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本套光盤目錄如下：

1-BG53269 金屬納米粒子-半導體介質復合薄膜及制法和全光克爾開關 資
2-BG53269 界面復合半導體納米薄膜光催化劑的制備方法 料
3-BG53269 一種制造含有復合緩沖層半導體器件的方法 來
4-BG53269 步進調諧復合式外腔半導體激光器 源
5-BG53269 半導體密封材料用黑色復合顆粒和半導體密封材料 :
6-BG53269 研磨半導體晶片的復合研磨墊及其制作方法 萬
7-BG53269 制造銅-炭纖維復合材料及功率半導體器件中支撐電極的方法 息
8-BG53269 復合半導體溫差致冷器 數
9-BG53269 高光電轉換效率的金屬-半導體復合膜 據
10-BG53269 新型半導體微晶體復合抗靜電材料
11-BG53269 ＭＩＳ門復合半導體裝置及其驅動方法以及電源轉換裝置 0
12-BG53269 鐵電體-半導體納米微粒復合材料薄膜的制備方法 2
13-BG53269 氮化鎵序列的復合半導體發光器件 8
14-BG53269 用于半導體散熱器的復合材料及其制造方法
15-BG53269 鎘鐵復合氧化物氣敏半導體材料及其氣敏元件 :
16-BG53269 復合部件及其分離方法和半導體襯底的制備方法 6
17-BG53269 半導體器件的陶瓷復合布線結構及其制造方法 5
18-BG53269 復合木質箱殼的半導體致冷的冷藏箱 8
19-BG53269 有機半導體復合氧化鈦納米線的制備方法 1
20-BG53269 復合半導體基板及其制造方法及使用其的復合半導體器件 8
21-BG53269 2復合半導體光催化納米材料及其制備方法&B01J27042006.01Ia01一維CdSTiO2復合半導體光催化納米材料及其制備方法 3
22-BG53269 一種二維有序有機半導體復合納米薄膜及其專用基底與它們的制備方法 5
23-BG53269 一維CdS-Ni半導體-磁性功能復合納米材料及其制備方法 6
24-BG53269 復合外腔半導體激光器
25-BG53269 復合式半導體壓縮機致冷儀
26-BG53269 復合導熱皿式半導體致冷容器
27-BG53269 復合式PN型半導體晶粒
28-BG53269 復合木質箱殼的半導體致冷的冷藏箱
29-BG53269 具有復合絕緣層的半導體封裝結構
30-BG53269 具有復合絕緣層的半導體封裝結構
31-BG53269 在硅片上復合ZnO納米線的半導體基板材料及其制備方法
32-BG53269 一種硅半導體臺面器件的復合鈍化工藝
33-BG53269 復合熱沉半導體激光器結構及制備方法
34-BG53269 4和Bi2NO6型半導體光催化劑及制備和應用&B01J2331a01含鉍復合氧化物BiMO4和Bi2NO6su......
35-BG53269 一種無機半導體復合納米級空心球及制備方法
36-BG53269 復合氧化物半導體納米材料的制備方法
37-BG53269 納米半導體引發制備聚合物無機納米復合材料粉體的方法
38-BG53269 一種摻氮復合半導體光催化劑的制備方法
39-BG53269 生產具有半導體或絕緣體的金屬復合團簇的方法及裝置
40-BG53269 具復合多晶硅層的半導體結構及其應用的顯示面板
41-BG53269 復合存儲電路及具有該電路的半導體器件
42-BG53269 半導體發光元件與保護元件的復合半導體裝置
43-BG53269 復合存儲電路和包括復合存儲電路的半導體裝置
44-BG53269 復合外腔電流步進調諧半導體激光器及其調諧方法
45-BG53269 半導體工藝設備的氮化硼氧化釔復合材料部件及其制造方法
46-BG53269 復合材料表面的導體或半導體部分無掩模局域化有機接枝的方法
47-BG53269 亞納米復合法制備氧化鋅基磁性半導體材料的方法
48-BG53269 生物光敏蛋白-納米半導體復合光電極的制備方法
49-BG53269 環向復合菲乃爾透鏡半導體發光二極管信號燈具
50-BG53269 光催化聚合制備無機半導體導電聚合物復合薄膜的方法
51-BG53269 復合半導體膜、太陽能電池及其制備方法
52-BG53269 具有復合材質的半導體IC板材微型鉆頭
53-BG53269 復合金屬氧化物半導體材料及其制備方法
54-BG53269 一種半導體激光泵浦全固態復合腔和頻激光器
55-BG53269 一種半導體激光泵浦折疊式復合腔和頻激光器
56-BG53269 半導體復合器件及其制造方法、LED頭和圖像形成設備
57-BG53269 具有銅金剛石復合材料的半導體襯底及其制造方法
58-BG53269 以水滑石為模板的金屬硫化物半導體納米復合材料及其制備方法
59-BG53269 半導體芯片中具有降低的電壓相關性的高密度復合金屬-絕緣體-金屬電容器
60-BG53269 半導體復合裝置及其制造方法、LED頭以及成像裝置
61-BG53269 一種納米復合半導體光催化劑及其制備方法
62-BG53269 具有集成的摻雜溝道的參數確定的半導體復合結構、用于其生產和應用的方法
63-BG53269 半導體復合裝置、LED、LED打印頭和成像裝置
64-BG53269 包括浸漬了有機物質的多孔半導體的復合材料
65-BG53269 半導體復合裝置及其制造方法
66-BG53269 用于半導體制冷器快速加熱制冷系統的復合控制方法
67-BG53269 基于多觸媒催化納米半導體材料及復合除塵的室內空氣凈化方法及裝置
68-BG53269 復合半導體器件、打印頭以及成像裝置
69-BG53269 納米半導體粒子增強蛋膜纖維基復合材料的制備方法
70-BG53269 氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
71-BG53269 用于制造垂直結構的復合半導體器件的方法
72-BG53269 納米半導體粒子增強蠶絲纖維基復合材料的制備方法
73-BG53269 一種化合物半導體復合膜
74-BG53269 復合半導體器件、LED頭、和圖像形成裝置
75-BG53269 有機無機復合半導體材料、液態材料、有機發光元件、有機發光元件的制造方法、發光裝置
76-BG53269 復合式金屬氧化物半導體電容以及鎖相環
77-BG53269 復合半導體裝置、LED打印頭及圖像形成設備
78-BG53269 復合半導體光催化劑ZnO和ZnS的原位合成及其同步負載方法
79-BG53269 含Zn-VIA族半導體納米顆粒的復合的酶功能敏感膜及其制法和用途
80-BG53269 半導體復合器件及其制造方法
81-BG53269 氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
82-BG53269 具保護復合層的半導體元件及其制造方法
83-BG53269 金屬半導體復合超分辨薄膜及其制備方法
84-BG53269 同時降解乙烯與殺菌的半導體光電催化復合電極及制備方法和應用
85-BG53269 復合硬掩模層、金屬氧化物半導體晶體管及其制作方法
86-BG53269 一種用于大功率電力半導體器件的復合式冷卻方法及裝置
87-BG53269 復合氮化物半導體結構的外延成長
88-BG53269 一種半導體基片熱沉復合材料的制備方法
89-BG53269 模擬視頻信號產生電路、模擬復合視頻信號產生方法、模擬信號合成電路、模擬信號合成方法、半導體集成電路及......
90-BG53269 復合型半導體硅器件鈍化膜及鈍化生成工藝
91-BG53269 光電半導體銀銅復合氧化物薄膜材料
92-BG53269 一種含納米半導體*遮光劑的氣凝膠絕熱復合材料及其制備方法
93-BG53269 一種含納米半導體粒子的硅氣凝膠絕熱復合材料及其制備方法
94-BG53269 一種半導體氧化物微納復合結構薄膜的制備方法
95-BG53269 半導體納米線和微光纖復合結構微激光器
96-BG53269 一種大功率半導體激光光束復合裝置
97-BG53269 半導體納米復合薄膜的制備方法
98-BG53269 半導體復合裝置及其制造方法
99-BG53269 AlN生長面復合基底的制備方法以及氮化物半導體器件
100-BG53269 基于半導體納米晶與聚合物的復合薄膜的電雙穩態器件
101-BG53269 布線板復合體、半導體器件、以及制造布線板復合體和半導體器件的方法
102-BG53269 薄膜半導體元件及元件復合結構
103-BG53269 2激光的復合焊接方法&B23K26422006.01Ia01一種半導體激光與CO2激光的復合焊接方法
104-BG53269 使用復合半導體材料的染敏太陽能電池
105-BG53269 在硅片上復合ZnO錐狀納米結構的半導體材料及其制備方法
106-BG53269 有機半導體復合材料、有機晶體管材料以及有機場效應晶體管
107-BG53269 復合式過壓保護器及其在半導體變流設備中的應用
108-BG53269 復合半導體器件、印頭以及圖像形成裝置
109-BG53269 半導體復合膜及其形成方法、薄膜晶體管及其制造方法和電子設備
110-BG53269 半導體用粘接膜、復合片及使用它們的半導體芯片的制造方法
111-BG53269 半導體芯片的制造方法和半導體用粘接膜及其復合片
112-BG53269 一種納米金屬硫化物復合半導體光催化材料的制備方法
113-BG53269 具有包含碳納米管或半導體納米線的復合隔膜的傳感器
114-BG53269 石墨烯與半導體納米顆粒復合體系及其合成方法
115-BG53269 具有復合碳基襯底的氮化鎵基半導體器件及其制造方法
116-BG53269 多波長半導體納米線和微光纖復合結構微激光器
117-BG53269 一種用于半導體臺面鈍化的復合保護涂料及其制備方法
118-BG53269 硼碳氮納米管半導體氧化物復合材料及其制備方法和應用
119-BG53269 碳摻雜硼氮納米管半導體氧化物復合材料及其制備方法和應用
120-BG53269 硼氮納米線半導體氧化物復合材料及其制備方法和應用
121-BG53269 同時將半導體材料復合棒切割成多個晶片的方法
122-BG53269 氮化鋁基復合材料、其制造方法及半導體制造裝置用部件
123-BG53269 一種應用于半導體照明的熒光粉玻璃復合體及其制備方法
124-BG53269 一種無機-并五苯類物質復合半導體材料及其制備方法
125-BG53269 環向復合菲乃爾透鏡半導體發光二極管信號燈具
126-BG53269 具有復合材質的半導體IC板材微型鉆頭
127-BG53269 一種大功率半導體激光光束復合裝置
128-BG53269 一種大功率半導體激光復合裝置
129-BG53269 一種大功率半導體激光光束復合裝置

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