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本套光盤目錄如下：

1-BG58501 半導體激光器光頻光強調制器 資
2-BG58501 分布反饋半導體激光器與電吸收調制器集成光源及制法 料
3-BG58501 半導體馬赫－陳德爾調制器 來
4-BG58501 半導體激光器及電吸收調制器的高碼率驅動器 源
5-BG58501 半導體側面泵浦固體激光陀螺儀及其電光調制方法 :
6-BG58501 雙電容金屬氧化物半導體硅基高速高調制效率電光調制器 萬
7-BG58501 用于半導體激光器光頻光強的調制裝置 息
8-BG58501 半導體激光音頻調制裝置 數
9-BG58501 高頻半導體激光器調制器 據
10-BG58501 設置在半導體襯底上并具有位于襯底相對側上用于驅動調制器的微處理器電路的空間光調制器
11-BG58501 增益可調制的半導體器件及具備它的邏輯電路 0
12-BG58501 電吸收調制分布反饋半導體激光器件的制作方法 2
13-BG58501 半導體光調制器和具有光調制器的激光器 8
14-BG58501 同一源區半導體光放大器、電吸收調制器集成器件
15-BG58501 偏振不靈敏半導體光放大器、電吸收調制器兩用器件 :
16-BG58501 集成有調制器的半導體激光器件 6
17-BG58501 半導體光調制器 5
18-BG58501 固化性組合物及其調制方法、遮光糊、遮光用樹脂及其形成方法、發光二極管用管殼以及半導體裝置 8
19-BG58501 光照設備、結晶設備、結晶方法、半導體器件及光調制元件 1
20-BG58501 應變調制摻雜法制備P型氧化鋅半導體薄膜材料的方法 8
21-BG58501 Q-調制半導體激光器 3
22-BG58501 帶有電吸收光柵結構的Q-調制半導體激光器 5
23-BG58501 采用調制摻雜量子阱結構的陣列式半導體激光器 6
24-BG58501 形成晶格調制半導體基片
25-BG58501 用于電吸收調制半導體激光器高頻封裝的熱沉
26-BG58501 具有量子阱結構的半導體光調制器
27-BG58501 具有橫向調制柵極功函數的半導體器件和制備方法
28-BG58501 光照射和結晶的裝置及方法，半導體器件和光調制元件
29-BG58501 包括半導體材料的空間光調制器
30-BG58501 半導體光調制器
31-BG58501 高頻調制的表面發射的半導體激光器
32-BG58501 一種基于半導體光放大器的正交偏振調制的光-光2-4電平編碼轉換方法和系統
33-BG58501 半導體激光器頻率調制方法
34-BG58501 一種高速調制半導體激光器
35-BG58501 高速調制半導體激光器
36-BG58501 調制半導體激光器的系統和方法
37-BG58501 一種用于半導體激光器上光頻光強的調制器
38-BG58501 搭載△∑型調制器的半導體裝置以及半導體系統
39-BG58501 外腔半導體激光器的無調制穩頻裝置
40-BG58501 一種半導體電吸收調制器封裝用微波饋線單元
41-BG58501 半導體光調制器
42-BG58501 光調制器件和光半導體裝置
43-BG58501 高速半導體光調制器
44-BG58501 Q-調制半導體激光器
45-BG58501 一種帶有電吸收光柵結構的Q-調制半導體激光器

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