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[8102-0027-0001] 導光裝置
[摘要] 光纖束(16)的光射出端面一側前端部被套筒部件(13)和射出部外圍(14)所覆蓋。將保持玻璃棒(40)的玻璃棒保持部件(42)安裝在射出部外圍(14)上。由定位銷(44)將玻璃棒(40)固定在玻璃棒保持部件(42)上，使它的光入射端面(40i)與光纖束(16)的光射出端面(16o)對置。玻璃棒(40)的光射出端面(40o)成為矩形形狀。在從光射出端面(40o)射出的光在玻璃棒(40)的邊界面上全反射并進行轉播的過程中，能夠使整個截面上的照度均勻化，并且將截面整形成矩形形狀。
[8102-0040-0002] 雙金屬鑲嵌溝深度監控系統
[摘要] 本發明揭示一種雙金屬鑲嵌過程方法，包括于含有單層的電介質材料的絕緣結構中形成多個通孔開口；并同時(i)于絕緣結構中形成多個溝道，各溝道沿著一群通孔開口大致形成的直線而定位，和(ii)使用散射儀系統監控溝道的形成以判定溝道深度，以及當達到所希望的溝道深度時，則終止形成該溝道。
[8102-0178-0003] 各向異性導電連接器,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
本發明公開了一種各向異性導電連接器及其應用，通過它，可在長時間段上保持良好的導電性，即使其被重復使用多次，或在高溫環境下重復使用。該各向異性導電連接器是具有彈性各向異性導電膜的各向異性導電連接器，其中形成有多個在膜厚度方向延伸的用于連接的導電部件。該彈性各向異性導電膜具有初始特性，假定用于連接的導電部件的總的數目是y，該用于連接的導電部件的電阻是r1g，該用于連接的導電部件處于這樣的狀態，即y×1g的負荷在厚度方向上施加到其中彈性各向異性導電膜上，和用于連接的導電部件的電阻是r6g，該用于連接的導電部件處于這樣的狀態，即y×6g的負荷在厚度方向上施加到其中彈性各向異性導電膜上，電阻r1g的值低于1ω的用于連接的導電部件的數目至少為總的用于連接的導電部件的數目的90％，電阻r6g的值低于0.1ω的用于連接的導電部件的數目至少為總的用于連接的導電部件的數目的95％，電阻r6g的值至少為0.5ω的用于連接的導電部件的數目至多為總的用于連接的導電部件的數目的1％。
[8102-0066-0004] 半導體基板、半導體裝置、及它們的制造方法
[摘要] 本發明的半導體基板具有：單晶si基板，具有包含溝道區、源區和漏區的活性層，不具有阱結構和溝道截止區；柵絕緣膜，形成在上述單晶si基板上；柵電極，形成在上述柵絕緣膜上；locos氧化膜，形成在上述活性層的周圍的上述單晶si基板上，膜厚比上述柵絕緣膜的膜厚厚；以及絕緣膜，形成在上述柵電極和locos氧化膜上。由此，提供一種半導體基板、半導體裝置和它們的制造方法，在大型絕緣基板上形成非單晶si半導體元件和單晶si半導體元件而制造集成了高性能系統的半導體裝置的情況下，能簡化單晶si部分的制造工序，且在轉印到大型絕緣基板上后，不用高精度的光刻蝕法就能實現微細的單晶si半導體元件的元件分離。
[8102-0187-0005] 短路失效模式預制件的功能涂層
[摘要] 本發明涉及到一種功率半導體模塊，它包含至少一個半導體芯片(11)，此半導體芯片(11)由半導體材料、第一和第二主電極(12，13)、第一和第二主連接(91，92)、以及與第一主電極(12)和第一主連接(92)電接觸的接觸片(2)組成。所述接觸片(2)包含能夠與半導體材料一起形成低共熔體的合金伴侶。本發明的接觸片被涂敷有導電的保護層(31，32)，借以防止了第一主電極(12)和接觸片(2)形成永久的材料連接。
[8102-0098-0006] 專用半導體電路及半導體電路驅動器的資源配置方法
[摘要] 一集成半導體電路，具有一邏輯功能方塊(l)的規則陣列與一對應于該邏輯功能方塊(l)陣列的接線區(x)規則陣列。一接線區(x)的至少一接線層中的接線是以導線線段方式形成，其在所述之接線區內連續且于接線區邊界處中斷。此外，該半導體電路包含以一l形方式圍繞該邏輯功能方塊的一邏輯單元的驅動器單元。
[8102-0089-0007] 半導體器件的錯誤評價支持方法與裝置
[摘要] 在對半導體器件的由宇宙射線中子引起的錯誤的抵抗能力進行評價的場合，在評價裝置的存儲部，存儲具有各自不同的頻譜形狀的多個白色中子的頻譜數據和用該多個頻譜數據各自進行的由白色法所得到的多個see(single event effect)數；而后，演算部從存儲部讀出頻譜數據，分割成多個能量群，對于上述多個頻譜數據各自進行計算并存儲各能量群的總通量的處理。而且，從存儲部讀出上述多個頻譜數據各自的see數和各能量群的總通量，并代入表示多個頻譜數據各自的各能量群的總通量的矩陣元素和表示各能量群的see截面積的矢量之積、表示上述多個頻譜數據各自的see數的聯立方程式，算出各能量群的see截面積。而后，為由多個頻譜和近似函數的積分所得到的錯誤數的計算值與實際測量值充分一致，演算部，計算決定作為能量函數的see截面積的近似函數的形式的參數。通過進行這樣的處理，就能進行不依賴于加速器、使用了白色中子的半導體器件的錯誤評價。
[8102-0012-0008] 一種太陽能轉化電熱能集成全玻璃外殼換能元件
[摘要] 太陽能轉化電熱能集成全玻璃外殼換能元件，包括透光外玻璃管、光伏電池、導線、散熱板、傳熱過渡絕緣填料、金屬熱管、玻璃封接金屬電極、消氣劑、金屬定位彈卡、排氣管封嘴等構成。其光伏電池的正極通過金屬焊接與帶有管狀安裝孔的散熱板連接，散熱板套裝于金屬熱管上，通過傳熱過渡絕緣填料與金屬熱管緊密連接，相鄰光伏電池板正極之間相互電絕緣，串聯接于金屬熱管之上。光伏電池定位安裝于透光外玻璃管的直徑上，透光外玻璃管玻璃焊接將金屬熱管封閉其內。或光伏電池定位安裝于透光外玻璃管內安置的反射聚光鏡面的聚焦線上。透光外玻璃管上連接排氣尾管，抽真空后封嘴。串聯構成的光伏電池組的正負電極，通過導線連接的玻璃封接金屬電極導出。
[8102-0183-0009] 多層印刷線路板
[摘要] 提供一種封裝基板，安裝高頻域的ic芯乇鶚羌詞鉤?ghz，也不發生誤動或出錯。在芯基板(30)上形成厚度為30μm的導體層(34)，在層間樹脂絕緣層(50)上形成15μm的導體電路(58)。通過增厚導體層(34p)，能增加導體自身的體積，降低電阻。并且，通過將導體層(34)用作電源層，能提高對ic芯片的電源供給能力。
[8102-0052-0010] 具有包括帶金屬電極網的反射鏡的共振腔的msm型光電檢測器件
[摘要] 本發明涉及一種msm型光電檢測器件，該器件設計為檢測入射光，并且包括疊加在載體(1)上的反射裝置(2)，以形成法布里珀羅型共振腔的第一反射鏡，不吸收光的材料層(3)，由吸收入射光的半導體材料制成的有源層(4)，以及收集已檢測信號的偏振電極網(5)。該電極網排列在有源層上，并由周期小于入射光波長的均勻間隔隔開的平行導電條構成，電極網形成共振腔的第二反射鏡，該第二反射鏡的光學特性由所述導電條的幾何尺寸確定。確定將第一反射鏡和第二反射鏡隔開的距離，以獲得這兩個反射鏡之間入射光的法布里珀羅型共振。
[8102-0184-0011] 具有芯片級封裝外殼的半導體器件
[8102-0145-0012] 紫外線傳感器及其制造方法
[8102-0204-0013] 飽和型磷光體固態發射器
[8102-0029-0014] 氧化鉿鋁介質薄膜
[8102-0172-0015] 從襯底表面選擇性去除材料的方法,用于晶片的掩蓋材料和帶有掩蓋材料的晶片
[8102-0170-0016] 強電介質存儲器、半導體裝置、強電介質存儲器的制造方法以及半導體裝置的制造...
[8102-0119-0017] 具有將可控硅用作保護元件的靜電保護電路的半導體裝置
[8102-0120-0018] 多層基板堆棧封裝結構
[8102-0016-0019] 高功率led封裝
[8102-0053-0020] 包括阻擋層/子層的發光二極管及其制造方法
[8102-0105-0021] 閃速存儲器的制造方法
[8102-0004-0022] 自對準分離柵與非型快閃存儲器及制造工藝
[8102-0087-0023] 一種管狀缺陷的檢測方式
[8102-0218-0024] 自對準式薄膜晶體管的制造方法
[8102-0102-0025] 浮置柵極的形成方法
[8102-0175-0026] 包含金屬硅化物柵和溝道注入的晶體管構件及其制造方法
[8102-0009-0027] 薄膜晶體管元件
[8102-0176-0028] 用化合物完全或部分覆蓋至少一個電子元件的方法和設備
[8102-0163-0029] 用半導體工藝制作平面式氣體傳感器基底的方法
[8102-0139-0030] 固態成像器件
[8102-0216-0031] 等離子體處理裝置以及方法
[8102-0205-0032] 半導體器件的制造方法、半導體器件、電光裝置用基板、電光裝置和電子設備
[8102-0080-0033] 制造半導體器件的方法
[8102-0015-0034] 可增加自發光線射出效率的發光二極管
[8102-0060-0035] 光耦合器以及使用該光耦合器的電子設備
[8102-0083-0036] 場效應晶體管及其制造方法
[8102-0068-0037] 襯底處理方法
[8102-0117-0038] 低功率熔絲結構及其制造方法
[8102-0189-0039] 電引線架的制造方法,表面安裝的半導體器件的制造方法和引線架帶
[8102-0192-0040] 鐵電器件以及制造該器件的方法
[8102-0063-0041] 半導體器件和用于半導體器件的多層基板
[8102-0071-0042] 形成圖案的方法，薄膜晶體管，顯示設備及制法和應用
[8102-0110-0043] 半導體芯片的放熱結構
[8102-0193-0044] nrom存儲器元件,存儲器陣列,相關裝置和方法
[8102-0112-0045] 半導體器件
[8102-0019-0046] 發光裝置及其制造方法
[8102-0082-0047] 半導體器件及其制造方法
[8102-0001-0048] 硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
[8102-0031-0049] 半導體用研磨劑、該研磨劑的制造方法和研磨方法
[8102-0111-0050] 散熱裝置的制備方法
[8102-0143-0051] 具有柵極電介質結構易失性存儲器的晶體管及其制造方法
[8102-0099-0052] 閃存存儲單元的制造方法
[8102-0014-0053] 發光二極管結構
[8102-0211-0054] 半導體裝置、電光學裝置、集成電路及電子設備
[8102-0213-0055] 金屬-絕緣體-金屬電容器之電極的制造方法
[8102-0203-0056] 用于成像探測器的封裝結構
[8102-0010-0057] 芯片于感光元件上的封裝結構及其電氣封裝結構
[8102-0159-0058] 光源組件和車輛用前照燈
[8102-0134-0059] 存儲單元列及其構成的陣列、及該陣列的制造與操作方法
[8102-0161-0060] 發光裝置及照明裝置
[8102-0074-0061] 一種硅襯底納米氧化鋅及其制備方法和應用
[8102-0185-0062] 放熱用構件及其連接構造體
[8102-0126-0063] 半導體裝置制造方法、半導體裝置和半導體芯片
[8102-0191-0064] 集成電路及其制造方法
[8102-0207-0065] 一種制造半導體器件的方法
[8102-0003-0066] 存儲器件及其制造方法
[8102-0179-0067] 各向異性導電連接器,導電漿料成分,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
[8102-0070-0068] 執行掩模圖案的透射調節以改善處理寬容度的方法
[8102-0190-0069] 隱埋數位線堆積及其制造方法
[8102-0103-0070] 帶有底切區域中的絕緣層環的溝槽電容器及其制造方法
[8102-0039-0071] 精密加工用載物臺裝置
[8102-0024-0072] 有機發光二極管及包含其的顯示面板與通訊裝置
[8102-0182-0073] 使用金屬氧化物形成雙重柵極氧化物器件的方法及其合成器件
[8102-0057-0074] 壓電執行器及其制造方法
[8102-0022-0075] 位于絕緣體上硅結構襯底上的相變存儲器單元
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[8102-0041-0077] 縮小集成電路的接觸部尺寸以制造多階層接觸的方法
[8102-0081-0078] 半導體裝置及半導體制造裝置
[8102-0011-0079] 一種太陽能轉化電熱能集成玻璃換熱元件
[8102-0008-0080] 源極及漏極中聚含摻質金屬的晶體管
[8102-0164-0081] 有機場效應晶體管及制造方法和含該晶體管的平板顯示器
[8102-0116-0082] 一種電子熔線及形成該電子熔線的制造方法
[8102-0174-0083] 薄膜晶體管
[8102-0061-0084] 處理裝置
[8102-0114-0085] 半導體裝置、磁傳感器和磁傳感器單元
[8102-0162-0086] 壓電陶瓷和壓電元件
[8102-0094-0087] 半導體裝置的制造方法
[8102-0157-0088] 固態元件和固態元件裝置
[8102-0108-0089] 布線襯底、使用該布線襯底的固態成像裝置及其制造方法
[8102-0128-0090] 電子器件和該電子器件的制造方法
[8102-0023-0091] 具有水平電極的硫屬化合物記憶胞及其形成方法
[8102-0180-0092] 各向異性導電連接器,導電漿料成分,探針元件,和晶片檢測儀器及晶片檢測方法
[8102-0166-0093] 用于檢測襯底位置/存在的共用傳感器
[8102-0142-0094] 場效應晶體管
[8102-0007-0095] 金屬氧化物半導體場效應晶體管及其制造方法
[8102-0212-0096] 監測離子植入狀態的芯片重復再使用的方法
[8102-0088-0097] 半導體元件缺陷的檢測方法
[8102-0171-0098] 用于制造半導體器件的集群型灰化設備
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