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[8135-0152-0001] 光電組件的小座
[摘要] 本發明涉及一個用于安裝光電元件的小座。該小座將多個互相連接線堆疊在一個不導電材料體上；并且相互連接的線中的接地線通過一個通孔與埋入該不導電材料體中的一個接地表面連接。在將幾個光電元件安裝在該小座上的工序中，光電元件直接與該接地線接地，并以最短的距離與相應的信號線連接。這樣，可以減小由于在連接導線附近的寄生成分造成的反射損失和傳輸損失。
[8135-0141-0002] 互連結構及其形成方法
[摘要] 本發明公開了一種互連結構及其形成方法。在銅后端集成電路技術中，采用低k有機物基層間電介質的先進技術存在碳污染的問題，該問題在采用氧化物作為電介質的電路中不會出現。用于銅線的復合襯墊層使用ti作為底層，其具有吸收碳和其它污染物的性能。通過增加隔離ti和銅的tin層，避免了ti與銅反應形成高電阻化合物的公知問題。
[8135-0088-0003] 異質結場效應型半導體器件及其制造方法
在異質結場效應型半導體器件中，溝道層(5，5)形成在gaas襯底(1)上，不包含鋁的第一半導宀閾緯稍詮檔啦?9，9)上。第一導電類型的第一和第二帽蓋層(11，11’，11’a，11’b)形成在所述第一半導體層上，在第一半導體層上產生溝槽(11a)。第一和第二歐姆電極(14s，14d)分別形成在所述第一和第二帽蓋層上。第二導電類型的第二半導體層(15，15’，15”)形成在溝槽內的第一半導體層上，第二半導體層與第一和第二帽蓋層隔開。柵電極(13)形成在第二半導體層上。
[8135-0166-0004] 容易變更布局的半導體集成電路
[摘要] 本發明提供一種能夠減少進行布局變更和伴隨該布局變更的電路的特性校驗和評價所需的人力的半導體集成電路。該半導體集成電路中設有：伴隨內部配置的電路構成元件的功能和性能的變更而變更布局的可變部分；以及不伴隨該可變部分內的電路構成元件的變更而變更布局的、配置了與設為閉合電路時的信號傳送有關的特性已被了解的cpu中心部(2)和外圍功能部(3)等構成的電路的固定區域。
[8135-0153-0005] 一種熱界面材料及其制造方法
[摘要] 本發明是關于一種熱界面材料，該熱界面材料包括一聚合物材料和分布于該聚合物材料中的碳納米管陣列，該碳納米管陣列在垂直熱界面材料方向形成導熱通道，得到導熱系數極高的熱界面材料。另外，本發明還提供了該熱界面材料的制造方法。
[8135-0030-0006] 形成氧化層的方法
[摘要] 本發明公開了一種形成氧化層的方法，該方法在具有不同摻雜水平和/或不同摻雜劑類型的表面上形成基本上均勻的氧化物膜。在一個方面，公開了一種在重度摻雜的n型和p型柵極的側壁上形成均勻的氧化物隔離壁的方法。該方法包括：提供一半導體襯底，其具有至少兩個有相異摻雜劑特性的區域；可選地加熱該襯底；以及通過將襯底暴露在包括原子氧的氣體混合物中來在該至少兩個區域上形成均勻的氧化層。
[8135-0181-0007] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 現有功率mosfet中，在有效工作區最外周的柵電極底部發生電場集中，導致漏區-源區(或集電極-發射極)間耐壓惡化。本發明提供一種半導體器件及其制造方法，形成有效工作區最外周的槽使其比有效工作區的槽還要深。因此緩和在有效工作區的柵電極底部的電場集中，能夠抑制漏區-源區(或集電極-發射極)間耐壓惡化。進而采用擴大最外周的槽開口部的辦法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。
[8135-0007-0008] 修補主動式有機發光二極管的方法
[摘要] 一種修補主動式有機發光二極管的方法，此方法首先提供一薄膜晶體管數組基板，其中在薄膜晶體管數組基板上已包括形成有一陽極層、一發光層以及一陰極層，以構成復數個像素結構。倘若像素結構上因陽極層與陰極層短路而產生一缺陷時，利用一激光束燒灼缺陷處，而將缺陷處的陰極層移除，或是將缺陷處的陰極層、發光層以及陽極層移除。
[8135-0033-0009] 光學機構的封裝方法及該光學機構
[摘要] 一種光學機構的封裝方法，依序包括一將可感光的晶片焊黏于導線架的焊晶步驟、一將封模材料壓注形成圍繞晶片且與導線架相連結的封裝膠體的封模步驟、一將多個電性連接件分別相對應地電性連結晶片與導線架的電性連結步驟、一將具有連結壁與貫穿連結壁且可透光的透光件的封蓋與封裝膠體相連結以形成感光裝置的連結步驟，及將封蓋的連結壁抵觸基板并將導線架相對基板電性連結的焊固步驟，借助該封裝膠體與該封蓋的連結壁的厚度總和，與該封蓋的連結壁抵觸基板，可簡易地使感光裝置相對基板固定不動，并使外界光線經由該透光件可精確成像于該晶片上。
[8135-0097-0010] 有機發光二極管元件及其有機發光層材料
[摘要] 一種有機發光二極管元件，此元件是由配置在一透明基板上的一陽極、配置在陽極上的一有機發光層以及配置在有機發光層上的一陰極所構成。其中，有機發光層中所包含的發光材料，以式(1)為基本架構所開發出的化合物。
[8135-0146-0011] 填補復晶硅細縫的方法
[8135-0218-0012] 在半導體或電介質晶片上制作的系統級封裝
[8135-0003-0013] 用于形成具有凹狀微透鏡的圖象傳感器的方法
[8135-0093-0014] 用于制造雪崩溝槽光學檢測器的方法以及檢測器
[8135-0100-0015] 除水薄膜形成方法
[8135-0138-0016] 減少半導體組件產生淺溝渠隔離凹陷效應的方法
[8135-0021-0017] 半導體制造的runcard管理系統及方法
[8135-0160-0018] 電路裝置及其制造方法
[8135-0064-0019] 含有用于卸掉有缺陷部分的卸荷電路的半導體器件
[8135-0129-0020] 形成規格化晶體管組件的方法
[8135-0049-0021] 縱向靜態隨機存取存儲器單元器件及其形成方法
[8135-0075-0022] 具形成于網區選擇性晶體管之積體半導體內存
[8135-0158-0023] 以導線架為承載件的開窗型球柵陣列半導體封裝件及制法
[8135-0192-0024] 高熱傳導且可隔絕濕氣滲透的致冷晶片及其制造方法
[8135-0144-0025] 用于改善腐蝕性和耐熱性的包含多層金屬膜疊層的互連
[8135-0059-0026] 包括金屬-絕緣體-金屬電容器的集成電路裝置和半導體裝置
[8135-0040-0027] 觀測可編程數字集成電路芯片內部所有信號的方法和系統
[8135-0043-0028] 處理集成電路的設備和方法
[8135-0036-0029] tab帶狀載體及其生產方法
[8135-0058-0030] 用于減少疊置通孔中熱-機械應力的結構和方法
[8135-0211-0031] 蝕刻有機抗反射涂層(arc)的方法
[8135-0184-0032] 光電元件
[8135-0212-0033] 等離子體刻蝕有機抗反射涂層的方法
[8135-0120-0034] 制造半導體器件的方法和用于清洗襯底的設備
[8135-0015-0035] 金屬與半導體接觸電容熱電池
[8135-0174-0036] 半導體器件及其制造方法
[8135-0023-0037] 具有薄膜晶體管上濾色器結構的陣列基板及其制造方法
[8135-0011-0038] 半導體器件和制造半導體器件的方法
[8135-0024-0039] 形成抗蝕劑圖案的工藝、半導體器件及其制造
[8135-0205-0040] 散熱器
[8135-0094-0041] 硅襯底上生長ii－vi族材料薄膜的方法
[8135-0214-0042] 包含多層旋涂多孔介電質的低k互連結構
[8135-0124-0043] 多孔膜形成用組合物、多孔膜及其制造方法、層間絕緣膜和半導體裝置
[8135-0062-0044] 用于在休眠狀態下減輕柵極漏泄的方法和電路
[8135-0044-0045] 使用于低驅動電壓的鐵電電容制造方法
[8135-0208-0046] 高功率led
[8135-0081-0047] 圖像傳感設備和便攜終端
[8135-0041-0048] 帶電量評價裝置、其制造方法及帶電量的評價方法
[8135-0216-0049] 被處理體的搬運系統、無人搬運車系統、無人搬運車及被處理體的搬運方法
[8135-0061-0050] 多級半導體結構中對準帶帽金屬線和互連的形成
[8135-0105-0051] 用于半導體處理系統的注氣裝置
[8135-0029-0052] 低介電常數材料以及化學氣相沉積（cvd）制備方法
[8135-0028-0053] 研磨方法及半導體裝置的制造方法
[8135-0190-0054] 發光裝置
[8135-0134-0055] 等臂直線裂片裝置
[8135-0034-0056] 半導體裝置的制造方法
[8135-0125-0057] 半導體器件的制造方法
[8135-0176-0058] 電編程三維存儲器之設計
[8135-0018-0059] 具有菲咯啉稠合的吩嗪的有機發光裝置
[8135-0161-0060] 多晶硅自行對準接觸插塞與多晶硅共享源極線及制作方法
[8135-0013-0061] 半導體器件
[8135-0172-0062] 半導體器件及其制造方法
[8135-0189-0063] 用于制造發光器件的方法
[8135-0084-0064] 功率晶體管及使用它的半導體集成電路
[8135-0037-0065] 倒裝芯片半導體器件的側面焊接方法
[8135-0020-0066] 流程卡情況下半導體設備的污染控制方法
[8135-0209-0067] 前體溶液及其使用方法
[8135-0077-0068] 使用多柵極晶體管的互補金屬氧化物半導體晶體管反向器
[8135-0067-0069] 半導體集成電路器件
[8135-0154-0070] 電功率半導體裝置
[8135-0032-0071] 半導體集成電路器件的制造方法
[8135-0207-0072] 具有未摻雜覆蓋層的第ⅲ族氮化物led
[8135-0019-0073] 基于稠合共軛化合物的有機發光器件
[8135-0002-0074] 光電轉換器件和使用光電轉換器件的攝像系統
[8135-0063-0075] 半導體集成電路設備和在該設備中檢測延遲誤差的方法
[8135-0076-0076] 具有高介電常數穿隧介電層只讀存儲器的結構與制造方法
[8135-0130-0077] 利用非布植方式形成半導體組件的方法
[8135-0215-0078] 電氣裝置制造方法
[8135-0005-0079] 主動式有機發光二極管顯示器及其制造方法
[8135-0055-0080] 帶有倒焊晶片的無引線半導體封裝結構及制造方法
[8135-0098-0081] 具除水薄膜的有機發光二極管及其制造方法
[8135-0074-0082] 半導體存儲裝置
[8135-0186-0083] 主動式有機發光二極管的制造方法
[8135-0047-0084] 電容器及其制造方法
[8135-0118-0085] 制作接觸孔于硅化鎳層上方的方法
[8135-0196-0086] 等離子體處理裝置
[8135-0072-0087] 具有可調節輸入/輸出帶寬的半導體存儲器件
[8135-0048-0088] 用于制造具有在位線方向延伸的接觸體的半導體器件的方法
[8135-0204-0089] 無凸點半導體器件
[8135-0128-0090] 透過覆層對隧道結器件的隧道阻擋層進行的紫外光處理
[8135-0164-0091] 靜電放電防護組件以及其制造方法
[8135-0167-0092] 電子電路裝置
[8135-0157-0093] 半導體裝置及其制造方法
[8135-0178-0094] 具有減小應力的濾色層的圖像傳感器及其制造方法
[8135-0117-0095] 形成自對準接觸窗結構的方法
[8135-0096-0096] 有機發光二極管元件及其有機發光層材料
[8135-0119-0097] 多晶硅層的制作方法
[8135-0031-0098] 金屬硅化物的制造方法
[8135-0090-0099] 太陽能電池組件
[8135-0087-0100] 金氧半場效晶體管及其制造方法
[8135-0147-0101] 時鐘信號傳輸電路
[8135-0163-0102] 具有半導體薄膜的組合半導體裝置
[8135-0173-0103] 利用垂直納米管的非易失性存儲裝置
[8135-0137-0104] 具有晶片映射功能的晶片處理設備
[8135-0026-0105] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8135-0099-0106] 具除水薄膜的有機發光二極管及其制造方法
[8135-0039-0107] 自動檔案輸入的掩膜測量方法
[8135-0183-0108] 疊層型光電元件
[8135-0110-0109] 可在連接狀態下進行質量流控制器檢查的半導體制造裝置
[8135-0116-0110] 減少基極長度偏差的方法
[8135-0199-0111] 元件焊接用基板及其制造方法
[8135-0108-0112] 由二氧化硅制成之鉛直圖案層之制造方法
[8135-0126-0113] 降低導電薄膜表面粗糙尖端的方法
[8135-0180-0114] 小型非線性異質結雙極晶體管陣列
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[8135-0143-0123] 自定時和自檢測的熔斷器燒斷
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[8135-0219-0219] 半導體器件
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