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以下為光盤目錄：
1、用于修整半導體晶片的磨料結構
[技術摘要]公開一種用來修整工件（如半導體晶片）表面的磨料結構。所述磨料結構包含：三維、有紋理、粘固的磨料構件；至少一種*性構件，它一般與粘固的磨料構件共同擴展；和至少一種剛性構件，它一般與*性構件和粘固的磨料構件共同擴展，并位于這兩者之間，所述剛性構件的楊氏模量大于*性構件的楊氏模量。
2、半導體集成電路裝置的制造方法
[技術摘要]制造半導體集成電路裝置時的CMP步驟中所用的研磨墊的價格相對較高，所以需要避免多余的更換。因此，重點在于準確地測出該墊的磨耗量。但是，在利用光來進行的通常的測量中，漿料的存在會成為障礙，而利用接觸型傳感器來測量時，污染物的溶析會造成問題。CMP步驟中，在修整器操作過程中，通過測量修整器的高度位置而可以間接地檢測出研磨墊的磨耗量或厚度，由此，可以實現研磨墊更換時期的合理化。
3、半導體裝置的熔絲修整方法
[技術摘要]本發明提供一種半導體裝置的熔絲修整方法，該半導體裝置在半導體晶片上形成晶體管或電阻等電路*件，并具有能夠利用激光*調對所述電阻*件的電阻值進行調整的熔絲*件，該方法的特征在于包括電阻校正步驟，在所述半導體晶片的特定區域，基于所述電阻*件的電阻值與目標值的偏差進行校正。
4、半導體器件制造方法和蝕刻系統
[技術摘要]一種半導體器件制造方法，包括以下步驟：在一工作目標層上形成一抗蝕層；曝光和顯影該抗蝕層，以形成包括孤立圖形和密集圖形的抗蝕圖形；*測抗蝕圖形的孤立圖形和密集圖形的線寬，以確定要減小的線寬的修整量；確定實現孤立和密集圖形的修整量的蝕刻條件，蝕刻條件使*有主要增強蝕刻功能的氣體和具有主要抑制蝕刻功能的氣體的混合氣體；在所述確定的蝕刻條件下修整該抗蝕圖形；以及使用所述修整的抗蝕圖形蝕刻工作目標層。通過等離子體蝕刻的修整可穩定地實現所需的圖形寬度。
5、對半導體晶片表面進行平整的方法
6、修整半導體制造用的結構晶片的加工液體和方法
7、半導體制造裝置、半導體制造方法及半導體裝置
8、半導體裝置
9、研磨裝置及半導體器件的制造方法
10、半導體晶片*露表面的修整方法
11、拋光體、拋光設備、拋光設備調節方法、拋光膜厚度或拋光終點測量方法及半導體器件的制造方法
12、修整工具、修整裝置、修整方法、加工裝置以及半導體器件制造方法
13、半導體集成電路
14、半導體片表面修整的方法
*、半導體集成電路及其測試方法
16、制造半導體器件的方法
17、半導體器件的制造方法、拋光方法及拋光裝置
18、半導體存儲裝置
19、半導體制造裝置的保持體及其制造方法
20、制造半導體器件的方法
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