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[8102-0095-0001] 半導體器件的制造方法及由此制造的半導體器件
[摘要] 公開了一種通過選擇性地形成擴散阻擋層來制造半導體器件的方法，和由此制造的半導體器件。在該制造方法中，在半導體襯底上形成了導電圖案和覆蓋導電圖案的絕緣層。構圖絕緣層從而形成用于暴露導電圖案的至少一部分的開口。然后，利用選擇性沉積技術在具有開口的半導體襯底上形成擴散阻擋層。擴散阻擋層在暴露的導電圖案上形成的厚度比在暴露于開口內部的絕緣層上的擴散阻擋層的厚度更薄。然后，蝕刻擴散阻擋層，由此形成凹陷(recessed)擴散阻擋層。按照這種方式，防止了金屬原子從填充開口的金屬插塞或金屬互連向絕緣層擴散。
[8102-0026-0002] 集成驅動器工藝流程
[摘要] 一種集成器件包括：一個或多個器件驅動器和單片地耦合到所述一個或多個驅動器電路的衍射光調制器。所述一個或多個驅動器電路被配置成用于處理接收的控制信號和將處理的控制信號傳送給所述衍射光調制器。一種制造所述集成器件的方法優選地包括制造多個晶體管的每一個的前端部分；絕緣所述多個晶體管的前端部分；制造一個衍射光調制器的一前端部分；絕緣所述衍射光調制器的所述前端部分；為所述多個晶體管制造內部連線；應用一敞口陣列掩模和濕式蝕刻以達到所述衍射光調制器；和制造所述衍射光調制器的一后端部分，從而單片地耦合所述衍射光調制器和所述多個晶體管。
[8102-0045-0003] 可表面安裝的半導體器件及其制造方法
表面安裝的半導體器具有一個半導體芯片(1)、至少兩個與半導體芯片(1)的至少兩個電觸點導電連接的外部電接頭(3、4)和一個芯片封裝(5)。其中兩個外部電接頭(3、4)設置在一個厚度小于或等于100微米的薄膜(2)上。半導體芯片(1)固定在薄膜(2)的第一主面(22)上，芯片封裝(5)設置在第一主面(22)上。本發明還提出這種器件的一種制造方法。
[8102-0070-0004] 執行掩模圖案的透射調節以改善處理寬容度的方法
[摘要] 一種用在光刻工藝中的產生掩模的方法。該方法包括確定具有多個將被成像的特征的目標掩模圖案和用于成像掩模的照明系統；識別在目標圖案中的臨界間距并為了成像臨界間距而優化照明系統的照明設置；識別目標圖案的禁用間距；并且修正具有等于或基本上等于禁用間距的間距的特征的透射率以致于等于或基本上等于禁用間距的特征的曝光寬容度增加。
[8102-0054-0005] 半導體發光裝置及其制法和半導體發光裝置用反射器
[摘要] 一種半導體發光裝置，具有：金屬制的支承板(1)，固定于支承板(1)的光反射性的反射器(3)，在反射器(3)的內部空洞(3a)內被固定在支承板(1)上的發光二極管(2)，和將反射器(3)的外周部及支承板(1)的上面(1c)密封的樹脂密封體(6)。反射器(3)，由于與配線導體(5)電連接、或由細導線(8)通過形成于半導體發光元件(2)與配線導體(5)之間的缺口部(3k)而使半導體發光元件(2)與配線導體(5)連接，所以，可將連接于半導體發光元件的細導線(8)的配線距離縮短而防止變形，同時，可減小反射器(3)的反射面(3c)的直徑且增加距支承板(1)的高度而提高半導體發光裝置的光指向性及正面輝度。另外，由于可在反射器(3)上形成內部空洞(3a)，從而可由耐熱性樹脂形成樹脂密封體(6)而避免樹脂的熱劣化。
[8102-0104-0006] 閃速存儲器的制造方法
[摘要] 本發明公開一種閃速存儲器的制造方法，此方法包括：先提供襯底，且此襯底中包括有多個元件隔離結構以定義出有源區，且此有源區的襯底上依序形成有穿隧介電層與掩模層。然后，于襯底上形成犧牲層。之后，對此犧牲層進行微影蝕刻工藝，以保留下位于這些元件隔離結構上的犧牲層。繼之，在移除掩模層后，于襯底上形成導體層。接著，移除部分的導體層直到暴露出犧牲層的頂部。之后，在移除犧牲層后，于襯底上形成柵極間介電層。然后，在于柵極間介電層上形成控制柵極后，于控制柵極兩側的襯底中形成源極區與漏極區。
[8102-0174-0007] 薄膜晶體管
[摘要] 一種制造tft的方法，包括：蝕刻襯底(1)上的基層結構(9)，使得形成具有朝向頂點區(12)延伸的斜側邊緣(4a、4b)的柵極(4)，該頂點區(12)具有半徑為幾納米的尖端(13)，在該斜側邊緣和該頂點區之上淀積非晶硅溝道層(6)，在該溝道層之上淀積金屬層(8)，使得覆蓋該頂點區和該側邊緣，在該導電材料之上涂覆一層掩蔽材料(14)并對其進行選擇性蝕刻，以便該頂點區中的金屬層(8)從該掩蔽材料伸出穿過并直立，以及選擇性地蝕刻該頂點區中伸出穿過該掩蔽材料(14)的金屬(8)，以便提供覆蓋該斜邊緣、其間具有短溝道(l)的分開的自對準的源區和漏區(8a、8b)。
[8102-0017-0008] 表面紋理結構與一種最小化和局部化晶格常數及熱漲系數失配的方法
[摘要] 晶格常數和熱漲系數的失配是半導體器件(包括半導體發光二極管led)中的重要問題之一。本發明揭示：(1)在生長襯底的表面上制備表面紋理結構，以便在表面紋理結構上生長高質量的外延層；(2)在所述的外延層的表面上制備表面紋理結構，以便在表面紋理結構上生長高質量的第二外延層；(3)一個局部化和最小化由晶格常數和熱漲系數的失配帶來的不良效應的方法。制備表面紋理結構的過程可以被重復多次。不同的外延層發出不同波長的光。因此，具備多層外延層的半導體發光二極管發出白色或預定的顏色的復合光。
[8102-0133-0009] 與非門型閃存存儲單元列及其制造方法
[摘要] 一種與非門型閃存存儲單元列及其制造方法。其存儲單元列，包括第一、第二層疊柵極結構；控制、浮置柵極；柵間介電層、隧穿介電層、摻雜區以及源區/漏區。第一層疊柵極結構具有擦除柵極介電層、擦除柵極與覆蓋層。第二層疊柵極結構具有選擇柵極介電層、選擇柵極與覆蓋層。控制柵極位于各第一層疊柵極結構之間和各第二層疊柵極結構與相鄰的第一層疊柵極結構之間。浮置柵極位于控制柵極與襯底之間，且其具有邊緣呈尖角狀的下凹表面。而柵間介電層位于控制與浮置柵極之間。隧穿介電層則位于浮置柵極與襯底之間。此外，摻雜區位于第一層疊柵極結構下，而源區/漏區位于除第二層疊柵極結構以外暴露出的襯底中。
[8102-0139-0010] 固態成像器件
[摘要] 提供一種具有其中對各個像素獲得阱接觸的布置的固態成像器件。在固態成像器件中，阱接觸部件形成于光電轉換部分的有源區中。阱接觸部件把其中設置有像素的晶體管和光電轉換部分和光電轉換部分的阱固定于預定電勢。
[8102-0178-0011] 各向異性導電連接器,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
[8102-0059-0012] 制作阻擋層的方法
[8102-0036-0013] 副支架和半導體器件
[8102-0161-0014] 發光裝置及照明裝置
[8102-0168-0015] 半導體晶片的制造方法
[8102-0087-0016] 一種管狀缺陷的檢測方式
[8102-0114-0017] 半導體裝置、磁傳感器和磁傳感器單元
[8102-0195-0018] 場效應晶體管
[8102-0008-0019] 源極及漏極中聚含摻質金屬的晶體管
[8102-0185-0020] 放熱用構件及其連接構造體
[8102-0098-0021] 專用半導體電路及半導體電路驅動器的資源配置方法
[8102-0078-0022] 化學機械研磨方法、化學機械研磨系統、半導體器件制造方法
[8102-0080-0023] 制造半導體器件的方法
[8102-0073-0024] 多晶半導體膜制造方法及其裝置和圖像顯示面板
[8102-0096-0025] 帶收縮性離型膜的切割膜及使用其的半導體組件制造方法
[8102-0030-0026] 基板處理裝置及其基板處理方法
[8102-0060-0027] 光耦合器以及使用該光耦合器的電子設備
[8102-0092-0028] 半導體器件及其制造方法
[8102-0160-0029] 半導體發光器件
[8102-0024-0030] 有機發光二極管及包含其的顯示面板與通訊裝置
[8102-0021-0031] 電子裝置的制造方法
[8102-0094-0032] 半導體裝置的制造方法
[8102-0049-0033] 場效應晶體管
[8102-0062-0034] 半導體器件
[8102-0025-0035] 使用交替淀積和蝕刻以及脈沖等離子體對高縱橫比soi結構進行沒有切口的蝕刻
[8102-0135-0036] 深溝渠式電容以及單晶體管靜態隨機存取內存單元的結構
[8102-0034-0037] 氧化層的方法及基板的相關支持裝置
[8102-0166-0038] 用于檢測襯底位置/存在的共用傳感器
[8102-0156-0039] 垂直結構的半導體芯片或器件（包括高亮度led）
[8102-0082-0040] 半導體器件及其制造方法
[8102-0031-0041] 半導體用研磨劑、該研磨劑的制造方法和研磨方法
[8102-0123-0042] 半導體器件
[8102-0079-0043] 固定在加強半導體晶圓上的加強板的分離方法及其裝置
[8102-0039-0044] 精密加工用載物臺裝置
[8102-0105-0045] 閃速存儲器的制造方法
[8102-0145-0046] 紫外線傳感器及其制造方法
[8102-0069-0047] 替代襯底及使用該替代襯底的襯底處理方法
[8102-0067-0048] 半導體器件及其制造方法
[8102-0009-0049] 薄膜晶體管元件
[8102-0011-0050] 一種太陽能轉化電熱能集成玻璃換熱元件
[8102-0134-0051] 存儲單元列及其構成的陣列、及該陣列的制造與操作方法
[8102-0170-0052] 強電介質存儲器、半導體裝置、強電介質存儲器的制造方法以及半導體裝置的制造...
[8102-0215-0053] 晶片的加工方法
[8102-0122-0054] 電路裝置
[8102-0200-0055] 具有自對準結構的垂直柵半導體器件
[8102-0117-0056] 低功率熔絲結構及其制造方法
[8102-0211-0057] 半導體裝置、電光學裝置、集成電路及電子設備
[8102-0071-0058] 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及制法和應用
[8102-0126-0059] 半導體裝置制造方法、半導體裝置和半導體芯片
[8102-0072-0060] 抗蝕圖形形成方法、利用該方法的半導體裝置及其曝光裝置
[8102-0057-0061] 壓電執行器及其制造方法
[8102-0121-0062] 電路裝置
[8102-0194-0063] 光電二極管陣列、其制造方法和放射線檢測器
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[8102-0055-0065] gan基發射輻射的薄膜半導體器件
[8102-0206-0066] 半導體裝置、其電檢查方法、以及具備它的電子設備
[8102-0032-0067] 氣體供給裝置及處理系統
[8102-0058-0068] 具有半導體路徑的半導體裝置及其制造方法
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[8102-0101-0070] 快閃存儲器結構及其制作方法
[8102-0167-0071] 用于快速熱處理裝置的溫度測量系統的光學路徑提高、焦距變化補償、以及漫射光...
[8102-0172-0072] 從襯底表面選擇性去除材料的方法,用于晶片的掩蓋材料和帶有掩蓋材料的晶片
[8102-0037-0073] 等離子體處理系統中的整合階梯式統計過程控制
[8102-0044-0074] 電子對準電容性地耦合的芯片焊盤的方法和裝置
[8102-0091-0075] 晶片等支撐部件
[8102-0188-0076] 高功率mcm封裝
[8102-0112-0077] 半導體器件
[8102-0004-0078] 自對準分離柵與非型快閃存儲器及制造工藝
[8102-0084-0079] 電子元件安裝裝置和電子元件安裝方法
[8102-0210-0080] 半導體薄膜制造方法及裝置、光束成形掩模及薄膜晶體管
[8102-0015-0081] 可增加自發光線射出效率的發光二極管
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[8102-0144-0083] 溝道中具淺鍺注入區的晶體管
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[8102-0205-0087] 半導體器件的制造方法、半導體器件、電光裝置用基板、電光裝置和電子設備
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[8102-0217-0089] 沉積方法與半導體器件
[8102-0157-0090] 固態元件和固態元件裝置
[8102-0132-0091] 半導體存儲器件及其制造方法
[8102-0158-0092] 半導體發光裝置及制造方法
[8102-0066-0093] 半導體基板、半導體裝置、及它們的制造方法
[8102-0180-0094] 各向異性導電連接器,導電漿料成分,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
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[8102-0201-0104] 具有到溝道的鈍化肖特基勢壘的絕緣柵場效應晶體管
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