器件,制造半導體器件,存儲器件,靜電感應器件類技術資料(168元/全套)貨到付款
歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F339451
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8169-0076-0001] 進行存儲器件的缺陷泄漏篩選試驗的裝置和方法
[摘要] 一種進行存儲器件的缺陷泄漏篩選測試的方法包括步驟：通過在測試的讀取操作期間改變存儲器件的ｐ阱電壓表征由漏電流、結漏電流、或亞閾值漏電流造成的特定單個位失效；用測試碼初始程序裝入（ｉｐｌ）改變ｐ阱電壓。此外，附加的邏輯提供在存儲ｉｃ上以譯碼ｉｐｌ邏輯信號；為了進行ｐ阱改變測試，存儲器件提供有：ｉｐｌ譯碼邏輯；參考電壓發生器；ｉｐｌ參考電壓多路轉換器；ｐ阱電壓反饋電路；以及差分放大器電路。
[8169-0111-0002] 超大規模集成電路的制造方法
[摘要] 本發明的ｖｌｓｉ制造方法，包括綜合優化、布局布線輸出制掩膜版格式，制作芯片的步驟，其中還包括建立均衡時鐘樹和產生數據樹步驟；埋設多個延遲單元和檢測電路的預埋步驟；定位具有時序沖突的宏模塊及庫單元的檢測步驟；以及調整時序步驟。本方法不需要將布局布線的全部環境納入前端設計中，不需要龐大的數據處理及強大的硬件支持，從而降低了集成電路制造成本。
[8169-0066-0003] 碳化硅襯底上具有導電緩沖中間層結構的ⅲ族氮化物光子器件
這里公開了一種具有ⅲ族氮化物有源層的光電子器件，該器件包括：碳化硅襯底；具有ⅲ族氮化物有源層的光電子二極管；選自由氮化鎵和銦鎵氮構成的組中的緩沖結構，該結構位于所說碳化硅襯底和所說光電子二極管間；及應力吸收結構，包括在所說緩沖結構的晶體結構內的多個預定應力釋放區，以便所說緩沖結構中產生的應力誘發開裂，發生在所說緩沖層內的預定區域，而非其它區域。
[8169-0199-0004] 寬帶隙半導體中的功率器件
[摘要] 本發明描述了一優選器件，它包括在結隔離襯底或半絕緣襯底（例如碳化硅）上制造的諸如超大功率開關器件的半導體器件。
[8169-0179-0005] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 通過保證充足存儲電容值（cs）時獲得較高孔徑率，同時通過以適時方式分散電容器引線的負載（象素寫入電流）以有效地減少負載，從而提供一種液晶顯示裝置。掃描線形成在與柵電極不同的層面上，電容器布置成與信號線平行。每個象素通過電介質與各自獨立的電容器引線連接。這樣，可避免由相鄰象素的寫入電流產生的電容器引線的電勢變化，進而獲得了滿意的顯示圖象。
[8169-0181-0006] 太陽能電池裝置及其制造方法
[摘要] 一種太陽能電池（2），具有依次疊合絕緣透明玻璃基片（10）、透明氧化物緙?2）、通過對透明氧化物電極（12）進行氧化性等離子體處理而形成的表面處理層（14）、氮化硅膜（16）、p型半導體層（18）、緩沖層（20）、本征半導體層（22）、n型半導體層（24）、以及金屬電極（26）而成的多層結構。透明氧化物電極（12）的表面通過表面處理層（14）而化學穩定化，由此提高開路端電壓。
[8169-0172-0007] 利用碳納米管的場發射顯示裝置及其制造方法
[摘要] 一種場發射顯示裝置及其制造方法。在該裝置中一個用作陰極的第一金屬膜形成一個下基底上，一個絕緣膜模板和一個第二金屬膜模板形成在該第一金屬膜上，其中每一個具有多個細孔以便暴露該第一金屬膜。一種液態導電高聚合物膜形成在該細孔內。用作發射器頂端的碳納米管垂直排列在該聚合物膜上。該第二金屬膜模板上安裝有間隔器，附著有透明電極和熒光材料的上基底安裝在該間隔器上。相應地，通過在第二金屬膜和絕緣膜內形成細孔且把碳納米管放進該細孔的方法，可以簡單地作成使用碳納米管的fed裝置。
[8169-0057-0008] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 在將半導體芯片安裝在插件板上之前，在半導體芯片的背面形成絕緣層。如果通過形成絕緣膜來形成絕緣層，則能可靠地粘合預定的厚度以可靠地形成電絕緣。帶有絕緣層的半導體芯片固定在插件板上，在板上有表面互連。半導體芯片與表面互連彼此通過絕緣層絕緣。因此，可以使用最少量的粘合劑。因為半導體芯片可以被施壓，其可靠地與插件板結合。由互連導致表面凹凸的板可由粘合劑填平和覆蓋，使插件板的表面沒有空隙。
[8169-0214-0009] 半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
[摘要] 按晶片規模制造半導體封裝，該封裝，管芯的兩側接觸。晶片的背面側附著于金屬板上。鋸切分開管芯的劃線，露出金屬板，但該切割不透過金屬板。在管芯的正面側上形成可包括多個金屬子層的金屬層，金屬覆蓋在金屬板的露出部分上，并覆蓋管芯側邊緣。金屬層分開部分還可覆蓋在管芯正面側上的連接焊盤上。用比第一組鋸切所用刀片窄的刀片，與第一組鋸切一致地進行第二組鋸切。結果，金屬層保留在連接管芯的背面側和正面側的管芯側邊緣上。
[8169-0184-0010] 半導體裝置及其制造方法、半導體模塊、電路基板以及電子裝置
[摘要] 一種半導體裝置的制造方法，包括：將在長度方向上重復地形成了在寬度方向上排列了多個鍵合部（14）的載帶（10）卷取到卷軸（24）上而準備好的工序；至少在鍵合部（14）上設置各向異性導電膜（30）的工序；將半導體元件（32）的具有電極（34）的面（36）放置在各向異性導電膜（30）上的工序；在鍵合部（14）的方向上擠壓半導體元件（32）以便導電性地連接鍵合部（14）與電極（34）的工序；在載帶（10）上形成外部電極（38）的工序；以及對于每一個半導體元件（32）將載帶（10）沖切為各個小片的工序。
[8169-0215-0011] 半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
[8169-0122-0012] 發光二極管式圣誕燈燈泡及其制造方法
[8169-0017-0013] 微細加工熱輻射紅外傳感器
[8169-0171-0014] 原位晶片清洗方法
[8169-0024-0015] 制造半導體器件的方法
[8169-0039-0016] 電光裝置和電子裝置
[8169-0051-0017] 雙型薄膜場效應晶體管及其應用
[8169-0016-0018] 半導體封裝、半導體器件及其制造方法
[8169-0121-0019] 帶有靜電放電保護結構的減少了電容的晶體管及其制造方法
[8169-0026-0020] 包括高溫熱處理的半導體器件制造方法
[8169-0152-0021] 介電層的制造方法
[8169-0088-0022] 與電路一體化的光接收器件及其制造方法
[8169-0043-0023] 在集成電路中用于數據和定時信號的予取結構及其方法
[8169-0211-0024] 半導體芯片的固定方法和固定裝置
[8169-0082-0025] 太陽能電池
[8169-0040-0026] 半導體裝置及其制造方法
[8169-0001-0027] 使用隔離間隔層改進自對準接觸工藝流程的方法
[8169-0062-0028] 平面研磨裝置
[8169-0105-0029] 具有冗余功能的半導體存儲裝置
[8169-0032-0030] 具有高密度輸入/輸出數量的集成器件的電接口
[8169-0030-0031] 半導體裝置
[8169-0193-0032] 盒用長條形肋和基板用盒
[8169-0137-0033] 改善電子元件中的像素電荷轉移的電子元件和方法
[8169-0035-0034] 拋光銅膜后清潔處理半導體襯底的方法和設備
[8169-0129-0035] 半導體二極管
[8169-0177-0036] 具有可獨立調節參數的晶體管的結構與工藝集成
[8169-0020-0037] 具有mis脈沖保護器的rc半導體集成化電路
[8169-0160-0038] 半導體裝置
[8169-0014-0039] soi的可操作浮柵接觸
[8169-0174-0040] 半導體裝置
[8169-0192-0041] 一種一次性使用ic模塊的設計方法及生產工藝
[8169-0086-0042] 半導體疊層襯底、晶體襯底和半導體器件及其制造方法
[8169-0037-0043] 紅外發光元件用外延晶片和使用該晶片的發光元件
[8169-0023-0044] 半導體裝置、半導體裝置的安裝結構、液晶裝置和電子裝置
[8169-0213-0045] 半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
[8169-0078-0046] 在半導體器件制造中減小非均勻區影響的方法和設備
[8169-0067-0047] 半導體電力變換裝置及其應用裝置
[8169-0155-0048] 制造具有半導體層的半導體器件的方法
[8169-0034-0049] 元件及制造元件的方法
[8169-0134-0050] 具有不對稱諧振隧道的發光二極管
[8169-0157-0051] 用于電子束曝光的方法以及用于制造半導體器件的方法
[8169-0142-0052] 可表面裝配的光電子組件及其制造方法
[8169-0190-0053] 半導體存儲器件的電容器及其制造方法
[8169-0070-0054] 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
[8169-0127-0055] 制造半導體器件的方法
[8169-0217-0056] 腐蝕絕緣層和制作半導體器件的工藝
[8169-0005-0057] 監測電荷中和過程的方法和裝置
[8169-0050-0058] 電發光顯示器和電子設備
[8169-0092-0059] 一種半導體封裝用的液體環氧組合物及其用途
[8169-0071-0060] 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
[8169-0187-0061] 薄膜形成方法及半導體發光元件的制造方法
[8169-0041-0062] 制造柵導體層面上的空腔熔絲
[8169-0116-0063] 半導體器件及其制造方法
[8169-0198-0064] 電可擦除可編程分裂柵的存儲單元
[8169-0065-0065] 具有電壓反饋的壓電變壓器
[8169-0044-0066] 帶疊置電容器的存儲器單元
[8169-0208-0067] 替換動態隨機存取存儲器中不工作金屬線的方法和裝置
[8169-0126-0068] 濕處理裝置
[8169-0161-0069] 電子部件及其制造方法
[8169-0163-0070] 鐵電薄膜的制造方法、鐵電電容器、鐵電存儲器及其制造方法
[8169-0154-0071] 制造半導體器件中的晶體管的方法
[8169-0176-0072] 安裝有球柵陣列型電路部分的基片以及其安裝方法
[8169-0114-0073] 采用環形器件的字線驅動電路
[8169-0091-0074] 接觸結構及半導體器件
[8169-0117-0075] 半導體的歐姆接觸層及其制造方法
[8169-0027-0076] 用于銅互連的阻擋層的形成方法
[8169-0085-0077] 熱電轉換材料及其制造方法
[8169-0083-0078] 利用噴墨印刷技術制造有機半導體器件的方法及器件和利用該器件的系統
[8169-0145-0079] 壓電元件
[8169-0159-0080] 消除金屬化學汽相淀積期間的邊緣效應的方法
[8169-0169-0081] 半導體器件及其制造方法
[8169-0136-0082] 太陽能電池組件的布線結構
[8169-0021-0083] 用于封裝后dram修復的耐熔熔絲電路
[8169-0094-0084] 用多晶硅掩模和化學機械拋光制造不同柵介質厚度的工藝
[8169-0059-0085] 改進動態隨機存取存儲器工藝的氮化物襯里隔離軸環
[8169-0206-0086] 耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
[8169-0131-0087] 用于固定集成電路封裝到散熱片的安裝結構
[8169-0141-0088] 半導體器件及其制造方法
[8169-0201-0089] 用于航天器的收放式薄膜型太陽能聚集器
[8169-0102-0090] 可提高發光亮度的發光二極管及其制作方法
[8169-0119-0091] 用于制造其漏電電流密度降低的一個半導體結構的方法
[8169-0180-0092] 帶有光傳輸部件的裝置
[8169-0004-0093] 電容器及其制造方法
[8169-0096-0094] 加固了的半導體晶片容器
[8169-0148-0095] 微晶光電元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和發電裝置
[8169-0098-0096] 半導體工件處理裝置及方法
[8169-0042-0097] 電光裝置和電子設備
[8169-0150-0098] 半導體器件和制造這種半導體器件的方法
[8169-0028-0099] 一種半導體器件的生產方法
[8169-0019-0100] 用有機和無機雜化材料作半導電溝道的薄膜晶體管
[8169-0140-0101] 深硅槽工藝技術
[8169-0064-0102] ⅲ－ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
[8169-0135-0103] 生產薄膜單晶器件的方法、太陽能電池組件和其生產方法
[8169-0079-0104] 生產半導體部件的方法,生產太陽能電池的方法和陽極化處理設備
[8169-0099-0105] 用于形成一個半導體器件的方法
[8169-0204-0106] 有機發光二極管中作熱發射和電荷輸送層用的離子鹽染料
[8169-0097-0107] 深反應離子刻蝕中可動部件的附加結構保護方法
[8169-0144-0108] 壓電體極化處理方法
[8169-0113-0109] 動態隨機存取存儲器的電容器條
[8169-0195-0110] 激光熱處理用光學系統和激光熱處理裝置
[8169-0183-0111] 半導體裝置及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8169-0056-0112] 采用低電壓電平的同步數據獲取電路及方法
[8169-0151-0113] 電子元件用的電子封裝及其制造方法
[8169-0036-0114] 輸送系統
[8169-0003-0115] 制造動態隨機存取存儲器單元電容器的方法
[8169-0205-0116] 光電壓產生器
[8169-0038-0117] 電致發光顯示器件、驅動方法和帶有電致發光顯示器件的電子設備
[8169-0188-0118] 壓電變壓器
[8169-0031-0119] 在半導體器件內連接各部分的方法
[8169-0120-0120] 制作包含與硅的金屬氧化物界面的半導體結構的方法
[8169-0073-0121] 千兆級無邊界接觸的新接觸形狀及其制造方法
[8169-0108-0122] 半導體器件
[8169-0209-0123] 引線框架及使用它的樹脂密封件和光電子裝置
[8169-0186-0124] 半導體裝置、電光裝置用基板、電光裝置、電子裝置以及投射型顯示裝置
[8169-0090-0125] 布線及其制造方法、包括所說布線的半導體器件及干法腐蝕方法
[8169-0101-0126] 用于生產熱電元件材料的燒結體的方法
[8169-0012-0127] 光電子半導體元件
[8169-0104-0128] 電光裝置和使用了該電光裝置的電子裝置
[8169-0125-0129] 半導體器件的制造方法
[8169-0164-0130] 制造溝槽動態隨機存取存儲器中電容器掩埋片的工藝
[8169-0112-0131] 對準于垂直晶體管的掩埋表面條用的混合5f2單元布局
[8169-0029-0132] 形成cmos器件的雙金屬柵結構的方法
[8169-0068-0133] 含染料的有機－無機雜化物材料作為發射層的電致發光器件
[8169-0072-0134] 半導體存儲器元件的電容器及其制造方法
[8169-0061-0135] 半導體晶片裝置及其制造方法
[8169-0087-0136] 電致發光器件及其制造方法
[8169-0185-0137] 制造多層陶瓷基片的方法
[8169-0212-0138] 半導體裝置及其制造方法
[8169-0015-0139] 連接端凸點架及其制造方法
[8169-0153-0140] 晶片缺陷檢查及特性分析的方法
[8169-0202-0141] 半導體元件及其制造方法
[8169-0197-0142] 多個熱電偶的制造方法和裝置以及由此而得的熱電轉換器
[8169-0052-0143] 半導體裝置及其制造方法
[8169-0063-0144] 一種低劑量注氧制作絕緣層上硅(soi)電路的器件工藝
[8169-0080-0145] 半導體裝置及其制造方法
[8169-0047-0146] 處理一批半導體晶片的設備和方法
[8169-0147-0147] 太陽能電池及負載切換控制裝置
[8169-0210-0148] 水冷半導體器件用組裝框
[8169-0173-0149] 半導體裝置及其制造方法
[8169-0110-0150] 半導體器件及其制造方法
[8169-0008-0151] 一種ⅲa－ⅴa族化合物半導體...
[8169-0013-0152] 雙極型晶體管結構
[8169-0109-0153] 半導體封裝的焊盤結構
[8169-0007-0154] 制造金屬氧化物半導體晶體管的方法
[8169-0025-0155] 用于光掩膜自動故障檢測的改進的系統和方法
[8169-0093-0156] 半導體裝置的制造方法和半導體裝置
[8169-0077-0157] 表面粘著型整流二極管的制作方法
[8169-0218-0158] 壓電致動的化學機械拋光托盤
[8169-0058-0159] 半導體存儲元件的電容器的形成方法
[8169-0165-0160] 測試具有許多半導體器件的晶片的探針卡和方法
[8169-0166-0161] 印刷集成電路板的制備方法
[8169-0060-0162] 半導體晶片模組及其制造方法
[8169-0106-0163] 提高半導體集成電路器件中深溝槽電容的集成方案
[8169-0146-0164] 發光二極管
[8169-0049-0165] 電致發光顯示器件及電子裝置
[8169-0133-0166] 一種金屬電池的制作方法
[8169-0046-0167] 半導體基材的制造方法和太陽能電池的制造方法
[8169-0149-0168] 具有含氮柵絕緣膜的半導體器件及其制造方法
[8169-0216-0169] 半導體器件和有源矩陣襯底的制造方法及電光器件
[8169-0118-0170] 在晶格高度失配的襯底上外延生長半導體的方法
[8169-0002-0171] 在液晶顯示器中形成薄膜晶體管的方法
[8169-0054-0172] 電光器件的制造方法
[8169-0018-0173] 半導體量子振蕩器件
[8169-0115-0174] 自刷新的dram的dc老化的字線激活的定時
[8169-0033-0175] 安全的集成電路裝置和這種裝置的制造方法
[8169-0138-0176] 半導體器件和存儲器模塊
[8169-0074-0177] 通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體體接觸
[8169-0123-0178] 以藍寶石為基板的藍光發光二極管及其制造方法
[8169-0143-0179] 壓電體極化處理方法
[8169-0128-0180] 可選擇起動的壓電點火機構
[8169-0170-0181] 半導體襯底及其制造方法
[8169-0009-0182] 深溝道電容器
[8169-0089-0183] 半導體集成電路及其檢查方法、液晶裝置及電子裝置
[8169-0124-0184] 半導體器件的制造方法
[8169-0132-0185] gan單晶襯底及其制造方法
[8169-0011-0186] 半導體襯底及半導體襯底的制造方法
[8169-0139-0187] 減少轉移器件泄漏的dram單元及其制造工藝
[8169-0103-0188] 微機械熱電堆紅外探測器的制造方法
[8169-0207-0189] 半導體保護器件及其制造方法
[8169-0006-0190] 破裂檢測系統和方法
[8169-0168-0191] 電子束曝光掩模、曝光方法和設備及半導體器件制造方法
[8169-0182-0192] 用于光電應用的親和基自組裝系統及其裝置
[8169-0048-0193] 一種器件轉移技術
[8169-0081-0194] 應力衰減型電子元器件、布線板及其安裝體
[8169-0045-0195] 靜電感應器件及其制造方法
[8169-0178-0196] 掩模式只讀存儲器的程序化方法
[8169-0162-0197] 自對準于深存儲溝槽的掩埋條的改進工藝
[8169-0167-0198] 一種無引線接腳的電子零件及其制造方法
[8169-0156-0199] 激光裝置、激光退火方法和半導體器件的制造方法
[8169-0189-0200] 有源矩陣顯示器和電光元件
[8169-0095-0201] 晶片減薄后與載體分離的批量生產工藝方法及其裝置
[8169-0107-0202] 半導體集成電路裝置及其制造方法和動作方法
[8169-0175-0203] 帶有冗余襯墊的銅導電線
[8169-0203-0204] 集成電路的生產設施
[8169-0100-0205] 硅晶片研磨之后的清洗工藝
[8169-0084-0206] 硅基導電材料及其制造方法
[8169-0194-0207] 半導體裝置及其安裝結構
[8169-0130-0208] 半導體集成電路
[8169-0158-0209] 場效應晶體管
[8169-0069-0210] 太陽能電池組件
[8169-0200-0211] 碳化硅半導體開關器件
[8169-0055-0212] 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
[8169-0010-0213] 用于控制半導體晶片旋轉器系統的處理模塊的裝置和方法
[8169-0196-0214] 電子束照射法制造器件
[8169-0075-0215] 用于電子部件的金屬材料,電子部件,電子設備,以及金屬材料的處理方法
[8169-0053-0216] 制作電光器件的方法
[8169-0191-0217] 降低半導體功率器件結溫的工藝流程
[8169-0022-0218] 上下鈦層的潔凈度對鋁互連可靠性和功能的影響
[8169-0219-0219] 半導體結構及其制造方法
查詢更多技術請點擊：
中國創新技術網（http://www.887298.com）
金博專利技術網（http://www.39aa.net）
金博技術資料網（http://www.667298.com）
購買操作說明（點擊或復制）（http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt）
本部（遼寧日經咨詢有限公司技術部）擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
中國農業銀行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417 收款人: 王雷
中國建設銀行：0600189980130287777 收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中國 銀行：418330501880227509 戶 名：王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，請與QQ：547978981聯系辦理。
郵局地址匯款：117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站 收款人: 王雷
匯款后請用手機短信（13050204739或13941407298）通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
單位：遼寧日經咨詢有限公司（技術部）
地址：遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人：王雷老師
電 話：0414-2114320 3130161
手 機：13941407298 13050204739
客服QQ：547978981 824312550 517161662
敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證，查看認證信息請點擊：http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：547978981聯系辦理。
本公司供應器件,制造半導體器件,存儲器件,靜電感應器件類技術資料(168元/全套)貨到質量保證，歡迎咨詢洽談。
批發市場僅提供代購諮詢服務，商品內容為廠商自行維護，若有發現不實、不合適或不正確內容，再請告知我們，查實即會請廠商修改或立即下架，謝謝。
