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[8169-0171-0001] 原位晶片清洗方法
[摘要] 這里公開了一種原位晶片清洗方法和設備，其中低壓外部燃燒反應器與低壓爐結合，通過鹵代烴和氧的燃燒產生燃燒產物氣流。燃燒產物與低壓爐內的半導體晶片接觸，以去除ⅰ和ⅱ族金屬。充足的清洗時間過去后，用惰性氣體凈化燃燒反應器和爐，去除燃燒產物。在優選實施例中，鹵代烴為轉－１，２－二氯乙烯，燃燒產物為汽化鹽酸。
[8169-0067-0002] 半導體電力變換裝置及其應用裝置
[摘要] 半導體電力變換裝置的冷卻裝置，以前，由于是用恒定的冷卻能力連續運行，故電力半導體元件的溫度將隨著電力變換裝置的負載變動而上下變動。這一變動將變成為熱循環，招致電力半導體元件的壽命降低、可靠性降低。$于是，借助于送液裝置和流量控制裝置對冷媒流量進行連續可變控制，使得冷卻元件的冷媒的出口溫度ｔ２變成為恒定。同時借助于溫度控制裝置對可變送風機進行連續可變控制，使得冷媒入口溫度ｔ２也變成為恒定。
[8169-0157-0003] 用于電子束曝光的方法以及用于制造半導體器件的方法
一種電子束曝光方法，當使用電子束曝光來在由導電部件所形成的閉合區域內形成分離的導電部件，使得它不影響已經形成的導電部件，使其通過每個層面，分別檢測對于每個層面上的導電部件的圖案提供的各個對齊標志，對每個層面計算差值，以表示在這些層面中圖案相對應參考坐標值的位置偏移，對每個層面確定用于糾正這些差值的糾正值，并且從中選擇一組糾正值，并用于確定用于電子束曝光方的位置，以在閉合區域中形成分離的導電部件。
[8169-0210-0004] 水冷半導體器件用組裝框
[摘要] 一種水冷半導體器件用組裝框屬金屬加工技術，用于電力半導體器件組裝水冷散熱器。附圖中兩個邊框是螺桿，兩上邊框是矩形鋼，一個邊框有拉桿螺紋1和單端固定孔3，單端固定孔3上有螺紋8，在兩個邊框上均有中心定位點7，使用時把電力半導體器件和水冷散熱器等配件對準中心定位點7擺放，壓緊即可。
[8169-0051-0005] 雙型薄膜場效應晶體管及其應用
[摘要] 微電子器件包括適合于接收輸入電壓的柵極層。在柵極層上形成絕緣層，并且在絕緣層上形成導電溝道層而導電溝道層在源和漏之間傳送電流。導電溝道層適合于形成雙溝道。雙溝道既包括p溝道又包括n溝道，其中響應輸入電壓極性可選擇地啟動p溝道和n溝道其中之一。此外還公開形成器件的方法及其應用。
[8169-0192-0006] 一種一次性使用ic模塊的設計方法及生產工藝
[摘要] 本發明涉及一種一次性使用ｉｃ模塊的設計方法及生產工藝。其設計方法為：通過ｐｃｂ線路板與固封膠及被固封膠固封的ｉｃ芯片分離使ｉｃ模塊被破壞，從而實現ｉｃ模塊一次性使用。其生產工藝是：將現有的ｐｃｂ線路板表面進行抗膠粘性工藝處理。一次性使用ｉｃ模塊，其特征是：在ｐｃｂ線路板上附著一層抗膠粘性隔離物，將ｉｃ芯片粘接在隔離物上，ｉｃ芯片上的電極與ｐｃｂ線路板上的對應電極相連接，在ｉｃ芯片和引線上涂有固封膠。
[8169-0046-0007] 半導體基材的制造方法和太陽能電池的制造方法
[摘要] 在通過支撐元件對由基片上的分離層形成的半導體層進行支撐，并通過對支撐元件施加拉力機械破壞分離層，而形成薄膜半導體時，通過真空吸附和／或靜電吸附來固定基片，并從除基片邊緣之外的區域開始分離薄膜外延層。由此可提供一種能夠以較高產量獲得具有優異性質薄膜外延層的方法，并且允許重復使用基片，且在制造半導體基材和太陽能電池時不會因為分離力超過基片的粘接力而抬起基片。
[8169-0206-0008] 耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
[摘要] 一種soi型半導體器件，夾置絕緣層地層積半導體襯底和作為有源層的第一半導體層，同時在第一半導體層的表面上，形成第二半導體層和有與該第二半導體層不同導電型的第三半導體層，在所述第一半導體層和所述絕緣層的界面上形成有與第一半導體層不同導電型的第四半導體層。該第四半導體層被這樣設定，平均單位面積的雜質量大于3×1012／cm2，以便即使在第二和第三半導體層之間施加反向偏置電壓，也不會完全耗盡。
[8169-0005-0009] 監測電荷中和過程的方法和裝置
[摘要] 電荷中和監測器（３００）監測用于離子注入系統（１００）的電荷中和系統（１２０）的運行過程，該電荷中和系統（１２０）在離子束（１０２）處理一個或多個工件（１３２）時穿行的區域（２２２）內產生中和電子（２０２）。該電荷中和監測器（３００）為靶電極（２２０）施加一個合適的電壓（３３２），靶電極（３３２）捕獲電荷中和系統（１２０）產生的中和電子（２０２）。然后電荷中和監測器（３００）通過監測流過靶電極（２２０）的電流而測量上述電荷中和系統（１２０）可能產生的中和電子電流。
[8169-0113-0010] 動態隨機存取存儲器的電容器條
[摘要] 一種制作溝槽電容器的方法，它包含下列步驟：在襯底中制作溝槽，用第一導電材料局部地填充溝槽，用頸圈材料在第一導電材料上鑲襯溝槽的一部分，將頸圈材料腐蝕到溝槽頂部以下的條深度，以及用第二導電材料填充溝槽，其中位于條深度與溝槽頂部之間的第二導電材料的一部分包含掩埋條。
[8169-0193-0011] 盒用長條形肋和基板用盒
[8169-0181-0012] 太陽能電池裝置及其制造方法
[8169-0154-0013] 制造半導體器件中的晶體管的方法
[8169-0016-0014] 半導體封裝、半導體器件及其制造方法
[8169-0003-0015] 制造動態隨機存取存儲器單元電容器的方法
[8169-0098-0016] 半導體工件處理裝置及方法
[8169-0189-0017] 有源矩陣顯示器和電光元件
[8169-0076-0018] 進行存儲器件的缺陷泄漏篩選試驗的裝置和方法
[8169-0100-0019] 硅晶片研磨之后的清洗工藝
[8169-0084-0020] 硅基導電材料及其制造方法
[8169-0132-0021] gan單晶襯底及其制造方法
[8169-0144-0022] 壓電體極化處理方法
[8169-0209-0023] 引線框架及使用它的樹脂密封件和光電子裝置
[8169-0079-0024] 生產半導體部件的方法,生產太陽能電池的方法和陽極化處理設備
[8169-0086-0025] 半導體疊層襯底、晶體襯底和半導體器件及其制造方法
[8169-0125-0026] 半導體器件的制造方法
[8169-0166-0027] 印刷集成電路板的制備方法
[8169-0143-0028] 壓電體極化處理方法
[8169-0049-0029] 電致發光顯示器件及電子裝置
[8169-0115-0030] 自刷新的dram的dc老化的字線激活的定時
[8169-0196-0031] 電子束照射法制造器件
[8169-0059-0032] 改進動態隨機存取存儲器工藝的氮化物襯里隔離軸環
[8169-0140-0033] 深硅槽工藝技術
[8169-0117-0034] 半導體的歐姆接觸層及其制造方法
[8169-0071-0035] 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
[8169-0207-0036] 半導體保護器件及其制造方法
[8169-0026-0037] 包括高溫熱處理的半導體器件制造方法
[8169-0028-0038] 一種半導體器件的生產方法
[8169-0021-0039] 用于封裝后dram修復的耐熔熔絲電路
[8169-0042-0040] 電光裝置和電子設備
[8169-0198-0041] 電可擦除可編程分裂柵的存儲單元
[8169-0167-0042] 一種無引線接腳的電子零件及其制造方法
[8169-0199-0043] 寬帶隙半導體中的功率器件
[8169-0106-0044] 提高半導體集成電路器件中深溝槽電容的集成方案
[8169-0160-0045] 半導體裝置
[8169-0156-0046] 激光裝置、激光退火方法和半導體器件的制造方法
[8169-0009-0047] 深溝道電容器
[8169-0169-0048] 半導體器件及其制造方法
[8169-0180-0049] 帶有光傳輸部件的裝置
[8169-0142-0050] 可表面裝配的光電子組件及其制造方法
[8169-0034-0051] 元件及制造元件的方法
[8169-0094-0052] 用多晶硅掩模和化學機械拋光制造不同柵介質厚度的工藝
[8169-0064-0053] ⅲ－ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
[8169-0001-0054] 使用隔離間隔層改進自對準接觸工藝流程的方法
[8169-0137-0055] 改善電子元件中的像素電荷轉移的電子元件和方法
[8169-0149-0056] 具有含氮柵絕緣膜的半導體器件及其制造方法
[8169-0020-0057] 具有mis脈沖保護器的rc半導體集成化電路
[8169-0135-0058] 生產薄膜單晶器件的方法、太陽能電池組件和其生產方法
[8169-0158-0059] 場效應晶體管
[8169-0218-0060] 壓電致動的化學機械拋光托盤
[8169-0041-0061] 制造柵導體層面上的空腔熔絲
[8169-0124-0062] 半導體器件的制造方法
[8169-0185-0063] 制造多層陶瓷基片的方法
[8169-0127-0064] 制造半導體器件的方法
[8169-0073-0065] 千兆級無邊界接觸的新接觸形狀及其制造方法
[8169-0188-0066] 壓電變壓器
[8169-0062-0067] 平面研磨裝置
[8169-0057-0068] 半導體器件及其制造方法
[8169-0176-0069] 安裝有球柵陣列型電路部分的基片以及其安裝方法
[8169-0096-0070] 加固了的半導體晶片容器
[8169-0172-0071] 利用碳納米管的場發射顯示裝置及其制造方法
[8169-0109-0072] 半導體封裝的焊盤結構
[8169-0126-0073] 濕處理裝置
[8169-0022-0074] 上下鈦層的潔凈度對鋁互連可靠性和功能的影響
[8169-0128-0075] 可選擇起動的壓電點火機構
[8169-0179-0076] 半導體器件及其制造方法
[8169-0150-0077] 半導體器件和制造這種半導體器件的方法
[8169-0013-0078] 雙極型晶體管結構
[8169-0002-0079] 在液晶顯示器中形成薄膜晶體管的方法
[8169-0091-0080] 接觸結構及半導體器件
[8169-0187-0081] 薄膜形成方法及半導體發光元件的制造方法
[8169-0069-0082] 太陽能電池組件
[8169-0038-0083] 電致發光顯示器件、驅動方法和帶有電致發光顯示器件的電子設備
[8169-0025-0084] 用于光掩膜自動故障檢測的改進的系統和方法
[8169-0072-0085] 半導體存儲器元件的電容器及其制造方法
[8169-0136-0086] 太陽能電池組件的布線結構
[8169-0204-0087] 有機發光二極管中作熱發射和電荷輸送層用的離子鹽染料
[8169-0074-0088] 通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體體接觸
[8169-0024-0089] 制造半導體器件的方法
[8169-0060-0090] 半導體晶片模組及其制造方法
[8169-0161-0091] 電子部件及其制造方法
[8169-0134-0092] 具有不對稱諧振隧道的發光二極管
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[8169-0053-0094] 制作電光器件的方法
[8169-0191-0095] 降低半導體功率器件結溫的工藝流程
[8169-0055-0096] 半導體存儲元件的電容器及其制造方法
[8169-0081-0097] 應力衰減型電子元器件、布線板及其安裝體
[8169-0110-0098] 半導體器件及其制造方法
[8169-0068-0099] 含染料的有機－無機雜化物材料作為發射層的電致發光器件
[8169-0203-0100] 集成電路的生產設施
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[8169-0027-0102] 用于銅互連的阻擋層的形成方法
[8169-0015-0103] 連接端凸點架及其制造方法
[8169-0039-0104] 電光裝置和電子裝置
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[8169-0164-0106] 制造溝槽動態隨機存取存儲器中電容器掩埋片的工藝
[8169-0195-0107] 激光熱處理用光學系統和激光熱處理裝置
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