半導體元器件專利技術二(168元/全套)
歡迎選購!請記住本套資料(光盤)售價:168元/全套;資料(光盤)編號:F263863;
1200510103450.4標準單元、半導體集成電路和標準單元的布局生成方法
2200510098629.5半導體元件及其制造方法和電子部件單元
3200510104147.6設有保護元件的半導體發光裝置及其制造方法
4200410078359.7半導體構裝元件的自動化測試裝置
5200510105528.6集成型半導體激光元件及其制造方法
6200510106430.2多波長半導體激光元件及多波長半導體激光裝置
7200480005203.4半導體二極管、電子元件、電壓耦合變換器和控制方法
8200510088157.5半導體元件保持裝置以及使用其制造的半導體裝置
9200510102901.2半導體元件及半導體元件的連接結構
10200510106458.6半導體電阻元件及其制造方法
11200510092081.3具有半導體元件的顯示器件及其制造方法
12200410082672.8Ⅲ族氮化物半導體元件及其制造方法
13200510109799.9半導體發光元件及其制造方法
14200410100575.7薄膜基板的制造方法及使用該基板的半導體元件、顯示裝置和電子裝置的制造方法
15200510080542.5具有嵌入式電容的半導體元件基材
16200410084921.7具增進亮度的半導體發光元件及其制造方法
17200410084922.1半導體發光元件及其制造方法
18200510108809.7半導體激光元件以及單片二波長半導體激光裝置
19200480006269.5半導體發光元件及其制造方法
20200480006400.8阻抗匹配電路和利用該電路的半導體元件及無線通信裝置
2102806788.6半導體發光元件
2203155082.7帶有單元比率小的存儲單元的半導體存儲裝置
23200310120110.3非易失性存儲單元及非易失性半導體存儲裝置
24200310119596.9半導體存儲裝置和存儲單元的寫入以及擦除方法
25200310120107.1半導體存儲裝置及存儲單元的存儲數據修正方法
26200310120109.0半導體存儲裝置及存儲單元陣列的擦除方法
27200310119524.4半導體元件及其制造方法
28200310119592.0半導體存儲裝置及參考單元的修正方法
2902810240.1半導體激光器元件及其制造方法
3002808020.3氮化鎵系列化合物半導體元件
3103100964.6制作半導體元件的方法
3203153190.3使用無氮介電蝕刻停止層的半導體元件及其制程
3302811199.0第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光元件
3402810758.6半導體元件
3502811713.1氮化物半導體元件
3602811802.2氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體元件
37200410003264.9封裝光學半導體元件的樹脂,含該封裝元件的設備及其制法
38200410004848.8半導體元件及其制造方法
39200410001447.7硅化物存在比率的測量方法、熱處理溫度的測量方法、半導體裝置的制造方法以及X射線受光元件
4003158902.2設有雙單元的半導體存儲裝置
41200410000996.2元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
42200410001557.3金屬元件、半導體器件、電子器件和電子設備及其制法
4303156740.1半導體元件的引線成形裝置和引線成形方法
4403102471.8半導體元件的制造方法
45200410003659.9半導體發光元件
46200410005240.7半導體發光元件
47200410005806.6氮化物半導體元件
4802805052.5半導體內存記憶胞元之讀取方法及半導體內存
49200310122524.X半導體元件的測試方法
50200410039991.0浮柵存儲器單元的半導體存儲器陣列
51200410005828.2半導體元件及其制造方法
52200410002996.6化合物半導體層和發光元件的制造方法及汽相生長設備
53200410028496.X半導體保護元件、半導體器件及其制造方法
54200410007241.5半導體鰭式元件的接觸窗及其制造方法
5503152401.X半導體元件的錫焊方法與半導體裝置
56200410004269.3半導體元件的散熱器
5702807309.6氮化物半導體元件
5802814269.1具有形成凹凸的基板的半導體發光元件
5903141318.8微半導體元件的制造方法
6002126152.0制作具有埋藏導線的半導體元件的方法
6101814568.X半導體元件及其制造方法
6201817250.4在透明或半透明襯底上形成的半導體發光元件
6301816887.6制造半導體元件的方法及其半導體元件
6401816154.5半導體元件及其制造方法、多層印刷布線板及其制造方法
6501816530.3光接收元件和具有光接收元件的光子半導體器件
66200310110823.1利用擊穿電壓的半導體存儲單元薄氧化層的測試方法
67200410035316.0半導體元件、半導體器件以及其制作方法
6802815611.0有機半導體元件
69200310125193.5半導體存儲單元
7003121246.8一種自動化形成半導體實驗元件布局的方法與系統
71200410030018.2半導體元件布局設計裝置、布局設計方法和布局設計程序
72200410031325.2半導體元件
73200310118178.8具有發光變換元件的發光半導體器件
74200310118179.2具有發光變換元件的發光半導體器件
75200410031629.9半導體激光器元件及其制造方法
76200410033309.7工作臺裝置、成膜裝置、光學元件、半導體元件及電子設備
77200410033340.0車用前照燈和半導體發光元件
7803110518.1單一位線半導體存儲元件的感測電路
79200410033533.6電壓控制的容性元件及半導體集成電路
80200410031974.2確實編程程序單元的冗余控制電路及使用它的半導體存儲器
81200410039986.X浮柵存儲器單元的半導體存儲器陣列
82200410035309.0半導體發光元件及其制造方法
83200410031545.5具有磁阻元件的半導體存儲裝置及其制造方法
84200410005218.2同步半導體存儲器裝置的數據輸入單元及數據輸入方法
85200410037529.7具有鰭片結構的半導體元件及其制造方法
86200410032479.3半導體元件及其制造方法,半導體器件及其制造方法
8703136429.2互補式金氧半導體及其組合元件
8803140963.6互補金屬氧化物半導體圖像感測元件及制造方法
89200410063351.3氮化物半導體元件
90200410044673.3功率元件保護電路及包含該電路的半導體裝置
91200410044501.6具備靜態型的存儲單元的半導體存儲器
92200410008008.9電場脈沖感應電阻元件及利用了它的半導體器件
93200410038139.1倒裝芯片結構中的單個半導體元件
94200410059538.6半導體激光裝置及其生產方法和光盤單元
9502818923.X有機半導體材料及使用該材料的有機半導體元件
96200410036703.6具有半導體主體的發光光學元件
9702819066.1半導體激光元件及使用它的激光模塊
9802819611.2光學元件及其制作方法以及光刻設備和半導體器件的制造方法
99200410071215.9陶瓷膜及其制造方法和半導體裝置及壓電元件
10003126969.9一種半導體晶元表面清潔方法
10103147951.0氮化鎵系化合物半導體發光元件及其窗戶層結構
10202819981.2其上配置磁阻內存胞元之交叉字符及位線之半導體內存
10302820325.9半導體元件
10403153664.6縮小半導體組件的單元間距的方法
105200410047298.8半導體元件的自動協調電阻電容時間常數的電路及方法
10602821679.2半導體發光元件的制造方法
107200410047258.3使用包括衍射光學元件的照明系統制造半導體器件的方法
108200410008003.6半導體晶片、半導體元件及其制造方法
109200410061686.1半導體激光元件
110200410062825.2具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器元件及其制造方法
111200410017071.9一種交叉敏感自抑制的一器二元半導體氣體傳感器系統
11203142094.X利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體元件制成方法
11303149706.3半導體元件
114200410006075.7半導體元件及其制造方法
115200410060037.X正型感光性樹脂組合物、樹脂膜的制造方法、半導體裝置和顯示元件及其制造方法
116200410060001.1具有無需更新動作的存儲單元的半導體存儲裝置
117200310118237.1半導體設計布圖形成方法和圖形圖案形成單元
118200310118194.7制造半導體元件的方法
119200410031005.7半導體記憶元件及其記憶胞編程方法和罩幕式只讀存儲器
120200410047656.5具電荷捕捉記憶單元半導體內存之制造方法及半導體基板
121200410061643.3中間襯底及具有半導體元件、中間襯底和襯底的結構體
122200310101231.3半導體封裝元件及其制造方法
123200410063160.7半導體元件及其制造方法
124200410059339.5半導體裝置及開關元件
12502821231.2氮化物半導體激光元件及其制造方法
126200410051034.X電子顯示屏半導體發光單元模塊的點晶方法
127200410069751.5半導體元件與其中的多晶硅薄膜晶體管及其制造方法
128200410068629.6基板檢查方法及裝置、氮化物半導體元件制造方法及裝置
129200410057340.4具有多樣的金屬硅化物的半導體元件及其制造方法
130200410068220.4電容元件及半導體存儲裝置
131200410056639.8半導體發光元件及其制造方法以及半導體發光裝置
132200410074251.0半導體元件的冷卻裝置
133200410085503.X表面發光半導體激光元件
134200410058701.7用于通信器件的電子元件以及用于轉換發射和接收的半導體器件
13503158698.8接觸孔的制造方法以及半導體元件的制造方法
136200410090013.9半導體器件及驅動其單元組件的控制方法和裝置
137200410085494.4半導體發光元件
138200410085834.3制作一半導體發光元件的方法
13903801328.2半導體發光元件及其制造方法
140200410080671.X半導體發光元件
141200410084976.8半導體元件的安裝方法及半導體元件安裝基板
142200410079827.2在半導體襯底中制造半導體元件的方法
143200310100244.9部分空乏SOI金氧半導體元件
14402826096.1半導體感光元件及其制造方法
145200410055998.1聚酰胺樹脂、正型感光性樹脂組合物、圖案狀樹脂膜的制造方法、半導體裝置和顯示元件及制法
146200410095945.2具有磁阻元件的半導體存儲器件及其數據寫入方法
147200310108123.9半導體電阻元件及其制造方法
148200410043478.9半導體元件
149200410084914.7切片用粘著片、切片方法和半導體元件的制造方法
150200310102734.2半導體元件鈍化方法
151200410086095.XⅢ族元素氮化物結晶半導體器件
152200410090000.1半導體發光元件
153200410090350.8半導體發光元件
154200410092250.9表面發光型半導體元件及其制造方法
15502827164.5非易失雙晶體管半導體存儲單元及其制造方法
15602827177.7非易失半導體存儲單元及制造方法
15703802291.5化合物半導體疊層構造體、霍爾元件和霍爾元件的制造方法
158200310114350.2半導體元件的閘極結構的制造方法
159200410090399.3半導體內存元件及其制造方法
16002827731.7在半導體襯底上制作集成半導體元件的方法
16102820839.0化合物半導體發光元件及其制造方法
16203802320.2氮化物半導體激光元件及其制造方法
163200310113681.4具有縮小間距的半導體元件及其形成方法
164200410095230.7半導體發光元件及其制造方法
165200410077844.2有機半導體晶體管元件
166200410091410.8安裝電子元件的印刷線路板、其制作方法和半導體設備
16703802441.1彈性表面波元件及半導體裝置的制造方法
168200410085773.0包封光學半導體元件的環氧樹脂組合物和光學半導體器件
169200410085775.X包封光學半導體元件的環氧樹脂組合物和光學半導體器件
170200410061711.6半導體元件的電感形成方法
171200410050200.4隔離半導體元件的方法
172200410097416.6光半導體元件以及使用該光半導體元件的電子裝置
173200410091665.4半導體集成電路及微處理器單元切換方法
174200410095870.8半導體發光元件及其制造方法
175200410095283.9半導體激光元件及其制造方法
176200410096214.X半導體激光元件及其制造方法
177200410058067.7浸沒式光刻系統和制造半導體元件的方法
178200410100026.X半導體激光器單元和光學頭裝置
179200410093328.9由半導體陶瓷制成的NTC熱敏電阻元件
180200410010421.9微調阻抗元件、半導體器件和微調方法
18103802894.8半導體放大器元件的輸出電路
182200410063333.5適于在單個存儲單元中存儲多值的非易失性半導體存儲器件
18301810596.3Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體元件
18402802992.5半導體發光元件、發光裝置及半導體發光元件的制造方法
185200310110388.2應用于微影制程的結構及半導體元件的制造方法
186200310124284.7半導體元件的結構
18702822846.4具有以有機半導體為基礎的晶體管及非易失性讀/存儲器胞元的半導體裝置
18802827529.2具有特性薄膜的半導體元件搬運裝置
189200510004106.X具有可伸縮二晶體管存儲單元的非易失性半導體存儲設備
190200410104567.X氮化物系化合物半導體元件的制造方法
191200410062623.8半導體元件和隔離半導體元件的方法
192200410104885.6半導體元件的制造方法
193200510003912.5半導體器件及單元
194200410061585.4半導體發光元件及其制造方法
195200410011448.X有機半導體元件的制造方法
19603804757.8產生太赫茲輻射的裝置以及半導體元件
197200510001873.5陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及元件
198200410100602.0抗蝕劑殘渣去除液組合物及半導體電路元件的制造方法
199200410103689.7半導體元件清洗用組合物
200200510004694.7在有源元件之上具有連接焊盤的半導體集成電路
201200510002411.5集成半導體發光元件及其制造方法
20203808609.3具有易于更換的接口單元的半導體測試系統
203200410095119.8用于激光標記半導體晶片、模具和元件的可噴射粘合劑材料
204200410102042.2半導體元件、半導體元件陣列基板及其制造方法
205200310121274.8半導體元件和在其中形成多晶硅層的制造方法
206200410104964.7半導體元件熱輻射結構及散熱器
207200410010488.2半導體發光元件、其制造方法以及半導體裝置
20803803640.1與眼鏡一體化的半導體元件
209200510004321.X半導體發光元件
210200410003317.7制作半導體元件接面區域的方法
211200310100724.5半導體元件的結構及其制造方法
212200510004807.3固體攝像裝置用半導體元件和采用該元件的固體攝像裝置
213200510004500.3半導體發光元件及其制造方法
214200510004816.2氮化物半導體自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半導體發光元件
215200410004844.X半導體組件及半導體存儲元件的形成方法
216200510008142.3半導體發光元件與保護元件的復合半導體裝置
217200510055949.2面發光型半導體發光元件
21803810568.3制造半導體元件的方法和由此方法制造的半導體元件
21903811350.3具有嵌入在背面金剛石層中的元件的半導體器件
22003810353.2半導體發光元件及其制造方法
22103812559.5半導體存儲元件及為此的壽命操作開始裝置
222200510009303.0基于激光的分割方法,待分割物體,和半導體元件芯片
223200510007774.8檢測安裝電子元件的薄膜載帶和半導體裝置的設備和方法
224200410055188.6雙方向元件及其制造方法、半導體裝置
225200510009454.6具有量子井結構的半導體元件和半導體元件的形成方法
226200510051719.9等離子處理設備、半導體制造設備以及其中使用的靜電夾具單元
227200510008526.5半導體元件及其制造方法
228200510052909.2半導體發光元件及其制造方法
229200510002350.2半導體元件的溫度檢測方法和電力變換裝置
230200510011492.5一種面陣半導體激光器準直微列陣元件
231200510052988.7半導體激光元件
232200510054387.X測試半導體存儲單元和存儲陣列的可編程性的方法和電路
233200510006553.9半導體元件及其制造方法
234200510008476.0氮化物系半導體發光元件
23503816836.7硅氧烷基粘合片材、將半導體芯片粘接到芯片連接元件上的方法,和半導體器件
23603817137.6有機半導體元件、其制造方法和有機半導體裝置
237200510064946.5光學半導體元件及適用的環氧樹脂組合物及其制造方法
238200510055710.5研磨用磨料、研磨劑、研磨液、研磨液的制造方法、研磨方法以及半導體元件的制造方法
239200510054834.1包含磁致電阻元件的半導體存儲裝置及其制造方法
240200510055803.8半導體裝置的制造方法及半導體元件的定位方法
241200410031528.1金屬氧化物半導體晶體管元件的制造方法
242200410084145.0半導體元件
243200410028720.5光電半導體元件
244200510056365.7用于電壓驅動型半導體元件的驅動電路
24503818534.2半導體發光元件及其制造方法、使用此的發光裝置
246200410031241.9半導體元件缺陷的檢測方法
247200510059117.8半導體裝置、磁傳感器和磁傳感器單元
248200510060154.0具有將可控硅用作保護元件的靜電保護電路的半導體裝置
249200410029693.3具保護晶粒功用的半導體元件
250200510062816.8元件搭載基板以及使用該基板的半導體裝置
251200510062456.1超級結半導體元件及其制造方法
252200510008473.7氮化物系半導體元件的制造方法及氮化物系半導體元件
253200510056281.3氮化物半導體激光元件和氮化物半導體元件
254200510008475.6集成型半導體激光元件及其制造方法
255200510006752.X元件裝載用基板及其制造方法與半導體元件安裝方法
256200510062892.9光學半導體元件封裝的片和制造光學半導體器件的方法
257200510074168.8半導體元件及其晶片級芯片尺寸封裝
258200510064893.7半導體攝像元件
259200510064010.2半導體發光元件
260200510062896.7半導體激光元件
261200510064802.X半導體發光元件及其制備方法
26203821650.7半導體元件的支撐板
263200410074100.5靜態隨機存儲單元及半導體元件
26403823395.9半導體元器件和制造方法
265200380100151.4Zn系半導體發光元器件及其制造方法
266200510119064.4稠環單元封端的齊聚噻吩類高遷移率有機半導體材料及用途
267200610004411.3半導體發光元件陣列的驅動器及驅動方法
268200610004969.1半導體存儲元件的電源開關電路及其電源電壓施加方法
269200610005029.4存儲單元陣列偏置方法以及半導體存儲器件
270200610000545.8表面安裝型半導體元件
271200510123256.2利用延伸間隙壁的半導體元件
272200510005744.3一種基于半導體光存儲器單元的光探測器和光攝像單元
273200610005190.1氮化物半導體激光元件及其制造方法
274200480018204.2輻射半導體元器件
275200510123786.7半導體元件及其制程方法
276200510077047.9半導體元件及其制造方法
277200510088983.X具有低介電常數介電層的半導體元件的制造方法
278200510008127.9半導體元件及其制造方法
279200510131717.0半導體元件的結構與制造方法
280200510135258.3半導體元件及其制造方法
281200480019353.0熱電半導體材料、由該熱電半導體材料制作的熱電半導體元件、使用該熱電半導體元件的熱電模塊及它們的制造方......
282200610059901.3具有非易失性存儲單元裝置的集成半導體存儲器及方法
283200510090166.8在半導體元件中形成銅接觸的方法
284200610000325.5元件形成用襯底及其制造方法和半導體裝置
285200610002758.4Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光元件及其制造方法
286200480019557.4有機發射半導體和基質的混合物、它們的用途及包括所述材料的電子元件
287200580000456.7半導體發光元件
288200610001345.4半導體元件之電容器與金屬柵極之制造方法
289200510127758.2造成半導體元件磁性敏感的磁屏蔽護罩
290200510016714.2粗糙元型半導體激光器有源熱沉結構及制備方法
29102826989.6分立半導體元件
29203824173.0Ⅲ族氮化物半導體發光元件及其制造方法
293200510066827.3具有碼位單元陣列的半導體存儲裝置
294200510065519.9一種制造用于低缺陷的半導體元件的襯底晶片的方法、利用該方法獲得的元件及其應用
295200510065008.7反向導通型半導體元件及其制造方法
296200510066017.8疊層基板制造方法和用其的組件用半導體元件及制造設備
297200380100571.2半導體發光元件及其制造方法
298200510069623.5包括半導體存儲器元件的半導體器件及其制造方法
299200410096065.7半導體元件與其形成方法
300200510052717.1高密度半導體存儲器單元和存儲器陣列
查詢更多技術請點擊:
中國創新技術網(http://www.887298.com)
金博專利技術網(http://www.39aa.net)
金博技術資料網(http://www.667298.com)
購買操作說明(點擊或復制)(http://www.39aa.net/index.php?gOo=help_send.dwt)
本部(遼寧日經咨詢有限公司技術部)擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項,所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果,資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書(PDF格式,沒有錄像及視頻),承載物是光盤,可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱(網傳免收郵費)。
(1)、銀行匯款:本套資料標價(是網傳價,不包含郵費,如郵寄光盤加收15元快遞費,快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號(需帶身份證),款到發貨!
中國農業銀行:9559981010260269913 收款人: 王雷
中國郵政銀行:602250302200014417 收款人: 王雷
中國建設銀行:0600189980130287777 收款人: 王雷
中國工商銀行:9558800706100203233 收款人: 王雷
中國 銀行:418330501880227509 戶 名:王雷
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易,請與QQ:547978981聯系辦理。
郵局地址匯款:117002遼寧省本溪市溪湖順山科報站 收款人: 王雷
匯款后請用手機短信(13050204739或13941407298)通知,告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。(如需網傳請告郵箱地址或QQ號)
單位:遼寧日經咨詢有限公司(技術部)
地址:遼寧省本溪市溪湖順山科報站
聯系人:王雷老師
電 話:0414-2114320 3130161
手 機:13941407298 13050204739
客服QQ:547978981 824312550 517161662
敬告:本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證,查看認證信息請點擊:http://fuqiangxx.b2b.hc360.com/shop/mmtdocs.html
辦理全國范圍貨到付款業務:請與QQ:547978981聯系辦理。
本公司供應半導體元器件專利技術二(168元/全套) 歡迎選購!請記住本套資料(光盤)售質量保證,歡迎咨詢洽談。


批發市場僅提供代購諮詢服務,商品內容為廠商自行維護,若有發現不實、不合適或不正確內容,再請告知我們,查實即會請廠商修改或立即下架,謝謝。