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[22107-0013-0001] 中低溫燒結半導體陶瓷的組成和制備方法
[摘要] 本發明涉及一種中低溫燒結半導體陶瓷,該半導體陶瓷的一般式為(sr1-xpbx)t&iyo3其中x=0.1~0.9,y=0.8~1.2。配方主成分中,含有sr、pb和ti等金屬元素,總含量為85~99.9mol%,半導化元素含量為0.01~3mol%,添加劑含量為0.1~12mol%。其制備工藝包括配料、球磨、烘干、預燒、粉碎、干燥和燒結。另一種制備工藝包括配料、共沉淀、洗滌、分散、烘干、煅燒和燒結等。本發明制備的陶瓷具有典型的ptc特性,而且室溫電阻率低,升阻比高,耐壓強度大。
[22107-0116-0002] 半導體器件中作為低k膜的多孔陶瓷材料
[摘要] 介紹了一種在半導體器件中的低k、較高e的多孔陶瓷膜的選擇和形成方法。選擇具有較高楊氏模量和較低介電常數的陶瓷材料。通過使該膜多孔化來減小k。
[22107-0052-0003] 由半導體陶瓷制成的單片電子元件
一種由半導體陶瓷制成的單片電子元件,該元件包括交替堆疊的半導體陶瓷層與內部電極層組成的煅燒疊層以及形成于煅燒疊層上的外部電極,其中每層半導體陶瓷層包括半導體化煅燒鈦酸鋇,其包含下列物質:氧化硼;從鋇、鍶、鈣、鉛、釔和稀土元素中選擇的至少一種金屬的第一氧化物;以及從鈦、錫、鉻、鈮、鎢和銻中選擇的至少一種金屬的第二氧化物,注入的氧化硼數量按還原的原子硼計滿足一定的關系。
[22107-0088-0004] 納米陶瓷的制造方法
[摘要] 本發明公開了一種納米陶瓷的制造方法,將待包裝合格的以三氧化二鋁為基的如75瓷、95瓷、99瓷紡織陶瓷及經檢驗合格的待被釉的高壓輸電瓷瓶及制造半導體元器件環氧樹脂封裝用陶瓷和閥門、水龍頭開關用陶瓷清洗烘干后置于真空容器中,當真空度到達133.3×10-3~133.3×10-7pa后將加熱源上的納米材料升溫到20℃~1200℃,保持0.5~4.0小時,解除真空,納米材料分布到所有陶瓷里面,停止加熱自然降溫、冷卻,取出產品清洗烘干。紡織陶瓷由多孔性變成致密性,由親水性變成了憎水性,增加了陶瓷的潤滑性,可降低斷紗率2~20倍;高壓輸電瓷瓶不需被釉,不僅可提高它的耐壓性和環境使用性,還可降低生產成本,半導體元件封裝用及閥門,水龍頭開關用的納米陶瓷,密封抗潮性能好。
[22107-0070-0005] 固熔體封裝ptc半導體陶瓷電熱器
[摘要] 一種溫度調節裝置用的固熔體封裝ptc半導體陶瓷電熱器,其金屬外殼底部往上依次疊放下氧化鋁絕緣瓷板、下金屬引線板、ptc基片、上金屬引線板、上氧化鋁絕緣瓷板,上下金屬引線板分別有金屬電源引線穿過各自的絕緣瓷套管伸出金屬外殼,固熔體充滿金屬外殼內空間,外殼上部有壓住固熔體的上蓋板。本實用新型封裝嚴密、使用壽命長,ptc基片與引線板接觸良好,不易氧化和發生故障,安全可靠,能適應震動、高溫等惡劣工作環境。
[22107-0033-0006] 一種正溫度系數半導體陶瓷電極的制造方法
[摘要] 本發明涉及一種陶瓷電極的制造方法,即提供了一種正溫度系數半導體陶瓷電極的制造方法。其主要特征在于采用火焰噴涂的方法,把金屬或合金在高溫略帶還原性氣氛下霧化并直接噴涂在ptcr陶瓷片的表面。本發明具有方法簡單、易于實施且降低產品成本等優點。
[22107-0112-0007] 半導體材料加工設備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件及該部件的制造方法
[摘要] 半導體材料加工設備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件,包括襯底和襯底上的至少一層含有氧化釔的涂層。這些部件這樣制造,將第一含氧化釔的涂層施用在陶瓷襯底上,該襯底可以是陶瓷材料生坯。將涂覆的生坯燒結。對該第一含氧化釔的涂層進行處理,去除因燒結而產生的附著的氧化釔顆粒。在另一個實施方案中,可以在第一含氧化釔的涂層上熱噴涂第二含氧化釔的涂層,以覆蓋這些顆粒。
[22107-0078-0008] 陶瓷接合體
[摘要] 本發明的目的是提供一種陶瓷接合體,該陶瓷接合體包括:陶瓷基板和諸如筒狀體那樣的陶瓷體,該陶瓷基板和陶瓷體相互牢固接合,并且用于半導體產品制造/檢查步驟的陶瓷基板的耐腐蝕性優良。根據本發明的陶瓷接合體包括:陶瓷基板,其內部設有導電體;以及陶瓷體,其與陶瓷基板的底面接合。該陶瓷接合體具有在陶瓷基板和陶瓷體的接合界面的上方區域的至少一部分中不形成導電體的區域。
[22107-0004-0009] 晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
[摘要] 本發明涉及電子元件技術領域,晶界層半導體陶瓷電容器按下列方法制成:①按照配方范圍:0.95~1.05mol的srco3,0.95~1.05mol的tio2,0.001~0.01mol的nb2o5配制瓷料。②球磨成粉狀,粒度<1um。③在1150℃~1250℃溫度下煅燒。④在上述煅燒后的粉料中添加0.001~0.01mol的mnco3及按上述煅燒后的粉料的重量比為0.5~5wt%的助熔劑pbo、bi2o3、b2o3、cuo。⑤球磨成粉狀,粒度<1um。⑥在球磨后的瓷料中,混合與其重量比為18~23wt%的聚乙烯醇溶液,然后軋膜成型。⑦沖片。⑧排膠。⑨在1210℃~1260℃溫度下,在0.05~0.75mol的h2與0.95~0.25mol的n2混合流動氣體中進行還原燒結4小時,然后將溫度降至950℃~1100℃,在普通大氣中處理30~60分鐘。⑩被銀電極。本發明原料成本低,總體工藝簡單,低溫一次燒成,介電性能參數優良,更重要的是它適宜產業化生產。
[22107-0071-0010] 節能型風幕機用熱敏陶瓷加熱器
[摘要] 本裝置屬于一種半導體加熱器,其結構是該加熱器由風機、半導體加熱片鋁合金片散熱器及供電電源組成,特點是風機出口外側,散熱片與加熱片交替布置,風機出口內側為雙層散熱片,供電電源采用分相分組聯接,可單獨以a相、b相、c相、ab相、bc相、abc相供電。優點:結構簡單,采用加熱片與散熱片之不同組合結構,以實現加熱均勻,控制靈活,節約能源,安全可靠。
[22107-0082-0011] 半導體工藝設備中的含鈰氧化物的陶瓷部件與涂層
[22107-0114-0012] 布線基板、陶瓷電容器
[22107-0017-0013] 絕緣陶瓷組合物及使用該組合物的疊層陶瓷電容器
[22107-0064-0014] 一種陶瓷電熱膜發熱體
[22107-0098-0015] 一種新型管式陶瓷電容器的制備方法
[22107-0065-0016] 一種半導化陶瓷元件的封裝結構
[22107-0035-0017] 精密陶瓷針灸絕緣針
[22107-0100-0018] 玻璃陶瓷及其制備方法
[22107-0029-0019] 鈦酸鋇系半導體陶瓷材料及制造方法
[22107-0026-0020] 半導體陶瓷的組成
[22107-0093-0021] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[22107-0048-0022] 半導體器件的陶瓷復合布線結構及其制造方法
[22107-0090-0023] 超低熱膨脹透明玻璃陶瓷
[22107-0056-0024] 單片半導體陶瓷電子元件
[22107-0066-0025] 陶瓷封裝半導體抗電涌器件
[22107-0006-0026] 制造srtio3晶界層半導體陶瓷電容器的方法
[22107-0067-0027] 金屬陶瓷半導體多功能護目鏡
[22107-0095-0028] 一種使用玻璃進行氧化物陶瓷表面改良的方法
[22107-0079-0029] 在半導體加工設備中的氧化鋯增韌陶瓷組件和涂層及其制造方法
[22107-0084-0030] 壓電陶瓷彎曲變換器
[22107-0075-0031] 制造半導體陶瓷電容器基片用組合燒結爐
[22107-0009-0032] 定熱膨脹鉛鍶鈦酸鹽正阻溫系數陶瓷的制備方法
[22107-0055-0033] 圓臺形半導體陶瓷誘導電體高能燃油點火電極
[22107-0119-0034] 用于發光器件的發光陶瓷
[22107-0102-0035] 一種用于制備srtio3基壓敏電容雙功能陶瓷的方法
[22107-0089-0036] 陶瓷加熱器
[22107-0118-0037] 一種導電負熱膨脹陶瓷
[22107-0032-0038] 片式陶瓷鋁擴散源
[22107-0062-0039] 中低溫燒結半導體陶瓷及其液相制備方法
[22107-0121-0040] 陶瓷工藝冰溫飲水機
[22107-0091-0041] 半導體生產系統用的陶瓷加熱器
[22107-0111-0042] 圖案化的陶瓷薄膜和其制備方法
[22107-0041-0043] 半導電陶瓷和半導電陶瓷電子元件
[22107-0030-0044] 一種鈦酸鍶系半導體陶瓷電容器的制造方法
[22107-0104-0045] 防靜電陶瓷墻地磚及其制備方法
[22107-0107-0046] 雙金屬與陶瓷組成的功率半導體及其制造方法
[22107-0053-0047] 半導體陶瓷電容器的基片生產工藝
[22107-0108-0048] 具有耐腐蝕層的陶瓷制品、結合了該陶瓷制品的半導體加工設備以及制造陶瓷制品的方法
[22107-0001-0049] 空穴傳導型半導體陶瓷制冷材料及其制備方法
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[22107-0115-0051] 包括嵌入的陶瓷電容器的布線板結構
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[22107-0083-0053] 一種改性的陶瓷微濾膜
[22107-0085-0054] 陶瓷接合體、陶瓷接合體的接合方法和陶瓷結構體
[22107-0077-0055] 半導體陶瓷電容器瓷片半導化工藝方法
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[22107-0040-0058] 新穎的陶瓷點火器及其使用方法
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[22107-0044-0075] 半導體陶瓷和使用該半導體陶瓷的半導體陶瓷元件
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[22107-0003-0080] 敷銅型陶瓷散熱基片的制造工藝
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[22107-k0004-0128] ptc半導體陶瓷材料研究-----[來源:上海硅酸鹽 日期:1995年2期]
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[22107-k0003-0130] finder-1000x射線能譜儀在半導體陶瓷電容器制程中的應用-----[來源:電子顯微學報 日期:2003年6期]
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[22107-k0008-0132] 半導體鈦酸鍶陶瓷燒結新工藝的研究-----[來源:熱固性樹脂 日期:1999年4期]
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[22107-k0012-0135] 用于航空半導體電阻sno2半導體陶瓷的研究-----[來源:硅酸鹽通報 日期:1997年3期]
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