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[8163-0052-0001] 金屬導線的制造方法
[摘要] 一種金屬導線的制造方法，先提供半導體基底，其形成有導電區域。接著，全面形成一絕緣層，以覆蓋半導體基底。然后在絕緣層表面形成犧牲層。其次選擇蝕刻犧牲層及絕緣層，以形成露出導電區域的鑲嵌結構。之后全面形成金屬層，其填入鑲嵌結構。然后化學機械研磨金屬層，來去除犧牲層表面的金屬層，留下當作金屬導線的金屬結構。本發明避免在化學機械研磨過程中導致金屬凹陷及絕緣層被磨掉所產生的腐蝕，并提高曝光的分辨率。
[8163-0099-0002] 半導體裝置
[摘要] 在sic、gan、gaas等的襯底3上，交互、疊層生長厚度50nm左右的未摻雜層22和厚度薄到能發揮量子效應程度(例如10nm左右)的n型摻雜層23、形成有源區30。因n型摻雜層23的量子效應產生的次能級使載流子能分布到未摻雜層22上，由于在雜質少的未摻雜層22中雜質散射減少，能夠得到高的載流子遷移率，與此同時，當有源區全體耗盡化時，利用載流子從有源區30消失的現象，因未摻雜層22能夠得到大的耐壓值。
[8163-0073-0003] 改善光致抗蝕劑圖案側邊輪廓的方法
一種改善光致抗蝕劑圖案側邊輪廓的方法，在定義光致抗蝕劑的曝光顯影步驟之后，在溫度處于該光致抗蝕劑的玻態轉換溫度之下進行硬烤步驟，以使光致抗蝕劑得以回流整型，以避免頂凸角的產生，降低掩模誤差因素，并提高了關鍵尺寸的均勻度。該硬烤步驟又可以由兩個步驟取代，亦即分別實施一溫度低于該光致抗蝕劑的玻態轉換溫度，以及溫度高于該光致抗蝕劑的玻態轉換溫度的一回流烘烤步驟，以達到相同的目的。
[8163-0151-0004] 一種新穎整流元件的結構及其制法
[摘要] 一種新穎整流元件的結構及其制法，于真空中在硅片表面鍍上金屬膜，切割成晶粒，再于鍍有金屬膜的端面貼附金屬鉬片，并進行釬焊處理，金屬膜熔融滲入晶粒及金屬鉬片表面結合成一體，進行蝕刻，再將玻璃漿填入晶粒周緣，進行燒結，令玻璃被覆在晶粒周緣，即成本發明的整流元件，優點是：在該二金屬鉬片的另一側面鍍上導電金屬層可直接裝至電子線路上，亦可焊接導線與電子線路連接；可承受大功率的電流。
[8163-0138-0005] 提高硅化物熱穩定性的方法
[摘要] 一種提高硅化物熱穩定性的方法。它首先提供一半導體底材；在第一與第二多晶硅閘極的一頂端表面、第一與第二間隙壁的一頂端表面和半導體底材的一頂端表面上平坦而均勻地形成內介電層；回蝕刻部分內介電層，以離子植入法植入氮離子。在第一多晶硅閘極頂端表面與第一間隙壁的曝出部分與內介電層的一個第一半部分上形成光阻；蝕刻內介電層的一個第二半部分除去光阻；在第一與第二閘極的頂端表面與未遮蓋的半導體底材上形成硅化物區域。
[8163-0206-0006] 含多晶有源層的薄膜晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明揭示了一種含多晶有源層的薄膜晶體管及其制造方法，其中無定形硅層被沉積在襯底上，通過用milc(金屬誘發側面的結晶)來提供tft的多晶硅的有源層。特別地，無定形硅層是在有源層的熱處理期間被多晶化。熱處理引起有源層的milc源金屬從部分源和漏區傳播，該部分之上已通過tft的連線洞形成了milc源金屬。根據本發明所制作的tft已經改善了電子遷移率和漏電流等電特性。本發明還使milc界線在溝道區外面形成，從而提高了tft的性能，這樣，milc界線對tft的運行不會產生不好的影響。
[8163-0079-0007] 用于微調集成電路的電路和方法
[摘要] 用于集成電路的可編程的封裝后的在芯片上的參考電壓的微調電路，有產生編程序列的多個可編程的微調單元。設置一轉換器以把位序列轉變成微調電流。微調電流被加到要微調的由集成電路產生的參考電壓的初始值上。一旦確定了微調電流的校正值，隔離電路被編程以使微調電路與ic的其余部分隔離，從而將結合于該集成電路的邏輯電路及組件引線留給該集成電路的使用者來使用。優選的微調電路包括熔絲，一旦確定了最合適的值，它按供給微調單元的位值被燒斷，以永久固定微調電流值。
[8163-0183-0008] 高功率半導體模塊及其應用
[摘要] 高功率半導體模塊(10)包含多只平面的半導體芯片(14)，這些芯片在制造第一電接觸時以其下側平面地處在底板(11)之上，并且在與底板(11)平行安排的蓋板(13)的上側面上，在制造第二電接觸時，加壓力。在這種模塊中，可以通過構成背離半導體芯片(14)的底板(11)和蓋板(13)的側面或外側面各自與半導體芯片(14)電絕緣實現簡單的冷卻。
[8163-0149-0009] 具有多個存儲體的數據存儲器
[摘要] 在具有多個存儲體的存儲器中，每個存儲體包含多個存儲器單元，所述存儲器單元形成具有各指定矩陣行線(wl)或列線(bl)的行和列的矩陣形排列，所述存儲體以它們平行于所述矩陣行并在該處被定位有被連接到相應列驅動設備(lv、ss)上的所述列線端子的邊緣位于沿所述矩陣行方向延伸并與所述列方向基本垂直的公共平面中的方式空間地一個位于一個頂上地安排成一個堆棧。所有存儲體(bk)的所述列驅動設備(lv、ss)在或者靠近所述存儲體堆棧的前述邊緣上的所述列方向上彼此直接相鄰地安排成一個存儲體。所述存儲體(bk)最好包含能夠在不被損壞的情況下讀出的存儲器單元，在每種情況下，多個列線(例如bl[0/0]－bl[7/0])中的每一個都被指定給每個存儲體(例如bk[0])列驅動設備(lv、ss)中的一個公共讀出放大器(lv[0])。
[8163-0131-0010] 用于與一個布線焊接的至少帶有兩個用金屬噴涂的聚合物突起的基底
[摘要] 至少帶有兩個用金屬噴涂的聚合锿黃?ps)的一個基底(s)，特別是一個聚合物柱狀柵格點陣，它是這樣構成的，此聚合物突起(ps)設置有至少一個臺肩(st)和至少一個隆起(e)。這些焊頭(ps)的幾何形狀可以保證與一個布線(v)和可以復制出現的焊劑(l)層厚的可靠的焊接。
[8163-0182-0011] 用于半導體裝置的散熱結構
[8163-0033-0012] 用橫向生長制備氮化鎵層
[8163-0096-0013] 保護*結構的芯片堆的方法和裝置
[8163-0188-0014] 提高磁隧道結中擊穿電壓的方法
[8163-0107-0015] 用于信號設備的發光二極管組件
[8163-0147-0016] 無晶片承載件的半導體裝置及其制法
[8163-0027-0017] 化合物半導體開關電路裝置
[8163-0007-0018] 發光二極管
[8163-0129-0019] 具有溝道式電容器的動態隨機存儲器單元的制造方法
[8163-0137-0020] 一種用于結晶硅層的方法
[8163-0056-0021] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0142-0022] 底部柵極型薄膜晶體管及其制造方法和顯示裝置
[8163-0165-0023] 增加半導體的介電材質的粘附性質的方法
[8163-0199-0024] 利用加熱到部分凝膠態的底層填料底層填充控制熔塌芯片連接(c4)集成電路封...
[8163-0155-0025] 具有反向隧穿層的發光二極管
[8163-0066-0026] 半導體器件的制造方法及其制造生產線
[8163-0104-0027] 一種處理裝入智能插卡的削薄的芯片的方法
[8163-0106-0028] 增強的互連結構
[8163-0098-0029] 半導體器件和半導體襯底
[8163-0120-0030] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0002-0031] 存儲器裝置及其制造方法和集成電路
[8163-0029-0032] 溝道金屬氧化物半導體器件和端子結構
[8163-0059-0033] 一種硅鍺器件
[8163-0190-0034] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0023-0035] 半導體裝置和半導體模塊
[8163-0212-0036] 電壓轉換電路
[8163-0060-0037] 半導體存儲器
[8163-0075-0038] 金屬柵極形成方法
[8163-0087-0039] 用于半導體集成電路的熔絲電路
[8163-0050-0040] 具有絕緣體上硅結構的半導體器件及其制造方法
[8163-0161-0041] 有機電致發光器件及其制造方法
[8163-0004-0042] 自發光器件及其驅動方法
[8163-0193-0043] 一種集成電路的封裝結構
[8163-0123-0044] 太陽能電池
[8163-0045-0045] 制作散熱型集成電路芯片塑料封裝的安裝散熱片方法
[8163-0057-0046] 半導體裝置及其制造方法
[8163-0146-0047] 金屬基座復合元件
[8163-0043-0048] 電子零件的制造方法和制造裝置
[8163-0065-0049] 發光二極管驅動電路和用它的光傳輸模塊
[8163-0124-0050] 用聚焦離子束制造的具有超微結構的電子和光子器件
[8163-0111-0051] 引線框架和引線框架的制造方法
[8163-0035-0052] 集成電路裝置
[8163-0093-0053] 具有密封底層填料的填料的控制熔塌芯片連接(c4)集成電路封裝
[8163-0202-0054] 用于smif和開啟容器的通用工具接口和/或工件傳送裝置
[8163-0201-0055] 制造一種具有由光敏樹脂保護的集成電路的便攜式電子裝置的方法
[8163-0095-0056] 塑料芯片載具的*邊堡形通孔的制造方法和產品
[8163-0134-0057] 帶有改進的接觸點的電可編程存儲器元件
[8163-0185-0058] 靜電放電防護元件及相關的電路
[8163-0083-0059] 自行對準位線接觸窗與節點接觸窗制造方法
[8163-0170-0060] 無晶片座的雙晶片結構
[8163-0078-0061] 以鑲嵌工藝形成柵極的方法
[8163-0180-0062] 封裝膠體具有肩部的半導體封裝件及用以封裝該半導體封裝件的模具
[8163-0034-0063] 埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導體元件的半導體器件的制造方法
[8163-0150-0064] 一種單電子晶體管及其制備方法
[8163-0036-0065] 有機薄膜半導體器件的制造方法
[8163-0085-0066] 嵌入式集成電路組件
[8163-0058-0067] 半導體器件和半導體組件
[8163-0140-0068] 用氧化或氮化方法提高電阻器的電阻值
[8163-0067-0069] 雙向靜電放電二極管結構
[8163-0136-0070] 具有定位結構的晶圓載入機及其安裝方法
[8163-0064-0071] 半導體發光元件及其制造方法
[8163-0114-0072] 薄膜晶體管平面顯示器
[8163-0141-0073] 有機硅類低介電常數材料的化學機械研磨平坦化的方法
[8163-0121-0074] 非易失性半導體存儲裝置
[8163-0174-0075] 補償型金屬氧化物半導體器件結構及其制造方法
[8163-0018-0076] 一種焦平面讀出電路像素陣列的布圖方法和金屬布線結構
[8163-0084-0077] ic芯片封裝組件
[8163-0117-0078] 半導體裝置及其制造方法和安裝方法
[8163-0126-0079] 由一維納米線陣列結構溫差電材料構制的微溫差電池
[8163-0168-0080] 集成電路封裝單元分割方法
[8163-0038-0081] 具有透鏡的led光源
[8163-0016-0082] 半導體裝置的制造方法
[8163-0154-0083] 氮化銦鎵發光二極管
[8163-0162-0084] 氮化物半導體元件
[8163-0070-0085] 高溫應用碳化硅場效應晶體管及其使用和制造方法
[8163-0100-0086] 平衡前化學反應能變換器
[8163-0186-0087] 溝槽限定硅鍺靜電放電二極管網絡
[8163-0215-0088] 利用超薄介質擊穿現象的可再編程不揮發性存儲器
[8163-0173-0089] 雙金屬鑲嵌結構開口的制造方法
[8163-0080-0090] 圖案檢查設備,和使用其的曝光設備控制系統
[8163-0054-0091] 互補式金屬氧化物半導體的制造方法
[8163-0061-0092] 固體攝像裝置
[8163-0049-0093] 遠程半導體測試方法和裝置
[8163-0077-0094] 制造半導體側壁翼片的方法
[8163-0012-0095] 形成溝道金屬氧化物半導體器件和端子結構的方法
[8163-0039-0096] 具有改進的抗氧和抗濕降解性的撓性有機電子器件
[8163-0076-0097] 在親水性介電材質上形成低介電常數材質的方法及結構
[8163-0156-0098] 低溫犧牲氧化物的生成
[8163-0030-0099] 磁阻裝置及/或多磁阻裝置
[8163-0026-0100] 一種半導體裝置及其形成方法
[8163-0110-0101] 用激光束照射半導體層的激光加工裝置
[8163-0055-0102] 電荷耦合元件取像芯片封裝結構
[8163-0074-0103] 半導體集成電路器件的制造方法及掩模制作方法
[8163-0008-0104] 半導體器件及其制造方法
[8163-0125-0105] 分體式熱電偶制冷和發電技術
[8163-0015-0106] 樹脂封裝模具
[8163-0163-0107] 可降低鄰近效應的光刻制作方法
[8163-0153-0108] 發光裝置
[8163-0068-0109] 改進的靜電放電二極管結構
[8163-0011-0110] 化合物半導體裝置的制造方法
[8163-0112-0111] 影像感測元件及其封裝方法
[8163-0063-0112] 半導體器件及其制造方法
[8163-0020-0113] 半導體裝置和使用它的液晶模塊以及液晶模塊的制造方法
[8163-0092-0114] 傳輸晶片和環圈的方法
[8163-0139-0115] 形成透明導電基板的方法
[8163-0047-0116] 螺旋接觸器及該裝置制造方法,以及應用該裝置的半導體檢測設備和電子元件
[8163-0046-0117] 半導體器件及用于制造半導體器件的測試方法
[8163-0216-0118] 利用超薄介質擊穿現象的半導體存儲器單元和存儲器陣列
[8163-0217-0119] 有控制柵隔片的浮柵存儲單元的半導體存儲陣列自對準方法及制造的存儲陣列
[8163-0122-0120] 納米晶膜太陽能電池電極及其制備方法
[8163-0166-0121] 形成阻擋層的方法及形成的結構
[8163-0205-0122] 具嵌入式柵極的金屬氧化物半導體場效應晶體管的形成方法
[8163-0109-0123] 半導體集成電路器件的制造方法
[8163-0192-0124] 半導體存儲裝置及其制造方法
[8163-0103-0125] 測繪在硅晶片表面上金屬雜質濃度的工藝方法
[8163-0200-0126] 采用各向異性濕法刻蝕的寬展溝槽的方法
[8163-0044-0127] 具有支撐效果的散熱片應用于芯片封裝基板制程
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[8163-0081-0180] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
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