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本套光盤目錄如下：

1-BG56923 在半導體制作過程中通過氘以形成多晶硅層的方法 資
2-BG56923 多晶態硅膜的制造方法和制造裝置、以及半導體裝置及其制造方法 料
3-BG56923 使*有多晶半導體層的晶體管的圖象顯示裝置及其制造方法 來
4-BG56923 多晶存儲結構形成該結構的方法和使用該結構的半導體存儲裝置 源
5-BG56923 注入*的多晶硅緩沖局部氧化半導體器件的制造方法 :
6-BG56923 具有多晶硅薄膜的半導體器件 萬
7-BG56923 利用晶界形成半導體器件中的兩層多晶硅柵極的方法 息
8-BG56923 具有半絕緣多晶硅吸雜位置層的半導體襯底及其制造方法 數
9-BG56923 具有摻雜多晶硅層構成的互連的半導體器件的制造方法 據
10-BG56923 生產多晶半導體晶錠的工藝和設備
11 97120453 ＋sup多晶硅柵極的金屬氧化物半導體晶體管的制作方法&H01L21336a01具有Psup＋sup多晶硅柵極的金屬氧化物半導體晶體管的制作方法 0
12-BG56923 制造多晶半導體的方法和裝置 2
13-BG56923 多晶片半導體封裝結構及制法 8
14-BG56923 一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
15-BG56923 具有基片觸點和多晶硅橋接單元的半導體只讀存儲裝置 :
16-BG56923 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件 6
17-BG56923 多晶半導體層的制造方法及激光退火裝置 5
18-BG56923 用順序橫向固化制造均勻大晶粒和晶粒邊界位置受控的多晶硅薄膜半導體的方法 8
19-BG56923 半導體器件的著片多晶硅接觸結構及柵極結構的制造方法 1
20-BG56923 包含多晶硅的半導體器件及其制造方法 8
21-BG56923 半導體電路制造的多層多晶硅瓦片結構 3
22-BG56923 半導體元件與其中的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法 5
23-BG56923 半導體器件及制作一低溫多晶硅層的方法 6
24-BG56923 具有多晶硅熔絲的半導體器件及其微調方法
25-BG56923 在半導體制程中避免多晶硅縱樑形成的半導體結構
26-BG56923 具復合多晶硅層的半導體結構及其應用的顯示面板
27-BG56923 半導體元件和在其中形成多晶硅層的制造方法
28-BG56923 多晶半導體膜制造方法及其裝置和圖像顯示面板
29-BG56923 制備具有WWN多晶硅分層薄膜的半導體器件的方法
30-BG56923 采用多晶硅柵和金屬柵器件的半導體芯片
31-BG56923 薄膜晶體管、薄膜晶體管基板、電子設備及多晶半導體薄膜的制造方法
32-BG56923 具有高性能集成電路多晶硅凝集熔消組件的互補金屬氧化物半導體的工藝
33-BG56923 具有多晶硅插頭的半導體器件的制造方法
34-BG56923 在半導體裝置中形成多晶硅層的方法
35-BG56923 制備多晶硅薄膜的方法以及用其制備半導體器件的方法
36-BG56923 多晶硅體硅ESD結構保護的垂直雙擴散金屬氧化物半導體功率器件
37-BG56923 多晶硅ESD結構保護的垂直雙擴散金屬氧化物半導體功率器件
38-BG56923 使用固體激光器退火的多晶硅薄膜制備半導體器件的方法
39-BG56923 具有多晶粒并排配置的半導體組件封裝結構及其方法
40-BG56923 具有多晶硅電極的半導體器件
41-BG56923 采用多晶填充的溝槽的半導體器件
42-BG56923 半導體器件制造過程中控制多晶硅薄層電阻的方法
43-BG56923 半導體器件電容區上多晶硅阻值的控制方法
44-BG56923 多晶半導體薄膜的制造方法
45-BG56923 制造單晶或多晶半導體材料的方法
46-BG56923 用于使半導體級多晶硅錠料定向凝固的方法和坩堝
47-BG56923 用于功率金屬氧化物半導體場效應晶體管及集成電路的遞減電壓多晶硅二極管靜電放電電路
48-BG56923 具有直接溝槽多晶硅接觸的橫向溝槽金屬氧化物半導體場效應晶體管及其形成方法
49-BG56923 多晶硅柵極、半導體器件及其形成方法
50-BG56923 多晶硅柵極、側墻、半導體器件及其形成方法
51-BG56923 具有多晶粒的半導體組件封裝結構及其方法
52-BG56923 鉻摻雜氮化鈦磁性半導體多晶薄膜的制備方法
53-BG56923 一種化合物半導體材料多晶合成的裝置

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