《拋光材料、拋光粉生產技術資料、半導體拋光、硅芯片拋(198元/全套）
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1、單晶硅雙面拋光加工理論與工藝研究
根據超精密加工機床設計要求，提出了雙面拋光機總體設計方案，在分析精密雙面拋光機的控制要求與設計方案的基礎上，研制了超精密雙面拋光機的控制系統，詳細介紹了實現該機控制的各部分硬件系統、自動加工控制流程和人機交互的控制界面，并對研制的設備進行了運行與檢測。通過研究晶片、拋光墊與行星輪三者之間的運動關系，建立了行星式雙面拋光運動軌跡數學模型，利用MATLAB軟件分析了不同位置、不同拋光盤轉速、不同轉速比下的相對運動軌跡狀態與對拋光質量的影響，然后根據研究拋光盤上的任一點相對工件運動軌跡密度分布均勻來建立拋光均..............共72頁
2、鈰基拋光粉的制備與其在CMP中的應用
采用多種方法來制備鈰基拋光粉，以期提高它們的拋光性能和方法的經濟可行性。以大顆粒水合丙酸鈰結晶為前驅體，通過簡單的煅燒來合成納米級氧化鈰。研究了煅燒溫度對合成產物物理性能的影響。結果表明：在丙酸鈰熱分解過程中，大晶體先解理成條塊狀，再斷裂成更小的納米氧化鈰。用激光散射法測得的中位粒徑先減小而后又增大，在1000℃時呈最小值，為460nm。XRD、SEM和TEM的觀察結果表明：在該溫度下煅燒得到了一次粒子為20-30nm的立方螢石型氧化鈰；它們對冕玻璃(K9)和火石玻璃(F1)的拋光速率隨煅燒溫度的升高在1000℃呈極大值，與粒度變化的最小值，研究了各種漿料對光學玻璃和硅芯片的拋光速率。結果發現：拋光速率與CeO2漿料的懸浮穩定成正比關系..............共108頁
3、氧化鋁的聚丙烯酰胺復合磨粒的制備與其拋光性能的研究
隨著先進電子技術的飛速發展，對產品加工精度和表面質量的要求越來越高。化學機械拋光(chemical mechanical polishing，簡稱CMP)技術幾乎是迄今唯一可以提供全局平面化的表面精加工技術，可廣泛用于集成電路芯片、計算機硬磁盤、微型機械系統(MEMS)、光學玻璃等表面的平整化。化學機械拋光液是CMP中關鍵的要素，而磨粒是化學機械拋光液中關鍵成分之一，其性能直接影響拋光后材料的表面質量。超細氧化鋁是CMP常用磨粒，由于其易團聚與硬度大，拋光過程中易引起劃痕，為此用化學接枝改性方法對超細氧化鋁進行了表面改性，使丙烯酰胺在硅烷偶聯劑處..............共62頁
4、半導體硅片化學機械拋光電化學與拋光速率研究
運用電化學方法，以溶液化學、腐蝕電化學原理、摩擦磨損原理、流體力學邊界層等相關理論為指導，采用旋轉圓盤電極，系統研究和探討了n(100)、n(111)、p(100)、p(111)半導體硅片在納米SiO2拋光漿料中的成膜行為、CMP中的電化學行為、拋光速率與CMP過程機理等。研究的內容與獲得的主要結論如下： 運用電化學直流極化和交流阻抗技術，研究了半導體硅片在納米SiO2拋光漿料中的腐蝕行為，探討了pn值、SiO2固含量、成膜時間和雙氧水濃度等因素對成膜性質的影響。結果表明，pH值嚴重影響硅片的成膜，pH值為10.5時的鈍化膜最厚，電化學阻抗圖譜(EIS)測試結果顯示，鈍化膜厚度大約為5.989A；SiO2固含量對硅片的腐蝕成膜沒有影響；雙..............共78頁
5、二氧化硅介質層CMP拋光液配方的研究
隨著集成電路(IC)產業的飛速發展，IC特征尺寸不斷縮小，硅片尺寸不斷增大，IC工藝變得越來越復雜和精細。這對芯片內部層間介質的表面質量提出了更高的要求，要求介質層表面必須進行全局平坦化，而傳統的拋光工藝已不能滿足要求。化學機械拋光(CMP)是目前唯一能夠實現芯片全局平面化的實用技術和核心技術，正廣泛地應用于IC制造中。然而，由于其工藝的復雜性，人們對CMP機理以與拋光液的作用仍缺乏深入的認識，許多方面還需要進行深入地研究。在CMP過程中，拋光液對被加工表面具有化學腐蝕和機械研磨的..............共65頁
6、超大規模集成電路多層銅布線中銅與鉭的化學機械全局平面化拋光液
7、金屬表面拋光液
8、不銹鋼表面化學拋光液與化學拋光方法
9、金屬表面拋光溶液與拋光工藝
10、不銹鋼表面化學拋光浴液與方法
11、不銹鋼表面化學拋光浴液與方法
12、用于不銹鋼表面化學拋光的拋光液和方法
13、化合物半導體化學拋光腐蝕液
14、用于銅的化學機械拋光(CMP)漿液以與用于集成電路制造的方法
15、不銹鋼拋光液
16、用于化學機械平面加工的含過氧化物拋光液的穩定方法
17、在半導體晶片化學機械拋光時輸送拋光液的系統
18、輸送基片機械拋光研磨懸浮液的設備和方法
19、一種無腐蝕脈沖電化學拋光溶液與工藝
20、用于金屬和金屬氧化物的結構化處理的拋光液和方法
21、鋁型材拋光液無能耗簡易回收法
22、納米級拋光液與其制備方法
23、用于鈦的電解拋光的電解液組合物與其使用方法
24、化學機械拋光后半導體表面的清洗溶液
25、一種浮法拋光液膜厚度測量裝置
26、磁流變拋光液與其制備方法
27、用于化學機械拋光研磨液組合物的氧化劑
28、用于拋光多晶硅的化學機械拋光液
29、用于拋光低介電材料的化學機械拋光液
30、用于拋光多晶硅的化學機械拋光液
31、一種用于拋光多晶硅的化學機械拋光液
32、用于電解拋光的電解液以與電解拋光方法
、非離子型聚合物在自停止多晶硅拋光液制備與使用中的應用
34、用于鋁的化學機械拋光的漿液
35、拋光液傳輸設備
36、一種數控拋光用非接觸式輪狀噴液磨頭
37、一種低介電材料拋光液
38、金屬拋光液和使用該金屬拋光液的拋光方法
39、高效高精度藍寶石拋光液與其制備方法
40、一種化學機械拋光半導體晶片用的拋光液
41、一種數控拋光用氣封抽液非接觸式噴液磨頭
42、拋光液恒溫輸送裝置
43、磁流變拋光液流變性測試裝置
44、可長時穩定拋光液性能的磁流變拋光液循環裝置
45、用于光學加工的水基磁流變拋光液與其制備方法
46、一種水基納米金剛石拋光液與其制造方法
47、用于銅布線化學機械拋光的清洗液提供裝置
48、硫系化合物相變材料化學機械拋光的納米拋光液與其應用
49、一種化學機械拋光液
50、鎢拋光溶液
51、硫系相變材料化學機械拋光的無磨料拋光液與其應用
52、高介電材料鈦酸鍶鋇化學機械拋光用的納米拋光液
53、核的殼型納米粒子研磨劑拋光液組合物與其制備方法
54、拋光液和拋光有色金屬材料的方法
55、鉑化學機械拋光用的溶液
56、化學拋光液
57、拋光液組合物
58、化學機械拋光漿液
59、拋光方法與研磨液
60、一種納米級藍寶石襯底的加工方法與其專用拋光液
61、拋光包括銅和鎢的半導體器件結構中使用的漿液與固定磨料型拋光墊以與拋光方法
62、用于金屬布線的化學機械拋光的漿液組合物
63、一種有機堿腐蝕介質的稀土拋光液
64、阻擋層拋光溶液
65、化學機械拋光銅表面用的腐蝕延遲拋光漿液
66、使用磺化兩性試劑的銅化學機械拋光溶液
67、用于化學機械平坦化的多步拋光液
68、一種不銹鋼表面快速化學研磨拋光浴液與方法
69、一種數控拋光用非接觸式噴液磨頭
70、集成電路銅互連一步化學機械拋光工藝與相應納米拋光液
71、可選擇性阻隔金屬的拋光液
72、鈦鎳合金電化學拋光液
73、用于大規模集成電路多層布線中鎢插塞的拋光液
74、用于鈮酸鋰光學晶片研磨拋光的拋光液
75、用于微晶玻璃研磨拋光的拋光液
76、用于計算機硬盤基片化學機械拋光的拋光液
77、用于硼酸鋰銫晶體的化學機械無水拋光液與平整化方法
78、半導體銻化銦化學機械拋光液
79、藍寶石襯底材料拋光液與其制備方法
80、硅單晶襯底材料拋光液與其制備方法
81、電子玻璃的納米SiO2磨料拋光液
82、超大規模集成電路鋁布線拋光液
83、用于磷酸氧鈦鉀晶體的化學機械拋光液
84、具有增強的拋光均勻性的二氧化鈰漿液組合物
85、一種化學機械拋光單晶氧化鎂基片用的拋光液
86、超大規模集成電路多層布線SiO2介質的納米SiO2磨料拋光液
87、化學機械拋光液
、化學機械拋光液與其用途
89、拋光液
90、金屬化學機械拋光的拋光液原位批處理方法與所使用的裝置
91、高精度復合拋光液與其生產方法、用途
92、高精度拋光液與其生產方法、用途
93、可除去聚合物阻擋層的拋光漿液
94、拋光液體
95、水性拋光液和化學機械拋光方法
96、水基金剛石拋光液與其制備方法
97、一種堿性硅晶片拋光液
98、電解拋光液和其平坦化金屬層的方法
99、拋光液以與拋光Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體晶片的方法
100、一種精密拋光晶片用有機物清洗液
101、化學機械拋光廢液分流收集裝置與其收集方法
102、阻擋層用拋光液
103、堿性計算機硬盤拋光液與其生產方法
104、一種藍寶石襯底化學機械拋光漿液
105、多組分阻擋層拋光液
106、一種高純度納米金剛石拋光液與其制備方法
107、微晶玻璃加工用納米二氧化硅磨料拋光液與其制備方法
108、H62黃銅拋光液與其制備方法
109、拋光液自動滴液裝置
110、拋光溶液
111、用于精細表面平整處理的拋光液與其使用方法
112、一種用于鍺晶片的拋光液與其制備方法
113、一種用于*化鎵晶片的拋光液與其制備方法
114、一種金屬拋光液與其制備方法
115、用于化學機械拋光的系統、方法與研磨液
116、一種用于玻璃材料的拋光液與其制備方法
117、一種鎢拋光液與其制備方法
118、一種用于二氧化硅介質的拋光液與其制備方法
119、一種用于硬盤基片的拋光液與其制備方法
120、一種除藻型拋光液
121、一種防凍型拋光液與其制備方法
122、用于化學機械拋光的拋光漿液和方法
123、用于拋光低介電材料的拋光液
124、用于拋光低介電材料的拋光液
125、一種含有混合磨料的低介電材料拋光液
126、拋光液
127、半導體硅片化學機械拋光用清洗液
128、低粘度穩定的非水基磁流變拋光液與其配制方法
129、制造半導體.件的方法與其化學機械拋光系統
130、使用雙面拋光裝置的半導體晶片拋光方法
131、半導體晶片,拋光裝置和方法
132、半導體晶片拋光漿料供應量的控制
1、用于在半導體表面進行淀積和拋光的方法和裝置
134、對半導體基片進行電鍍和拋光的方法與裝置
135、用于半導體晶片拋光系統的載具的多流體供應設備
136、半導體材料的電解拋光方法與裝置
137、半導體晶片用拋光墊的加工方法以與半導體晶片用拋光墊
138、用于半導體晶片的拋光組合物
139、研磨墊其制法和金屬模以與半導體晶片拋光方法
140、用于將半導體晶片固定在化學-機械拋光設備中的固定環
141、用于將半導體晶片固定在化學-機械拋光設備中的固定環
142、用于控制半導體晶片中金屬互連去除速率的拋光組合物
143、用來減少對半導體晶片侵蝕的拋光組合物
144、半導體器件的制造方法拋光方法與拋光裝置
145、Ⅱ-Ⅵ族半導體材料保護側邊緣的表面拋光方法
146、半導體晶片拋光過程中的光學終點檢測裝置和方法
147、用于半導體淺溝隔離加工的化學機械拋光漿料組合物
148、未拋光半導體晶片和用于制造未拋光半導體晶片的方法
149、用于半導體晶圓的化學機械拋光機的裝載裝置
150、用于連續成形一種用作半導體拋光墊片的均一片材的工藝和設備
151、半導體器件制造方法和拋光裝置
152、半導體晶片精密化學機械拋光劑
153、用于化學機械拋光的透明多微孔材料
154、具有研磨粒子的拋光材料與其制造方法
155、供化學機械拋光用的透明微孔材料
156、管形脆性材料內表面拋光方法和由該方法得到的材料
157、用于化學機械拋光的多層拋光墊材料
158、高性能稀土精密拋光材料的制造方法
159、用來化學機械拋光薄膜和介電材料的組合物和方法
160、用于拋光導電材料的拋光組合物和方法
161、用于硅晶片二次拋光的淤漿組合物
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