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[8161-0182-0001] 使用化學機械拋光精加工用于接合的晶片的裝置和方法
[摘要] 描述一種包ㄒ桓靄氳繼宄牡住⒁桓鯟mp工具、一個刷洗清潔工具與一個化學晶片清潔工具的方法與裝置。cmp工具在1psi的向下力、0.5psi的背側空氣壓力、50rpm的臺板轉速、30rpm的載體轉速與140毫升/分的拋光漿料流速下進行工作。
[8161-0036-0002] 半導體裝置
[摘要] 提供可以控制半導體芯片與光刻膠材料之間形成的裝配膏的形成狀態，可以減少在半導體芯片上發生的裂紋的半導體裝置。具有：在基板11上邊，各自以娑ň嗬胍韻碌募涓襞帕釁鵠吹畝喔齬飪探翰牧?2；配置在已形成了多個光刻膠材料12的基板11上邊的半導體芯片14；在基板11和半導體芯片14之間形成的用于粘接這些基板11和半導體芯片14的裝配膏13。
[8161-0098-0003] 化學惰性的兆赫聲波換能器系統
一種兆赫聲波清洗系統，包括一個容器，一個諧振器，一個壓電晶體(130)和一個用于將該諧振器連接于該壓電晶體的銦層(138)。該容器包括一個用于保存一定體積清洗溶液的液體室。該諧振器選自藍寶石、石英、碳化硅、氮化硅和陶瓷。該諧振器構成該容器的底部并具有一個與液體室鄰接的界面表面。
[8161-0130-0004] 包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
[摘要] 本發明的課題是一種具有非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法，包含以下的工序(a)至(k)。(a)形成元件隔離區300的工序；(b)形成具有第1柵絕緣層12和字柵用的第1導電層并具有在第1方向上延伸的多個開口部的層疊體的工序；(c)形成第2柵絕緣層22的工序；(d)在第1導電層的兩側形成側絕緣層24的工序；(e)在整個面上形成第2導電層的工序；(f)在至少形成共用接觸部的區域上形成第1掩模層的工序；(g)通過利用各向異性刻蝕以刻蝕上述第2導電層來形成側壁狀的第1和第2控制柵、而且至少在形成共用接觸部的區域上形成接觸用導電層的工序；(h)形成構成源區或漏區的雜質擴散層的工序；(i)形成覆蓋控制柵的埋入絕緣層70的工序；(j)在形成共用接觸部的區域上形成第2掩模層230的工序；以及(k)對上述字柵用的第1導電層進行構圖的工序。
[8161-0109-0005] 壓觸式半導體器件
[摘要] 壓觸式半導體器件至少具備：在表面一側具有第1主電極和控制電極，在背面一側具有第2主電極的多個半導體元件；在表面上邊配設多個半導體元件并電連到多個該半導體元件的第2主電極上的第2共用主電源板；配設在多個半導體元件的表面上邊并電連到該多個半導體元件的第1主電極上的第1共用主電源板；配設在多個半導體元件之間，至少具備電連到控制電極上的控制信號布線層和電連到第1主電極上的主電流布線層的共用控制信號/主電流板；至少把主電流布線層和第1共用主電源板之間電連起來的導電性連接體；借助于彈力把主電流布線層和導電性連接體之間或者把第1共用主電源板和導電性連接體之間電連起來的導電性彈性體。
[8161-0149-0006] 多波長發光裝置、電子設備以及干涉鏡
[摘要] 提供一種多波長發光裝置，用該裝置可以很容易調節共振強度以及顏色之間的方向性以便均衡。發光裝置包括用于發射含有所要輸出的波長分量的光的發光部件4，以及半反射層組2，其中透射從發光部件中發射出的具有特定波長的一些光并且反射其余的光的半反射層2r、2g和2b與所要輸出的光的波長相聯系沿著光前進方向順序被堆疊在一起。與所要輸出的光的波長相聯系地來確定發光區ar、ag和ab。其結構是這樣的，在發光區中，能夠調節在用于來自反射從那些發光區中輸出的光的半反射層2r、2g和2b的發光部件側面的光的反射表面和從半反射層組側面上的發光層的端部到所述反射層以間隔的形式存在的點之間的距離lr、lg和lb，以便具有光能夠共振的光路長度。
[8161-0029-0007] ⅲ族氮化物單/多層異質應變薄膜的制作方法
[摘要] 一種iii族氮化物單/多層異一種質應變薄膜的制作方法，包括如下制備步驟：(1)用一襯底，使在該襯底上外延的iii族氮化物晶體生長平面能夠和(0001)晶面垂直；(2)在襯底材料上外延預定厚度的iii族氮化物作為下一步外延生長模板；(3)在模板上外延生長預定結構的iii族氮化物單/多層異質應變薄膜，在垂直該外延薄膜平面的方向上沒有壓電場。
[8161-0007-0008] 圖像拾取設備
[摘要] 一種圖象拾取設備包括：象素區，包含多個象素；和基底。該象素區被結合在該基底上，其中該象素區的中心與該基底的中心基本上彼此吻合。這個裝置的尺寸可以減小。
[8161-0132-0009] 多層金屬電源/接地總線的布局結構
[摘要] 本發明揭示一種多層金屬電源/接地總線在微電子芯片上的布局結構，其將芯片上大多數的電源/接地引線墊放置于所有引線墊的最外層，且將該多個電源/接地引線墊以一多層金屬電源/接地總線予以電連接至該芯片的內部電路，從而達到縮小整個芯片面積且降低成本的優點。本發明可使以n層(n＞1)引線墊封裝的微電子芯片的多個引線墊和其相對應的內部電路的輸入/輸出電路的連線線路有較大的實體布局寬度，降低了該連線線路的電阻值。
[8161-0140-0010] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種包含電容量變化范圍大的變容元件的半導體裝置及其制造方法。變容元件var具備：含可變電容區域56a的n+層56、在n+層56上由外延生長形成的由sige膜和si膜組成的p+層61、以及p型電極62。npn－hbt具備：與變容元件var的n+層56同時形成的集電極擴散層57、集電極層59、與變容元件的p+層21同時外延生長形成的si/sige層79。因為在變容元件var的pn結部形成的耗盡層的延伸范圍能夠確保達到n+層56全部、就能抑制電容變化范圍的低下。
[8161-0031-0011] 氣體噴射器以及包含該噴射器的蝕刻裝置
[8161-0059-0012] 近環繞閘極及制造具有該閘極的矽半導體裝置的方法
[8161-0139-0013] 半導體器件、電路襯底、光電裝置和電子設備
[8161-0174-0014] 分子隧道二極管及其制造方法
[8161-0127-0015] 高準確度及靈敏度霍爾感測元件及集成電路的封裝方法
[8161-0044-0016] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8161-0022-0017] 具有硅－鍺(sii－x－gex
[8161-0025-0018] 光源裝置
[8161-0017-0019] 一種微型顯示器件及其制作工藝
[8161-0042-0020] 半導體集成電路器件以及使用它們的電子裝置
[8161-0196-0021] 適用于靜電放電防護的電壓控制元件及其保護電路
[8161-0004-0022] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0039-0023] 半導體器件及其制造方法
[8161-0106-0024] 一種微小芯片倒扣工藝技術
[8161-0217-0025] 三族金屬氮化物元件的制造方法
[8161-0213-0026] 雙極金屬氧化物半導體場效應晶體管器件
[8161-0067-0027] 一種高亮度藍光發光晶粒的結構
[8161-0021-0028] 制備功率整流器裝置以改變操作參數的方法及其制得的裝置
[8161-0037-0029] 電源半導體模塊和容納半導體模塊的冷卻元件
[8161-0214-0030] 發光或者受光用半導體組件及其制造方法
[8161-0104-0031] 半導體器件的制備方法
[8161-0006-0032] 半導體存儲器
[8161-0138-0033] 發光器件
[8161-0128-0034] 去封裝芯片的測試裝置
[8161-0056-0035] 半導體器件、電子裝置的制造方法、電子裝置和攜帶式信息終端
[8161-0001-0036] 接合頭及部件安裝裝置
[8161-0091-0037] 半導體和鈦酸鋇p－n結
[8161-0054-0038] 印刷線路板傳送裝置
[8161-0011-0039] 半導體器件及其制造方法
[8161-0075-0040] 有機電致發光裝置
[8161-0089-0041] 半導體器件及其制造方法和噴液設備
[8161-0014-0042] 半導體器件及其制造方法
[8161-0013-0043] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0178-0044] 用于諸如微處理器這樣的集成電路的支座底板
[8161-0177-0045] 用烷基硅氧烷低聚物和臭氧化學氣相沉積氧化硅薄膜
[8161-0079-0046] 鐵電存儲器集成電路的高質量鉛鋯鈦酸鹽膜的制造工藝
[8161-0114-0047] 半導體器件以及顯示裝置
[8161-0164-0048] 引線架
[8161-0068-0049] 加熱和冷卻薄片形制品的熱處理室
[8161-0148-0050] 金屬－絕緣體－半導體場效應晶體管
[8161-0063-0051] 半導體設備
[8161-0161-0052] 具有散熱結構的半導體封裝件
[8161-0016-0053] 使發光二極管產生白色光的方法及裝置
[8161-0073-0054] 修改集成電路的方法
[8161-0019-0055] 硅晶片的加強材料和利用這種材料制造集成電路芯片的方法
[8161-0003-0056] 級聯連接多個二極管構成的半導體器件
[8161-0198-0057] 半導體裝置與其圖案設計方法
[8161-0065-0058] 金屬－絕緣－金屬場效應管
[8161-0051-0059] 半導體器件和設計掩模的方法
[8161-0146-0060] 用于蝕刻碳摻雜有機硅酸鹽玻璃的方法和裝置
[8161-0081-0061] 半導體模塊及其制造方法
[8161-0122-0062] 薄膜形成裝置和薄膜形成方法
[8161-0150-0063] 用直流電等離子聚合在金屬表面連續形成聚合物的設備
[8161-0131-0064] 發光二極管的散熱結構
[8161-0179-0065] 薄膜晶體管及其制造方法
[8161-0215-0066] 發光或者受光用半導體器件及其制造方法
[8161-0002-0067] 沸騰冷卻裝置
[8161-0100-0068] 一種半導體生產系統
[8161-0107-0069] 制作在硅晶片上的薄膜無源元件的包裝方法
[8161-0145-0070] 用于降低半導體晶片中的波紋性的方法
[8161-0027-0071] 磁電轉換元件及其制造方法
[8161-0165-0072] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8161-0072-0073] 為快速擦寫存儲器裝置的多晶硅提供摻雜質濃度的方法
[8161-0136-0074] 封裝的集成電路
[8161-0055-0075] 半導體存儲元件的制造方法
[8161-0084-0076] 互補非易失性存儲電路
[8161-0163-0077] 具有內嵌式散熱塊的半導體封裝件
[8161-0192-0078] 金屬基座半導體
[8161-0154-0079] 氣源分子束外延生長鍺硅異質結雙極晶體管材料摻雜方法
[8161-0069-0080] 從聚碳硅烷形成的低介電常數聚有機硅涂料
[8161-0047-0081] 改進的用于支撐晶片的梯形舟
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[8161-0066-0084] 一次可編程半導體非易失性存儲器件及其制造方法
[8161-0208-0085] 基底、載物臺裝置、載物臺驅動方法和曝光裝置及曝光方法
[8161-0186-0086] 一種制造半導體器件的方法
[8161-0209-0087] 無凹陷銅鑲嵌結構的制造工藝
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[8161-0176-0090] 多重光源發光裝置
[8161-0030-0091] 一種在半導體基底上形成自行對準的接觸窗結構的方法
[8161-0046-0092] 發光二極管
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[8161-0210-0096] 半導體器件用的保護層
[8161-0133-0097] 導線框、使用該導線框的半導體裝置及其制造方法
[8161-0076-0098] 圖形形成方法
[8161-0052-0099] 部件及其制造方法
[8161-0205-0100] 一種鍍有金屬反射鏡膜基板的發光二極管及其制造方法
[8161-0093-0101] 半導體和錳酸鑭p－n結
[8161-0048-0102] 多晶半導體薄膜襯底及其制造方法、半導體器件和電子器件
[8161-0212-0103] 使用暈圈植入而制造半導體裝置的方法及系統
[8161-0077-0104] ic測試處理機的ic輸送程序及其裝置
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[8161-0012-0115] 半導體裝置及其制造方法
[8161-0175-0116] 半導體器件及其制造方法
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[8161-0096-0118] 化學機械研磨用研磨劑及研磨方法
[8161-0045-0119] 含有單獨的晶體三極管的存儲器器件及其操作與制造方法
[8161-0028-0120] 光掩模、其制造方法、圖形形成方法及半導體裝置的制造方法
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