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[8138-0061-0001] 一種高電子遷移率晶體管器件的自對準制作的方法
[摘要] 一種高電子遷移率晶體管器件〈ｈｅｍｔ〉的自對準制作的方法，涉及到在合格基片的管芯臺面上，制作其上面重疊覆蓋有絕緣膜層的源電極和漏電極，兩電極間距為尺寸與器件柵長相近的夾縫，在夾縫和其他圖形側壁上制作絕緣隔離側墻后，在夾縫有效窗口上制作器件柵極肖特基結及其上面柵電極，從而實現柵極與源、漏電極自對準的方法。
[8138-0046-0002] 晶片和基底的加工方法和裝置及傳送該晶片和基底的裝置
[摘要] 為使加工或檢驗晶片或基底的步驟更合理并提高半導體裝置或液晶面板的生產效率，在該晶片或基底被傳送經過的通路中的一個位置上設置用于在常壓或接近常壓的壓力下在預定的放電氣體中產生氣體放電的單元，使該晶片的表面被暴露于由氣體放電發生單元所產生的放電氣體的激發和活化形態之下，適當地選擇所述放電氣體的類型，按在線方式完成對所述晶片的表面處理，例如拋光、清洗和提供親水性。
[8138-0193-0003] 制造半導體器件的方法
用含蒸汽和氧的混合氣體首先氧化已形成的絕緣氧化膜，由此造成膜表面上殘留易移動的離子的狀態。隨后為除去殘留離子進行熱氧化工藝。結果，促進絕緣氧化膜內部的氧化。并改善了絕緣氧化膜表面的絕緣性能。因此能獲得有優異耐壓特性和很小的或無漏電流的高絕緣電介質膜。
[8138-0030-0004] 形成半導體器件接觸孔的方法
[摘要] 一種方法，包括以下各步驟，在一給定的基礎結構上形成一絕緣膜；在該絕緣膜上形成一些導電布線；在所得結構上形成均厚層間絕緣膜；再在其上形成第一光刻膠膜圖形；在第一光刻膠膜圖形的側壁形成犧牲膜調距層；在犧牲膜調距層之間的層間絕緣膜上形成第二光刻膠膜圖形；以及依次去掉犧牲膜調距層，及所露出的層間絕緣膜的區域，形成接觸孔，露出導電布線。其結果，改善了半導體器件的工作可靠性、生產率以及器件的高度集成化。
[8138-0138-0005] 電子發射器件,電子源和圖象形成裝置及其制造方法
[摘要] 一種電子發射器件，包括一對電極以及位于電極之間的含有電子發射區的導電膜，電子發射區內包括石墨膜。使用波長為５１４．５nm光點直徑為１μｍ的激光源對石墨膜進行拉曼光譜分析表明，石墨膜呈現有幾個散射光的峰值，其中1）位于１．５８０cm-1附近的峰值（ｐ２）大于位于１．３3５cm-1附近的峰值（ｐ１）或２）位于１．３３５cm-1附近的峰值（ｐ１）不大于１５０cm-1。
[8138-0050-0006] 半導體存貯裝置
[摘要] 一種半導體存貯裝置,備有輸入用數據擾碼器11和輸出用數據解擾器12。并設有輸入部分行地址將8對擾碼信號chng供給上述擾碼器11的鎖存電路13,輸出作為正常方式/測試方式切換信號的test信號的入口/出口電路14。鎖存電路13用來自入口/出口電路14的test信號對方式進行控制。且數據線15的一根表示一對互補線(rwd線,/rwd線)。通過在存貯器內部設置數據擾碼器，能自由變換測試方式時的寫入圖形。
[8138-0164-0007] 具有增強的聚焦裕度的半導體集成電路器件制造方法
[摘要] 一種制造半導體集成電路器件的方法，包括：將半導體襯底的第二表面部分做成凹槽；在其第一表面部分處制作第一電路區元件，而在第二表面部分處制作第二電路區元件，第一電路區和第二電路區的元件在垂直于半導體襯底表面部分的方向上具有相對小和大的尺寸；制作一隔離膜以覆蓋第一和第二電路區，使隔離膜的第一和第二部分間產生高程差；將隔離膜化學機械整平以抑制其高程差；以及在提高了聚焦裕度的情況下，在隔離膜上制作布線導體。
[8138-0200-0008] 引線框架和引線框架的制造方法
[摘要] 在引線框架中，引線在具有器件槽的絕緣保護膜的表面形成。突出電極（焊料球）在與緊靠絕緣保護膜表面相反的引線表面上形成。加強板也在絕緣保護膜的背面上形成。
[8138-0034-0009] 半導體器件及其制造方法
[摘要] 一種半導體器件，包括一雙多硅柵結構，其中的ｐ型多硅柵與ｎ型多硅柵是無接觸點雙層導電布線結構連接的，因而對高集成化有顯著的貢獻，以及一種改善產額的制造半導體器件的方法。
[8138-0151-0010] 半導體器件以及使用該半導體器件的信號處理系統
[摘要] 在一個具有分別連到多個輸入端的電容器裝置且電容的其余引線端共同連到一個讀出放大器的半導體器件中，通過利用在一個絕緣表面上的一個半導體層來形成該電容器和該讀出放大器，從而用一個小的電路規模實現了對具有從多個輸入端提供的較大位數的信號的高速、高精度處理。
[8138-0015-0011] 半導體器件的布線結構及其制造方法
[8138-0147-0012] 半導體器件的制造方法
[8138-0029-0013] 在高溫金屬層上形成介質層的方法
[8138-0106-0014] 可自由變色的全集光超高光效固體光源
[8138-0214-0015] 具有靜電保護作用的半導體集成電路器件
[8138-0107-0016] 晶片支架
[8138-0154-0017] ic引線矯正方法和矯正裝置
[8138-0172-0018] 半導體器件的制造方法
[8138-0031-0019] 直接圓片結合結構和方法
[8138-0179-0020] 半導體裝置
[8138-0058-0021] 薄膜半導體集成電路
[8138-0206-0022] 電容器制造方法
[8138-0033-0023] 半導體器件及其制造方法
[8138-0060-0024] 半導體裝置的制造方法
[8138-0042-0025] 離子源孔同預定離子束路徑的對準結構
[8138-0092-0026] 半導體器件的制造方法
[8138-0161-0027] 帶有凸面膜片部的壓電/電致伸縮膜元件及其制作方法
[8138-0004-0028] 引線框架用復合材料
[8138-0039-0029] 用于多層晶片的吸收層和生產該吸收層的方法
[8138-0048-0030] 半導體器件、其生產方法及其在液晶顯示器的應用
[8138-0086-0031] 半導體器件
[8138-0183-0032] 產生正負高壓的電源輸出電位復位電路
[8138-0160-0033] 銻化銦霍爾元件的電極及其制造方法
[8138-0071-0034] 對配有切割帶作為襯底載體的鋸切架的使用
[8138-0078-0035] 半導體器件及其制造方法
[8138-0210-0036] 半導體器件的制造方法
[8138-0017-0037] 減小表面粗糙度的半導體晶片的粗拋方法
[8138-0102-0038] 電子元件的外殼
[8138-0133-0039] 用激光處理半導體器件的方法
[8138-0093-0040] 復合結構壓電陶瓷變壓器
[8138-0003-0041] 準直器及其制造方法
[8138-0202-0042] 防止含雜絕緣層吸潮的方法
[8138-0204-0043] 制造cmos器件柵電極的方法
[8138-0195-0044] 半導體器件及其制造方法
[8138-0218-0045] 半導體裝置的制造方法
[8138-0152-0046] 半導體集成電路
[8138-0181-0047] 功率集成電路
[8138-0213-0048] 太陽電池裝置及其制造方法
[8138-0068-0049] 直接把芯片接合于散熱裝置的方法與裝置
[8138-0174-0050] 半導體器件及其制作方法
[8138-0169-0051] 高壓ｍｏｓ控制功率半導體器件
[8138-0022-0052] 半導體集成電路及其制造方法
[8138-0082-0053] 透光樹脂密封的半導體及其制造方法
[8138-0094-0054] 制造半導體器件電容的方法
[8138-0059-0055] 引線框架和半導體器件
[8138-0157-0056] 用于半導體器件中的曝光掩模
[8138-0067-0057] 低電感功率半導體模塊
[8138-0190-0058] 集成電路
[8138-0182-0059] 光電二極管陣列
[8138-0111-0060] 背部反射體層及其形成方法和應用它的光電元件
[8138-0064-0061] 非易失性半導體存儲器
[8138-0141-0062] 光電傳感器
[8138-0109-0063] 半導體晶片，半導體集成電路器件，以及它們的制造工藝
[8138-0072-0064] 相移掩模
[8138-0124-0065] 半導體器件及其形成方法
[8138-0166-0066] 集成電路用電容元件及其制造方法
[8138-0098-0067] 高光電轉換效率的金屬-半導體復合膜
[8138-0097-0068] 激光處理方法
[8138-0040-0069] 用以形成抗蝕圖形的方法
[8138-0043-0070] 覆埋位線元件及其制備方法
[8138-0153-0071] 用于自動檢測儀的連接裝置
[8138-0191-0072] 一種生產半導體片的方法
[8138-0024-0073] 制造半導體器件的方法
[8138-0140-0074] 透光導電薄膜的半導體晶片結合方法
[8138-0009-0075] 電鍍的焊接端子
[8138-0136-0076] 半導體襯底清洗方法與半導體器件制造方法
[8138-0021-0077] 組合式晶閘管
[8138-0101-0078] 以片狀材料層疊結構的半導體二極管制造方法
[8138-0145-0079] 微波集成電路無源元件的結構和降低信號傳播損耗的方法
[8138-0103-0080] 用于壓電器件的燒滲鎳電極
[8138-0089-0081] 曝光方法以及用該方法制造半導體集成電路器件的方法
[8138-0065-0082] 半導體器件及其制造方法
[8138-0137-0083] 用于制造半導體器件的方法
[8138-0126-0084] 制造半導體器件的方法
[8138-0005-0085] 透光樹脂密封的半導體
[8138-0156-0086] 半導體器件中針形接點的形成方法
[8138-0199-0087] 半導體裝置及其制造方法
[8138-0007-0088] 半導體激光器及其制造方法
[8138-0209-0089] 半導體器件及其制造方法
[8138-0041-0090] 化學/機械平面化端點檢測的原位監測法和設備
[8138-0114-0091] 方形扁平封裝的引線質量檢驗系統和檢驗方法
[8138-0186-0092] 制造快速電子可擦可編程只讀存儲器的源/漏結構的方法
[8138-0057-0093] 薄膜晶體管及其制造方法
[8138-0069-0094] 熱起動的抗噪聲熔絲
[8138-0108-0095] 探測卡
[8138-0203-0096] 芯片插接模塊的封裝方法及實施該方法所用的裝置
[8138-0122-0097] 真空微電子器件制造中的無版光刻工藝
[8138-0026-0098] 壓電元件安裝到基片上的方法
[8138-0095-0099] 半導體器件的制造方法
[8138-0012-0100] 微調游標
[8138-0044-0101] 形成超微細圖案的方法
[8138-0123-0102] 固體攝像裝置的驅動方式
[8138-0155-0103] 氨敏半導體器件及其制造方法
[8138-0115-0104] 增強半導體感光元件及其制造方法
[8138-0023-0105] 具有激光蝕刻阻當功能的高密度結構及其設計方法
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[8138-0010-0107] 用于裸露模板試驗和腐蝕的臨時密封裝置
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[8138-0025-0109] 用來改善聚合物同金屬間界面粘合性的方法和設備
[8138-0176-0110] 制造薄膜晶體管和液晶顯示裝置的方法
[8138-0146-0111] 浪涌吸收管
[8138-0177-0112] 半導體器件及其制造方法
[8138-0087-0113] 使用柔性環氧樹脂將散熱器直接固定到芯片載體
[8138-0197-0114] 多芯片模塊
[8138-0134-0115] 化學機械拋光機及用于拋光的方法
[8138-0205-0116] 半導體器件電容器及其制造方法
[8138-0001-0117] 半導體器件中制作金屬阻擋層的方法
[8138-0018-0118] 半導體器件的接觸結構及其制造方法
[8138-0194-0119] 制造結晶硅半導體和薄膜晶體管的方法
[8138-0084-0120] 半導體器件及其制造方法
[8138-0207-0121] 光和輻射的半導體探測器及其制造方法
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[8138-0096-0123] 形成半導體器件電荷存貯電極的方法
[8138-0077-0124] 用ｐｖｄ和ｃｖｄ法形成難熔金屬覆蓋的低阻金屬導體線與通路
[8138-0035-0125] 半導體裝置及其制作方法
[8138-0119-0126] 形成半導體器件圖形的方法
[8138-0076-0127] ic引線框架橫向移近的方法及裝置
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[8138-0163-0136] 使用保護夾具固定脆性導電引線的方法和裝置
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[8138-0008-0154] 半導體存儲器
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