報告名稱 中國半導體材料產業發展前景及投資戰略研究報告
關 鍵 字 半導體材料,半導體材料投資,半導體材料投資
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【報告描述】
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【報告目錄】
第一章 半導體材料相關知識闡述
1.1 半導體材料簡介
1.1.1 半導體材料的定義
1.1.2 半導體材料分類
1.1.3 常用半導體材料特性介紹
1.2 半導體材料制備工藝
1.2.1 半導體材料提純技術
1.2.2 半導體單晶制備工藝
1.2.3 半導體材料中雜質和缺陷的控制
第二章 2011年中國半導體材料行業發展態勢分析
2.1 2011年全球半導體材料行業發展概況分析
2.1.1 全球半導體材料市場格局分析
2.1.2 全球半導體材料市場產銷情況分析
2.1.3 半導體材料市場需求情況分析
2.2 2011年中國半導體材料行業狀況分析
2.2.1 中國半導體材料產業日益壯大
2.2.2 國內半導體材料企業技術水平和服務能力迅速提升
2.2.3 國內半導體設備材料市場現狀
2.2.4 半導體材料產業受政策大力支持
2.3 近兩年國內外半導體材料研發動態分析
2.3.1 Intel公司研發半導體新材料取得重大突破
2.3.2 德國成功研制有機薄膜半導體新材料
2.3.3 國內n型有機半導體材料研究獲新進展
2.3.4 中科院與山東大學合作研究多功能有機半導體材料
2.4 2011年中國半導體材料行業面臨的形勢及發展前景分析
2.4.1 市場需求推動半導體材料創新進程
2.4.2 國內半導體材料企業加快技術創新步伐
2.4.3 半導體材料未來發展趨勢分析
2.4.4 中國半導體材料產業發展前景展望
2.4.5 2011-2015年中國半導體材料行業發展預測
第三章 2011年中國半導體硅材料市場運行局勢分析
3.1 2011年中國半導體硅材料行業發展概述
3.1.1 世界各國均重視半導體硅材料行業發展
3.1.2 國內硅材料企業增強競爭力需內外兼修
3.1.3 發展我國高技術硅材料產業的建議
3.2 多晶硅
3.2.1 國際多晶硅產業概況
3.2.2 全球多晶硅市場規模分析
3.2.3 中國多晶硅行業分析
3.2.4 國內多晶硅市場現狀
3.2.5 中國應重視多晶硅核心技術研發
3.2.6 國內多晶硅行業將迎來整合浪潮
3.3 單晶硅
3.3.1 單晶硅的特性簡介
3.3.2 國際單晶硅市場概況
3.3.3 中國單晶硅市場探析
3.3.4 國內18英寸半導體級單晶硅棒投產
3.4 硅片
3.4.1 國際硅片市場概況
3.4.2 全球硅片價走勢分析
3.4.3 中國硅片市場發展解析
3.4.4 450mm硅片市場研發及投資潛力分析
3.5 半導體硅材料及其替代品發展前景分析
3.5.1 我國半導體硅材料行業發展機遇分析
3.5.2 各國企業積極研發替代硅的半導體材料
3.5.3 石墨納米帶可能取代硅材料位置
第四章 2011年中國第二代半導體材料產業營運形勢分析
4.1 砷化鎵（GaAs）
4.1.1 砷化鎵材料簡介
4.1.2 砷化鎵材料的主要特性
4.1.3 砷化鎵材料與硅材料特性對比研究
4.2 2011年國內外砷化鎵產業分析
4.2.1 砷化鎵材料產業的主要特點
4.2.2 國外砷化鎵材料技術研發概況
4.2.3 國內砷化鎵材料產業狀況
4.2.4 國內砷化鎵材料生產技術及發展趨勢
4.2.5 發展我國砷化鎵材料產業的建議
4.2.6 中國砷化鎵材料行業戰略思路
4.3 2011年中國砷化鎵市場應用及需求分析
4.3.1 砷化鎵應用領域概述
4.3.2 砷化鎵在微電子領域的應用分析
4.3.3 砷化鎵在光電子領域的應用情況
4.3.4 砷化鎵在太陽能電池行業的應用與發展分析
4.3.5 GaAs單晶市場和應用需求分析
4.3.6 砷化鎵市場展望
4.4 磷化銦（InP）
4.4.1 磷化銦材料概述
4.4.2 磷化銦商業化生產面臨難題
4.4.3 磷化銦材料應用前景分析
第五章 2011年中國第三代半導體材料市場發展格局分析
5.1 第三代半導體材料概述
5.1.1 第三代半導體材料發展概況
5.1.2 第三代半導體材料在LED產業中的發展和應用
5.2 碳化硅（SiC）
5.2.1 SiC材料的性能及制備方法
5.2.2 國內碳化硅晶片市場狀況
5.2.3 SiC半導體器件及其應用情況
5.2.4 國內外SiC器件研發新成果
5.3 氮化鎵（GaN）
5.3.1 GaN襯底技術新進展及應用
5.3.2 國內非極性GaN材料研究取得重要進展
5.3.3 GaN材料應用市場前景看好
5.4 2011年中國寬禁帶功率半導體器件發展分析
5.4.1 寬禁帶功率半導體器件概述
5.4.2 碳化硅功率器件發展分析
5.4.3 氮化鎵功率器件分析
5.4.4 寬禁帶半導體器件行業展望
第六章 2011年中國半導體材料下游行業分析
6.1 半導體行業
6.1.1 全球半導體產業發展狀況
6.1.2 中國半導體業運行情況
6.1.3 半導體行業需轉變經營模式
6.1.4 低碳經濟助推半導體市場新一輪發展
6.1.5 半導體產業對上游材料市場需求加大
6.2 半導體照明行業
6.2.1 國內外半導體照明產業概況
6.2.2 中國半導體照明產業面臨的挑戰分析
6.2.3 上游原材料對半導體照明行業的影響分析
6.3 太陽能光伏電池產業
6.3.1 中國光伏產業現狀
6.3.2 國內光伏市場需求尚未開啟
6.3.3 光伏產業理性發展分析
6.3.4 晶硅電池仍將是太陽能光伏主流產品
6.3.5 多晶硅在太陽能光伏行業的應用前景分析
第七章 2011年中國半導體材料行業重點企業關鍵性數據分析
7.1 有研半導體材料股份有限公司
7.1.1 企業概況
7.1.2 企業主要經濟指標分析
7.1.3 企業盈利能力分析
7.1.4 企業償債能力分析
7.1.5 企業運營能力分析
7.1.6 企業成長能力分析
7.2 天津中環半導體股份有限公司
7.2.1 企業概況
7.2.2 企業主要經濟指標分析
7.2.3 企業盈利能力分析
7.2.4 企業償債能力分析
7.2.5 企業運營能力分析
7.2.6 企業成長能力分析
7.3 浙江海納科技股份有限公司
7.3.1 企業概況
7.3.2 企業主要經濟指標分析
7.3.3 企業盈利能力分析
7.3.4 企業償債能力分析
7.3.5 企業運營能力分析
7.3.6 企業成長能力分析
7.4 洛陽中硅高科有限公司
7.4.1 企業概況
7.4.2 企業主要經濟指標分析
7.4.3 企業盈利能力分析
7.4.4 企業償債能力分析
7.4.5 企業運營能力分析
7.4.6 企業成長能力分析
7.5 北京國晶輝紅外光學科技有限公司
7.5.1 企業概況
7.5.2 企業主要經濟指標分析
7.5.3 企業盈利能力分析
7.5.4 企業償債能力分析
7.5.5 企業運營能力分析
7.5.6 企業成長能力分析
7.6 北京中科鎵英半導體有限公司
7.6.1 企業概況
7.6.2 企業主要經濟指標分析
7.6.3 企業盈利能力分析
7.6.4 企業償債能力分析
7.6.5 企業運營能力分析
7.6.6 企業成長能力分析
7.7 上海九晶電子材料有限公司
7.7.1 企業概況
7.7.2 企業主要經濟指標分析
7.7.3 企業盈利能力分析
7.7.4 企業償債能力分析
7.7.5 企業運營能力分析
7.7.6 企業成長能力分析
7.8 東莞鈦升半導體材料有限公司
7.8.1 企業概況
7.8.2 企業主要經濟指標分析
7.8.3 企業盈利能力分析
7.8.4 企業償債能力分析
7.8.5 企業運營能力分析
7.8.6 企業成長能力分析
7.9 河南新鄉華丹電子有限責任公司
7.9.1 企業概況
7.9.2 企業主要經濟指標分析
7.9.3 企業盈利能力分析
7.9.4 企業償債能力分析
7.9.5 企業運營能力分析
7.9.6 企業成長能力分析
7.10 略…………
【圖表目錄】
圖表：主要半導體材料的比較
圖表：半導體材料的主要用途
圖表：2007-2008年全球半導體材料市場比較
圖表：2008-2009年全球半導體材料市場對比分析
圖表：半導體前道工藝中使用的各種材料預測
圖表：全球半導體封裝材料市場情況
圖表：全球半導體材料主要區域市場分析
圖表：分子材料OTFT器件的結構示意圖及器件的轉移曲線
圖表：分子材料OTFT器件的穩定性測試
圖表：以單根微米單晶線制備的場效應晶體管和電流-電壓曲線
圖表：中國半導體材料需求量
圖表：2009年4月-2010年4月二氧化硅月度進口量變化圖
圖表：單晶硅產業鏈圖示
圖表：從1998年到2006年全球太陽能電池產量變化
圖表：2000-2006年全球太陽能電池市場消耗硅材料量
圖表：世界主要太陽能電池用硅片制造商產量一覽表
圖表：世界主要太陽能級單晶硅材料制造商產量一覽表
圖表：我國太陽能級硅單晶生產狀況
圖表：我國太陽能用單晶硅消耗量
圖表：我國太陽能級單晶硅材料制造商的生產能力和產量一覽表
圖表：現代微電子工業對硅片關鍵參數的要求
圖表：各種不同硅片尺寸的價格
圖表：各種不同工藝節點的硅片售價變化圖
圖表：全球硅片出貨量按尺寸計預測
圖表：2007年中國硅片市場產品結構
圖表：300mm硅片生產線每年的興建數量與預測
圖表：全球芯片數量與硅片需求量預測
圖表：砷化鎵晶體特性
圖表：GaAs晶體的物理特性
圖表：GaAs材料與Si材料的特性比較
圖表：國內砷化鎵材料生產廠家的生產、技術及開發情況（液封直拉法）
圖表：國內砷化鎵材料生產廠家的生產、技術及開發情況（水平布里幾曼法）
圖表：國內砷化鎵材料生產廠家的生產、技術及開發情況（垂直梯度凝固法）
圖表：我國砷化鎵材料發展戰略
圖表：砷化鎵電子器件和光電子器件應用領域
圖表：砷化鎵器件的應用領域
圖表：SiC材料的優良特性
圖表：1.6*1016cm-3N摻雜4H-SiC肖管反向漏電流溫度特性
圖表：垂直碳化硅功率JFET結構（不需重新外延）
圖表：垂直碳化硅功率JFET結構（需重新外延）
圖表：氮化鎵HEMT器件（硅襯底）
圖表：總體半導體營業收入最終估值（按地區細分）
圖表：2009年25大半導體供應商全球營業收入最終排名
圖表：2008與2009年中國半導體產業銷售額對比
圖表：TI公司的業務轉型
圖表：富士通非常重視GaN功率半導體的發展
圖表：世界太陽能電池產量
圖表：中國多晶硅產能規劃
圖表：中國光伏建議裝機量
圖表：有研半導體材料股份有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司經營收入走勢圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司盈利指標走勢圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司負債情況圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司負債指標走勢圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：有研半導體材料股份有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司經營收入走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司盈利指標走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司負債情況圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司負債指標走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：天津中環半導體股份有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司經營收入走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司盈利指標走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司負債情況圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司負債指標走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：浙江海納科技股份有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司經營收入走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司盈利指標走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司負債情況圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司負債指標走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：洛陽中硅高科有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司經營收入走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司盈利指標走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司負債情況圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司負債指標走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：北京國晶輝紅外光學科技有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司經營收入走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司盈利指標走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司負債情況圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司負債指標走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：北京中科鎵英半導體有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司經營收入走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司盈利指標走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司負債情況圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司負債指標走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：上海九晶電子材料有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司主要經濟指標走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司經營收入走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司盈利指標走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司負債情況圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司負債指標走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司運營能力指標走勢圖
圖表：東莞鈦升半導體材料有限公司成長能力指標走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司主要經濟指標走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司經營收入走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司盈利指標走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司負債情況圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司負債指標走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司運營能力指標走勢圖
圖表：河南新鄉華丹電子有限責任公司成長能力指標走勢圖
圖表：略…………
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