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5、CN01141282.8 晶體半導體材料的制造方法以及制造半導體器件的方法
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10、CN01809456.2 具有可控制導電性的半導體材料及器件的制造
11、CN01820693.X 半導體材料的激光加工
12、CN01821842.3 用于生長單晶半導體材料的拉晶機和方法
13、CN02113082.5 離子注入法制備GaN基稀釋磁性半導體材料的方法
14、CN02113088.4 離子注入法制備AlN基稀釋磁性半導體材料的方法
15、CN02121115.9 合成多種金屬硒化物及碲化物半導體材料的方法
16、CN02138423.1 納米磷化物半導體材料的水熱合成制備方法
17、CN02234524.8 半導體材料電信號測試裝置
18、CN02813163.0 半導體材料的膜或層、及制造該膜或層的方法
19、CN02818197.2 利用X射線檢查半導體材料的晶片的方法
20、CN02818923.X 有機半導體材料及使用該材料的有機半導體元件
21、CN02819377.6 用于半導體材料處理系統的一體化機架
22、CN02820488.3 半導體材料處理系統
23、CN02825898.3 超摻雜半導體材料的方法以及超摻雜的半導體材料和器件
24、CN02827556.X 使用一維半導體材料作為化學敏感材料及其在接近室溫下生產和操作
25、CN03121822.9 一種具有AlAs氧化層的半導體材料
26、CN03121825.3 一種制備在GaAs基底上生長含Al外延層半導體材料的方法
27、CN03125563.9 制造晶體半導體材料的方法和制作半導體器件的方法
28、CN03129508.8 提高InAs GaAs量子點半導體材料發光效率的方法
29、CN03139039.0 亞納米復合法制備氧化鋅基磁性半導體材料的方法
30、CN03800995.1 摻雜的有機半導體材料以及其制備方法
31、CN03804278.9 一種用于制造由單晶半導體材料制成的無支撐襯底的方法
32、CN03811788.6 有機半導體材料、有機半導體構造物和有機半導體器件
33、CN03816211.3 轉移應變半導體材料層的方法
34、CN03819794.4 減少半導體材料中的缺陷
35、CN03823519.6 用于半導體材料晶片的快速退火處理工藝
36、CN85103535 在材料(例如半導體材料)中加工亞微型槽的方法以及用這種方法制成的器件
37、CN85108824 改進的硼摻雜半導體材料及其制備方法
38、CN86101518 一種用介質波導測量半導體材料少子壽命的裝置
39、CN89101544.2 對半導體材料進行熱處理的工藝和設備
40、CN93101447.6 半導體材料的層間整平裝置
41、CN94105732.1 粉碎半導體材料的方法和裝置
42、CN94194956.7 多孔半導體材料
43、CN95104759.0 用含酸流體處理半導體材料的方法
44、CN95108567.0 制造具有設置在支撐薄片上的半導體材料層中形成的半導體元件的半導體器件的方法
45、CN95190624.0 帶有有機半導體材料的半導體器件
46、CN96104150.1 光激發半導體材料響應分析的方法和裝置
47、CN96123375.3 半導體材料的制造方法及所用設備
48、CN97112634.8 鎘鐵復合氧化物氣敏半導體材料及其氣敏元件
49、CN97114518.0 半導體材料的清洗裝置
50、CN97116108.9 半導體材料集成微結構及其制造方法
51、CN97198779.3 熱電半導體材料,及其制造方法和用該材料的熱電微型組件及熱鍛造方法
52、CN98102651.6 減小半導體材料尺寸的裝置和方法
53、CN98809536.X 制造半導體材料薄片的裝置和方法
54、CN99121657.1 熱電半導體材料或元器件及其制造方法與裝置
55、CN99803138.0 積淀半導體材料的裝置和方法
56、CN99816847.5 光致發光的半導體材料
57、CN200310117195.X 具有電流控制電阻效應的摻雜半導體 絕緣體 半導體材料
58、CN200310121490.2 一種半導體材料橫向周期攙雜的方法及其裝置
59、CN200310122689.7 形成半導體材料晶片的方法及其結構
60、CN200310122883.5 一種用于半導體材料特性表征的方法及其系統
61、CN200320129499.3 一種化合物半導體材料多晶合成的裝置
62、CN200380100952.0 處理半導體材料的方法
63、CN200380103483.8 半導體材料納米線的分散系
64、CN200380108706.X 改進有機半導體材料及與其有關的改進
65、CN200410013394.0 納米晶熱電半導體材料的非晶晶化制備方法
66、CN200410016462.9 基于半導體材料的納米線制作方法
67、CN200410017195.7 完整的間接帶隙半導體材料參數擬合方法
68、CN200410024905.9 并五苯衍生物作為半導體材料的有機場效應晶體管及其制備方法
69、CN200410044325.6 一系列半導體材料
70、CN200410056519.8 摻雜的有機半導體材料以及它們的制造方法
71、CN200410072301.1 半導體材料的線切割液
72、CN200410077160.2 改善有缺陷的半導體材料質量的方法
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74、CN200410099025.8 一種半導體材料生長系統的滑動機構CN200410103374.2采用突變金屬-絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
75、CN200480007799.1 用于減少半導體材料中雜質的裝置和方法
76、CN200480019353.0熱電半導體材料、由該熱電半導體材料制作的熱電半導體元件、使用該熱電半導體元件的熱電模塊及它們的制造方法
77、CN200480023063.3 由雙面施予晶片生成半導體材料薄層的方法
78、CN200480028008.3 用于制作由半導體材料制成的多層結構的方法
79、CN200480033367.8 具有顆粒半導體材料的應力半導體器件結構
80、CN200480040756.3 半導體材料加工設備中的氧化釔涂覆的陶瓷部件及該部件的制造方法
81、CN200480041518.4 由選自半導體材料的材料層形成的多層晶片的表面處理
82、CN200510011465.8 復合金屬氧化物半導體材料及其制備方法
83、CN200510016509.6 一種指導等離子體輔助制備半導體材料的光譜探測方法
84、CN200510018806.4 一種測量半導體材料塞貝克系數和電阻率的裝置
85、CN200510023879.2 用于化合物半導體材料生長的噴頭及原料輸入方法
86、CN200510024436.5 表面嫁接有機共軛分子的半導體材料及其制備方法
87、CN200510043168.1 GaN半導體材料的異質外延方法
88、CN200510055896.4 半導體材料殘余應力的測試裝置及方法
89、CN200510069117.6 半導體材料和形成半導體材料的方法
90、CN200510079768.3 采用小分子有機半導體材料的液晶顯示器件及其制造方法
91、CN200510089382.0 有機基體材料在生產有機半導體材料中的應用，有機半導體材料以及電子元件
92、CN200510093901.0 基于多觸媒催化納米半導體材料及復合除塵的室內空氣凈化方法及裝置
93、CN200510094827.4 半導體材料的高溫霍爾測量方法及裝置
94、CN200510095658.6 一種提高氮化鎵(GaN)基半導體材料發光效率的方法
95、CN200510119064.4 稠環單元封端的齊聚噻吩類高遷移率有機半導體材料及用途
96、CN200510119536.6 新型半導體材料
97、CN200510137547.7 N型有機半導體材料
98、CN200520022288.9 檢測半導體材料內部缺陷的紅外裝置
99、CN200520023083.2 一種用于氮化物半導體材料退火的新型加熱襯托
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101、CN200580004088.3 半導體材料以及采用該半導體材料的半導體元件
102、CN200580006960.8 淀積半導體材料的方法
103、CN200580007121.8 淀積高質量微晶半導體材料的方法
104、CN200580021861.7 用于施加到Ⅲ Ⅴ化合物半導體材料上的具有多個層的反射層系統
105、CN200580022204.4 制備高質量化合物半導體材料的沉積技術
106、CN200580036891.5 包含光電活性半導體材料的光電池
107、CN200580038437.3 在襯底上生長Si-Ge半導體材料和器件的方法
108、CN200580042306.2 用于半導體材料作為磷光發射體的主體基質的9,9 ’-和2,2 ’-取代的3,3’-聯咔唑衍生物
109、CN200580043297.9 用于薄膜晶體管的N型半導體材料
110、CN200580044132.3 用于薄膜晶體管的N型半導體材料
111、CN200410103374.2 采用突變金屬-絕緣體轉變半導體材料的二端子半導體器件
112、CN200610001301.1 制備GaN基稀磁半導體材料的方法
113、CN200610014413.0 一種用于半導體材料滾圓加工的滾磨液
114、CN200610014600.9 一種去除半導體材料表面蠟和有機物的清洗液及其清洗方法
115、CN200610016841.7 采用納米級半導體材料為基底進行SERS檢測的方法
116、CN200610018021.1 半導體材料線切割專用刃料
117、CN200610019184.1 鈦鈷銻基熱電半導體材料的制備方法
118、CN200610026935.2 Ⅱ-Ⅵ族半導體材料保護側邊緣的表面拋光方法
119、CN200610043855.8 非晶態Zn-Fe-O鐵磁性半導體材料及其制備方法
120、CN200610084830.2 感光可溶性有機半導體材料
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122、CN200610091505.9 有機半導體材料,有機半導體薄膜和有機半導體器件
123、CN200610098234.X 新型半導體材料銦鎵氮表面勢壘型太陽電池及其制備方法
124、CN200610105112.9 一種大面積自支撐寬禁帶半導體材料的制作方法
125、CN200610121457.3 用于支撐生長中的半導體材料單晶的支撐裝置以及制造單晶的方法
126、CN200610121831.X 有機半導體材料和有機半導體元件以及場效應晶體管
127、CN200610136555.4 半導體材料、其制造方法以及半導體器件
128、CN200610151403.1 包括由半導體材料制造的表盤的計時器和用于該計時器的表盤
129、CN200610166972.3 集成電路和調節含有該集成電路的半導體材料溫度的方法
130、CN200610169488.6 使用有機半導體材料的液晶顯示器陣列基板及其制造方法
131、CN200610171452.1 用于調整由半導體材料制成的基材表面或內部應變的方法
132、CN200620030500.0 半導體材料線切割專用刃料濕式循環研磨分級設備
133、CN200620030501.5 半導體材料線切割專用刃料水流預分級設備
134、CN200620030502.X 半導體材料線切割專用刃料專用溢流裝置
135、CN200620030503.4 半導體材料線切割專用刃料水循環利用裝置
136、CN200620030504.9 半導體材料線切割專用刃料溢流自動控制裝置
137、CN200710001132.6 一種氧化鈦摻鈷室溫稀磁半導體材料的制備方法
138、CN200710001824.0 應變絕緣體上半導體材料及制造方法
139、CN200710003498.7 一種氧化鋅摻鈷室溫稀磁半導體材料的制備方法
140、CN200710007933.3 用于半導體材料處理系統的一體化機架
141、CN200710013325.3 用弧光放電等離子體化學氣相沉淀法在金剛石表面制備半導體材料的方法
142、CN200710013839.9 一種P型磷化鎵半導體材料及其制備方法
143、CN200710041646.4 一種宏觀半導體材料性能的測試裝置
144、CN200710092166.0 有機無機復合半導體材料、液態材料、有機發光元件、有機發光元件的制造方法、發光裝置
145、CN200710112047.7 檢測由半導體材料構成的錠件中機械缺陷的方法和設備
 
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