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1、在半導體基片上形成溝槽絕緣的方法
[技術摘要]本發明公開了一種改進的形成溝槽絕緣的方法，其中，用低壓化學氣相淀積（ＬＰＣＶＤ）工藝，以至少兩種不同氣體組成的混合氣體作為硅源氣體，形成富含硅氮化物層作為蝕刻半導體基片的掩模。這種改進的方法和富含硅氮化物層能防止柵氧化層的可靠性降低，并且晶片上及每一批都具有良好的均勻性。
2、復合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法
[技術摘要]本發明揭示了一種復合式ＳＯＩ基片，其容許通過使用傳統可見光校準器，對埋于ＳＯＩ基片內的絕緣體膜圖型及在ＳＯＩ基片層上形成的圖型進行高精度校準。復合式ＳＯＩ基片是通過在第一硅基片１０的主表面邊緣上形成校準氧化物薄膜圖型１ａ；制備在其邊緣有最好是Ｖ形槽部分９的第二硅基片以使第一硅基片上的校準圖型顯露出來；將第二硅基片與所述第一硅基片１０的主表面相聯接同時將校準，氧化物薄膜圖型１ａ顯露出來；然后將第二硅基片變薄形成為一個ＳＯＩ層２０ａ。
3、貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導體裝置
[技術摘要]在活性層用晶片的表面或支持基片用晶片的貼合面形成多個深度不同的凹部。將它們隔著絕緣膜貼合。由此可埋置尺寸精度高的空腔。可在基片平面內的多個位置同時形成多個空腔，并可任意設定SOI層的厚度。從而，能夠容易制造出在同一個芯片上混裝了MOS型*件和雙極*件的半導體裝置。
4、硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
5、用硅絕緣體基片上的應變Si/SiGe層的遷移率增強的NMOS和PMOS晶體管
6、一種基于絕緣體上硅片的應力傳感器芯片
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