購買需知：以下所有技術資料集成在一張光盤中,本公司不提供實物產品，也不提供相應實物產品信息，僅提供技術資料！所有資料均為專利原文，化工類，溶劑類，材料類資料均包括有詳細配方配比和生產工藝；機械設備類，都包括原理圖，剖面圖和圖解（也就是圖紙說明）以及文字說明。是企業和個人了解市場、開發技術生產產品不可多得的內部權威參考資料，本套資料全國范圍內均可貨到付款。


訂購電話：

深圳公司：0755-28526626，0755-29046626,手機：15818721055
成都公司：028-87023516,028-65818356

在線咨詢QQ：776423901,853136199

訂購請記錄好此光盤編號：20094-20367


詳細光盤目錄列表如下：

壓電,壓電執行,壓電告警,半導體結構類技術資料(168元/全套)歡迎選購！請記住本套資料（光盤）售價：168元；資料（光盤）編號：F360254
敬告：我公司只提供技術資料，不能提供任何實物產品及設備，也不能提供生產銷售廠商信息。
[8168-0056-0001] 包括連接橫向rf mos器件的源區與背側的插頭的類網狀柵結構
[摘要] 揭示了一種用于rf mos晶體管的類網狀柵結構（80），它具有導電插頭源－體－背側連接。此連接結構使用導電插頭（82）來連接該器件的源區和體區與背側（96）。與在已有技術的rf mos器件中使用長的饋送柵極路徑相比，具有類網狀柵結構的rf mos晶體管利用的饋送柵極路徑明顯較短。具有類網狀柵結構的rf mos晶體管可利用多晶硅柵極或硅化柵極（86），這導致簡化了制造工藝和／或提高了高頻時的性能。
[8168-0082-0002] 鐵電電容器與半導體器件
[摘要] 這里揭示了由上電極、鐵電薄膜和下電極構成的鐵電電容器和具有鐵電電容器的電子器件，特征在于所述鐵電薄膜為鈣鈦礦型的含pb氧化物，而上電極和下電極含有pt和pb的金屬間化合物。本發明是為解決下述問題而設計的。在常規非易失性鐵電存儲器中，在pzt與電極的界面附近產生退化層。在電極與鐵電薄膜界面處產生應力。退化層和界面應力使鐵電電容器的初始極化特性變壞，并且在多次開關循環后極化特性會嚴重退降。
[8168-0065-0003] 散熱器
一種散熱器，在散熱基板的單面上至少按１列設置多個舌狀散熱片，各舌狀散熱片的前端形成為圓弧狀，僅圓弧狀前端部分整體內的中央部分向前方彎曲來形成卷曲部分，中央部分以外的兩側端部不彎曲而保存原來的弧狀部分。
[8168-0115-0004] 有機半導體圖像傳感器
[摘要] 公布了由有機半導體構成的，具有單色或多種顏色響應的圖像傳感器。圖像傳感器由圖像傳感元件（像素）構成，其中圖像傳感元件（像素）個個都包含夾在導電電極之間的一個（或多個）有機半導體薄層。這些圖像傳感器可以與電子或光學器件集成或混成在同一或不同襯底上。來自圖像傳感器的由輸入圖像引起的電輸出信號，由與電極相連接的電路探測。通過材料選擇，通過器件厚度調整和／或通過光學過濾等方法，可以將圖像傳感元件的光譜響應修正或調節到希望的光譜區域。公布了實現紅，綠和藍全色探測的幾種方法。類似的方法可應用于在希望的響應范圍和其他希望的光譜范圍內的多波段探測（波長復用技術）。
[8168-0185-0005] 處延雙極器件和互補金屬氧化物半導體器件的方法
[摘要] 一種形成bimcos集成電路的方法，該方法包括以步驟：（a）在襯底的第一區形成雙極器件的第一部分；（b）在所說第一區上形成第一保護層，保護所說雙極器件的所說第一部分；（c）在所說襯底的第二區上形成場效應晶體管；（d）在所說襯底的所說第二區上形成第二保護層，以保護所說場效應晶體管器件；（e）去掉所說第一保護層；（f）在所說襯底的所說第一區上形成所說雙極器件的第二部分；（g）去掉所說第二保護層。
[8168-0028-0006] 場致發光顯示裝置和電子裝置
[摘要] 本發明披露了一種el顯示裝置，其中紅藍綠中每種顏色的顏色純度是不同的，所述el顯示裝置用于顯示所需平衡的紅藍綠色圖像。被提供給每個el元件的視頻信號由校正電路進行γ校正，按照校正的視頻信號的電壓和電流合適地控制藍光，綠光和紅光的顏色純度。
[8168-0034-0007] 集成電路的封裝體基座構造及制造方法
[摘要] 一種集成電路的封裝體基座構造及制造方法；其主要結構是在一一體成形的封裝體基座中預先埋入金屬接腳；而在其制造過程中所使用的鋼模以金屬接腳的接點處為分模線，使下模內有對應于金屬接腳形狀的*槽，該*槽的深度小于或等于金屬接腳的厚度；在*成形后金屬接腳被包裹在整個塑料體內，且其內部接點都會露出塑料體表面。上述方法制成的封裝體基座，其中金屬接腳被包裹在其塑料體內一體*成形，該制造方法簡便快速，可降低制造成本，且該金屬接腳的結合較為穩固耐用。
[8168-0041-0008] 離子注入裝置和使用該裝置的離子注入方法
[摘要] 本發明提供的離子注入裝置包括：腔室；以及壓力控制器，用于在離子注入工藝期間保持腔室的內部壓力不低于１ｅ－４乇。
[8168-0083-0009] 半導體裝置及其制造方法
[摘要] 本發明的目的在于，通過在ｓｏｉ結構的半導體裝置中抑制經局部ｓｔｉ結構的隔離絕緣膜鄰接的晶體管之間發生的漏電流，來得到提高了隔離特性和耐壓的半導體裝置及其制造方法。其解決方法是，在由半導體襯底１、埋入氧化膜２和半導體層３構成的ｓｏｉ結構的半導體襯底１與埋入氧化膜２相接的表面上形成雜質層１２。
[8168-0180-0010] 形成半導體器件的方法
[摘要] 將襯底（155）放入電鍍槽（19，59）中，測量槽（19，59）中的電流，將膜（110）鍍到半導體器件襯底（155）上。在一個實施例中，用位于槽（19，59）內的檢測陣列（57）測量電流，用測量結果控制電鍍沉積參數。在另一個實施例中，用檢測陣列（57）測量電流，用也位于電鍍槽（19，59）內的相應的控制陣列（53）控制電鍍膜（110）（110）的特性。
[8168-0158-0011] 溝道隔離結構、具有該結構的半導體器件以及溝道隔離方法
[8168-0064-0012] 引線架及樹脂封裝型半導體器件的制造方法
[8168-0073-0013] 用于捕獲離子的接收裝置
[8168-0208-0014] 超磁致伸縮材料和制造方法及其磁致伸縮致動器和傳感器
[8168-0015-0015] 樹脂封裝的半導體器件
[8168-0100-0016] 半導體器件
[8168-0133-0017] 半導體器件檢查裝置
[8168-0059-0018] 直立式發光二極管及其導電線路構造
[8168-0193-0019] 半導體器件
[8168-0172-0020] 特別用于表盤的具有帶色外觀的光生伏打電池
[8168-0174-0021] 用于對半導體襯底進行處理的方法和設備
[8168-0166-0022] 樹脂膜片成型方法和使用所述方法的樹脂膜片成型設備
[8168-0189-0023] 納米晶巨磁阻抗復合材料及其制備方法
[8168-0125-0024] 發光元件用基板與發光元件以及發光元件的制造方法
[8168-0152-0025] 高效電子制冷芯片
[8168-0184-0026] 鐵電半導體存儲器的制法
[8168-0033-0027] 半導體器件
[8168-0145-0028] 薄膜晶體管的輕摻雜漏極/偏置結構的制造方法
[8168-0142-0029] 橫型異質結雙極三極管及其制造方法
[8168-0213-0030] 半導體位置探測器
[8168-0167-0031] 半導體器件中的列晶體管
[8168-0179-0032] 壓電執行元件
[8168-0141-0033] 垂直mos晶體管
[8168-0030-0034] 場效應晶體管及其制造方法
[8168-0150-0035] 使用各向異性導電粘接劑的半導體裝置的安裝方法
[8168-0063-0036] 防止熔絲燒斷損傷的相鄰熔絲之間的裂縫擋板
[8168-0053-0037] 第三族氮化物半導體器件和其生產方法
[8168-0200-0038] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[8168-0146-0039] 半導體制造設備
[8168-0016-0040] 半導體器件和用于制造該半導體器件的方法
[8168-0197-0041] 模制樹脂以密封電子元件的方法及裝置
[8168-0154-0042] 光電二極管
[8168-0216-0043] 半導體封裝方法
[8168-0039-0044] 半導體晶片的封裝方法及其所制成的產品
[8168-0186-0045] 半導體器件及其制造方法
[8168-0182-0046] 一種用于模擬鐵電電容的等效電路
[8168-0123-0047] 微型電動機械結構的包封工藝
[8168-0124-0048] 一種制備氮化鎵基 led的新方法
[8168-0024-0049] 光致抗蝕圖形的形成方法
[8168-0062-0050] 具有腔體的金屬絲熔絲結構
[8168-0110-0051] 高頻模塊及其制造方法
[8168-0013-0052] 用于場效應器件的高速復合p溝道si/sige異質結構
[8168-0072-0053] 大面積顯示結構的密封
[8168-0204-0054] 擴散阻擋層和帶擴散阻擋層的半導體器件
[8168-0086-0055] 半導體器件的制造方法
[8168-0157-0056] 電子模塊
[8168-0212-0057] 太陽能電池組件和太陽能電池裝置
[8168-0156-0058] 具有差分信號線平衡扭絞的集成電路
[8168-0140-0059] 制作導電或半導電三維結構的方法和擦除該結構的方法
[8168-0117-0060] 薄膜晶體管、液晶面板和它們的制造方法
[8168-0202-0061] 大功率半導體模塊的散熱裝置
[8168-0188-0062] mim電容器
[8168-0061-0063] 電致發光顯示器件及其制造方法
[8168-0218-0064] 半導體裝置的電容器的制造方法
[8168-0040-0065] 促進半導體晶片釋放的方法
[8168-0068-0066] 半導體器件的制造方法
[8168-0048-0067] 引線框架及其電鍍方法
[8168-0097-0068] 電光裝置
[8168-0165-0069] 側面包括端子的表面安裝組件
[8168-0170-0070] 具有多柵絕緣層的半導體器件及其制造方法
[8168-0044-0071] 發光二極管及其制作方法
[8168-0050-0072] 用于使用倒裝法的模塊的改進熱性能的可定制蓋
[8168-0092-0073] 通過掩模橫向蔓生制作氮化鎵半導體層的方法及由此制作的氮化鎵半導體結構
[8168-0192-0074] 用紫外激光輸出切斷導電鏈路的方法
[8168-0107-0075] 具有內在銅離子遷移勢壘的低介電常數的介電材料
[8168-0014-0076] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8168-0084-0077] 具有電容器保護層的半導體存儲器件及其制備方法
[8168-0003-0078] 含有磷光體組合物的發光器件
[8168-0026-0079] 半導體的制造方法
[8168-0106-0080] 一種錫球生產工藝
[8168-0136-0081] 繪制圖形校驗方法
[8168-0096-0082] 發光半導體裝置及其制作方法
[8168-0011-0083] el顯示裝置和用于制造所述顯示裝置的方法
[8168-0211-0084] 碳化硅水平溝道緩沖柵極半導體器件
[8168-0215-0085] 制作發光二極管外延晶片的方法
[8168-0206-0086] 固態成像器件及其制造方法和固態成像系統
[8168-0008-0087] 改進的高品質因數電容器
[8168-0130-0088] 互補金屬氧化物半導體工藝中的線性電容器結構
[8168-0104-0089] 半導體器件的電容器的制造方法
[8168-0131-0090] 半導體器件
[8168-0046-0091] 光敏器件和具有內電路系統的光敏器件
[8168-0155-0092] 垂直型金屬氧化物半導體晶體管
[8168-0095-0093] 微小型熱電堆元件及其形成熱隔離的方法
[8168-0162-0094] 與硅之間具有金屬氧化物界面的半導體構造的制造方法
[8168-0177-0095] 具有成分分級的鐵電材料的鐵電場效應晶體管及其制造方法
[8168-0194-0096] 制造微模塊方法和制造含有微模塊的存儲媒體的方法
[8168-0148-0097] 場效應晶體管
[8168-0043-0098] 半導體結構及其制造方法
[8168-0160-0099] 電子束曝光方法和所用掩膜及電子束曝光系統
[8168-0076-0100] 光刻膠膜去除方法及其所用裝置
[8168-0009-0101] 疊層組件的形成方法
[8168-0210-0102] 半導體元件的封殼
[8168-0151-0103] 投影光學系統、投影光學系統的制造方法和使用該光學系統的投影曝光裝置
[8168-0029-0104] 電致發光顯示器及電子設備
[8168-0207-0105] 隱埋金屬體接觸結構和制造半導體場效應晶體管器件的方法
[8168-0163-0106] 電子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法
[8168-0010-0107] 發光二極管
[8168-0054-0108] 模版掩模及模版掩模的形成方法
[8168-0196-0109] 用于腔室襯里的樹脂模塑制品
[8168-0191-0110] 腐蝕后堿處理方法
[8168-0128-0111] 低功耗半導體功率開關器件及其制造方法
[8168-0081-0112] 靜電感應晶體管及其制造方法和電能轉換裝置
[8168-0198-0113] 設計方法、掩模組、集成電路及其制造方法和存儲介質
[8168-0074-0114] 單晶膜的晶體離子切割
[8168-0116-0115] 壓電執行元件
[8168-0178-0116] 照明裝置
[8168-0102-0117] 由樹脂制成應力吸收層的倒裝片型半導體器件及制造方法
[8168-0173-0118] 去除有機物的方法
[8168-0112-0119] 半導體裝置、安裝基板及其制造方法、電路基板和電子裝置
[8168-0126-0120] 無光柵耦合的n型gaas/algaas多量子阱*焦平面器件
[8168-0027-0121] 硅太陽電池的制作方法及使用該方法制作的硅太陽電池
[8168-0199-0122] 在半導體器件中形成銅配線的方法
[8168-0176-0123] 層疊的集成電路封裝
[8168-0119-0124] 顯示裝置
[8168-0217-0125] 薄膜式針測卡
[8168-0190-0126] 半導體元件的制造方法
[8168-0070-0127] 拼接的電子顯示器結構
[8168-0147-0128] 電致發光器件
[8168-0047-0129] 標準單元、標準單元陣列及其布局和布線的系統與方法
[8168-0071-0130] 具有電容元件的集成電路
[8168-0055-0131] 用于零電壓開關的絕緣柵雙極晶體管
[8168-0098-0132] 半導體器件及其制造方法
[8168-0109-0133] 存儲器單元裝置及其制造方法
[8168-0171-0134] 液冷太陽能光伏轉換方法和使用該方法的發電裝置
[8168-0051-0135] 電子束寫入方法、電子束刻蝕設備及其所用掩模
[8168-0058-0136] 發光二極管的基板構造
[8168-0091-0137] 低電感控制的門控晶閘管
[8168-0129-0138] 變形異質接面雙極性晶體管
[8168-0108-0139] 真空場效應晶體管
[8168-0021-0140] 用于*檢測器的冷卻裝置
[8168-0087-0141] 輻射發送和/或接收元件
[8168-0159-0142] 帶電粒子束光刻裝置以及帶電粒子束的光刻方法
[8168-0032-0143] 堆疊電容器存儲單元及其制造方法
[8168-0105-0144] 采用ta2o5薄膜作為電介質...
[8168-0088-0145] 隔離柵雙極型晶體管
[8168-0038-0146] 安裝半導體晶片在具電路軌跡基板的方法及其制成的產品
[8168-0175-0147] 電阻率測量用外延晶片的制備工藝
[8168-0004-0148] 具有高發光效率的含磷光體的發光器件
[8168-0006-0149] 各向異性導電膜和半導體芯片的安裝方法以及半導體裝置
[8168-0002-0150] 用于生產高溫超導線的前驅體材料的制備方法
[8168-0020-0151] 用于同時形成硅上金屬電容器的最佳透過注入
[8168-0164-0152] 半導體層的形成方法
[8168-0134-0153] 帶有凸點的布線電路基板的制造方法和凸點形成方法
[8168-0168-0154] 具有電容器的半導體器件及其制造方法
[8168-0079-0155] 氮化物半導體元件
[8168-0122-0156] 具有透明連接區、用于硅化物應用的半導體器件及其制作
[8168-0121-0157] 具有場效應晶體管的半導體器件的制造方法
[8168-0205-0158] 電容器及其制造方法
[8168-0005-0159] 照明系統
[8168-0203-0160] 晶片整合剛性支持環
[8168-0144-0161] 具散熱功能封裝用塑膠基板及其制造方法
[8168-0049-0162] 電子裝置、其制造方法及其制造裝置
[8168-0103-0163] 電光學裝置的制造方法，電光學裝置及電子機器
[8168-0078-0164] 用在處理系統晶片搬運器上的端部操作裝置
[8168-0022-0165] 半導體裝置的制造方法
[8168-0143-0166] 半導體裝置
[8168-0153-0167] 發光二極管裝置
[8168-0036-0168] 半導體器件的制造方法及其中使用的設備
[8168-0138-0169] 可切換感光靈敏度的有機二極管
[8168-0169-0170] 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
[8168-0019-0171] 半導體器件及其生產工藝
[8168-0060-0172] 制造半導體器件的方法
[8168-0132-0173] 檢查半導體器件的外觀的系統及其方法
[8168-0214-0174] *發光二極管
[8168-0127-0175] 互補偶載場效應晶體管及其片上系統
[8168-0085-0176] 具有至少一個電容的集成電路及其制造方法
[8168-0209-0177] 具有高介電常數柵絕緣體的ulsimos
[8168-0075-0178] 半導體裝置
[8168-0069-0179] 電子顯示設備的對比度增強
[8168-0187-0180] 用于晶體生長的基底襯底和用其制造襯底的方法
[8168-0099-0181] 固體攝像裝置
[8168-0183-0182] 非易失性半導體存儲器及其制造方法
[8168-0111-0183] 一種電感器件
[8168-0118-0184] 射頻電路模塊
[8168-0031-0185] 半導體器件及其制造方法
[8168-0120-0186] 各向異性導電膜、半導體芯片的安裝方法和半導體裝置
[8168-0195-0187] 諧振壓電告警設備
[8168-0137-0188] 行－列可尋址電微開關陣列及使用其的傳感器矩陣
[8168-0023-0189] 半導體裝置和制造方法及其安裝構造和安裝方法
[8168-0017-0190] 集成電路的散熱片及其制造方法
[8168-0067-0191] 電光器件及其制作方法
[8168-0149-0192] 制造半導體器件的方法
[8168-0045-0193] 有機電致發光顯示器件
[8168-0025-0194] 新型清洗劑以及使用它的清洗方法
[8168-0012-0195] 半導體裝置
[8168-0057-0196] 光刻膠殘渣去除劑
[8168-0101-0197] 包含改善的熱交換器的散熱裝置
[8168-0181-0198] 供應液體原材料的方法及設備
[8168-0066-0199] 半導體裝置用清洗劑和半導體裝置的制造方法
[8168-0018-0200] 卡式存儲裝置及其制造方法
[8168-0052-0201] 液相生長方法、液相生長設備和太陽電池
[8168-0114-0202] 處理絕緣層的方法
[8168-0094-0203] 薄膜型裝置及其制作方法
[8168-0037-0204] 超音波發生裝置、多層柔性電路板及其制造方法
[8168-0042-0205] 一種制備半導體襯底的方法
[8168-0161-0206] 曝光掩模、其制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
[8168-0077-0207] 用于*臨界尺寸增大的硬掩模的方法
[8168-0089-0208] 顯示器件
[8168-0093-0209] 具有圓形的水平臂的*滑動垂直架
[8168-0035-0210] 形成位線接觸和進行離子注入的方法
[8168-0201-0211] 低介電常數介質集成電路用破裂擋板和氧勢壘
[8168-0001-0212] 壓電驅動裝置
[8168-0007-0213] 從基片上灰化有機物質的方法
[8168-0080-0214] 半導體位置探測器
[8168-0090-0215] 立式集成電路裝置
[8168-0135-0216] 半導體放電管制造方法的改進
[8168-0139-0217] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8168-0113-0218] 產生二維或三維導電或半導電結構的方法,擦除該結構的方法及產生上述電路結構...
[8168-0219-0219] 半導體器件
請與QQ：8 5 3 1 36199,7 76423901聯系辦理。
歡迎通過淘寶、有啊、拍拍等第三方平臺交易，
匯款后請電話（0755-28526626或15818721055通知，告訴所需技術光盤名稱、編號、數量及收貨人姓名、郵政編碼和詳細地址。（如需網傳請告郵箱地址或QQ號）
電 話：0755-28526626
手 機：15818721055
客服QQ：776423901 853136199
敬告：本公司已通過國際華夏鄧白氏資質認證
辦理全國范圍貨到付款業務：請與QQ：853136199聯系辦理。
本公司經營技術、資料、配方、工藝，質量保證，歡迎咨詢洽談。
購買操作說明
本部擁有各種專利技術、技術文獻、論文資料近20萬套500多萬項，所有專利技術資料均為國家發明專利、實用新型專利和科研成果，資料中有專利號、專利全文、技術說明書、技術配方、技術關鍵、工藝流程、圖紙、質量標準、專家姓名等詳實資料。所有技術資料均為電子圖書（PDF格式，沒有錄像及視頻），承載物是光盤，可以郵寄光盤也可以用互聯網將數據發到客戶指定的電子郵箱（網傳免收郵費）。
(1)、銀行匯款：本套資料標價(是網傳價，不包含郵費，如郵寄光盤加收15元快遞費，快遞公司不能到達的地區加收22元的郵政特快專遞費)匯入下列任一銀行帳號（需帶身份證），款到發貨！
工 商 銀 行 卡 號： 62220 2400 0005 8811 86 戶 名：楊 雪 梅
農業銀行 卡 號： 62282 2012 48008 3411 4 戶 名：楊 雪 梅