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.以下為光盤目錄：
1、制造非易失性存儲器件的方法
[技術摘要]一種制造非易失性存儲器件的方法，包括在襯底上形成柵極絕緣層和柵極導電層，用于形成浮置柵極。蝕刻所述柵極導電層、柵極絕緣層、和襯底的一部分以形成溝槽。通過填充所述溝槽形成隔離結構。在所述溝槽中，隔離結構凹陷到一定深度。在所述襯底結構上形成緩沖層。在對應于所述溝槽內側壁的緩沖層的側壁上形成隔離物。利用該隔離物蝕刻所述凹陷隔離結構的一部分，以在隔離結構中形成凹陷。隨后通過除去所述緩沖層除去所述隔離物。在所述襯底結構上形成介電層，并在所述介電層上形成控制柵極。

2、具有舉升的源極區與漏極區的非易失性存儲器
[技術摘要]本發明公開了一種非易失性存儲器。該非易失性存儲器具有變化溝道區界面，例如舉升的源極與漏極或凹入溝道區。

3、用于非易失性存儲器的自動節電待機控制的裝置和方法
[技術摘要]一種非易失性存儲器陣列，例如閃存陣列，可以包括節電電路，以控制非易失性存儲器陣列的待機模式。在非易失性存儲器陣列的至少一個或多個輸入端沒有活動的情況下，節電電路可以使非易失性存儲器陣列置入待機模式。通過減少非易失性存儲器陣列的工作電流，不需要處理器的介入就能自動節省功率。自動節電電路可以向待機電路的輸入端提供芯片使能輸出，來控制待機電路的運行，而不需要來自處理器的顯式待機命令。

4、非易失存儲器集成電路器件及其制造方法
[技術摘要]本發明公開了一種非易失存儲器集成電路器件及其制造方法。所述非易失存儲器集成電路器件包括半導體襯底、字線和選擇線、以及浮置結區、位線結區和公共源極區。半導體襯底具有多個基本矩形場區，且每個基本矩形場區的短邊和長邊分別平行于矩陣的行和列方向。字線和選擇線在半導體襯底上平行于行方向延伸，字線穿過排列在行方向的多個基本矩形場區，且選擇線部分重疊排列在矩陣的行方向的基本矩形場區，從而基本矩形場區的長邊的重疊部分和重疊的基本矩形場區的重疊的短邊位于選擇線下。浮置結區，形成于半導體襯底內在字線和選擇線之間；位線結區，形成與浮置結區相對；和公共源極區，與浮置結區相對形成。

5、對非易失性存儲器的并行編程
[
6、柵極二極管非易失性存儲器的操作
7、通信適配器裝置、通信適配器、非易失性存儲器的寫入方法及其中所使用的電器及ROM寫入器
8、對多層單元編程的方法及包括該單元的非易失性存儲器件
9、利用高k介質和納米晶浮柵的非易失存儲器及其制作方法
10、半導體非易失性存儲器件
11、非易失性存儲器裝置
12、半導體非易失性存儲器裝置
13、非易失性存儲器
14、埋入式非易失性半導體存儲器單元的制造方法
15、具有非易失存儲器模塊的電路裝置以及對非易失存儲器模塊中的數據進行加密/**的方法
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16、非易失性半導體存儲器件
17、非易失性存儲器件的制造方法
18、集成電路中降低存儲器失效之方法
19、非易失性半導體存儲器、半導體裝置及電荷泵電路
20、非易失性存儲器及其控制方法
21、制造非易失性存儲器件的方法
22、數字數據處理系統高速緩沖存儲器內容的失效標記
23、具有非易失性雙晶體管存儲單元的半導體存儲器
24、基于自旋濾波器效應的自旋晶體管和利用自旋晶體管的非易失存儲器
25、三電平非易失性半導體存儲器件和相關操作方法
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26、非易失存儲器件和非易失存儲器陣列
27、將電荷俘獲在絕緣膜內非易失性地存儲信息的存儲器
28、管理非易失性存儲器的設備和方法
29、用于制造非易失存儲器件的方法
30、用于非易失性存儲器陣列中的讀取誤差檢測的方法、電路和系統
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31、采用非易失性高速緩沖存儲器的存儲設備及其控制方法
32、一種解決非易失性存儲器氧氮氧化物殘留的制造方法
33、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
34、抗電源故障的電可擦除和可編程非易失性存儲器
35、非易失性半導體存儲器件及其制造方法和操作方法
36、柵控二極管非易失性存儲器單元陣列
37、非易失性半導體存儲器器件及其寫方法
38、具有存儲有循環計數值的大擦除塊的非易失性半導體存儲器
39、在非易失存儲器設備中對用戶數據和確認信息編程的方法
40、*柵極非易失存儲器單元及其形成方法
41、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
42、半導體存儲裝置及其非易失性存儲器驗*方法
43、具有隔離結構的非易失性存儲器及其制造方法
44、用于非易失存儲器的高效數據驗*操作的方法和結構
45、具有變化溝道區界面的非易失性存儲器的操作方法
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46、印刷非易失性存儲器
47、非易失性半導體存儲器
48、用于頁復制操作的可糾錯的非易失性存儲器及其方法
49、用于含有一存儲控制器的各種不同標準*的通用非易失性存儲器*
50、擦除效率改善的非易失存儲器及其制備方法
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51、非易失性半導體存儲器的數據擦除方法
52、非易失性存儲單元以及存儲器系統
53、非易失性多位存儲器件、其制造方法及其操作方法
54、晶體管、晶體管陣列、制造晶體管陣列的方法和非易失半導體存儲器
55、基于納米管的非易失性存儲器件
56、提高了可冗余補救的概率的非易失性半導體存儲器
57、非易失性半導體存儲器
58、非易失性存儲器故障的恢復
59、無接觸均勻隧道分離P-阱非易失性存儲器結構，制造和操作
60、非易失性存儲器及其制造方法
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61、存儲器控制電路、非易失性存儲裝置及存儲器控制方法
62、具有旁路晶體管的非易失性存儲器件及其操作方法
63、非易失性存儲器及其制造方法
64、具有包括半導體納米晶體的浮柵的非易失存儲器件
65、具有非易失性存儲器的集成電路以及用于從所述存儲器中取數據的方法
66、低溫下制造的包括半導體二極管的高密度非易失性存儲器陣列
67、非易失存儲器和其驅動方法
68、非易失存儲器器件
69、非易失性半導體存儲器件
70、具有**電路和方法的非易失性存儲器
71、用以快速編程非易失性存儲器的方法與裝置
72、用以改進非易失性存儲器中快反向的負電壓放電方案
73、柵極二極管非易失性存儲器工藝
74、非易失性半導體存儲器
75、非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
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76、在非易失性存儲器中存儲數據的方法
77、包括多層隧道勢壘的非易失存儲器件及其制造方法
78、內嵌單層多晶硅非易失性存儲器的集成電路
79、使用非易失性存儲器作為高速緩存器的存儲設備及其方法
80、具有改進的部分頁編程能力的非易失性存儲器和控制
81、具有自旋相關轉移特性的隧道晶體管及使用了它的非易失性存儲器
82、形成具有浮柵的非易失性存儲器件的方法
83、非易失半導體存儲器件
84、非易失存儲器設備
85、非易失存儲器的制造方法
86、非易失半導體存儲器件以及該存儲器件的數據擦除方法
87、非易失性靜態隨機存取存儲器存儲單元
88、具有依賴鄰近工作模式位線補償的非易失性存儲器及方法
89、檢測被尋址單元預測失敗的存儲控制器
90、非易失性存儲器及其制造方法
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91、中間電壓發生電路及含有該電路的非易失半導體存儲器
92、在嵌入系統的非易失存儲器中進行數據操作的方法
93、用于從非易失性存儲器中為移動通信設備選擇預備信息的方法和系統
94、非易失性半導體存儲器及其制造方法
95、非易失性動態隨機存取存儲器
96、訪問非易失性計算機存儲器的系統和方法
97、改進編程的非易失性存儲器及為此的方法
98、具有非易失性浮柵存儲器的集成半導體器件的制法及器件
99、多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
100、在非易失性半導體存儲器件中擦除數據的方法
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101、利用有機-無機復合介孔材料的非易失性納米溝道存儲器件
102、非易失性半導體存儲器用區塊保護電路、區塊保護方法、及非易失性半導體存儲器
103、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
104、非易失性半導體存儲器
105、包括可變電阻材料的非易失存儲器件
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106、存取非易失性存儲器的方法
107、具有非易失性存儲單元裝置的集成半導體存儲器及方法
108、改善非易失存儲器元件擦除的制造方法
109、非易失性半導體存儲器設備的**器和**方法
110、從非易失性存儲*、光盤或其它介質重放所記錄的音頻、*頻或其它內容的系統、方法和器件
111、非易失性存儲器
112、同時編程與編程驗*的非易失性存儲器
113、非易失性半導體存儲器件
114、控制對非易失性存儲器的訪問
115、非易失性存儲器件及相關制造方法
116、非易失性存儲器件和從其讀取信息的方法
117、非易失性半導體存儲器
118、非易失存儲器測試結構和方法
119、非易失存儲器件及其制造方法
120、操作具有非易失性存儲單元與存儲器陣列的方法
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121、具有存儲器平面對準的非易失性存儲器及方法
122、具有分離式隧道窗口的非易失性半導體存儲器單元的制造方法
123、可防止等離子體電荷引起的損壞的非易失性存儲器件
124、使用早期數據對非易失性存儲器進行管線式編程
125、非易失性半導體存儲器
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126、可提高位線耐壓的非易失性半導體存儲器
127、非易失性存儲器裝置及其編程與讀取方法
128、按優先級的次序處理非易失性存儲器的操作的設備和方法
129、升壓電路和使用了它的非易失性存儲器
130、用于多級非易失性集成存儲器裝置的讀出放大器
131、通過測試存儲器元件在第一和第二方向上的導電性對非易失性存儲器進行擦除檢驗
132、存儲單元及備有該存儲單元的非易失性半導體存儲器
133、非易失存儲器的具有最佳數據保留的擦除方法及器件
134、非易失性半導體存儲器
135、對非易失性存儲器的讀取操作期間的耦合的補償
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136、包括橫向晶閘管和俘獲層的硅絕緣體讀寫非易失性存儲器
137、非易失性半導體存儲器件
138、非易失性存儲器件
139、半導體存儲器系統及控制其非易失性存儲器的操作的方法
140、整合傳統式靜態隨機存儲器與閃存單元的新式非易失性靜態隨機存儲器內存單元結構
141、存儲器單元與其非易失性裝置的制造方法
142、具有區塊管理系統的非易失性存儲器和方法
143、非易失存儲器、記錄裝置和記錄方法
144、用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的電荷包計量
145、使用相變材料存儲器元件的非易失性內容可尋址存儲器
146、非易失存儲器及其制造方法
147、非易失性存儲器陣列字線重試擦除及閾值電壓恢復的方法
148、非易失性存儲器件及其制造方法
149、包含非易失性半導體存儲器的半導體集成電路裝置的制造方法
150、非易失性存儲器系統中的流水線并行編程操作
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151、反熔絲一次可編程的非易失存儲器單元及其制造方法與編程方法
152、非易失存儲器及其驅動方法
153、非易失性存儲器中具有分離的偏壓線的字線驅動器和方法
154、垂直疊式**可編程非易失存儲器和制造方法
155、非易失性半導體存儲器件
156、非易失性半導體存儲器的存儲單元
157、非易失性存儲器件及其制造方法
158、非易失性存儲器的制作方法
159、索引直接存儲數據文件的可重新編程的非易失性存儲器中的文件數據
160、用于使刷新操作對易失性存儲器性能的影響最小化的方法及系統
161、非易失性半導體存儲器件的擦除方法
162、非易失性半導體存儲器件
163、具有非易失存儲器模塊的電路裝置和用于記錄非易失存儲器模塊上的光沖擊的方法
164、適于在單個存儲單元中存儲多值的非易失性半導體存儲器件
165、減少非易失性存儲器的編程和讀取**的操作技術
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166、具有改良檢測的非易失性存儲器及其方法
167、一種非易失性存儲器的編程與擦除方法
168、用于為易失性存儲器提供定向庫刷新的方法及系統
169、非易失性存儲器
170、存儲在非易失性存儲器中的數據的完整性控制
171、具有統一的存儲單元操作特性的非易失性半導體存儲器件
172、非易失性半導體存儲器件及其不良補救方法
173、具有非易失性地存儲冗余數據的保留區域的與非閃存器件
174、提高編程速度的非易失性存儲器及相關編程方法
175、非易失存儲器及其制造方法
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176、非易失性存儲器單元集成電路及其制造方法
177、非易失存儲器及其制造方法
178、一種非易失性半導體大容量圖像存儲器
179、用于對非易失性存儲器陣列編程的方法、系統和電路
180、無擴散結的非易失性存儲器單元
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181、非易失性存儲器系統及操作非易失性存儲器系統的方法
182、非易失性存儲器的操作方法
183、非易失性存儲器
184、一種非易失性半導體存儲器裝置的檢測放大器電路
185、非易失性半導體存儲器、半導體器件和非易失性半導體存儲器的制造方法
186、元件隔離膜的形成方法以及非易失性半導體存儲器
187、具有用于嵌入式非易失性存儲器的自測試器件的集成電路及相關測試方法
188、編程非易失性存儲器
189、可縮放集成邏輯和非易失性存儲器
190、形成非易失性存儲器件的方法
191、非易失性半導體存儲器及方法
192、非易失性半導體存儲器
193、非易失性存儲器器件及其方法
194、使用碳納米管溝道的多位非易失性存儲器件及其操作方法
195、對非易失性電荷存儲存儲器單元編程的襯底電子注入技術
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196、非易失性存儲器及其制造方法
197、用于非易失性存儲器的錯誤恢復
198、涉及易失性存儲器的內容狀態提供
199、非易失性存儲器存儲單元讀取方法
200、從非易失性存儲器讀取數據的方法及裝置
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201、電荷捕捉非易失性存儲器及其逐個柵極擦除的方法
202、非易失半導體存儲器件及其制造方法
203、非易失性存儲器件的制造方法
204、包含用于臨時存儲的非易失存儲器的一次寫入式存儲設備
205、測試內嵌多塊非易失存儲器的系統整合芯片的方法
206、用于非易失性存儲器的靈活和區域有效的列冗余
207、具有非易失存儲器的CMOS圖像傳感器
208、非易失存儲器的制造方法
209、非易失性存儲器件及其制造方法
210、作為非易失性安全存儲器用于**機的**和ESD容限的MARM
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211、用于非易失性半導體存儲器的密集陣列結構
212、非易失性半導體存儲器件及其記錄方法
213、具有在系統及離系統上的可編程非易失性存儲器的芯片
214、頁面緩存器和包括頁面緩存器的多狀態非易失性存儲設備
215、可按比特改動的非易失性存儲器的管理
216、處理非易失性存儲器的數據的設備和方法
217、非易失性半導體存儲器及其制造方法
218、非易失性半導體存儲器及其操作方法
219、在非易失性存儲器中存儲多位的位符號**方法和結構
220、非易失性半導體存儲器件及其中使用的數據擦除控制方法
221、包括獨立可控的柵電極的兩位非易失性存儲器件及其制造方法
222、多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
223、確定環境變量在非易失性存儲器中的位置
224、使用電平移動的非易失性存儲設備的***及**方法
225、一種刷新嵌入式系統中非易失性存儲器的方法
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226、非易失性存儲器高速緩存性能改進
227、擦除非易失性存儲器單元的方法
228、編程非易失性集成存儲器裝置中單元的系統和方法
229、非易失性存儲器的井區延伸結構的制造方法
230、非易失性存儲器的制造方法
231、非易失性存儲器件及其操作方法
232、延長貯存在非易失存儲器中順序計數器單元壽命的方法與設備
233、非易失性存儲器裝置及其制造方法
234、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
235、電荷捕獲型三電平非易失性半導體存儲器器件及驅動方法
236、非易失存儲器*和輸入輸出*的協同互連及操作
237、非易失性靜態存儲器單元
238、采用不接觸技術減小單元面積的非易失半導體存儲器
239、非易失性存儲器中的擦除禁止
240、存儲多位的數據的非易失性半導體存儲器
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241、編程非易失性存儲器的方法及裝置
242、移動存儲器失泄密防護的方法和系統
243、具有一個編程區域的非易失性半導體存儲器件
244、非易失性同步存儲器中獨立的異步啟動塊
245、非易失性半導體存儲器件及其制造工藝
246、非易失半導體存儲器件及其數據擦除方法
247、用于非易失性存儲器的升壓器
248、非易失性存儲器件
249、一并擦除型非易失性存儲器和快速存儲器的的控制方法
250、柵控二極管非易失性存儲器單元
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251、包括二極管和電阻切換材料的非易失性存儲器單元
252、非易失性存儲器單元的精確編程
253、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
254、使用集成電路裝置的雙信號控制協議對非易失性存儲器進行的增加/減小、芯片選擇和可選擇寫入
255、具有節省功率的讀取和編程檢驗操作的非易失性存儲器和方法
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256、具有對源極線偏置誤差的控制柵極補償的非易失性存儲器及方法
257、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
258、具有可選金屬柵極材料的非易失性半導體存儲器件
259、管理非易失性存儲器的設備和方法
260、雙柵極非易失性存儲器及其制造方法
261、非易失性半導體存儲器
262、包括可變電阻材料的非易失存儲器
263、提高了數據保持能力的非易失性存儲器
264、非易失性存儲器的制造方法、寫入方法及讀取方法
265、具有多面結構的非易失性存儲器件的編程方法
266、非易失存儲器及其編程方法
267、高速、低壓非易失存儲器
268、控制非易失性存儲器中的操作處理的設備和方法
269、非易失性存儲器件以及對其編程的方法
270、具有多流更新的非易失性存儲器和方法
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271、制造半導體非易失性存儲器的方法
272、非易失存儲系統和非易失存儲器的管理方法
273、具有非易失性存儲器數據傳輸能力的集成電路存儲器系統
274、非易失性存儲器件，寫入數據的方法，和讀出數據的方法
275、非易失性存儲器裝置與數據的存取電路及其方法
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276、非易失性存儲器件及其制造方法
277、制造非易失性存儲器件的方法
278、非易失性存儲器的控制方法
279、浮柵非易失性存儲器和制造這種器件的方法
280、具有擴散阻擋結構的柵極二極管非易失性存儲器
281、可重寫非易失性存儲器、電子設備、存儲介質及重寫方法
282、適用于低電壓非易失性存儲器的讀取及擦除驗*方法及電路
283、在單個存儲單元中存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
284、在非易失性存儲器器件上嵌入的系統軟件復制保護
285、非易失半導體存儲器件
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286、用于非易失性存儲器中的基準晶體管的可變柵偏置
287、有著一ONO上介電層的非易失性存儲器半導體元件
288、使用非易失性存儲器記錄資料的方法及電子裝置
289、*非易失性存儲器系統中最頻繁擦除區塊
290、對可擦除非易失性存儲器完全新編程的方法
291、稅控設備非易失性存儲器的安全性保護裝置
292、由*控制器控制的非易失性存儲器設備
293、非易失性存儲器件及其制造方法
294、帶有用于存儲數據的非易失性存儲器的存儲系統
295、非易失性存儲器件的操作方法
296、把數據寫入非易失性存儲器的方法和設備
297、非易失性半導體存儲器件
298、在順序寫入當中進行校驗處理的非易失性的存儲器
299、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
300、用于控制非易失性存儲器檢測時間的方法及裝置
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301、具有非易失性存儲器的集成電路及其寫入保護方法
302、具有非易失性可寫數據存儲器的電子設備
303、三層多晶硅嵌入式非易失性存儲器單元及其制造方法
304、*柵型非易失性存儲器器件及其制造方法
305、自對準*柵非易失存儲器結構及其制造方法
306、非易失性存儲器和半導體集成電路器件
307、非易失性存儲器晶體管、堆疊式存儲裝置及其制造方法
308、非易失性存儲器的可選擇塊保護
309、非易失性半導體存儲器件和信號處理系統
310、高速、低壓非易失存儲器
311、非易失性半導體存儲器件的制造方法及半導體存儲器件
312、導電結構、包括導電結構的非易失性存儲器件及其制造方法
313、為易失性存儲器提供獨立的庫刷新的方法和系統
314、反鐵磁/順磁電阻器件、非易失性存儲器及其制造方法
315、多比特可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
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316、非易失性存儲器裝置
317、非易失半導體存儲器件及其制造方法
318、非易失性存儲器的多電平單元編程方法
319、非易失性存儲器裝置及其制造方法
320、管理非易失存儲器系統中的數據完整性的方法和裝置
321、非易失性半導體存儲器件
322、非易失性存儲器件及其操作方法
323、在非易失性存儲器系統中執行塊高速緩沖存儲的方法和裝置
324、具有公共位線的非易失存儲器件
325、非易失多層存儲器裝置
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326、非易失性半導體存儲器
327、用于匹配具有不同數量將被同時訪問的存儲體的存儲控制器的非易失性存儲裝置
328、通過控制頻繁受訪問扇區對非易失性存儲器的更快寫操作
329、非易失性半導體存儲元件以及非易失性半導體存儲器件
330、防止熱電子程序擾動現*的非易失性存儲器裝置及方法
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331、多位非易失性存儲器件及其操作方法和制造方法
332、存儲器控制器、非易失性存儲裝置、非易失性存儲系統及數據寫入方法
333、對每個存儲塊具有保護功能的非易失性半導體存儲器件
334、非易失性存儲器并行處理器
335、浮柵非易失性存儲器
336、非易失性存儲器及其制造方法
337、非易失存儲器及其制造方法
338、非易失性的電可編程存儲器
339、振蕩電路和非易失半導體存儲器
340、具有多個捕獲膜的非易失性存儲器件
341、基于finFET的非易失性存儲器
342、用以解決電荷陷獲非易失性存儲器中難以擦除狀態的方法
343、借助非易失性存儲器的循環的開始編程電壓偏移
344、非易失性存儲器
345、非易失性半導體存儲器
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346、非易失性存儲器以及驗*非易失性存儲器中的數據的方法
347、具有編程時間控制的非易失性存儲器系統
348、振蕩電路、升壓電路、非易失性存儲器件以及半導體裝置
349、包括納米點的非易失性存儲器件及其制造方法
350、用于控制在非易失性存儲器中重寫數據的交通工具控制器
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351、通過多次讀取減小在非易失性存儲器中的噪聲影響
352、使用鐵電柵極場效應晶體管的非易失性存儲器和制造方法
353、非易失性存儲器及其制造方法
354、帶程序暫停命令的非易失性可寫存儲器
355、數據*存器在非易失性存儲器的多階段編程中的使用
356、存儲單元具有“與非”邏輯結構的非易失性半導體存儲器
357、*非易失半導體存儲器設備及其驅動方法
358、具有測試數據緩沖器的非易失性存儲設備及其測試方法
359、具有自旋相關轉移特性的場效應晶體管及使用了它的非易失性存儲器
360、非易失半導體存儲器及設置該存儲器中的替換信息的方法
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361、改善非易失性存儲器的數據保存的方法及裝置
362、非易失性存儲器件及相關器件的制造方法
363、非易失性半導體存儲器及其制造方法
364、使用非易失性存儲器的存儲設備及其映射信息恢復方法
365、不易失存儲器
366、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
367、具有**存儲器單元的非易失性存儲器設備及其驅動方法
368、非易失性存儲器件及其制造方法
369、非易失性存儲器及其制造方法
370、具有雙柵的多位非易失性存儲器及其制造方法，以及多位單元操作方法
371、非易失性半導體存儲器及其操作方法
372、具有階段性編程失敗處置的非易失性存儲器和方法
373、數據處理系統和非易失性存儲器
374、密集型非易失性存儲器陣列及其制造方法
375、非易失性存儲器的抹除操作
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376、非易失性半導體存儲器
377、非易失性存儲器的源極控制操作
378、用于編程非易失存儲器的系統和方法
379、非易失性存儲器中的部分分塊數據編程和讀取操作
380、操作非易失性存儲器裝置的分頁緩沖器的方法
381、制造有擦除柵的非易失半導體存儲器的方法
382、基于減小的面積、減小的編程電壓的互補金屬氧化物半導體電子熔絲的可**式非易失性存儲器位單元
383、一種延長非易失存儲器壽命的計數方法和裝置
384、非易失性半導體存儲器
385、嵌入式系統及其接口裝置與非易失性存儲器的更新方法
386、非易失性存儲器及在非易失性存儲器中編程的方法
387、電荷捕獲非易失性存儲器的編程操作方法
388、非易失性半導體存儲器及其制造方法
389、一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
390、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
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391、一次可編程半導體非易失性存儲器件及其制造方法
392、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
393、基于共振隧穿器件的非易失性存儲器和SRAM
394、具有多階輸出電流的非易失存儲器編程、讀取與擦除方法
395、非易失性半導體存儲器
396、多重操作模式的非易失性存儲器
397、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
398、數據擦除方法以及非易失性半導體存儲器件的制造方法
399、非易失性存儲器單擦除的多次寫入
400、用于在非易失性存儲器器件中產生提升電壓的電路
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401、非易失性半導體存儲器及其制造方法
402、非易失性存儲器
403、非易失性半導體存儲器及制造方法
404、具有隔離區上擦除柵的非易失性存儲器
405、非易失性半導體存儲器件及其讀取方法
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406、具有其溫度依賴性被補償的電流的非易失性存儲器單元及其數據讀取方法
407、升壓電路和含有這種升壓電路的非易失性半導體存儲器件
408、非易失性存儲器元件的操作方法
409、具有作為開關單元的晶體管和二極管的非易失性存儲器
410、降低非易失性存儲器存儲元件間耦合效應的方法
411、在非易失性存儲器的高速緩存操作中使用數據*存器
412、交叉點非易失性存儲器件及其制造方法
413、非易失性存儲器系統內有效允許失序寫處理的方法和裝置
414、非易失性存儲器件及其形成方法
415、具有金屬電容器的非易失性存儲單元及電子系統
416、非易失性存儲器及其制造方法
417、包括虛擬字線的非易失性存儲器件及相關結構和方法
418、基于自旋濾波器效應的自旋晶體管和利用自旋晶體管的非易失存儲器
419、編程非易失存儲器器件
420、具有源極線偏置誤差補償的非易失性存儲器及方法
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421、非易失性半導體存儲器的編程方法
422、用于提高耦合比的非易失性半導體存儲器件及其制造方法
423、制造非易失性存儲器件的方法
424、具有空間有效的數據寄存器的高度緊湊非易失性存儲器及其方法
425、非易失性存儲器的制造方法
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426、具有SONOS結構的非易失性存儲器及其制造方法
427、非易失性可編程存儲器
428、含有電可編程非易失存儲器單元的布置的半導體裝置
429、用于檢驗非易失性存儲器件的初始狀態的方法和單元
430、一種對非易失性存儲器進行直接存儲訪問的方法及其裝置
431、包括一電阻器和一晶體管的非易失存儲器件
432、非易失性有機存儲器件的制法及其制備的存儲器件
433、帶有RF電極和非易失性存儲器的機頭
434、驅動非易失性存儲器的方法
435、用于操作非易失性存儲器件的頁緩沖器的方法
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436、利用溝道技術和介質浮柵的每單元8位的非易失性半導體存儲器結構
437、帶厚柵極氧化層的多次可編程非易失性存儲器件
438、操作平行排列非易失性存儲器的方法及裝置
439、具有用于HCI編程的源電極偏壓的非易失性存儲器
440、具有控制數據管理的非易失性存儲器和方法
441、非易失性存儲器和通過附加**的空存儲單元加速測試地址***的方法
442、非易失半導體存儲器
443、在非易失存儲器設備內的嵌入安全設備
444、非易失性存儲器和非易失性存儲器的數據改寫方法
445、非易失性存儲器
446、用于非易失性存儲器的編程控制的雙**管理方法
447、使用非易失性高速緩沖存儲器的存儲設備及其控制方法
448、降低非易失性存儲器存儲元件間耦合效應的方法
449、控制易失性存儲器中的刷新的方法和系統
450、具有溝槽的非易失性存儲器及其形成方法
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451、把系統級海量存儲器配置數據存儲在其非易失性存儲器中
452、非易失性存儲器結構及其制造方法
453、非易失性存儲器單元陣列
454、使用非易失性存儲器作為高速緩存的存儲設備及運行方法
455、非易失性固態存儲器驅動器
456、一種芯片內非易失性存儲器**系統
457、用于非易失性存儲器的電荷泵時鐘
458、一種解決存儲器局部失效的方法
459、非易失性存儲器
460、存儲*、非易失性存儲器、及其拷回操作的方法
461、非易失性半導體存儲器件
462、局部俘獲式非易失性存儲器的數據保留
463、非易失性存儲器器件及其制造方法
464、與非柵型非易失性存儲器及其制造方法
465、非易失性存儲器
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466、鐵電非易失存儲器中的存儲器結構及其讀出方法
467、使用整合技術的組合式非易失性存儲器
468、非易失性存儲器件及其操作方法
469、存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
470、用于從集成電路的非易失性存儲器中取數據的方法和相應的集成電路
471、非易失存儲器裝置和用于其的操作方法
472、非易失性存儲器中的導引門和位線分隔
473、非易失性半導體存儲器件
474、有關熔絲信息的非易失性存儲器件
475、具有電荷存儲層的非易失性存儲器件的編程方法
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476、非易失存儲器分塊結構及冗余性
477、非易失性存儲器件及其制造方法
478、柵控二極管非易失性存儲器制造方法
479、非易失性半導體存儲器件
480、防止快閃存儲器數據遺失或誤寫的方法
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481、將數據塊存儲到多個非易失存儲器的閃存塊的方法和系統
482、用于顯示面板和非易失性存儲器的驅動器單元
483、用源極側硼注入的非易失性存儲器
484、使用受保護的非易失性存儲器的系統和方法
485、非易失性存儲器件及其制造方法
486、用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的有效驗*
487、電荷捕捉非易失性存儲器的電荷平衡抹除操作機制
488、非易失性半導體存儲器件及其操作方法
489、采用可編程非易失存儲器作為其程序存儲器的智能*
490、非易失性半導體存儲器和操作方法
491、含保*讀出邊限的讀出放大器的非易失存儲裝置
492、半導體非易失性存儲器
493、對非易失性集成存儲器裝置中的單元進行編程的系統和方法
494、非易失性半導體存儲器及其數據編程方法
495、在單一線路上具有非易失性存儲器和熱敏電阻的電池電路
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496、將數據存儲在非易失性高速緩沖存儲器中的設備和方法
497、非易失性半導體存儲器
498、非易失性存儲器件及其檢測方法
499、非易失性半導體存儲器件及其所用的優化編程方法
500、高密度“與非”非易失性存儲器裝置
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501、非易失存儲器的選擇編程方法
502、具有內置電可重寫非易失性存儲器的*型計算機
503、非易失性存儲器的接口
504、對存儲在非易失性可重編程半導體存儲器中的信息進行**
505、制造非易失存儲器件的方法和由此獲得的存儲器件
506、非易失性存儲器中的編程抑制方案的選擇性應用
507、非易失存儲器高速讀出用基準單元
508、采用雙極可編程電阻存儲元件的非易失存儲器結構
509、對非易失性存儲器件生成編程電壓的電路和方法
510、應用于雙邊偏壓非易失性存儲器的方法與裝置
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511、編輯設備、編輯方法和非易失性存儲器
512、電擦除非易失性存儲器
513、利用非易失性存儲器對運放偏移電壓和靜電流的數字*調
514、具有自對準柵導電層的非易失性半導體存儲器及其制造方法
515、非易失性半導體存儲器及其制造方法
516、雙浮柵結構的非易失性半導體存儲器器件及其制造方法
517、通信適配器裝置、通信適配器、非易失性存儲器的寫入方法及其中所使用的電器及ROM寫入器
518、非易失性存儲器
519、用于非易失性存儲器的數據寫裝置
520、用于非易失性存儲器的氧-氮-氧介電層制造方法
521、非易失性存儲器件
522、基于非易失性存儲器中兩個連續邏輯塊的掉電保護方法
523、一種非易失性存儲器電路及其設計方法
524、非易失性半導體存儲器
525、三線式/四線式非易失性存儲器的指令應用方法及結構
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526、具有兩種電阻材料層的非易失性存儲器件
527、收集非易失性存儲器的垃圾塊的裝置及收集方法
528、非易失性半導體存儲器
529、具有虛擬接地陣列之存儲器及改良讀取邊際損失之方法
530、非易失性存儲器的布局結構及其制作方法
531、具有內部串行總線的高度緊湊的非易失性存儲器及其方法
532、非易失性存儲器
533、非易失性存儲器器件及其驅動方法
534、非易失性存儲器中可靠的數據拷貝操作的新穎方法和結構
535、具有閾值電壓控制功能的非易失性存儲器
536、非易失性存儲器、其制造方法及該存儲器的寫入讀出方法
537、用于在測試低壓非易失性存儲器時提高編程速度的雙模式高壓電源
538、非易失性存儲器*機芯片及其測試方法
539、用于控制非易失性存儲器的控制器
540、非易失性半導體存儲器件
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541、非易失性半導體存儲器件的多塊擦去與驗*裝置及其方法
542、低**性的單閘極非易失性存儲器及其操作方法
543、非易失性半導體存儲器的制造方法和非易失性半導體存儲器
544、操作電荷捕捉非易失性存儲器的方法及裝置
545、編程存儲單元塊的方法、非易失性存儲器件和存儲*器件
546、非易失性存儲器中可靠的數據拷貝操作的新穎方法和結構
547、非易失性半導體存儲器
548、非易失性存儲器襯底瞬時熱載流子注入編程和擦除方法
549、非易失性存儲器擦除作業中的字線補償
550、非易失性存儲系統、非易失性存儲裝置、存儲控制器、存取裝置以及非易失性存儲裝置的控制方法
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551、基于浮柵結構的非易失性有機薄膜晶體管存儲器及其制造方法
552、非易失性存儲器件及其制造方法
553、一種非易失性存儲器及其設計方法
554、在非易失存儲器件中形成隧穿絕緣層的方法
555、用于在非易失性存儲器件中設置凹陷溝道的制造方法和結構
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556、非易失性存儲器
557、在非易失性存儲器中寫入的方法以及實現這種方法的系統
558、基于非易失性存儲器單元的行為的編程方法
559、隨機存儲器失效的檢測處理方法及其系統
560、非易失性半導體存儲器件
561、包括非易失性存儲器的光盤驅動器及其操作方法
562、存儲器控制器、非易失性存儲裝置、非易失性存儲系統及存儲器控制方法
563、使非易失性存儲器作為數據存儲/處理設備運轉時能執行代碼的系統和方法
564、非易失性存儲器元件
565、有閃速電可擦可編程只讀存儲器單元的非易失性存儲設備
566、非易失性存儲器的存取控制系統
567、一種非易失性儲存器件選擇柵極的制作方法
568、多處理器設備中的非易失性存儲器裝置和方法
569、用于故障數據存儲的非易失存儲器的盤驅動器
570、從非易失性存儲器讀取數據的方法及裝置
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571、非易失性存儲器件的頁面緩沖器及其編程和讀取方法
572、在非易失性存儲器中存儲插針校準數據、命令和其他數據的半導體測試系統
573、非易失性存儲器裝置和數據處理系統
574、用于非易失性存儲器的粗略/精細編程的可變電流吸收
575、使用單獨三端非易失存儲元件的存儲器陣列及其形成方法
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576、非易失性存儲器及其操作方法
577、操作非易失性存儲器裝置的方法
578、非易失性存儲器件
579、非易失性存儲器讀取操作中的補償電流
580、包括寫保護區的非易失性存儲器件
581、具有非循序更新區塊管理的非易失性存儲器及方法
582、非易失性存儲器
583、非易失性半導體存儲器件及其擦除方法和測試方法
584、非易失性存儲器以及非易失性存儲器的制造方法
585、非易失性半導體存儲器件
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586、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
587、包括開關器件和電阻材料的非易失存儲器及制造方法
588、非易失存儲器件及其制造方法
589、非易失性存儲設備中使用的行***電路
590、保護可覆寫式非易失性存儲器免于數據毀損的裝置及方法
591、具備非易失性半導體存儲器的存儲器系統
592、用于編程/擦除非易失性存儲器的方法和設備
593、用于在可重編程非易失性存儲器中拷貝數據的方法
594、為易失性存儲器中的引導式庫刷新提供無縫自刷新的方法和系統
595、非易失性存儲器單元與非易失性存儲器陣列及其操作方法
596、內嵌非易失存儲器的系統集成芯片的安全測試方法
597、非易失存儲器，及其制造和編程方法
598、非易失半導體存儲器及其制造方法
599、具有自旋相關轉移特性的隧道晶體管及使用了它的非易失性存儲器
600、非易失性存儲器件及其制造方法
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601、非易失性存儲器單元陣列和形成方法
602、非易失性半導體存儲器件
603、存儲在非易失可重新編程半導體存儲器中的文件數據的訪問
604、非易失性半導體存儲器及其讀出方法、以及*處理器
605、含電可重寫非易失存儲器的單片數據處理裝置及操作方法
606、進行直接存儲器存取的組合非易失性存儲器及輸入輸出*
607、存儲單元以及具有該存儲單元的半導體非易失性存儲器的結構
608、非易失性存儲器的阱區延伸結構的制造方法
609、非易失性半導體存儲器及其制造方法
610、制作非易失性存儲器的方法
611、非易失性半導體存儲器件
612、包括失效單元校正電路的非易失性鐵電存儲器裝置
613、存儲器系統以及寫入非易失性半導體存儲器中的方法
614、非易失性存儲裝置、存儲控制器以及不良區域檢測方法
615、擦除非易失性存儲器元件時用于自我收斂的裝置和方法
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616、非易失性存儲器裝置的控制方法
617、形成非易失性存儲器件的方法及由此形成的器件
618、非易失性半導體存儲器件及其多塊擦除方法
619、非易失性半導體存儲器及其驅動方法
620、格式化非易失性半導體存儲器的文件存儲裝置、主機設備、方法，以及在非易失性半導體存儲器中寫數據的方法
621、NOR型混合多位非易失性存儲器件及其操作方法
622、電荷泵電路和使用它的非易失性存儲器的工作方法
623、電子部件封裝、非易失性強介電體存儲器、安裝機及方法
624、非易失性半導體存儲器件
625、對要存儲在非易失性存儲器陣列上的數據進行編碼的電路、系統和方法
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626、非易失性存儲器件及其制造方法
627、升壓以控制非易失性存儲器的編程
628、非易失半導體存儲器
629、用于雙位存儲的非易失性存儲器結構及其制造方法
630、非易失性存儲器
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631、與非型多位非易失性存儲器件及其制造方法
632、用于易失性和非易失性存儲器設備的存儲器接口
633、非易失性存儲器系統
634、非易失性存儲器及其操作方法
635、非易失性存儲器的**方法
636、非易失性半導體存儲器
637、非易失性半導體儲存器件及其數據讀出方法
638、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
639、浮置柵極的制造方法與非易失性存儲器的制造方法
640、非易失性可調電阻器件和可編程存儲單元的制造
641、非易失性存儲器裝置的控制方法
642、非易失性電子存儲器件及其制作方法
643、非易失性存儲器件及其制造方法
644、非易失性半導體存儲器及將數據寫入該存儲器的方法
645、包括可變電阻材料的非易失存儲器件
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646、非易失存儲器件及其制造方法
647、在非易失性存儲器中存儲引線校準數據的基于事件的測試系統
648、非易失性半導體存儲器及其制造方法
649、非易失性存儲器件及其驅動方法
650、非易失性存儲器及其確定數據有效性的方法和設備
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651、具有多位控制功能的非易失性鐵電存儲器件
652、非易失存儲器補償讀取源極線的裝置
653、非易失性有機阻抗隨機存取存儲器件及其制造方法
654、位線串擾誤差得到減少的非易失性存儲器及方法
655、保護非易失性存儲器單元免于過度擦除的方法和裝置
656、非易失性半導體存儲器
657、非易失性存儲器設備
658、易失性半導體存儲器
659、非易失性存儲器的安全保密架構及方法
660、包括高壓晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
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661、非易失存儲器系統中不可用塊的管理
662、晶體管非易失性存儲器單元及其相關存儲器陣列
663、利用個別驗*來軟編程非易失性存儲器和額外軟編程存儲器單元的子組
664、具有嵌入式可編程控制器的非易失存儲器
665、用減少的相鄰場誤差編程非易失性存儲器及方法
666、具有耦合帶區的非易失性半導體存儲器及其制造方法
667、非易失性存儲器的超持續時間極限計數的方法
668、非易失性半導體存儲器件
669、非易失性存儲器件及其制造方法
670、非易失性存儲器件及其制造方法
671、適用于非易失性存儲器的隧道晶體管
672、裝有非易失性存儲器的單芯片*算機
673、非易失性可變電阻器，存儲器件，及其定標法
674、預防非易失性存儲裝置檢查板程序程序失效的呼叫緩沖器
675、自動刷新的易失存儲器設備及相關存儲器系統和操作方法
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676、使用介孔材料的非易失性納米溝道存儲器件
677、非易失性半導體存儲器
678、一種突破非易失性存儲器件速度瓶頸的裝置
679、非易失性半導體存儲器件
680、非易失性存儲器的制造方法
681、帶有存儲單元結構的非易失性半導體存儲器
682、一種對多層非易失性存儲器設備編程的方法
683、保留的易失性存儲器單元
684、在非易失性存儲器件中讀取數據的方法
685、非易失性存儲器件及其編程和讀取方法
686、非易失性存儲器件及其制造方法
687、非易失性半導體存儲器及其制造工藝
688、對非易失存儲器的每單次擦除的多重寫入
689、非易失半導體存儲器裝置及其制造方法
690、一種非易失存儲器
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691、非易失性半導體存儲器件
692、非易失性磁存儲單元和器件
693、制造隔離結構與具有此隔離結構的非易失性存儲器的方法
694、NAND型非易失性存儲器的數據擦除方法
695、非易失性存儲器及其制造方法
696、應用非易失性鐵電存儲器的交錯控制裝置
697、隨機存儲器失效的檢測處理方法、裝置和系統
698、柵控二極管非易失性存儲器單元的操作方法
699、非易失性存儲器的數據寫入
700、非易失性半導體存儲器
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701、非易失性存儲器件、系統及其方法
702、非易失性半導體存儲器件
703、使用個別驗*擦除非易失性存儲器和額外擦除存儲器單元的子組
704、**具有較差的亞閾斜率或較弱的跨導的非易失存儲器元件的方法
705、具有位線至位線耦合補償的非易失性存儲器及方法
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706、非易失性存儲器系統
707、非易失性存儲器件和用于操作其頁緩沖器的方法
708、非易失性存儲器件及其操作和制造方法
709、使用多層碳納米管的非易失碳納米管存儲器及其操作方法
710、非易失性半導體存儲器裝置
711、支持不同存儲單元類型的非易失性存儲器的設備和方法
712、非易失性存儲器件及其制造方法
713、非易失性存儲器件及其制造方法
714、用于制造非易失性存儲器單元陣列的方法
715、非易失性半導體存儲器及為其編程的方法
716、非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
717、非易失性存儲器的自動節電待機控制
718、非易失性存儲器及制造非易失性存儲器的方法
719、非易失性半導體存儲器件
720、存儲器控制器，非易失性存儲器，非易失性存儲器系統，和非易失性存儲器地址管理方法
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721、非易失存儲器結構及其形成方法
722、非易失性存儲器的程序驗*
723、具有浮置柵極的非易失性存儲器件以及形成其的相關方法
724、半導體集成電路和非易失性存儲器元件
725、非易失存儲器
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726、采用兩個氧化物層的非易失性存儲器件
727、多位非易失性存儲器件及其操作方法和制造方法
728、非易失性半導體存儲器
729、具有電荷陷捕層的非易失性存儲器件及其制造方法
730、具有電荷俘獲層的非易失性存儲器件及其制造方法
731、包括可切換電阻器和晶體管的非易失性存儲器單元
732、具有離子導電層的非易失性存儲器件及其制造和操作方法
733、具有備份存儲器塊的非易失性半導體存儲器
734、用于嵌入式非易失性存儲器的雙電源供電的方法和設備
735、具有同時寫入和擦除功能的非易失性存儲器陣列
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736、非易失性半導體存儲器件
737、非易失性半導體存儲器及其程序驗*方法
738、非易失性半導體存儲器
739、非易失性存儲器單元及其控制方法
740、非易失性存儲器及其寫入方法、以及半導體裝置
741、非易失性半導體存儲器的制造方法
742、對非易失性存儲器中的文件進行連續重寫的方法
743、非逸失性半導體存儲器
744、垂直疊式**可編程非易失存儲器和制造方法
745、非易失半導體存儲器件及其過寫入補救方法
746、用于包括集成無源器件的非易失存儲器器件的封裝及其制造方法
747、一種可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
748、非易失半導體存儲器
749、非易失性存儲器件及其編程方法
750、可靠擦除電子設備的非易失性存儲器的信息的方法和系統
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751、用于非易失性存儲器的受保護的實時寫入
752、智能易失性存儲器的初始化
753、非易失性半導體存儲器件
754、改善非易失性存儲器的數據保存的方法及裝置
755、自適應和自校準的多級非易失性存儲器
756、一種嵌入式系統中非易失性存儲器的數據存取方法
757、*非易失性存儲器系統中最不頻繁擦除區塊
758、非易失性存儲器元件及其制造方法
759、以單一掩模組結合只讀元件的非易失性晶體管存儲器陣列
760、具有溫度補償功能的數據讀取的非易失性存儲器
761、使用多進制存儲器中的一些存儲塊作為二進制存儲塊的非易失性半導體存儲器件
762、具有用于高速暫存器和更新區塊的改進索引的非易失性存儲器和方法
763、非易失性半導體存儲器
764、電阻可變材料的初始化方法、包括電阻可變材料的存儲器件及包含可變電阻器的非易失性存儲電路的初始化方法
765、同步頁面模式非易失性存儲器
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766、電可擦除非易失性存儲器
767、用于驗*預先擦除的具有頁緩沖器的非易失性存儲器裝置
768、可編程的非易失性存儲器裝置和使用該裝置的*型計算機
769、**的易失和非易失存儲器
770、非易失性存儲器件及其形成方法
771、適合于超高速緩沖存儲器的非易失性存儲器
772、支持虛擬頁存儲的非易失性存儲器件及其編程方法
773、可編程非易失性半導體存儲器件
774、非易失性半導體存儲器及其制造方法
775、具有加電讀模式的非易失半導體存儲器
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776、非易失性存儲器成塊結構
777、非易失性存儲器件及其寫入方法
778、頁面緩沖器和用于在非易失性存儲裝置中驅動其的方法
779、非易失性存儲器中電源故障之前的電*參數存儲
780、非易失性存儲器
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781、具有溝槽側壁晶體管的非易失性存儲器件及其制造方法
782、非易失性存儲器及其制造方法
783、非易失性半導體存儲器件
784、有增強的位線和/或字線驅動能力的非易失性存儲器設備
785、用于存儲多值數據的非易失性半導體存儲器
786、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
787、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
788、具有大型擦除區塊的非易失性存儲器系統的管理
789、浮動柵極非易失性存儲器及其制作方法
790、改進的電荷俘獲非易失性存儲器的擦除和讀取方案
791、用于編程非易失性存儲器的位線設置和放電電路
792、非易失性半導體存儲器
793、非易失性存儲器件及其制造方法
794、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
795、使用轉矩的非易失性磁存儲單元和使用它的隨機存取磁存儲器
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796、非易失性存儲器及其制造方法與操作方法，以及電路系統
797、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
798、使用非易失性高速緩沖存儲器的存儲設備及其控制方法
799、用于非易失性存儲設備的冗余選擇器電路
800、非易失性存儲器設備和處理從存儲單元讀取的數據的方法
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801、使用集成DMA引擎進行高性能易失性磁盤驅動器存儲器訪問的裝置和方法
802、電介質膜及其形成方法、半導體器件、非易失性半導體存儲器件及半導體器件的制造方法
803、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
804、使用多個串存儲狀態信息的非易失性存儲器裝置和方法
805、非易失半導體存儲器件的制造方法
806、非易失性半導體存儲器
807、電流或電壓測量電路、讀出電路、非易失性半導體存儲器及差動放大器
808、將非易失性存儲器和邏輯件引入單亞0.3*米制造的方法
809、非易失性半導體存儲器件
810、一種非易失性存儲器件及其設計方法
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811、非易失性存儲器件及其編程、讀取和擦除方法
812、非易失性半導體存儲器件
813、非易失存儲器件和使用列的子集的編程方法
814、用于實現命令同步以支持多線程非易失性存儲器文件系統的方法
815、非易失性磁高速緩沖存儲器
816、一種空間非易失存儲器
817、非易失性半導體存儲器件
818、非逸失性半導體存儲器
819、非易失性存儲器的平均抹除方法與裝置
820、具有區塊管理的非易失性存儲器
821、非易失存儲器和非易失存儲器制造方法
822、非易失性半導體存儲器
823、非易失性存儲器系統內糾錯碼的混合實現
824、在非易失性存儲器中重用日志塊的方法、非易失性存儲器件
825、非易失性存儲器裝置中的多級編程
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826、源側硼注入的非易失存儲器
827、計算機易失性存儲器電源后備系統
828、具有變化溝道區界面的非易失性存儲器
829、具有經調度回收操作的非易失性存儲器
830、非易失存儲器件及其多頁編程、讀取和復制編程的方法
831、非易失性半導體存儲器件的制造方法
832、帶有非易失性存儲器的、具有多種操作模式的盤驅動器
833、高度緊湊的非易失性存儲器及其方法
834、非易失性半導體存儲器
835、多位非易失性存儲器器件及其方法
836、頁面緩沖器和非易失性存儲器設備
837、一種擦除一個或多個非易失存儲器單元的方法、電路和系統
838、半導體器件的非易失性電容器、半導體存儲器及工作方法
839、非易失性半導體存儲器
840、非易失性存儲器的制造方法
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841、非易失性存儲器的存儲單元的過擦除保護
842、非易失性聚合物雙穩態存儲器件
843、使用非易失性鐵電體存儲器的測試模式控制裝置
844、從非易失性存儲器引導
845、在非易失性半導體存儲器件中驅動編程操作的方法
846、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
847、用于在具有非易失性存儲器的盤驅動器中存儲數據的方法和裝置
848、非易失性半導體存儲器
849、非易失性半導體存儲器件的制造方法
850、非易失性半導體存儲器件
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851、將弱單元用作讀取標識符的非易失性半導體存儲器器件
852、具有浮動閘間壁的非易失性存儲器及制造方法
853、電源啟動時讀取非易失性存儲器的熔絲元件的方法及電路
854、非易失性半導體存儲器件
855、非易失存儲器件及其制造方法
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856、非易失存儲*及配置**適配器
857、具有非易失存儲器的半導體裝置及其制造方法
858、管理非易失性存儲器的映射表的設備和方法
859、一種新單體式復合型非易失性存儲器
860、非易失性存儲器**方法和非易失性存儲器
861、用于形成非易失性存儲器件中的隔離結構的方法
862、非易失性存儲器的抹除方法
863、包括雙擴散結區的非易失性存儲器件及其制造方法
864、非易失性存儲器及其制造方法
865、頁面緩存器和包括頁面緩存器的非易失性半導體存儲器
866、具有相對于鰭以一角度延伸的控制柵極的非易失存儲器
867、新穎的低功率非易失性存儲器和柵極堆疊
868、單層多晶硅非易失性存儲器裝置的操作方法
869、數字數據處理系統高速緩沖存儲器內容的失效標記
870、用于編程/擦除非易失性存儲器的方法和設備
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871、對稱及自對準的非易失性存儲器結構
872、非易失性半導體存儲器
873、具有L形浮置柵電極的非易失性存儲器件及其制造方法
874、通過易失性存儲器接口訪問非易失性存儲器的方法
875、帶多流更新*的非易失性存儲器和方法
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876、改進負偏壓分配的浮置柵極非易失性存儲器結構
877、非易失性半導體存儲器
878、一次性可編程非易失性存儲器單元、陣列及其制造方法
879、非易失性存儲器件及其自補償方法
880、非易失性半導體存儲器件
881、帶有音頻播放器的非易失性固態存儲***讀寫裝置
882、用于非易失性半導體存儲器件的基準方案
883、非易失性存儲器及其寫入方法
884、含有非易失性存儲器的半導體器件及其制造方法
885、非易失性存儲裝置及其控制器
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886、采用非易失性高速緩沖存儲器的存儲器裝置及其控制方法
887、可字節擦除非易失存儲器
888、與大容量存儲裝置集成的非易失性高速緩沖存儲器
889、預檢測數據丟失的閃速存儲器
890、存儲器控制器、非易失性存儲器、非易失性存儲系統和數據寫入方法
891、具有以有機半導體為基礎的晶體管及非易失性讀/存儲器胞元的半導體裝置
892、具有非易失性存儲器的信號處理裝置及非易失性存儲器的編程方法
893、對非易失性存儲器中缺陷的區界調整
894、編程和讀取更新數據的非易失性存儲器系統和方法
895、具有柵極電介質結構易失性存儲器的晶體管及其制造方法
896、非易失性存儲器裝置和數據處理系統
897、寫入非易失性存儲器的技術
898、半導體非易失性存儲器件
899、非易失性存儲器件及其制造方法
900、易失性存儲器的寄存器讀取
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901、分離柵極型非易失性存儲器的制造方法
902、非易失性存儲器件及其制造方法
903、互補非易失性存儲器件及其操作和制造方法
904、非易失性存儲器及其制造方法與操作方法
905、非易失性存儲器件及其制造方法
906、混合多位型非易失性存儲器件及其操作方法
907、非易失存儲器、IC*和數據處理系統
908、塊擦除的非易失性存儲器
909、非易失性存儲器裝置及其操作方法
910、多位可存儲非易失性存儲器件
911、非易失性半導體存儲器件中的自動編程電路
912、具有電荷俘獲層的非易失性存儲器件
913、在非易失性存儲器系統中執行多頁面寫入操作的方法和設備
914、一種堆疊薄膜晶體管非易失性存儲器件及其制造方法
915、非易失性半導體存儲器件及其制造方法
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916、用自調整最大程序循環對非易失性存儲器進行編程
917、非易失性半導體存儲器及其控制方法
918、多位元堆疊式非易失性存儲器及其制造方法
919、非易失半導體存儲器
920、一種更新存儲在非易失性存儲器中的圖*的設備和方法
921、嵌入多個**非易失性存儲器的控制器的系統
922、具有單層多晶硅的鏡像非易失性存儲器單元晶體管對
923、以不可分割方式**特別是非接觸*的*電路*的非易失性存儲器的多個位置的方法
924、非易失性存儲器件及其制造方法
925、非易失性存儲器裝置及其操作方法
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926、非易失性存儲器的可變編程
927、利用改變字線條件來補償較慢擦除的存儲器單元以擦除非易失性存儲器
928、非易失性鐵電存儲器設備的制備方法和由此獲得的存儲器設備
929、非易失性存儲單元及具有非易失性存儲單元的存儲器陣列
930、變電阻元件和使用其的非易失性存儲器
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931、非易失性存儲器件
932、存儲多值數據的非易失性半導體存儲器

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