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[8143-0098-0001] 設有晶片輸送機械臂用嵌入座的大氣壓下晶片輸送模件及其實施方法
[摘要] 本發明是關于一種設有晶片輸送機械臂用嵌入座的大氣壓下的晶片輸送模件及其實施方法。一載入鎖晶片輸送面相對于一占地面積尺度線成一銳角而設置，使得該占地面積線度并不包括晶片輸送距離的整體最小長度，而該晶片輸送距離必須將一機械臂與一載入鎖的晶片輸送面加以隔離。設置與一機械臂合并使用的兩個相鄰載入鎖，具有兩個用來界定一嵌入座的載入鎖晶片輸送面，其中每個收納面以相對于該占地面積尺度線成一銳角而設置。一機械臂以一固定位置相對于晶片盒和被嵌入的載入鎖晶片輸送面而設置，可避免使用橫向移動的機械臂軌道。因為這些輸送面以相對于該占地面積尺度線成一銳角而配置，故僅有最小晶片輸送距離的分量(而非全部距離長度)在該占地面積尺度線的方向上延伸。該機械臂的至少一部份位于由相鄰載入鎖輸送面所形成的嵌入座中，同時在將晶片輸送到載入鎖期間，在機械臂從延伸運動中被移動之際，并不需要旋轉位于垂直軸上的機械臂基部。因此，該數個模件的占地面積可實質地降低，其中該占地面積的至少一個面的大小必須最小化，使得機械臂可以只用較簡單的延伸運動來操作，以將晶片輸送到該載入鎖中，以避免包括橫向運動(例如，在一線性軌道上)和旋轉運動的較復雜運動。
[8143-0151-0002] 無鋁珠析出的硅太陽電池背場合金配方
[摘要] 本發明的目的是提供一種合金成分的配方比例，使在全自動背電極、背場、柵極生產中，既能不出現鋁珠，又能不減弱背反射作用，該合金成份根據電極基體材料的電阻率，選擇合適的銀漿與鋁漿(12-15)∶(85-88)的比例，制備銀鋁漿。
[8143-0050-0003] 在單面上帶塊形連接的垂直導電倒裝芯片式器件
一種倒裝芯片式mosfet結構具有垂直導電半導體管芯(30)，其中，管芯的下層同管芯頂部上的漏極(32)通過擴散散熱片或導通電極連接。源極(31)和柵極(33，34)也在管芯的上表面上形成，并且具有連接電路板的共面焊球(41，43，43)。結構具有芯片級封裝尺寸。當安裝管芯時轉換的管芯背面可粗糙化或可以金屬化以改進從管芯去除熱量。可并排地將幾個分離的mosfet結合進管芯，以形成同具有焊球連接體的頂面上的源極和漏極分別連接的一系列mosfet連接點。多個焊球連接體可為頂部電極提供并被設計在相應的平行行中。管芯可具有拉長矩形的形狀，焊球繞著矩形的對角線呈對稱地分布。
[8143-0133-0004] 半導體器件
[摘要] 本發明涉及bga型半導體器件，由于電源或接地布線短，減少了電感，可能實現高速化和高集成化的半導體器件。總之，本發明涉及bga型半導體器件，把電源或者接地的布線設置在bga基板中央附近，可能使其實現高速化和高集成化。而且，利用該半導體器件，可使電子電路和電子裝置實現高速化和功能復雜化。
[8143-0045-0005] 電元件的封裝和制造方法
[摘要] 本發明涉及敏感的元件結構(2)的封裝，這類元件結構用一個由光敏反應樹脂制成的框架結構(6)包封，并在敷設一層輔助薄膜(7)后，該反應樹脂用另一層刻蝕的反應樹脂層(8)覆蓋。例如通過蝕刻印制或光刻可在框架結構(6)上制出匹配的頂蓋結構(10)。外露的輔助薄膜(7)的殘余部分被溶解掉或腐蝕掉。
[8143-0144-0006] 具有延伸肖特基結的高速高壓功率集成器件
[摘要] 一種用于電力電子領域的具有延伸肖特基結的高速高壓功率集成器件，它在同一芯片上集成有半導體三極管和與其反并聯的半導體二極管，其特征在于：在二極管與三極管之間設有用來提高二極管開關速度的延伸肖特基結結構，采用二極管鋁電極延伸到二極管外側部分與高阻n-襯底間形成延伸肖特基結，可以減少注入少數載流子的濃度，因而提高開關速度。本發明顯著提高了功率集成器件集成二極管的開關速度，并且制作工藝簡單、成本低。
[8143-0218-0007] 固體攝像器件和使用該攝像器件的攝像機
[摘要] 實現具有適宜的ae傳感器和af傳感器各自光譜特性的aeaf用固體攝像器件，削減了光學系統的可見度校正濾波器。在同一半導體襯底101上邊集成用于進行自動聚焦的af光電二極管區域203、204和用于給攝影區域測光的ae光電二極管區域205的固體攝像器件中，af光電二極管區域203、204的光譜特性與ae光電二極管區域205的光譜特性不同，理想的是，af光電二極管區域的光譜特性峰值波長比ae光電二極管區域的光譜特性峰值波長要位于更靠長波長一側。
[8143-0051-0008] 薄膜晶體管的制造方法和液晶顯示裝置
[摘要] 本發明提供下述的薄膜晶體管的制造方法和利用該制造方法制造的液晶顯示裝置，其中，使含有臭氧的水與在基板上形成的半導體膜的表面接觸以便在該表面上形成表面氧化層，通過在至少已露出的半導體膜的表面上形成了表面氧化層的狀態下除去為了刻蝕、雜質離子注入等而形成的掩模來保護半導體膜的表面。
[8143-0001-0009] 芯片洗凈裝置和方法
[摘要] 一種芯片洗凈裝置和方法，其目的在于通過連續監測已用作清洗后的水的電性質，而在線上監測芯片的潔凈度，該芯片洗凈裝置包括供水裝置、電性質監測裝置以及信號傳送裝置，供水裝置用以將水供應至芯片的表面；電性質監測裝置則用以連續偵測已用作清洗后的水的電性質，而送出電性質信號；信號傳送裝置用以接收電性質信號。當電性質信號未達到既定值時，送出繼續清洗芯片信號至供水裝置，當電性質信號達到既定值時，送出停止清洗芯片信號至供水裝置。由監測已用作清洗后的水的電性質。本發明可在線上直接監測芯片的潔凈度，避免芯片發生洗凈不足或過度洗凈的情況，可達到最高的經濟效益。
[8143-0208-0010] 含鈀和/或鉑中間層的結構及其制作方法
[摘要] 提供了一種互連結構包含：帶有介電層的襯底，介電層中有通路孔；設在通路孔械淖璧膊悖輝謐璧膊閔系念俸?或鉑中間層；以及在中間層上的銅或銅合金層。
[8143-0182-0011] 利用側壁聚合物柵極結構形成輕摻雜漏極的方法
[8143-0040-0012] 有機發光器件
[8143-0028-0013] 交叉點陣列中存儲單元的隔離
[8143-0124-0014] 具有磊晶基極雙載子連接晶體管的自對準制造方法與結構
[8143-0058-0015] 多晶硅膜的制造方法
[8143-0102-0016] 采用平面薄膜電極的靜電吸盤
[8143-0127-0017] 微電子器件可靠性快速評價方法
[8143-0110-0018] 多晶硅層的制作方法
[8143-0160-0019] 集成電路封裝壓力釋放裝置和方法
[8143-0012-0020] 淺槽隔離結構的形成方法
[8143-0016-0021] 用單個掩模的淺溝道隔離方法
[8143-0107-0022] 壓電元件
[8143-0114-0023] 集成電路制造方法
[8143-0154-0024] 發光二極管金屬電極的制造方法及其制造裝置
[8143-0180-0025] 半導體器件的制造方法
[8143-0097-0026] 有機薄膜晶體管及制備方法
[8143-0005-0027] 肖特基勢壘二極管的制造方法
[8143-0072-0028] 基板在芯片上的芯片陣列式球柵陣列封裝的制造方法
[8143-0207-0029] 金屬內連線結構
[8143-0018-0030] 半導體存儲裝置中產生初始化信號的方法
[8143-0095-0031] 光發射單元、光發射單元組件和由多個光發射單元組裝的發光設備
[8143-0134-0032] 散熱器及其制作方法
[8143-0085-0033] 半導體放電管半導體芯片
[8143-0002-0034] 可去除蝕刻制程后的殘留聚合物及降低氧化物損失的方法
[8143-0199-0035] 動態隨機存取存儲器單元的形成方法
[8143-0201-0036] 半導體器件
[8143-0193-0037] 形成雙鑲嵌結構的方法
[8143-0215-0038] 非揮發記憶胞元
[8143-0153-0039] 銀柵線穿過tiox層與si歐姆接觸的燒結工藝
[8143-0122-0040] 非致冷紅外焦平面器件用低應力復合介質膜的制備方法
[8143-0155-0041] algainp發光二極管組件
[8143-0063-0042] 存儲器封裝工藝方法
[8143-0174-0043] 降低復晶硅層的反射率的方法
[8143-0112-0044] 結晶裝置、結晶方法及相位轉換機構
[8143-0179-0045] 光加熱裝置
[8143-0195-0046] 防止金屬擠出的方法
[8143-0206-0047] 層間絕緣膜及其形成方法以及聚合物組合物
[8143-0170-0048] 半導體制造裝置的監控系統以及監控方法
[8143-0059-0049] 銦鎵砷光電探測器制造的開管鋅擴散方法
[8143-0178-0050] 晶化設備、用于晶化設備的光學部件、晶化方法、薄膜晶體管和顯示器
[8143-0087-0051] 具有硅化物膜的半導體裝置以及半導體裝置的制造方法
[8143-0026-0052] 芯片上抖動的測量裝置及方法
[8143-0009-0053] 利用有機材質形成金屬硅化物保護電路的方法
[8143-0175-0054] 晶圓研磨環及其制造方法
[8143-0046-0055] 電子裝置及其制造方法
[8143-0007-0056] 用于傳送基片和在基片上安裝半導體芯片的設備
[8143-0184-0057] 影像傳感器封裝法
[8143-0029-0058] 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器
[8143-0069-0059] 扁平單元結構的掩膜只讀存儲器制造方法
[8143-0213-0060] 存儲器器件的結構及其制造方法
[8143-0211-0061] 具有體偏置電路的半導體集成電路器件
[8143-0156-0062] 半導體器件和一種使用該半導體器件的光學器件
[8143-0099-0063] 氮化鎵層在藍寶石基體上的懸掛外延生長
[8143-0126-0064] 具有導電凸塊的覆晶基板及其導電凸塊的制造方法
[8143-0008-0065] 檢測接觸窗蝕刻結果的方法
[8143-0060-0066] 保護帶的貼附和剝離方法
[8143-0117-0067] 形成開口的方法
[8143-0041-0068] 壓電元件和裝有壓電元件的振蕩變換器
[8143-0111-0069] 制造絕緣體上硅鍺襯底材料的方法以及該襯底
[8143-0055-0070] 組合產品的制造系統和制造方法
[8143-0074-0071] 半導體集成電路裝置、安裝襯底和安裝體
[8143-0177-0072] 在銅金屬圖案表面形成密封層的方法
[8143-0130-0073] 一種電容器和一種晶體管及其制造方法
[8143-0119-0074] 晶圓上的校正符號的清潔方法以及化學機械研磨制程后續再清潔制程的方法
[8143-0090-0075] 透明的n-型氧化鋅／p－型金剛石薄膜異質結及其制備
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[8143-0157-0077] 新型寬溫域巨磁致伸縮材料及其制備方法
[8143-0035-0078] 肖特基勢壘二極管及其制造方法
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[8143-0015-0080] 形成淺溝渠隔離的方法
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