納米半導體技術專題資料-合成外延半導體-品質半導體-分散硫化銅半導體-排列半導體-晶半導體類資料(198元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：198元;資料（光盤）編號：F410931。
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納米半導體技術專題資料
1057421-0042-0001)納米晶熱電半導體材料的非晶晶化制備方法
1057421-0109-0002)形成碳納米管的方法及其形成半導體金屬線和電感的方法
1057421-0085-0003)能夠補償納米形貌效應的化學機械拋光用漿液組合物、以及利用其的半導體元件的表面平坦化方法
OTD)控制在一定水平以下，上述拋光粒子的尺寸和上述添加劑的濃度最優化為一定的范圍內。
1057421-0199-0004)基于硅 鍺的納米顆粒油墨、摻雜型顆粒、用于半導體應用的印刷和方法
1057421-0135-0005)半導體硫化物納米管陣列及其制備方法
1057421-0052-0006)光敏半導體納米晶和包含其的光敏組合物及其用途
1057421-0014-0007)從單壁碳納米管中分離金屬性和半導體性納米管的方法
1057421-0146-0008)模板電沉積法制備Ⅱ-Ⅵ族半導體納米線的方法
1057421-0078-0009)表面吸附半導體納米晶體的碳納米管及其制備方法
1057421-0117-0010)硫化物半導體納米線的制備方法
PAA)模板中合成II-VI族硫化物半導體納米線的制備方法。該制備方法以短碳鏈雙烷基硫磷化合物配位穩定的金屬有機配合物為前驅體，通過簡單的浸泡方式以及后續的高溫熱處理，即可得到II-VI族硫化物半導體納米線陣列和納米線。所得納米線長徑比均一，納米線直徑大小可隨著模板孔徑的大小調整，線長可達10微米左右。本制備方法具有原料廉價易得、合成工藝簡便、成本低、適用范圍廣等特點。
1057421-0067-0011)納米線碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管
1057421-0206-0012)在用于可拉伸電子元件的半導體互連和納米膜中的受控彎曲結構
1057421-0118-0013)生長碳納米管的方法及形成半導體器件的導電線的方法
1057421-0005-0014)通過氫改性的半導體碳納米管及其制備方法
1057421-0053-0015)包含半導體納米晶體的發光器件
1057421-0106-0016)半導體納米導線及包括該納米導線的半導體裝置
1057421-0036-0017)表面覆有無機半導體納米薄膜的瓷或玻璃絕緣子
1057421-0101-0018)一種快速制備和篩選IIB族半導體納米發光材料的方法
1057421-0048-0019)復合氧化物半導體納米材料的制備方法
1057421-0063-0020)氧化鋅基納米棒和半導體薄膜的P-N異質結結構、其制備和包括其的納米器件
1057421-0158-0021)改進的基于碳納米管的半導體裝置及其制造方法
1057421-0114-0022)使用納米點作為俘獲位的半導體存儲器件及其制造方法
1057421-0104-0023)包括半導體納米管的垂直場效應晶體管
1057421-0081-0024)利用拉曼信號對生物標記的半導體納米晶的制備方法
1057421-0147-0025)半導體納米線晶體管
1057421-0208-0026)納米半導體恒溫試管架
1057421-0030-0027)一種納米半導體氧化物光催化劑及其制備方法
1057421-0108-0028)量子點半導體納米材料漸逝波光纖放大器及其制造方法
1057421-0010-0029)有機半導體復合氧化鈦納米線的制備方法
1057421-0031-0030)二維半導體和金屬納米粒子陣列的全濕法合成方法
1057421-0017-0031)一種生長半導體性單壁碳納米管的方法
1057421-0058-0032)亞納米復合法制備氧化鋅基磁性半導體材料的方法
1057421-0068-0033)半導體光伏器件級納米硅薄膜的制備方法
1057421-0119-0034)一種直徑可控的硫化物半導體納米線陣列的制備方法
1057421-0201-0035)利用氨類化合物催化制備水相半導體納米晶的方法
1057421-0019-0036)一種垂直腔面發射納米尺度半導體激光光源及制法
1057421-0050-0037)光激活納米氧化物半導體氣敏傳感器
1057421-0083-0038)一種制備單分散半導體硒化物納米粒子的方法
1057421-0065-0039)高品質半導體發光材料ZnO納米囊的制備方法
1057421-0162-0040)一種半導體熒光材料摻錳硫化鋅納米粉的制備方法
1057421-0212-0041)一種納米結構出光面半導體發光二極管
1057421-0103-0042)制造半導體納米線組以及包括納米線組的電器件
1057421-0168-0043)在硅上無金屬合成外延半導體納米線的方法
1057421-0061-0044)生物光敏蛋白-納米半導體復合光電極的制備方法
1057421-0172-0045)半導體納米線和微光纖復合結構微激光器
1057421-0008-0046)一種高效半導體納米材料的制備方法及其應用
1057421-0211-0047)納米光半導體紙幣消毒機
1057421-0137-0048)一種單分散硫化銅半導體納米顆粒的制備方法
1057421-0138-0049)合成CdTe半導體熒光納米晶體材料的方法及其合成系統
1057421-0132-0050)形成納米級導電結構的方法及由此形成的半導體器件
1057421-0205-0051)半導體性單壁碳納米管的制備方法
1057421-0099-0052)采用納米級半導體材料為基底進行SERS檢測的方法
1057421-0077-0053)碳納米管及定位方法、晶體管及制造方法、半導體器件
1057421-0161-0054)一種半導體型單壁碳納米管及其制備方法
1057421-0033-0055)單壁碳納米管異質結及制造方法、半導體器件及制造方法
1057421-0071-0056)半導體材料納米線的分散系
1057421-0069-0057)一種單晶半導體納米線的生長裝置及其應用
1057421-0116-0058)硫化鉛半導體納米顆粒的制備方法
1057421-0126-0059)堿土金屬鹽修飾納米晶半導體光陽極和制備方法及其應用
1057421-0133-0060)利用拉曼信號對生物標記的半導體納米晶的制備方法
1057421-0185-0061)一種三元硫屬半導體化合物納米帶的制備方法
1057421-0186-0062)基于半導體納米晶與聚合物的復合薄膜的電雙穩態器件
1057421-0073-0063)一種銻化鎵納米半導體溶劑熱共還原制備方法
1057421-0051-0064)半導體-納米晶體 共軛聚合物薄膜
1057421-0006-0065)納米級金屬氧化物半導體熱敏電阻的制造方法
1057421-0195-0066)在硅片上復合ZnO錐狀納米結構的半導體材料及其制備方法
1057421-0107-0067)基于多觸媒催化納米半導體材料及復合除塵的室內空氣凈化方法及裝置
1057421-0177-0068)半導體納米復合薄膜的制備方法
1057421-0097-0069)具有納米簇的半導體器件
1057421-0166-0070)一種含納米半導體紅外遮光劑的氣凝膠絕熱復合材料及其制備方法
1057421-0209-0071)用納米材料作為鈍化膜的半導體整流芯片
1057421-0192-0072)一種半導體納米線音叉式氣體濃度傳感器及其制備方法
1057421-0089-0073)用于照相平版印刷的半導體納米尺寸顆粒的應用
1057421-0124-0074)納米半導體生物相容材料的制備方法
1057421-0140-0075)一種制備半導體納米材料同步處理無機與有機廢水的方法
1057421-0198-0076)摻雜納米顆粒型半導體結
1057421-0123-0077)納米半導體粒子增強蠶絲纖維基復合材料的制備方法
1057421-0046-0078)雙邊對稱結構的基于半導體致冷器的納米級位移驅動部件
1057421-0170-0079)從金屬間納米薄片顆粒的半導體前體層的高生產量印刷
1057421-0113-0080)納米半導體粒子增強蛋膜纖維基復合材料的制備方法
1057421-0066-0081)納米線碳化硅金屬半導體場效應晶體管
1057421-0143-0082)制備貼合于基片的稠環芳香族有機半導體單晶納米結構的方法
1057421-0150-0083)鑒別樣品是否含有微小半導體碳納米管束的方法
1057421-0175-0084)使用分子組裝形成碳和半導體納米材料
1057421-0018-0085)一種制備半導體性單壁碳納米管的方法
1057421-0082-0086)以水滑石為模板的金屬硫化物半導體納米復合材料及其制備方法
1057421-0152-0087)一種半導體納米晶及其制備方法
1057421-0093-0088)使用金屬 半導體納米棒的異質結構的接觸織物及其制備方法
1057421-0012-0089)一種基于半導體納米材料的CMOS電路及其制備
1057421-0142-0090)形成納米單晶硅的方法和非揮發性半導體存儲器制造方法
1057421-0181-0091)一種ZAO系半導體納米導電膜及其制備方法
1057421-0154-0092)制造半導體納米線組以及包括納米線組的電器件
1057421-0045-0093)一種無機半導體復合納米級空心球及制備方法
1057421-0026-0094)基于單個極性半導體納米帶光彈簧的制作方法
1057421-0182-0095)半導體與金屬準一維納米異質周期結構陣列的制備方法
1057421-0043-0096)硫化鎘半導體納米晶的濕固相反應制備法
1057421-0080-0097)提取半導體膠體納米晶的方法及其提取工具
1057421-0112-0098)納米尺寸顆粒在制造半導體芯片上的抗刮保護層中的應用
1057421-0120-0099)軟基納米半導體敏化薄膜太陽能電池及制造方法
1057421-0128-0100)硫化鎘半導體納米粒子的界面化學制備方法
1057421-0038-0101)基于半導體材料的納米線制作方法
1057421-0088-0102)一種測量半導體納米結構光電性能的設備和方法
1057421-0076-0103)在解理面上制作半導體納米結構的方法
1057421-0028-0104)銅銦硫半導體納米粒子的制備方法
1057421-0032-0105)一維CdS-Ni半導體-磁性功能復合納米材料及其制備方法
1057421-0098-0106)具有圓形形狀的納米線晶體管溝道的半導體器件及其制造方法
1057421-0141-0107)半導體器件利用碳納米管的層間布線及其制造方法
1057421-0203-0108)一種納米金屬硫化物復合半導體光催化材料的制備方法
1057421-0059-0109)大共軛半菁染料，其合成及其敏化的納米晶半導體太陽能電池
1057421-0115-0110)納米線半導體器件
1057421-0159-0111)染料敏化太陽電池用有上轉換功能的納米多孔半導體薄膜
1057421-0015-0112)一種釩摻雜氧化鈦納米稀磁半導體及其制備方法
1057421-0016-0113)Ⅲ-Ⅴ半導體核-異質殼納米晶體
1057421-0013-0114)一種納米結構出光面半導體發光二極管及其制備方法
1057421-0022-0115)含有半導體納米晶體的發光器件
1057421-0174-0116)尺寸可控半導體納米簇和納米晶的綠色合成方法
1057421-0110-0117)包裹半導體納米顆粒的乙烯基聚合物、包含該聚合物的乙烯基聚合物混合物及其制備方法
1057421-0164-0118)使用納米結構柔性層和HVPE制造高質量化合物半導體材料的生長方法
1057421-0049-0119)納米半導體引發制備聚合物 無機納米復合材料粉體的方法
1057421-0157-0120)納米圖案p型氮化物半導體歐姆接觸電極及其制備方法
1057421-0156-0121)一種硫化鎘 有機半導體異質結納米線及其制備方法
1057421-0148-0122)一種摻雜半導體納米晶及其制備方法
1057421-0102-0123)制造半導體納米線組以及包括納米線組的電器件
1057421-0200-0124)包含被光活性表面改性劑包圍的半導體納米顆粒的混雜有機太陽能電池
1057421-0003-0125)一種制備CdS一維半導體納米材料的方法
1057421-0044-0126)通過表面處理改善半導體納米晶體的發光效率
1057421-0092-0127)基于一維半導體納米結構的光電傳感器及其制作方法
1057421-0056-0128)水溶液中制備一維半導體納米棒與納米線的方法
1057421-0151-0129)提高半導體型碳納米管發光效率的方法
1057421-0001-0130)金屬納米粒子-半導體介質復合薄膜及制法和全光克爾開關
1057421-0136-0131)一種基于半導體納米材料的鐵電場效應晶體管及其制備方法
1057421-0196-0132)GSMBE制備Ⅲ-Ⅴ化合物半導體納米管結構材料的方法
1057421-0079-0133)一種無機半導體納米晶與共軛聚合物雜化材料及其制備方法
1057421-0007-0134)鐵電體-半導體納米微粒復合材料薄膜的制備方法
1057421-0027-0135)一種二維有序有機半導體復合納米薄膜及其專用基底與它們的制備方法
1057421-0173-0136)一種制備半導體材料納米結構氮化鋁的方法
1057421-0072-0137)以青蔥為模板和反應器一步合成IIB族硫化物半導體納米材料的方法
1057421-0100-0138)三維半導體納米結構陣列及其制備方法
1057421-0207-0139)一種基于半導體納米材料的納電子器件及其制備方法
1057421-0149-0140)在半導體硅基底上催化生長ZnO納米線的方法
1057421-0095-0141)制備磁性金屬離子摻雜的單晶ZnO基稀磁半導體納米棒的方法
1057421-0131-0142)圖案化并排列半導體納米粒子
1057421-0087-0143)一種納米復合半導體光催化劑及其制備方法
1057421-0139-0144)包含半導體納米晶體的發光器件
1057421-0037-0145)在硅片上復合ZnO納米線的半導體基板材料及其制備方法
1057421-0184-0146)包含半導體納米晶體的發光器件
1057421-0040-0147)膠體金和半導體熒光納米粒子雙標記快速免疫檢測試紙
1057421-0062-0148)一種低溫制備摻錳氧化鋅納米線稀磁半導體的方法
1057421-0029-0149)一種組裝半導體納米線的方法
1057421-0060-0150)用碳納米管形成半導體裝置用導電線的方法及半導體裝置
1057421-0011-0151)一種金屬性和半導體性單壁碳納米管的同步分離與組裝方法
1057421-0004-0152)在半導體Si基片上沉積納米Cu顆粒膜的高壓電化學方法
1057421-0025-0153)在納米電路結構和標準電子部件之間的半導體電子器件中實現電連接的方法
1057421-0091-0154)半導體元件、半導體納米線元件及其制作方法
1057421-0183-0155)形貌及尺寸可控半導體納米晶的綠色合成方法
1057421-0090-0156)具有包括半導體納米晶體的浮柵的非易失存儲器件
1057421-0024-0157)在納米電路結構和標準電子部件之間的半導體電子器件中實現電連接的方法
1057421-0064-0158)一種有序納米半導體陣列染料敏化太陽電池
1057421-0193-0159)基于可見光范圍的半導體納米線的光傳感器及其制造方法
1057421-0189-0160)一種納米ZnO半導體結陣列及其制備方法
1057421-0129-0161)納米半導體金屬氧化物漿料組合物及其制備工藝
1057421-0188-0162)用于在納米級半導體處理中產生無氣泡液體的系統和方法
1057421-0160-0163)非球形半導體納米晶體及其制備方法
1057421-0023-0164)表面改性的半導體納米粒子
1057421-0122-0165)一種原位生長制備半導體納米管的方法
1057421-0127-0166)半導體納米結構及其制作方法
1057421-0074-0167)一種制備IIB族半導體硫化物納米材料的方法
1057421-0179-0168)一種針狀ZnSe半導體納米晶的合成方法
1057421-0204-0169)具有包含碳納米管或半導體納米線的復合隔膜的傳感器
1057421-0202-0170)利用氨類化合物催化制備水相半導體納米晶的方法
1057421-0130-0171)一種氧化鋅基納米半導體電子自旋材料及其合成方法
1057421-0084-0172)可在基材上直接形成納米結構的材料沉積的電化學方法以及由此方法所制的半導體元件
1057421-0035-0173)基于納米半導體材料的電致變色防偽標識
1057421-0191-0174)一種含碲半導體納米晶的合成方法
1057421-0144-0175)一種制備GaMnN稀磁半導體納米線的方法
1057421-0167-0176)一種含納米半導體粒子的硅氣凝膠絕熱復合材料及其制備方法
1057421-0180-0177)一種花形ZnSe半導體納米晶的合成方法
1057421-0190-0178)使用納米結構模板制造單晶半導體材料
1057421-0009-0179)塊納米半導體PbTe材料的高壓合成方法
1057421-0121-0180)可光學配置的納米管或納米線半導體器件
1057421-0169-0181)GAN納米線的脈沖式生長及在族Ⅲ氮化物半導體襯底材料中的應用和器件
1057421-0165-0182)具有納米柱的半導體器件及其方法
1057421-0096-0183)硅納米線、包括其的半導體器件和制造硅納米線的方法
1057421-0111-0184)稠環芳香族有機半導體單晶微 納米材料及其制備方法與應用
1057421-0002-0185)界面復合半導體納米薄膜光催化劑的制備方法
1057421-0105-0186)垂直納米管半導體器件結構及其形成方法
1057421-0047-0187)合金型半導體納米晶體及其制備方法
1057421-0163-0188)寬禁帶半導體納米管 線陣列膜及其制備方法、一種光電極
1057421-0125-0189)高性能半導體納米硅場電子發射材料及其制備方法
1057421-0057-0190)一種金屬硫化物半導體納米晶的制備方法
1057421-0055-0191)一種高效半導體納米材料的應用
1057421-0134-0192)含Zn-VIA族半導體納米顆粒的復合的酶功能敏感膜及其制法和用途
1057421-0094-0193)固定金屬粒子的方法和采用這種固定方法制造含有金屬粒子的襯底的方法、制造含有碳納米管的襯底的方法及制造含有半導體-晶體棒的襯底的方法
1057421-0054-0194)納米磷化物半導體材料的水熱合成制備方法
1057421-0210-0195)雙邊對稱結構的基于半導體致冷器的納米級位移驅動部件
1057421-0194-0196)一種硫化鋅半導體納米粒子的制備方法
1057421-0039-0197)在液-液界面上納米半導體發光材料的合成方法
1057421-0153-0198)鎳離子摻雜的氧化鎘基室溫稀磁半導體納米材料及其制備方法
1057421-0145-0199)一種制備ZnO基稀磁半導體納米線陣列的方法
1057421-0041-0200)具含納米微粒絕緣層之半導體組件裝置
1057421-0176-0201)含納米顆粒的有機半導體組合物
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