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技術編號技術名稱
(CD13311-0084-0001)半導體集成電路、及搭載了該半導體集成電路的非接觸型信息系統
(CD13311-0073-0002)半導體裝置
(CD13311-0074-0003)半導體結構及其制作方法
(CD13311-0070-0004)制造半導體器件的方法
(CD13311-0079-0005)半導體器件及其制造方法
(CD13311-0049-0006)非數據存取時低耗電的半導體存儲裝置
(CD13311-0035-0007)半導體封裝的盤內檢查設備和方法
(CD13311-0048-0008)薄膜半導體集成電路及其制造方法
(CD13311-0007-0009)可均一輸入輸出數據的非易失性半導體存儲裝置
(CD13311-0057-0010)薄膜半導體的制造方法及制造裝置
(CD13311-0029-0011)帶有無鋁**層的埋脊半導體激光器
(CD13311-0059-0012)半導體裝置、發光顯示裝置以及它們的驅動方法
(CD13311-0065-0013)用于半導體器件的制造方法
(CD13311-0069-0014)半導體存儲器和調整時鐘信號與選通信號間相位關系的方法
(CD13311-0053-0015)半導體激光器的驅動電路
(CD13311-0005-0016)刻蝕半導體結構中的鎢或氮化鎢柵極的方法
(CD13311-0056-0017)用于半導體處理設備的陶瓷件
(CD13311-0018-0018)半導體器件測試裝置
(CD13311-0080-0019)半導體器件、顯示裝置和電子設備
(CD13311-0072-0020)半導體器件及其測試方法
(CD13311-0052-0021)電位發生電路、電位發生裝置和用它的半導體裝置和其驅動方法
(CD13311-0085-0022)半導體存儲器以及半導體存儲器的操作方法
(CD13311-0095-0023)半導體存儲器件
(CD13311-0094-0024)半導體存儲器件的自刷新操作
(CD13311-0106-0025)硅半導體晶片及其制造方法
(CD13311-0008-0026)半導體晶片邊緣檢查方法和設備
(CD13311-0062-0027)半導體器件、晶片及其設計和制造方法
(CD13311-0061-0028)用于拾取半導體芯片的設備及方法
(CD13311-0040-0029)形成W類膜、形成柵極電極以及制造半導體裝置的方法
(CD13311-0019-0030)半導體晶片等的處理方法及其處理裝置
(CD13311-0097-0031)具有基于非陶瓷的窗口框架的半導體封裝
(CD13311-0015-0032)帶有晶圓片表面保護裝置的半導體處理設備
(CD13311-0033-0033)半導體存儲器和系統
(CD13311-0087-0034)無空隙電路板和具有該電路板的半導體封裝
(CD13311-0026-0035)用于半導體處理室的室襯
(CD13311-0050-0036)半導體存儲器器件的位線預充電電路
(CD13311-0030-0037)顯示控制設備、半導體集成電路設備和移動終端設備
(CD13311-0102-0038)防止半導體芯片或晶片中的背面微裂紋的形成及向其正面擴展的方法、芯片或晶片
(CD13311-0086-0039)用于半導體晶圓的化學機械拋光機的裝載裝置
(CD13311-0075-0040)半導體存儲裝置
(CD13311-0103-0041)降低半導體晶片中的陷阱密度的方法
(CD13311-0090-0042)半導體器件中金屬硅化物的單向擴散
(CD13311-0063-0043)數據處理方法、數據處理設備、半導體裝置和電子設備
(CD13311-0058-0044)制造半導體元件的方法
(CD13311-0022-0045)促進半導體晶片釋放的方法
(CD13311-0047-0046)半導體存儲器
(CD13311-0014-0047)薄膜半導體集成電路及其制造方法
(CD13311-0021-0048)具有緊密間距的電熔絲及其在半導體中制造方法
(CD13311-0016-0049)制造半導體薄膜的方法及其所用設備
(CD13311-0098-0050)檢測由半導體材料構成的錠件中機械缺陷的方法和設備
(CD13311-0032-0051)半導體存儲裝置
(CD13311-0066-0052)用于半導體裝置中的數據輸入緩沖器
(CD13311-0082-0053)半導體存儲器件
(CD13311-0077-0054)一定缺陷特性的半導體硅晶片的制法以及具有該特性的半導體硅晶片
(CD13311-0025-0055)振蕩電路、電子電路、半導體器件、電子設備和鐘表
(CD13311-0034-0056)半導體制造方法及半導體激光元件制造方法
(CD13311-0028-0057)用于在半導體表面進行淀積和拋光的方法和裝置
(CD13311-0006-0058)具有改善的顆粒污染性能的半導體處理設備
(CD13311-0081-0059)半導體存儲器件
(CD13311-0038-0060)半導體裝置封裝及其封裝方法
(CD13311-0083-0061)電荷捕獲型三電平非易失性半導體存儲器器件及驅動方法
(CD13311-0054-0062)溝渠式雙擴散金屬氧化半導體裝置及其制造制程及方法
(CD13311-0020-0063)在半導體晶片上形成銅層的方法
(CD13311-0010-0064)薄膜半導體集成電路及其制造方法
(CD13311-0036-0065)半導體集成電路及其制造方法
(CD13311-0001-0066)具有降低的寫入速度波動的半導體存儲器
(CD13311-0043-0067)于溝道區域中具有退化摻雜分布的半導體組件及用于制造該半導體組件的方法
(CD13311-0067-0068)半導體存儲器件和半導體存儲器件測試方法
(CD13311-0004-0069)半導體裝置的制造方法
(CD13311-0031-0070)半導體裝置及其制造方法
(CD13311-0099-0071)激光退火裝置和半導體設備制造方法
(CD13311-0078-0072)半導體預裝件的傳送機制和傳送方法
(CD13311-0092-0073)半導體裝置的制造方法及襯底處理裝置
(CD13311-0064-0074)用于在旋轉干燥操作期間監測半導體晶片的方法和設備
(CD13311-0107-0075)錫焊方法與半導體模塊的制造方法以及錫焊裝置
(CD13311-0089-0076)具有測試功能的半導體集成電路及制造方法
(CD13311-0039-0077)具有場屏蔽的半導體結構以及形成該結構的方法
(CD13311-0002-0078)監視設備、監視方法、拋光裝置和半導體晶片的制造方法
(CD13311-0108-0079)氮化鎵基半導體元件、使用其的光學裝置及使用光學裝置的圖像顯示裝置
(CD13311-0011-0080)形成半導體器件中芯柱的方法
(CD13311-0091-0081)有源矩陣顯示裝置及其定時控制用半導體裝置
(CD13311-0044-0082)高功率半導體激光二極管及其制造方法
(CD13311-0051-0083)拋光狀態監視方法、拋光狀態監視裝置、拋光設備、加工晶片、半導體器件制造方法和半導體器件
(CD13311-0105-0084)插入件、測試托架及半導體測試裝置
(CD13311-0068-0085)襯底處理裝置和半導體器件的制造方法
(CD13311-0100-0086)半導體器件
(CD13311-0088-0087)用于在半導體器件制造期間轉移導電零件的方法及設備
(CD13311-0104-0088)半導體集成電路
(CD13311-0041-0089)溝槽-柵半導體器件及其制造方法
(CD13311-0101-0090)非易失性半導體存儲裝置及其動作方法
(CD13311-0027-0091)半導體晶片磨光的方法和系統
(CD13311-0096-0092)使用動態電路的半導體裝置
(CD13311-0013-0093)具有極化兼容緩沖層的金屬絕緣體半導體結構
(CD13311-0024-0094)半導體顯示裝置和半導體顯示裝置的驅動方法
(CD13311-0017-0095)具有多層布線的半導體器件的制造方法
(CD13311-0023-0096)堅固地粘附于下層的低阻硅化鎢膜和使用它的半導體器件
(CD13311-0076-0097)半導體工藝的成膜方法和裝置
(CD13311-0042-0098)電子裝置的驅動方法、電子裝置、半導體集成電路以及電子機器
(CD13311-0060-0099)非易失性半導體存儲器
(CD13311-0037-0100)半導體存儲裝置及其寫入控制方法
(CD13311-0012-0101)制造半導體器件的方法
(CD13311-0093-0102)半導體存儲器件
(CD13311-0071-0103)半導體器件芯片和半導體器件芯片封裝
(CD13311-0046-0104)研磨裝置及半導體器件的制造方法
(CD13311-0009-0105)具有多個行地址選通信號的半導體存儲裝置
(CD13311-0055-0106)半導體器件及其制造方法
(CD13311-0045-0107)在包含基座的處理室中加熱半導體基板的工藝和系統
(CD13311-0003-0108)并行運算設備、娛樂設備、處理方法、計算機程序和半導體設備
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