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目錄如下：
1-SIPO-524481用硅絕緣體(SOI)基片上的應變SiSiGe層的遷移率增強的NMOS和PMOS晶體管
2-SIPO-524481 超薄絕緣體基外延硅金屬氧化物半導體晶體管的閾值電壓調節方法
3-SIPO-524481 用于可編程邏輯設備中絕緣體外延硅晶體管的設備和方法
4-SIPO-524481 硅鍺絕緣體上外延硅互補金屬氧化物半導體及其制造方法
5-SIPO-524481 劑量-能量優化注氧隔離技術制備圖形化絕緣體上的硅材料
6-SIPO-524481 降低絕緣體上的硅晶體管源漏串聯電阻的結構及實現方法
7-SIPO-524481 準絕緣體上的硅場效應晶體管及實現方法
8-SIPO-524481 絕緣體上的單晶硅(SOI)材料的制造方法
9-SIPO-524481 埋置絕緣體型半導體碳化硅襯底的制作方法和制作裝置
10-SIPO-524481 具有部分絕緣體基或部分空洞基外延硅構造的半導體器件
11-SIPO-524481 具有改進開關特性的硅上絕緣體LD金屬氧化物半導體結構
12-SIPO-524481 在絕緣體上硅材料基板上制作上接觸插塞的方法
13-SIPO-524481 在具有雙層位線的硅絕緣體(SOI)襯底上構造的DRAM
14-SIPO-524481 具有浮動集電區的絕緣體上的硅器件
15-SIPO-524481 絕緣體上的硅(SOI)襯底的制造工藝
16-SIPO-524481 絕緣體上硅薄膜晶體管
17-SIPO-524481 復合式絕緣體上硅薄膜基片及其制作方法
18-SIPO-524481 絕緣體上的硅襯底的制造方法及制造設備
19-SIPO-524481 絕緣體結構上的硅互聯埋層
20-SIPO-524481 互補絕緣體外延硅橫向絕緣柵整流管
21-SIPO-524481 鍵合在絕緣體上硅的減薄方法
22-SIPO-524481 用絕緣體附硅方法制造的動態隨機存取存儲器及制造方法
23-SIPO-524481 制造絕緣體上的硅結構的半導體器件的方法
24-SIPO-524481 利用溝槽平面化方法在絕緣體上鍵合亞微米硅
25-SIPO-524481 擊穿電壓增加的雙極絕緣體上硅晶體管
26-SIPO-524481 具有改進的絕緣圖形的絕緣體上硅薄膜襯底
27-SIPO-524481 晶片處理裝置、晶片處理方法和絕緣體上硅晶片制造方法
28 99107005 “絕緣體上的硅”半導體裝置及其制造方法
29-SIPO-524481 亞四分之一微米級硅－絕緣體的MOS場效應晶體管
30-SIPO-524481 以氮化鋁為絕緣埋層的絕緣體上的硅材料制備方法
31-SIPO-524481 用于絕緣體上硅集成電路的掩埋圖形的導體層
32-SIPO-524481 使用局部選擇氧化在絕緣體上形成的體硅和應變硅
33-SIPO-524481 絕緣體基外延硅寄生雙極效應的消除
34-SIPO-524481 絕緣體基硅厚氧結構和制造方法
35-SIPO-524481 用淺溝隔離工藝在絕緣體上硅晶片上集成襯底接觸的方法
36-SIPO-524481 平面密集構圖的絕緣體基硅結構及其制造工藝
37-SIPO-524481 絕緣體基外延硅工藝中雙重深度氧化層的結構和方法
38-SIPO-524481 增強雪崩型絕緣體基硅互補金屬氧化物半導體器件的設計
39-SIPO-524481 絕緣體基硅傳輸門干擾的解決方法
40-SIPO-524481 降低絕緣體上硅晶體管寄生雙極電流的方法和裝置
41-SIPO-524481 絕緣體上的硅高溫超高壓力傳感器的制作方法
42 99125881 “絕緣體上的硅”結構的半導體裝置
43-SIPO-524481 減小絕緣體基外延硅半導體元件中電場強度的方法和器件
44-SIPO-524481 通過柵形成的絕緣體上硅互補金屬氧化物半導體體接觸
45-SIPO-524481 用于模擬絕緣體上硅器件的改進方法
46-SIPO-524481 耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
47-SIPO-524481 具有柵電極和場板電極的橫向薄膜絕緣體上硅器件
48-SIPO-524481 硅粉基導熱絕緣體
49-SIPO-524481 從低缺陷密度的單晶硅上制備硅－絕緣體結構
50-SIPO-524481 具有漏極延伸區的橫向薄膜硅絕緣體(SOI)PMOS器件
51-SIPO-524481 在絕緣體上硅中形成抗熔絲的結構和方法
52-SIPO-524481 硅絕緣體結構半導體器件
53-SIPO-524481 用于絕緣體上硅結構多米諾電路中雙極性消除的方法與裝置
54-SIPO-524481 具有絕緣體上硅結構的半導體器件及其制造方法
55-SIPO-524481 全耗盡型集電極硅絕緣體雙極晶體管
56-SIPO-524481 基于絕緣體上的硅（SOI）材料的全內反射型陣列波導光柵器件及制法
57-SIPO-524481 雙絕緣埋層絕緣體上硅基二維光子晶體波導及制備方法
58-SIPO-524481 一種低劑量注氧隔離技術制備絕緣體上硅的方法
59-SIPO-524481 絕緣體上硅(SOI)結構中的光的主動操控
60-SIPO-524481 體約束的絕緣體上硅半導體器件及其制造方法
61-SIPO-524481 一種制備低柵擴展電容絕緣體上硅體接觸器件的方法
62-SIPO-524481 絕緣體上硅FET及其方法
63-SIPO-524481 一種源體歐姆接觸絕緣體上硅晶體管的制作方法
64-SIPO-524481 提高散熱性的絕緣體上硅器件及其制造方法
65-SIPO-524481 絕緣體上硅背腐蝕全反射的垂直耦合結構及制作方法
66-SIPO-524481 半導體襯底及制備方法和在絕緣體上的硅與外延中的應用
67-SIPO-524481 絕緣體上應變硅異質結的無損檢測方法
68-SIPO-524481 用于絕緣體上的硅槽刻蝕方法
69-SIPO-524481 以鍵合減薄制備絕緣體上硅的方法
70-SIPO-524481 應力絕緣體上硅場效應晶體管及其制作方法
71-SIPO-524481 一種實現部分耗盡絕緣體上硅器件體接觸的方法
72-SIPO-524481 降低硅或絕緣體上的硅材料光波導損耗的方法
73-SIPO-524481 局部絕緣體上的硅制作功率器件的結構及實現方法
74-SIPO-524481 在絕緣體上硅基底上形成腔結構的方法和形成在絕緣體上硅基底上的腔結構
75-SIPO-524481 絕緣體上硅高壓器件結構
76-SIPO-524481 雙埋層結構的絕緣體上的硅材料、制備及用途
77-SIPO-524481 硅絕緣體基片、半導體基片及它們的制造方法
78-SIPO-524481 提高散熱性的絕緣體上硅器件及其制造方法
79-SIPO-524481 形成絕緣體上硅鍺襯底材料的方法、襯底材料及異質結構
80-SIPO-524481 硅絕緣體晶片及其制造方法
81-SIPO-524481 基于注氧隔離技術的絕緣體上鍺硅材料及其制備方法
82-SIPO-524481 形成于絕緣體上硅結構上并具有減小的上電漂移的傳感器
83-SIPO-524481 偏置型三阱完全耗盡絕緣體上硅(SOI)結構及其制造和運用的各種方法
84-SIPO-524481 耐高壓的絕緣體上的硅型半導體器件
85-SIPO-524481 絕緣體上硅集成電路上的集成LED驅動電子線路
86-SIPO-524481 一種新截面形狀的絕緣體上硅脊形光波導及其制作方法
87-SIPO-524481 基于硅鍺硅結構注氧隔離制備絕緣體上硅鍺材料的方法
88-SIPO-524481 改進注氧隔離技術制備的絕緣體上的硅鍺材料結構及工藝
89-SIPO-524481 具有應變模的絕緣體上硅裝置及用于形成應變模的方法
90-SIPO-524481 具有重組區域的絕緣體上硅場效應晶體管及形成該場效應晶體管的方法
91-SIPO-524481 位于絕緣體上硅結構襯底上的相變存儲器單元
92-SIPO-524481 部分耗盡硅基絕緣體器件結構的自對準主體結
93-SIPO-524481 一種制造硅絕緣體襯底結構的方法
94-SIPO-524481 制造絕緣體上硅鍺襯底材料的方法以及該襯底
95-SIPO-524481 形成在硅在絕緣體上的襯底上的靜態隨機存取存儲器
96-SIPO-524481 在硅絕緣體基底上制造雙載子互補式金氧半導體的方法
97-SIPO-524481 形成絕緣體上的應變硅(SSOI)的方法及其形成的結構
98-SIPO-524481 具有硅絕緣體區域和體區域的半導體裝置及其制造方法
99-SIPO-524481 一種厚膜圖形化絕緣體上的硅材料的制備方法
100-SIPO-524481 絕緣體上硅襯底和半導體集成電路器件
101-SIPO-524481 通過離子注入產生具有本征吸除的絕緣體襯底硅結構的方法
102-SIPO-524481 生產硅絕緣體材料的方法
103-SIPO-524481 一種制備絕緣體上硅結構的方法
104-SIPO-524481 絕緣體上外延硅(SOI)溝槽光電二極管及其形成方法
105-SIPO-524481 絕緣體上硅的襯底上混合結構柵介質材料的制備方法
106-SIPO-524481 一種絕緣體上硅的電學參數的表征方法
107-SIPO-524481 貼合絕緣體基外延硅基片及其制造方法與半導體裝置
108-SIPO-524481 絕緣體硅射頻集成電路的集成結構及制作方法
109-SIPO-524481 具源極穿孔絕緣體硅基板上金氧半導體晶體管
110-SIPO-524481 通過離子注入和熱退火獲得的在Si或絕緣體上硅襯底上的弛豫SiGe層
111-SIPO-524481 應變絕緣體上硅(SSOI)及其形成方法
112-SIPO-524481 一種絕緣體上硅的埋層氧化物電荷密度的快速表征方法
113-SIPO-524481 一種絕緣體上硅的制作方法
114-SIPO-524481 一種基于絕緣體上硅片的應力傳感器芯片
115-SIPO-524481 基于絕緣體上的硅材料的場效應晶體管抗輻照的加固方法
116-SIPO-524481 用于硅絕緣體技術上的靜電放電(ESD)保護的低電壓可控硅整流器(SCR)
117-SIPO-524481 硅或含硅材料中的超薄掩埋絕緣體
118-SIPO-524481 制備絕緣體上鍺硅薄膜材料的方法
119-SIPO-524481 抗輻射加固的特殊體接觸絕緣體上硅場效應晶體管及制備方法
120-SIPO-524481 形成構圖的絕緣體上硅襯底的方法
121-SIPO-524481 在絕緣體上硅的硅片上納米寬度諧振結構及其制作方法
122-SIPO-524481 絕緣體上硅器件
123-SIPO-524481 利用自對準后柵極控制前柵極絕緣體上硅MOSFET的器件閾值
124-SIPO-524481 絕緣體上應變硅的單柵極和雙柵極MOSFET及其形成方法
125-SIPO-524481 一種采用相變方法實現絕緣體上應變硅的制作方法
126-SIPO-524481 在固態照明系統中用于色溫控制的硅絕緣體光電二極管光學監測系統
127-SIPO-524481 利用雙掩埋氧化物絕緣體上硅晶片的嵌入硅鍺及其形成方法
128-SIPO-524481 高壓電絕緣性聚硅氧烷橡膠組合物和高壓電絕緣體
129-SIPO-524481 絕緣體上硅鍺(SGOI)和絕緣體上鍺(GOI)襯底的制造方法
130-SIPO-524481 絕緣體上硅晶片的成形絕緣層及其制造方法
131-SIPO-524481 在直流(DC)源漏區下面具有氧化物孔的區別性的絕緣體上硅(SOI)
132-SIPO-524481 通過多孔硅技術形成構圖的絕緣體上硅懸空硅復合結構
133-SIPO-524481 制作應變絕緣體上硅結構的方法及用此方法形成的絕緣體上硅結構
134-SIPO-524481 半導體器件及改善體接觸絕緣體上硅(SOI)場效應晶體管的方法
135-SIPO-524481 在具有硅鍺緩沖層的絕緣體上形成應變SiSiGe的方法
136-SIPO-524481 通過氧化掩埋多孔硅層形成絕緣體上硅鍺結構
137-SIPO-524481 一種高密度可擦寫的金屬-絕緣體-硅電容器結構
138-SIPO-524481 包括橫向晶閘管和俘獲層的硅絕緣體讀寫非易失性存儲器
139-SIPO-524481 使用絕緣體上硅晶片制造晶體管的方法
140-SIPO-524481 高電壓絕緣體上硅晶體管及其制造方法
141-SIPO-524481 用于制造具有蝕刻終止層的絕緣體上硅（SOI）晶片的方法
142-SIPO-524481 具有不同晶向硅層的絕緣體上硅半導體裝置以及形成該絕緣體上硅半導體裝置的方法
143-SIPO-524481 用于制造深結絕緣體上硅晶體管的方法
144-SIPO-524481 用于絕緣體上硅（SOI）技術的電可編程熔絲
145-SIPO-524481 絕緣體上有硅的結構及其制造方法
146-SIPO-524481 絕緣體上硅及其制備工藝
147-SIPO-524481 制造絕緣體上硅鍺襯底材料的方法以及該襯底
148-SIPO-524481 用于MEMS微機械加工的多層絕緣體上的硅材料及方法
149-SIPO-524481 一種高擊穿電壓絕緣體上硅器件結構及其制備方法
150-SIPO-524481 通過陽極化埋置p+硅鍺層獲得的應變絕緣體上硅
151-SIPO-524481 硅硅鍵合的絕緣體上硅的高溫壓力傳感器芯片及制作方法
152-SIPO-524481 在應變硅層中具有提高的結晶度的應變絕緣體上硅（SSOI）結構
153-SIPO-524481 一種改善絕緣體上硅電路靜電放電防護性能的方法
154-SIPO-524481 絕緣體上應變硅結構的制造方法
155-SIPO-524481 絕緣體上硅基三維楔形模斑轉換器及其制備方法
156-SIPO-524481 絕緣體上硅中的源極和漏極的形成
157-SIPO-524481 使用硅氧烷組合物自動涂覆電氣絕緣體的方法和裝置
200810070 一種基于絕緣體上硅結構的細胞分離微芯片
159-SIPO-524481 絕緣體上鍺硅襯底的制備方法
160-SIPO-524481 基于絕緣體上硅結構的連續流細胞電融合芯片及其加工工藝
161-SIPO-524481 絕緣體上的硅襯底的制備方法
162-SIPO-524481 溝槽形柵極的金屬-絕緣體-硅器件的結構和制造方法
163-SIPO-524481 制備絕緣體上硅材料的內熱氧化方法
164-SIPO-524481 改進的部分耗盡絕緣體上硅靜態隨機存儲器存儲單元
165-SIPO-524481 一種具有傾斜表面漂移區的絕緣體上硅橫向功率晶體管
166-SIPO-524481 在集成電路絕緣體上應變硅中通過布局優化的選擇性單軸應力弛豫
167-SIPO-524481 一種絕緣體上的硅基槽縫式光波導耦合器及其制作方法
168-SIPO-524481 基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計
169-SIPO-524481 多晶硅-絕緣體-多晶硅電容結構
170-SIPO-524481 制作絕緣體上硅材料的隔離氧注入方法
171-SIPO-524481 絕緣體上硅器件及其制造方法
172-SIPO-524481 高壓P型絕緣體上硅的金屬氧化物半導體管
173-SIPO-524481 高壓N型絕緣體上硅的金屬氧化物半導體管
174-SIPO-524481 P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
175-SIPO-524481 N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
176-SIPO-524481 具有在絕緣體上硅或體硅中構建的背柵極的結場效應晶體管
177-SIPO-524481 互補型絕緣體上硅（SOI）結式場效應晶體管及其制造方法
178-SIPO-524481 一種絕緣體上硅電路ESD全局保護結構
179-SIPO-524481 絕緣體上硅晶片的制造方法
180-SIPO-524481 絕緣體上硅器件及其制造方法
181-SIPO-524481 絕緣體上硅材料的平板顯示器驅動芯片及制備方法
182-SIPO-524481 一種納米絕緣體上硅結構材料及其制作方法
183-SIPO-524481 P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
184-SIPO-524481 N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
185-SIPO-524481 P型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
186-SIPO-524481 N型絕緣體上硅的橫向雙擴散金屬氧化物半導體晶體管
187-SIPO-524481 制備雙埋層絕緣體上硅襯底的方法
188-SIPO-524481 采用選擇腐蝕工藝制備絕緣體上硅材料的方法
189-SIPO-524481 一種絕緣體上硅器件及其制備方法
190-SIPO-524481 一種制備絕緣體上的硅材料的真空鍵合裝置
191-SIPO-524481 硅絕緣體單晶芯片結構
192-SIPO-524481 硅絕緣體單晶芯片結構

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