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[8168-0188-0001] mim電容器
[摘要] 目前，在布線材料中使用銅（cu），其結果，在組合rf模擬器件和com邏輯器件的rf－com器件中，mim電容器的兩個電極由具有大擴散系數的cu構成。為了防止cu擴散到mim電容器的電容器絕緣膜上，在電容器絕緣膜和兩個電極之間配置具有防止cu擴散功能的防擴散膜。由此，構成電極的cu不會擴散到電容器絕緣膜上。
[8168-0180-0002] 形成半導體器件的方法
[摘要] 將襯底（155）放入電鍍槽（19，59）中，測量槽（19，59）中的電流，將膜（110）鍍到半導體器件襯底（155）上。在一個實施例中，用位于槽（19，59）內的檢測陣列（57）測量電流，用測量結果控制電鍍沉積參數。在另一個實施例中，用檢測陣列（57）測量電流，用也位于電鍍槽（19，59）內的相應的控制陣列（53）控制電鍍膜（110）（110）的特性。
[8168-0129-0003] 變形異質接面雙極性晶體管
一種變形異質接面雙極性晶體管，特別是有關于一種具有適用于低成本生產于大尺寸砷化鎵晶圓的材料結構的變形異質接面雙極性晶體管。本發明材料結構包括有：一半絕緣的伸化鎵基板；一未摻雜的砷銻化鋁鎵或砷化鋁銦鎵或其他形式的變形緩沖層；一高摻雜的n－型砷化銦鎵層；一低摻雜的n－型砷化銦鎵或磷化銦或砷化銦鋁層；一高摻雜的p－型砷化銦鎵層；一n－型砷化銦鋁或漸變的砷化鋁銦鎵或磷化銦層；以及一高摻雜的n－型砷化銦鎵層。
[8168-0067-0004] 電光器件及其制作方法
[摘要] 本發明目的是提供簡單、高速的，用噴墨方法形成el層的加工技術。一種制作具有良好操作性能和高可靠性的電光器件的方法，和特別是，提供一種制作el顯示器件的方法。當el層用噴墨方法制作時，本發明形成連續橫過多個電極的el層。特別地，對于排列成矩陣狀態的m列和n行像素電極，el層形成對應于一個特定行或列的條形。對于每一個像素電極，el層也可以被形成具有長圓形或矩形形狀。
[8168-0038-0005] 安裝半導體晶片在具電路軌跡基板的方法及其制成的產品
[摘要] 一種安裝半導體晶片在具電路軌跡基板的方法及其產品，是在一布設有電路軌跡的可透光玻璃基板上形成有多個粘接墊的粘接墊安裝表面，并至少有一個具有第一、二粘接表面的絕緣膠帶層，絕緣膠帶層對應于粘接墊的觸點容置空間內容置有導電觸點，一半導體晶片的粘接墊安裝表面與第二粘接表面加熱粘接，數粘接墊與導電觸點加熱粘接。由于第二粘接表面的粘膠熔點較導電觸點低，可先熔接粘接墊安裝表面，借此將導電觸點密封在觸點容置空間內。達到降低成本、提高合格率、降低產品厚度、提高導電觸點可靠度、及延長產品壽命的效果。
[8168-0069-0006] 電子顯示設備的對比度增強
[摘要] 增強顯示圖象對比度特性的一種顯示設備，包括一個象素結構，該象素結構定義了一個象素區域，包括一個有效象素區域和一個非有效象素區域。顯示設備可能是諸如oled或電致發光設備等的發射性設備：諸如液晶光閥設備等的透射性設備，或諸如雙穩態反射性固醇類（brc）液晶設備等的反射性設備。有效象素區域與全部象素區域的比值小于50％。顯示設備包括一個有黑色矩陣的透明蓋板，黑色矩陣在透明蓋板的觀看者一側做成。顯示設備可能是一個拼接顯示器，在這種情況下黑色矩陣是在各個拼塊被安裝在其中以形成完整顯示設備的集成板上做成的。對于反射性或發射性顯示材料，顯示設備包括一個含有為顯示設備的象素提供驅動信號的電路板的電子部分。電子部分通過粘合劑固定在顯示部分上。為給有效象素單元提供吸光性背景，電路板和粘合劑都是黑色的。顯示設備的各個象素單元包括四個被非有效區域分隔的子象素元，這四個子象素元共同限定有效區域的面積。在顯示器觀看者一側提供了一個透鏡系統，用來把象素單元的有效區域產生的光線會聚到一個較小的區域，因此減小了顯示孔徑。顯示器觀看者一側透鏡之間的區域被涂以黑色材料形成黑色矩陣。黑色材料可在制作金屬行電極之前沉積在前蓋板上，以防止行電極對觀看者而言產生一個反射性表面。
[8168-0196-0007] 用于腔室襯里的樹脂模塑制品
[摘要] 公開了一種樹脂模塑制品，該制品可裝配到半導體生產中所使用的干蝕刻設備腔室襯里的內壁上。該樹脂模塑制品是一種無縫的環狀模塑制品，其具有耐熱溫度至少為１００℃、拉伸斷裂伸長率至少０．３％、彎曲模量至少為１０，０００kg/cm2，該模塑制品的外徑比襯里的內徑大０～０．３％，壁厚不大于２mm。
[8168-0031-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 提供一種具有高顯示品質的液晶顯示器件，它具有高的孔徑比而又確保有足夠的存儲電容（cs），同時還可通過將電容線的負荷（像素的寫入電流）及時地分散開以便有效地減小該負荷。掃描線形成在與柵電極不同的層上，以便將電容線安置得與信號線平行。每個像素都通過介電質與各獨立的電容線相連接。因而，由鄰近像素的寫入電流所引起的電容線的電位變化就可避免，由此可獲得滿意的顯示圖像。
[8168-0028-0009] 場致發光顯示裝置和電子裝置
[摘要] 本發明披露了一種el顯示裝置，其中紅藍綠中每種顏色的顏色純度是不同的，所述el顯示裝置用于顯示所需平衡的紅藍綠色圖像。被提供給每個el元件的視頻信號由校正電路進行γ校正，按照校正的視頻信號的電壓和電流合適地控制藍光，綠光和紅光的顏色純度。
[8168-0098-0010] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 用激光照射局部形成可以被認為是單晶體的區域106，并用這些區域至少構成溝道形區域112。通過具有這種結構的薄膜晶體管，就能得到與利用單晶體構成的薄膜晶體管類似的特性。此外,通過并聯連接多個這樣的薄膜晶體管，就能得到實際上與溝道寬度增加的單晶體薄膜晶體管相同的特性。
[8168-0085-0011] 具有至少一個電容的集成電路及其制造方法
[8168-0097-0012] 電光裝置
[8168-0060-0013] 制造半導體器件的方法
[8168-0166-0014] 樹脂膜片成型方法和使用所述方法的樹脂膜片成型設備
[8168-0010-0015] 發光二極管
[8168-0199-0016] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[8168-0133-0017] 半導體器件檢查裝置
[8168-0055-0018] 用于零電壓開關的絕緣柵雙極晶體管
[8168-0066-0019] 半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的制造方法
[8168-0152-0020] 高效電子制冷芯片
[8168-0052-0021] 液相生長方法、液相生長設備和太陽電池
[8168-0075-0022] 半導體裝置
[8168-0132-0023] 檢查半導體器件的外觀的系統及其方法
[8168-0175-0024] 電阻率測量用外延晶片的制備工藝
[8168-0043-0025] 半導體結構及其制造方法
[8168-0104-0026] 半導體器件的電容器的制造方法
[8168-0046-0027] 光敏器件和具有內電路系統的光敏器件
[8168-0209-0028] 具有高介電常數柵絕緣體的ulsimos
[8168-0107-0029] 具有內在銅離子遷移勢壘的低介電常數的介電材料
[8168-0198-0030] 設計方法、掩模組、集成電路及其制造方法和存儲介質
[8168-0192-0031] 用紫外激光輸出切斷導電鏈路的方法
[8168-0093-0032] 具有圓形的水平臂的自由滑動垂直架
[8168-0013-0033] 用于場效應器件的高速復合p溝道si/sige異質結構
[8168-0089-0034] 顯示器件
[8168-0026-0035] 半導體的制造方法
[8168-0045-0036] 有機電致發光顯示器件
[8168-0155-0037] 垂直型金屬氧化物半導體晶體管
[8168-0047-0038] 標準單元、標準單元陣列及其布局和布線的系統與方法
[8168-0099-0039] 固體攝像裝置
[8168-0072-0040] 大面積顯示結構的密封
[8168-0147-0041] 電致發光器件
[8168-0136-0042] 繪制圖形校驗方法
[8168-0008-0043] 改進的高品質因數電容器
[8168-0108-0044] 真空場效應晶體管
[8168-0206-0045] 固態成像器件及其制造方法和固態成像系統
[8168-0172-0046] 特別用于表盤的具有帶色外觀的光生伏打電池
[8168-0157-0047] 電子模塊
[8168-0186-0048] 半導體器件及其制造方法
[8168-0037-0049] 超音波發生裝置、多層柔性電路板及其制造方法
[8168-0106-0050] 一種錫球生產工藝
[8168-0193-0051] 半導體器件
[8168-0141-0052] 垂直mos晶體管
[8168-0179-0053] 壓電執行元件
[8168-0061-0054] 電致發光顯示器件及其制造方法
[8168-0035-0055] 形成位線接觸和進行離子注入的方法
[8168-0162-0056] 與硅之間具有金屬氧化物界面的半導體構造的制造方法
[8168-0169-0057] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[8168-0090-0058] 立式集成電路裝置
[8168-0173-0059] 去除有機物的方法
[8168-0200-0060] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[8168-0011-0061] el顯示裝置和用于制造所述顯示裝置的方法
[8168-0185-0062] 處延雙極器件和互補金屬氧化物半導體器件的方法
[8168-0102-0063] 由樹脂制成應力吸收層的倒裝片型半導體器件及制造方法
[8168-0137-0064] 行－列可尋址電微開關陣列及使用其的傳感器矩陣
[8168-0139-0065] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8168-0130-0066] 互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
[8168-0153-0067] 發光二極管裝置
[8168-0029-0068] 電致發光顯示器及電子設備
[8168-0062-0069] 具有腔體的金屬絲熔絲結構
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[8168-0001-0071] 壓電驅動裝置
[8168-0056-0072] 包括連接橫向rf mos器件的源區與背側的插頭的類網狀柵結構
[8168-0051-0073] 電子束寫入方法、電子束刻蝕設備及其所用掩模
[8168-0121-0074] 具有場效應晶體管的半導體器件的制造方法
[8168-0138-0075] 可切換感光靈敏度的有機二極管
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[8168-0033-0089] 半導體器件
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