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[21497-0049-0001] 半導體陶瓷材料和使用它的電子元器件
[摘要] 本發明揭示一種半導體陶瓷材料和使用它的電子元器件。包含鈦酸鋇（BaTiO3）并具有正電阻溫度系數的這種半導體陶瓷材料耐壓能力高。在這種半導體陶瓷材料中，在第1溫度范圍和第２溫度范圍之間的邊界上的邊界溫度是１８０℃或者高于居里溫度（例如３７０℃），其中第１溫度范圍高于居里溫度，并且在這種范圍內陶瓷材料具有正電阻溫度系數，第２溫度范圍高于第１溫度范圍，并且在這種范圍內陶瓷材料具有負電阻溫度系數。
[21497-0087-0002] 半導體器件中作為低K膜的多孔陶瓷材料
[摘要] 介紹了一種在半導體器件中的低k、較高E的多孔陶瓷膜的選擇和形成方法。選擇具有較高楊氏模量和較低介電常數的陶瓷材料。通過使該膜多孔化來減小k。
[21497-0089-0003] 晶界層半導體瓷片的燒成聯體爐
本實用新型涉及電子元件技術領域，公開了一種晶界層半導體瓷片的燒成聯體爐，其排膠爐體(1)、還原燒成爐體(2)和氧化?3)分別連接控溫裝置(13)，其內并設有傳送裝置(10、11、12)；排膠爐體(1)和還原燒成爐體(2)間設有氣幕(4、5)；還原燒成爐體(2)和氧化爐體(3)間設有閘門(6、7)，閘門(6)外側設有火簾(8)；還原燒成爐體(2)和氣體配比裝置(16)通過氣管連接起來，氣體配比裝置(16)又同氫氣氮氣發生裝置(15)相連接；氧化爐體(3)上設有送風裝置(17)及排氣裝置(18)。可實現還原燒成后直接進入氧化爐，從而完成一次性燒成晶界層半導體瓷片。
[21497-0014-0004] 半導體瓷器及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種即使施加以高電壓也難以發生瓷器破壞、對沖擊電流的破壞特性優良的半導體瓷器及其制造方法。該方法的步驟是：稱量BaCO3、SrCO3、Pb3O4、CaCO3、TiO2、Er2O3、MnCO3和SiO2，使其形成(Ba0.0536Pb0.08Sr0.20Ca0.18Er0.04)TiO3+0.0004Mn+0.02SiO2的組成。經混合、脫水。干燥后，在1360℃假燒2小時，將所得的假燒粉末與黏合劑混合后，制成直徑18mm、厚3.6mm的形成體，在1360℃燒成1小時，在表1所示的條件下冷卻，從而獲得半導體瓷器。
[21497-0032-0005] 鈦酸鋇系半導體瓷器組合物
[摘要] 本發明提供了通過提高耐涌流特性，可使熱敏電阻元件小型化的鈦酸鋇系半導體瓷器組合物。鈦酸鋇系半導體瓷器組合物的主成分BaTiO3中一部分Ba被１～２５摩爾％的Ca、１～３０摩爾％的Sr和１～５０摩爾％的Pb取代；對應于１００摩爾％主成分，添加了０．２～１．０摩爾％半導體化試劑；作為添加劑的錳換算成Mn的添加量為０．０１～０．１０摩爾％，硅石換算成SiO2的添加量為０．５～５摩爾％，鎂換算成Mg的添加量為０．００２８～０．０９３摩爾％。
[21497-0023-0006] 半導體陶瓷電容器
[摘要] 一種電氣和物理性能優異足以用作邊界層型半導體陶瓷電容器的半導體陶瓷合成物和一種介電常數和絕緣電阻有所提高、電極的可釬焊性和抗拉強度優異的電容器。該合成物包含ＳｒＴｉＯ3基本原料和Ｙ2Ｏ3及Ｎｂ2Ｏ5的半導電性添加劑。Ｙ2Ｏ3和Ｎｂ2Ｏ5的含量各為合成物的０．１至０．４克分子％。該電容器有一個由該合成物制成的半導體陶瓷體，陶瓷體各表面形成有第一導電層，第一導電層上形成有第二導電層。還提供了制造該電容器的方法。
[21497-0026-0007] 陶瓷半導體針灸治療膠帶
[摘要] 本發明涉及一種陶瓷半導體針灸治療膠帶，其特征是該膠帶主要使用以錳、鈷、鐵、鎳等過渡元素氧化物作為主成分制造的精密陶瓷半導體（ＦＩＮＥ ＣＥＲＡＭＩＣＳ ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲ）貼在人體傳統針灸穴道部位皮膚上面，以陶瓷半導體輻射的遠紅外線及精密陶瓷與人體毛細孔排出的電解質（汗等）發生作用而引起的離子化傾向來達到與中國傳統醫術針灸相同的醫療效果。
[21497-0054-0008] 陶瓷的制法及其制造裝置以及半導體器件和壓電元件
[摘要] 陶瓷的制法包含在預定區域邊供給至少成為陶瓷原材料一部分的物質的活性粒子(100A)和電磁波(200A)，邊形成陶瓷膜的工序。也可以在前述規定區域上形成由陶瓷原材料一部分的物質構成的膜。還包含在第1陶瓷膜(20a)上供給活性粒子(100A)和電磁波(200A)，形成與第1陶瓷膜(20a)的結晶構造不同的第2陶瓷膜的工序。
[21497-0085-0009] 半導體芯片與引出線焊接、封裝陶瓷焊接模
[摘要] 本發明是對半導體芯片與引出線焊接、封裝陶瓷焊接模的改進，其特征是由51-100wt％的金屬硅或Sialon或氮化硅，0-49wt％的氮化硼，和/或成型燒結后表面涂覆氮化硼。所得焊接模，不僅能夠用于600-950℃高溫焊接、封裝，在高溫中使用長期不變形，而且用于玻殼封裝不粘玻璃，可以長期使用，并保持高的成品率。
[21497-0031-0010] 半導電陶瓷和半導電陶瓷電子元件
[摘要] 本發明提供了一種半導電陶瓷，其絕緣強度為８００Ｖ／ｍｍ或更大，并且室溫的電阻率為１００Ω?ｃｍ或更小，室溫的電阻率大致上沒有歷時變化。半導電陶瓷由經燒結的含鈦酸鋇的半導體材料制成，其中半導電陶瓷的平均顆粒尺寸為１．０μｍ或更小，在陶瓷的表面處由ＸＰＳ確定由BaCO3/BaO表示的相對光譜強度比,為0.50或更小。
[21497-0064-0011] 半導體瓷片電容器自動測量聯動機
[21497-0055-0012] 一種半導化陶瓷元件的封裝結構
[21497-0036-0013] 半導體陶瓷及由其制得的電子元件
[21497-0091-0014] 一種治療儀用半導瓷厚膜遠紅外發熱治療頭
[21497-0015-0015] 陶瓷片型半導體二極管及其制造方法
[21497-0016-0016] 氮化硅陶瓷電路基片及使用該陶瓷基片的半導體器件
[21497-0012-0017] 中低溫燒結半導體陶瓷的組成和制備方法
[21497-0024-0018] 鈦酸鋇系半導體陶瓷材料及制造方法
[21497-0084-0019] 半導體材料加工設備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件及該部件的制造方法
[21497-0074-0020] 由半導體陶瓷制成的NTC熱敏電阻元件
[21497-0086-0021] 半導性陶瓷元件及其制造方法
[21497-0050-0022] 半導體陶瓷和正溫度系數熱敏電阻
[21497-0070-0023] 陶瓷膜及其制造方法和半導體裝置及壓電元件
[21497-0068-0024] 半導體陶瓷芯片型電子被動組件的制作方法
[21497-0006-0025] 制造SrTiO3晶界層半導體陶瓷電容器的方法
[21497-0013-0026] 具有正電阻溫度系數的半導體陶瓷合成物及其制造方法
[21497-0020-0027] 半導體陶瓷組合物
[21497-0004-0028] 含碳的氮化鋁燒結體以及用于半導體制造/檢測設備的陶瓷基材
[21497-0048-0029] 單片半導體陶瓷電子元件
[21497-0075-0030] 陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及元件
[21497-0061-0031] 固熔體封裝PTC半導體陶瓷電熱器
[21497-0037-0032] 晶界層和表面層陶瓷電容器的半導化燒結方法
[21497-0002-0033] 空穴傳導型半導體陶瓷制冷材料及其制備方法
[21497-0008-0034] 半導體陶瓷組合物和使用該組合物的半導體陶瓷元件
[21497-0044-0035] 由半導體陶瓷制成的單片電子元件
[21497-0001-0036] 陶瓷膜及其制造方法和半導體裝置及壓電元件
[21497-0011-0037] 陶瓷接合體、其制造方法以及半導體晶片用陶瓷結構體
[21497-0040-0038] 半導體器件的陶瓷復合布線結構及其制造方法
[21497-0057-0039] 半導體陶瓷組合加熱器
[21497-0076-0040] 陶瓷加熱器、晶片加熱裝置以及半導體基板的制造方法
[21497-0009-0041] 陶瓷膜及其制造方法
[21497-0077-0042] 同軸封裝半導體激光器陶瓷插針
[21497-0053-0043] 陶瓷的制造方法及其制造設備以及半導體器件和壓電元件
[21497-0017-0044] 高溫正溫度系數熱敏電阻半導體陶瓷材料的制造方法
[21497-0051-0045] 具有負電阻溫度系數的半導體陶瓷和負溫度系數熱敏電阻
[21497-0046-0046] 圓臺形半導體陶瓷誘導電體高能燃油點火電極
[21497-0005-0047] 晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
[21497-0065-0048] 半導體陶瓷電容器瓷片半導化工藝方法
[21497-0003-0049] 電子傳導型半導體陶瓷制冷材料及其制備方法
[21497-0071-0050] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[21497-0078-0051] 用于半導體處理設備的陶瓷件
[21497-0034-0052] 鈦酸鋇系半導體陶瓷
[21497-0079-0053] 陶瓷膜及其制造方法和半導體裝置及壓電元件
[21497-0010-0054] 陶瓷及其制造方法、以及電介質電容器、半導體裝置及元件
[21497-0083-0055] 制備用于變阻器的包含金屬氧化物的半導體陶瓷的方法
[21497-0030-0056] 鈦酸鋇粉末、半導體陶瓷和半導體陶瓷電子元件
[21497-0028-0057] 半導體陶瓷
[21497-0062-0058] 半導體陶瓷電熱淋浴器
[21497-0019-0059] 半導體陶瓷合成物和半導體陶瓷電容器
[21497-0056-0060] 陶瓷封裝半導體抗電涌器件
[21497-0042-0061] 單片半導體陶瓷電子元件
[21497-0038-0062] 鈦酸鋇半導體陶瓷
[21497-0058-0063] 金屬陶瓷半導體多功能護目鏡
[21497-0081-0064] 具有平輔式瓷襯的半導體加工設備
[21497-0025-0065] 一種鈦酸鍶系半導體陶瓷電容器的制造方法
[21497-0059-0066] 全包型陶瓷半導體絕緣加熱裝置
[21497-0039-0067] 半導體陶瓷組合物和使用該組合物的半導體陶瓷元件
[21497-0052-0068] 中低溫燒結半導體陶瓷及其液相制備方法
[21497-0090-0069] 一種治療儀用半導瓷厚膜遠紅外動態發熱治療頭
[21497-0080-0070] 雙金屬與陶瓷組成的功率半導體及其制造方法
[21497-0043-0071] 半導體陶瓷及用其制造的器件
[21497-0045-0072] 半導體陶瓷電容器的基片生產工藝
[21497-0018-0073] 陶瓷多層線路板和半導體組件
[21497-0047-0074] 具有平鋪式瓷襯的半導體加工設備
[21497-0066-0075] 半導瓷厚膜發熱材料
[21497-0069-0076] 半導體工藝設備中的含鈰氧化物的陶瓷部件與涂層
[21497-0060-0077] 正溫度系數陶瓷半導體餐盒加熱器
[21497-0022-0078] 半導電陶瓷組合物
[21497-0033-0079] 正特性半導體陶瓷的制造方法
[21497-0035-0080] 半導體陶瓷和使用該半導體陶瓷的半導體陶瓷元件
[21497-0029-0081] 采用單層陶瓷基板的芯片大小組件半導體
[21497-0041-0082] 鈦酸鋇半導體陶瓷粉末和疊層的半導體陶瓷器件
[21497-0082-0083] 具有耐腐蝕層的陶瓷制品、結合了該陶瓷制品的半導體加工設備以及制造陶瓷制品的方法
[21497-0088-0084] 錳酸鑭系負溫度系數半導體陶瓷及其制備方法
[21497-0007-0085] 半導體陶瓷、用于去磁的正溫系統熱敏電阻器、去磁電路以及制造半導體陶瓷的方法
[21497-0072-0086] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[21497-0073-0087] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[21497-0067-0088] 在半導體加工設備中的氧化鋯增韌陶瓷組件和涂層及其制造方法
[21497-0021-0089] 半導體陶瓷的組成
[21497-0063-0090] 制造半導體陶瓷電容器基片用組合燒結爐
[21497-0027-0091] 一種正溫度系數半導體陶瓷電極的制造方法
[21497-0092-0092] 半導瓷厚膜散熱器
[21497-K0058-0093] 透明半導體陶瓷在日本問世-----[來源：功能材料信息 日期：2004年1期]
[21497-K0015-0094] PZT鐵電陶瓷的氫致半導體化-----[來源：金屬學報 日期：2005年9期]
[21497-K0006-0095] BaTiO3半導陶瓷的制備工藝和居里溫度移動-----[來源：寧夏大學學報：自然科學版 日期：2000年2期]
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[21497-K0028-0097] 半導體陶瓷及用其制造的器件-----[來源：佛山陶瓷 日期：2002年12期]
[21497-K0031-0098] 表面層型半導體陶瓷電容器的開發及產業化-----[來源：材料導報 日期：2000年9期]
[21497-K0053-0099] 鈦酸鋇系PTCR半導體陶瓷燒結過程的計算機模擬——I．燒結初期的動力學方程及計算機模擬-----[來源：功能材料 日期：2001年6期]
[21497-K0026-0100] 半導體陶瓷電極歐姆接觸理論分析-----[來源：江漢石油學院學報 日期：2002年4期]
[21497-K0033-0101] 單片半導體陶瓷電子元件-----[來源：佛山陶瓷 日期：2002年12期]
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[21497-K0043-0103] 納米技術在半導體陶瓷氣體傳感器中的應用-----[來源：傳感器技術 日期：2000年6期]
[21497-K0022-0104] 半導體氣敏陶瓷的研究方法-----[來源：太原理工大學學報 日期：2003年1期]
[21497-K0039-0105] 晶界層和表面層陶瓷電容器的半導化燒結方法-----[來源：電子科技大學學報 日期：2003年1期]
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[21497-K0009-0107] CuO—ZnO異質結半導體陶瓷氣敏機理的研究-----[來源：功能材料與器件學報 日期：2000年4期]
[21497-K0041-0108] 科技成果轉化助企業創新發展——解讀半導體瓷介電容器技術成果轉化與宏科新材料公司的成長-----[來源：電子科技大學學報：社會科學版 日期：2005年4期]
[21497-K0051-0109] 雙施主摻雜BaTiO3半導體陶瓷材料的研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2000年6期]
[21497-K0004-0110] AST液相摻雜對低電阻率、高抗電強度BaTiO3半導瓷顯微結構及電性能影響-----[來源：功能材料 日期：2002年5期]
[21497-K0036-0111] 鈣鈦礦結構陶瓷N型半導化評述-----[來源：材料導報 日期：2000年3期]
[21497-K0060-0112] 用陶瓷制V射線可通過的半導體-----[來源：精細與專用化學品 日期：2003年2期]
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[21497-K0003-0114] ⅡA族鈣鈦礦型氧化物半導瓷的結構與特性-----[來源：硅酸鹽學報 日期：2001年6期]
[21497-K0023-0115] 半導體陶瓷Schottky勢壘型器件晶界勢壘問題探討-----[來源：壓電與聲光 日期：2004年3期]
[21497-K0055-0116] 陶瓷基半導體電熱膜的研制-----[來源：東北大學學報：自然科學版 日期：2000年6期]
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[21497-K0037-0118] 化學沉積電極與BaTiO3系PTCR半導瓷的歐姆接觸-----[來源：壓電與聲光 日期：2002年1期]
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[21497-K0052-0120] 鈦酸鋇系PTCR半導體陶瓷燒結過程的計算機模擬——Ⅱ．燒結中后期及奧氏熟化過程中的晶粒生長-----[來源：功能材料 日期：2001年6期]
[21497-K0030-0121] 半導體陶瓷型薄膜氣敏傳感器的研究進展-----[來源：功能材料 日期：2004年1期]
[21497-K0059-0122] 微波場中燒結BaTiO3系半導體陶瓷的研究-----[來源：壓電與聲光 日期：2000年2期]
[21497-K0038-0123] 幾種半導體氣敏陶瓷材料的發展概況-----[來源：佛山陶瓷 日期：2002年8期]
[21497-K0050-0124] 濕敏半導體陶瓷感濕機理的理論新模型-----[來源：大學物理實驗 日期：2002年3期]
[21497-K0019-0125] 半導化BST陶瓷晶粒生長的顯微表征-----[來源：材料導報 日期：2000年Z10期]
[21497-K0017-0126] SEM二次電子成像在半導體陶瓷電容器研制中的應用-----[來源：電子顯微學報 日期：2001年4期]
[21497-K0032-0127] 單層片式晶界層半導體陶瓷材料研究進展-----[來源：礦冶 日期：2006年1期]
[21497-K0056-0128] 特種陶瓷在半導體工業中的應用-----[來源：佛山陶瓷 日期：2000年5期]
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[21497-K0016-0130] P型CuAlO2半導體陶瓷的燒結研究-----[來源：粉末冶金技術 日期：2004年6期]
[21497-K0018-0131] Ta2O5對TiO2基壓敏陶瓷半導化的影響-----[來源：壓電與聲光 日期：2005年5期]
[21497-K0027-0132] 半導體陶瓷粉末制備方法的比較研究-----[來源：渤海大學學報：自然科學版 日期：2005年1期]
[21497-K0001-0133] （Ba，Pb）TiO3半導體陶瓷的特殊敏感性及其機理-----[來源：科學通報 日期：2005年8期]
[21497-K0054-0134] 鈦酸鈉系PTCR半導體陶瓷界面態分析-----[來源：壓電與聲光 日期：2000年1期]
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[21497-K0025-0136] 半導體陶瓷低濕度濕敏機制的研究-----[來源：內蒙古師范大學學報：自然科學版 日期：2000年1期]
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[21497-K0013-0138] PTCR陶瓷半導化微觀機理的初探-----[來源：國外金屬熱處理 日期：2002年4期]
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[21497-K0011-0142] MnCoNiCuVO系NTC熱敏半導體陶瓷顯微結構與電性能研究-----[來源：材料科學與工程學報 日期：2006年4期]
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[21497-K0045-0150] 硼摻雜對α—Fe2O3—K2O濕敏半導體陶瓷結構與性能的影響-----[來源：無錫輕工大學學報：食品與生物技術 日期：2000年3期]
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