商品代碼:413693

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    供應選擇半導體技術資料-選擇性晶體管-區選擇性晶體管-體半導
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    選擇半導體技術資料-選擇性晶體管-區選擇性晶體管-體半導體-形成半導體-積體半導體類資料(198元/全套)選購時請記住本套資料(光盤)售價:198元;資料(光盤)編號:F150774
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    《選擇半導體資料》包括專利技術全文資料89份。
    0001)激光頭裝置及波長選擇性衍射光柵

    0011)相對于摻雜的碳化硅選擇蝕刻有機硅酸鹽玻璃的方法
    0012)有選擇地形成半導體區域的方法
    0013)選擇超晶格位置摻雜的p型Ⅲ族氮化物材料的制備方法
    0014)波長選擇裝置
    0015)具有選擇電路的半導體存儲器
    0016)選擇性電鍍半導體器件的輸入/輸出焊盤的方法
    0017)一種選擇性毒害氣體報*器
    0018)采用選擇再生長的AlGaN/GaN(*)金屬選擇性蝕刻液
    0020)活性碳的選擇性外延工藝
    0021)蝕刻液及應用該蝕刻液選擇性去除阻障層的導電凸塊制造方法
    0022)在金屬硅化物形成后用于選擇性除去金屬或金屬合金的組合物及方法
    0023)采用熔斷電路的半導體器件及選擇熔斷電路系統的方法
    0024)波長選擇性光電檢測器
    0025)具有選擇性生長接觸焊盤的半導體器件
    0026)柵極氧化物的選擇性滲氮
    0027)一種基于布拉格光柵和MOS結構的波長選擇光開關
    0028)鑲嵌式內連導線上形成選擇性銅膜的制造方法
    0029)選擇性腐蝕氧化物的方法
    0052)具有選擇性擴散區的半導體器件
    0062)硬盤選擇性寫保護裝置
    0063)用于選擇功率下降退出的裝置和方法
    0064)用于控制拋光選擇性的輔助劑以及包含該輔助劑的化學機械拋光漿料
    0065)具形成于網區選擇性晶體管之積體半導體內存
    0066)可選擇電性的有機半導體主動層及其運用
    0067)選擇性應力記憶作用的半導體元件及其制造方法
    0068)用二氟化氙選擇性蝕刻氮化鈦
    0069)分閘式快閃記憶胞的選擇閘極的制作方法
    0070)具有芯片間互連選擇裝置的三維半導體器件
    0071)層疊型半導體裝置及芯片選擇電路
    0072)用于將材料選擇性沉積到表面和襯底上的方法和裝置
    0073)導電表面的膜**性選擇電鍍
    0074)提高氣敏元件選擇性穩定性的方法
    0075)對II-VI半導體有選擇的刻蝕
    0076)具有輸出冗余取代選擇信號裝置的半導體存儲器件
    0077)一種低音增強級別選擇電路
    0078)選擇性蝕刻方法
    0079)帶有對用于選擇存儲單元的輔助字線的控制的半導體存儲器件
    0080)532nm波長綠色激光前列腺增生選擇性光汽化手術方法與裝置
    0081)計算機啟動設備選擇系統及方法
    0082)存儲器裝置的位線選擇信號發生器
    0083)具有可選擇連接的分段位線元件的存儲器件及其驅動方法
    0084)使用高選擇性硬掩模形成溝槽的方法及使用該方法的半導體器件隔離方法
    0085)利用化合物半導體的選擇性蝕刻制造微透鏡和集成有微透鏡的光電器件的方法
    0086)利用有選擇的外延生長方法的半導體器件制造方法
    0087)光控多波長選擇光開關
    0088)包含助焊劑的選擇填充粘附膜
    0089)帶有可選擇地起作用的透氣面的透氣裝置



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