-ⅴ族化合物半導體led的發光裝置及其制造方法
[8133-0140-0040] 半導體器件及其制造方法、電路基板和電子設備
[8133-0217-0041] 集成半導體裝置及其制造方法
[8133-0052-0042] 用于銅互連的阻擋層增強工藝
[8133-0218-0043] 非易失性存儲元件
[8133-0200-0044] 布線基板及其制造方法、半導體裝置、電子模塊及電子儀器
[8133-0175-0045] 硅光電器件及其制造方法以及圖像輸入和/或輸出設備
[8133-0041-0046] 高晶格匹配性的發光元件
[8133-0026-0047] 具有自身觸發效能的靜電放電防護電路
[8133-0122-0048] 尤其用于半導體裝置之殼體、半導體裝置腳及腳制造方法
[8133-0060-0049] 減小結電容的soi器件
[8133-0102-0050] 電氣元件的基片及其制造方法
[8133-0125-0051] 容納及電接觸個別分離晶元的載具
[8133-0109-0052] 硅化鐵和光電換能器的制造方法
[8133-0154-0053] 半導體電路裝置以及該電路*方法
[8133-0009-0054] 晶片平坦度評價方法、實行該評價方法的裝置及其應用
[8133-0013-0055] pmos管解決cslic1b01集成電路失效的方法
[8133-0106-0056] 可促進電子遷移率提高的緩沖層及含該層的薄膜晶體管
[8133-0113-0057] 在半導體裝置中形成阻擋金屬的方法
[8133-0150-0058] 高品質因子的電感和制造方法
[8133-0030-0059] 氮化硅只讀存儲器及其制造方法
[8133-0168-0060] 改善主動式有機發光二極管的顯示均勻度的方法
[8133-0078-0061] 半導體片的分割方法
[8133-0139-0062] 封裝光學半導體元件的樹脂，含該封裝元件的設備及其制法
[8133-0032-0063] 半導體器件及其制造方法
[8133-0066-0064] 高頻集成電路(hfic)微系統組件及其制作方法
[8133-0138-0065] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8133-0172-0066] 半導體器件
[8133-0130-0067] 具有多層布線層的半導體器件及其制造方法
[8133-0046-0068] 大有機器件及其制造方法
[8133-0021-0069] 功率模塊
[8133-0025-0070] 具有多層互連結構的半導體器件及其制造方法
[8133-0016-0071] 存儲器的制造方法
[8133-0048-0072] 電阻加熱式單晶片腔室中的摻雜的硅沉積工藝
[8133-0191-0073] 經拋光的半導體晶片及其制造方法
[8133-0165-0074] 光器件的制造方法
[8133-0190-0075] 半導體襯底、其制造方法以及半導體器件的制造方法
[8133-0107-0076] 半導體裝置的制造設備的清潔方法
[8133-0216-0077] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8133-0155-0078] 半導體器件
[8133-0004-0079] 防止電子器件氧化的導管
[8133-0022-0080] 半導體器件及其制造方法
[8133-0040-0081] 半導體器件及其制造方法
[8133-0211-0082] 具有多柵極絕緣層的半導體裝置及其制造方法
[8133-0104-0083] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0005-0084] 半導體裝置的制造方法、半導體裝置、電路基片和設備
[8133-0135-0085] 具有在位線方向延伸以接觸存儲節點的接觸體的半導體器件的制造方法
[8133-0077-0086] 半導體片的分割方法
[8133-0064-0087] 具氫陰障層的微電子結構
[8133-0002-0088] 側壁阻擋結構及制造方法
[8133-0094-0089] 半導體處理用紫外線輔助處理裝置
[8133-0063-0090] 電子部件壓接裝置及其方法
[8133-0011-0091] 半導體裝置的制造方法
[8133-0081-0092] 門氧化膜形成用硅化鉿鈀及其制造方法
[8133-0118-0093] 具有平臺式隔離的應變通道場效應晶體管及其制造方法
[8133-0051-0094] 具有帶倒圓拐角孔之導電材料的微電子基板及去除導電材料的相關方法
[8133-0049-0095] 清潔氣和蝕刻氣
[8133-0195-0096] 等離子體處理裝置及聚焦環
[8133-0149-0097] 半導體器件、電子設備及它們的制造方法和電子儀器
[8133-0015-0098] 用于校驗受研究系統的完整模型的屬性的方法和系統
[8133-0116-0099] 激光退火裝置及其應用
[8133-0163-0100] 集成電路裝置
[8133-0001-0101] 鐵電薄膜及其形成方法
[8133-0147-0102] 半導體芯片及其制作方法
[8133-0210-0103] 在同一層次處制造金屬絕緣體金屬電容器和電阻器的方法
[8133-0161-0104] 半導體內存組件及其制造方法
[8133-0174-0105] 新型硅pn結光電二極管
[8133-0075-0106] 可溶物質的淀積
[8133-0017-0107] 制造帶有納米點的存儲器的方法
[8133-0007-0108] 復合式多變量分析系統與方法
[8133-0189-0109] 半導體裝置的制造方法
[8133-0071-0110] 制造發光裝置的方法
[8133-0062-0111] 沉積方法、沉積設備、絕緣膜及半導體集成電路
[8133-0143-0112] 半導體器件及其制造方法
[8133-0019-0113] 負熱膨脹系統器件及微電子封裝中的導電彈性體互連
[8133-0123-0114] 沉積溫度的檢測方法
[8133-0145-0115] 半導體裝置
[8133-0129-0116] 有布線連接結構的電子器件的制造方法
[8133-0173-0117] 薄膜晶體管陣列面板及其制造方法和用于該面板的掩膜
[8133-0184-0118] 薄膜元件制造方法、薄膜晶體管電路板、有源矩陣型顯示裝置
[8133-0043-0119] 表面安裝型白色發光二極管
[8133-0100-0120] 半導體記憶裝置及其制造方法
[8133-0105-0121] 微電子壓電結構
[8133-0146-0122] 半導體器件及其制造方法
[8133-0180-0123] 元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
[8133-0162-0124] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0079-0125] 化學機械拋光裝置用晶片定位環
[8133-0132-0126] 電容器及其制備方法
[8133-0203-0127] 半導體元件的引線成形裝置和引線成形方法
[8133-0085-0128] 橫向pin二極管及其處理方法
[8133-0159-0129] 強電介質薄膜及其制造方法、強電介質存儲元件、強電介質壓電元件
[8133-0133-0130] 半導體裝置的制造方法
[8133-0091-0131] 具儲存效應的開關裝置
[8133-0003-0132] 硅化鈷膜形成方法和具有硅化鈷膜半導體裝置的制造方法
[8133-0058-0133] 改進的光發射二極管
[8133-0059-0134] 用于雙柵極邏輯器件的中間制品
[8133-0045-0135] 壓電器件及其方法
[8133-0073-0136] 第ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
[8133-0205-0137] 安裝電子器件的薄膜型載帶及使用該載帶的最后缺陷標記方法
[8133-0182-0138] 金屬元件、半導體器件、電子器件和電子設備及其制法
[8133-0206-0139] 在基體上排列和連接焊料柱的方法和裝置
[8133-0124-0140] 半導體集成電路裝置及其檢查方法和制造方法
[8133-0176-0141] 表面粘著型發光二極管的制造方法
[8133-0170-0142] 具有存儲功能的單電子晶體管及其制造方法
[8133-0029-0143] 具有冗余功能的半導體裝置
[8133-0055-0144] 半導體裝置及其制造方法
[8133-0070-0145] 寬光譜含鋱石榴石磷光體及其結合構成的白色光源
[8133-0023-0146] 電路裝置及其制造方法
[8133-0121-0147] 導電材料的印刷裝置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序
[8133-0183-0148] 半導體器件的制造方法以及半導體器件
[8133-0153-0149] 集成電路器件及其制造方法
[8133-0096-0150] 填膠組合物
[8133-0012-0151] 熔絲結構的形成方法
[8133-0033-0152] 雙柵極場效應晶體管及其制造方法
[8133-0114-0153] 電子部件和半導體裝置、其制造方法和裝配方法、電路基板與電子設備
[8133-0193-0154] 粘性帶的施加方法及設備
[8133-0215-0155] 半導體器件及其制造方法
[8133-0080-0156] 用于對被處理基板實施半導體處理的系統和方法
[8133-0110-0157] 消除晶圓及晶粒上金屬凸塊的高度差異的方法
[8133-0186-0158] 應用于集成電路的圖案化的方法
[8133-0038-0159] 埋入柵型半導體器件
[8133-0187-0160] 半導體晶片的覆晶凸塊制造方法
[8133-0136-0161] 半導體集成裝置及其制造方法
[8133-0053-0162] 以沉積工藝將互連區域選擇性合金化的方法
[8133-0127-0163] 淺溝渠隔離結構的制造方法
[8133-0119-0164] 具有由氨氣中側氮化處理的多金屬柵結構的柵電極的半導體器件
[8133-0028-0165] 半導體裝置
[8133-0164-0166] 半導體器件
[8133-0014-0167] 模擬和射頻集成電路的物理設計方法
[8133-0169-0168] 電荷傳送元件
[8133-0188-0169] 半導體器件的電容器底電極及其制造方法
[8133-0089-0170] 發光元件驅動裝置及具備發光元件的電子儀器
[8133-0185-0171] 半導體晶片的處理裝置
[8133-0035-0172] 功率半導體裝置及功率半導體裝置的制造方法
[8133-0202-0173] 電子元件封裝結構及其制造方法
[8133-0087-0174] 氮化物半導體元件
[8133-0083-0175] 具有電鍍電阻器的印刷電路板的制造方法
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[8133-0134-0178] 制作dram的存儲單元的方法
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[8133-0097-0180] 用于微電子封裝制造的分配工藝
[8133-0137-0181] 覆晶封裝結構
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[8133-0115-0184] 用于改善銅金屬層對勢壘層的粘附性的半導體器件制造方法
[8133-0082-0185] 用于判定加工層膜均勻性的方法及裝置
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[8133-0098-0190] 接觸連接電組件至具導體結構基板的方法
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[8133-0117-0195] 激光能量自動控制系統與方法
[8133-0027-0196] 電路裝置及其制造方法
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