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[8115-0193-0001] 制作太陽能電池的方法及由此制作的太陽能電池
[摘要] 提供一種制作太陽能電池的方法及由此制作的太陽能電池，獲得高的光電轉換效率。制作具有柵格電極(46)和用于從柵竦緙?46)向外輸出電力的主電極(47)的太陽能電池的方法包括步驟：通過燒結金屬漿料材料，形成小寬度柵格電極(46)于具有pn結的襯底的受光面上；和形成棒狀主電極(47)電連接到柵格電極(46)。
[8115-0033-0002] 輻射元件的芯片引線架、輻射元件及其制造方法
[摘要] 本發明涉及一個芯片引線架(2)和一個外殼以及一個以此構成的元件及其制造方法。該芯片引線架具有一個支承部分，該支承部分包括至少一個引線連接區(10)和至少一個焊接連接條(3a，b)，在該連接條中嵌入一個單獨制造的熱連接部分(4)，這個熱連接部分具有一個芯片安裝區(11)。芯片引線架(2)最好用一種模塑材料包封，以構在一個外殼，其中，熱連接部分是這樣埋置的，即它可從外部進行熱連接。
[8115-0077-0003] 配線襯底及其制造方法
一種配線襯底，其包括：襯底；配線圖形，其形成埋設在襯底上使其表面部露出，且由以銀為主體的導電性樹脂構成；覆蓋導體，其以碳為主體且形成覆蓋該配線圖形的表面部。該配線襯底通過該結構實現耐吸濕性和耐水性優良，防止水分影響導致的銀遷移和減少配線襯底的端子部與外部設備連接時的接觸電阻。
[8115-0165-0004] 氧化硅溝填制程
[摘要] 一種氧化硅溝填制程，其是使用兼具蝕刻作用的化學氣相沉積法在溝渠中填滿氧化硅，其中所使用的反應氣體包括沉積用反應氣體及濺蝕用的氦/氫(he/h2)混合氣體，此氦/氫(he/h2)混合氣體在反應氣體中所占的比例是隨溝渠的深寬比增加而提高。
[8115-0195-0005] 氮化物基發光器件及其制造方法
[摘要] 提供了一種氮化物基發光器件及其制造方法。該氮化物基發光器件具有一種結構，其中在襯底現遼僖來渦緯蒼型包覆層、有源層和p型包覆層。該發光器件還包括形成于p型包覆層上由包含的p型雜質的含鋅(zn)氧化物構成的歐姆接觸層。該氮化物基發光器件的制造方法包括在p型包覆層上形成由包含p型雜質的含鋅(zn)氧化物構成的歐姆接觸層，制造歐姆接觸層并對所得結構進行退火。通過改善與p型包覆層的歐姆接觸，氮化物基發光器件及其制造方法提供了優良的i-v特性，同時由于透明電極的高透光率，有效地增強了器件的發光效率。
[8115-0139-0006] 制作高寬高比的電極的方法
[摘要] 在包括致密排列的平行電極(ε1，ε2)的電極裝置(e)中用于制作高寬高比的電極的方法中，以重復執行的連續加工步驟序列制作該電極，該連續的加工步驟序列在每個構圖步驟中使用僅僅一個和同一光掩模，重復該序列數次就能形成具有需要的寬高比的電極，并且在最后的加工步驟中平面化該電極裝置的上表面。
[8115-0083-0007] 一種鎢塞阻擋層淀積工藝及其結構
[摘要] 本發明屬于半導體集成電路制造工藝技術領域，具體涉及一種鎢塞阻擋層淀積工藝及其結構。通常情況下，通孔鎢塞的制成次序是：先淀積阻擋層金屬tin，然后淀積鎢，最后用回刻或w cmp除去多余的w和tin，只留下通孔中的w和tin。但當通孔尺寸減小到0.18微米或以下的工藝條件下，由于通孔尺寸小，光刻和刻蝕過程中容易出現通孔和下層金屬線位錯或對不準，從而導致通孔電阻偏高或均勻性變差。本發明采用ti/tin作為鎢塞阻擋層，既滿足了覆蓋率，又滿足了鎢塞的填孔性。這樣，其互連通孔結構由ti、tin和后鎢塞組成。實驗結果證明采用ti/tin作為鎢塞阻擋層效果很好，提高了通孔互連的可靠性。
[8115-0198-0008] 基板接合體及其制法、電光學裝置的制法、及電光學裝置
[摘要] 本發明提供一種能抑制基板發生翹曲，并能使基板間保持恒定間隙距離，同時能均勻填充密封樹脂，并能防止殘余應力引發各種元件破壞的基板接合體制造方法，基板接合體、電光學裝置的制造方法，及電光學裝置，其特征在于，在將具有第1功能元件(13)的第1基板(3)和具有第2功能元件(25、21)的第2基板(4)貼合在一起制造基板接合體(2)的方法中，上述第1基板(3)形成第1功能元件(13)一側，或上述第2基板(4)形成第2功能元件(25、21)一側，至少一方上形成保護層(30)。
[8115-0045-0009] 布線基板及其制造方法以及薄膜晶體管及其制造方法
[摘要] 本發明包括用于形成由高熔點金屬組成的第一導電層以與一絕緣層相接觸的第一步驟；以及用于通過流注包含導電材料的合成物來形成第二導電層以與第一導電層相接觸的第二步驟。在通過液滴流注形成第二導電層之前，形成所述第一導電層，并因此，提高了第二導電層的粘合性和抗剝離性。此外，用第一導電層覆蓋絕緣層，從而防止絕緣層的損壞或破壞。
[8115-0040-0010] 加熱方法、加熱裝置、以及圖像顯示裝置的制造方法
[摘要] 在制造圖像顯示裝置時，為了對構成內置有圖像顯示裝置的容器的基板進行均勻的加熱，抑制發生基板的翹曲和破損，在真空容器內，將加熱器對向配置在基板的兩側，并用熱反射部件所圍繞；進一步，配置位于基板的周端面和熱反射部件之間的分隔部件；由此對基板進人加熱。
[8115-0157-0011] 低電阻t形脊結構
[8115-0081-0012] 半導體器件的接觸結構及其制造方法
[8115-0152-0013] 分離半導體晶片的方法及使用該方法的分離裝置
[8115-0095-0014] 半導體集成電路裝置
[8115-0112-0015] 新型準直發光二極管封裝結構
[8115-0002-0016] 發光二極管背光板
[8115-0114-0017] 發光元件及其制造方法
[8115-0161-0018] 半導體元件的安裝方法及半導體元件安裝基板
[8115-0133-0019] 使用直接銅接合的電/光集成方案
[8115-0212-0020] 齒形光致電壓屋頂板
[8115-0199-0021] 具有小形體尺寸和大形體尺寸元件的裝置以及制造這種裝置的方法
[8115-0073-0022] 光半導體集成電路裝置的制造方法
[8115-0168-0023] 單一晶體管型隨機存取存儲器的制造方法及其電容器結構
[8115-0051-0024] 表面處理方法
[8115-0019-0025] 閥裝置和熱處理裝置
[8115-0004-0026] 具有熱吸收層的發光元件的制造方法
[8115-0053-0027] 雙大馬士革結構中刻蝕阻擋層的旋涂法制備
[8115-0123-0028] 包含金屬-絕緣體-金屬電容器之集成半導體產品
[8115-0185-0029] 光學器件及其制造方法
[8115-0058-0030] 半導體裝置的制法以及半導體芯片組裝體的保護樹脂涂敷裝置
[8115-0007-0031] 陣列式發光二極管的模組化結構及其封裝方法
[8115-0018-0032] 深溝渠電容器以及電阻之同時形成
[8115-0118-0033] 具有抗全反射增透薄膜的發光二極管及其制備方法
[8115-0097-0034] 一種基于縱向雙勢壘共振隧穿結構的量子點存儲器
[8115-0218-0035] 半導體裝置的制造方法
[8115-0010-0036] 制作一半導體發光元件的方法
[8115-0145-0037] 用標準集成電路工藝設計低寄生電容差分驅動對稱電感的方法
[8115-0013-0038] 微型薄膜溫差電池的制造方法
[8115-0036-0039] 顆粒除去裝置和顆粒除去方法及等離子體處理裝置
[8115-0070-0040] 基于優化遺傳算法改進軟硬件劃分效率的技術實現方法
[8115-0026-0041] 半導體封裝器件及其制造和測試方法
[8115-0158-0042] 碳化硅-氧化物層疊體及其制造方法以及半導體裝置
[8115-0194-0043] 氮化物半導體發光器件及其制造方法
[8115-0197-0044] 壓電元件及利用該壓電元件的觸摸屏
[8115-0187-0045] 半導體器件及其制造方法
[8115-0210-0046] 帶有不同硅厚度的絕緣膜上硅裝置
[8115-0091-0047] 一種具有多個內部功能塊的芯片及其供電降噪的方法
[8115-0119-0048] 熱電變換裝置
[8115-0147-0049] 電子束描繪裝置和電子束描繪方法
[8115-0060-0050] 集成電路芯片視覺對準方法
[8115-0110-0051] 氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
[8115-0108-0052] 太陽電池自動布貼系統
[8115-0175-0053] 具有多晶硅熔絲的半導體器件及其微調方法
[8115-0189-0054] 半導體器件及其制作方法
[8115-0204-0055] 包括有薄氧化物內襯的半導體裝置及其制法
[8115-0138-0056] 具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
[8115-0001-0057] 藍寶石襯底減薄方法
[8115-0039-0058] 半導體器件及制作一低溫多晶硅層的方法
[8115-0009-0059] 一種發光二極管的結構及其制造方法
[8115-0130-0060] 具溝槽晶體管的存儲單元
[8115-0057-0061] 制造半導體器件的方法
[8115-0067-0062] 一種用于淺溝槽隔離技術的化學機械拋光工藝
[8115-0150-0063] 將半導體晶片與支承件分離的方法以及使用該方法的裝置
[8115-0055-0064] 降低化學氣相沉積摻雜磷氧化層表面缺陷的方法
[8115-0075-0065] 生產多芯片模塊的方法和多芯片模塊
[8115-0131-0066] 管芯底部與支撐板分隔開的表面安裝封裝
[8115-0116-0067] 發光二極管
[8115-0044-0068] 處理柵極結構的方法
[8115-0101-0069] ccd圖像傳感器和高精度線性尺寸測量裝置及其測量方法
[8115-0207-0070] 散熱增強的薄倒裝引腳鑄模封裝
[8115-0208-0071] 用于制造微電路板的方法
[8115-0103-0072] 信息處理結構體
[8115-0140-0073] 光電子器件
[8115-0188-0074] 基于雙勢壘隧道結共振隧穿效應的晶體管
[8115-0090-0075] 半導體器件及其制造方法
[8115-0172-0076] 半導體器件及其制造方法
[8115-0086-0077] 層積半導體芯片的半導體裝置及其制造方法
[8115-0183-0078] 閃存存儲單元及其制備方法
[8115-0043-0079] 一種用氮氣消除橫向凹槽的方法
[8115-0153-0080] 將保護帶接合到半導體晶片的方法和裝置
[8115-0046-0081] 半導體器件、切割半導體器件的切割設備及其切割方法
[8115-0093-0082] 半導體集成電路裝置
[8115-0066-0083] pn結襯底隔離片上電感的優化設計方法
[8115-0144-0084] 操作電子器件的裝置及其方法
[8115-0074-0085] 利用氧化線間隙壁與回蝕刻制造dram晶胞結構的方法
[8115-0170-0086] 半導體裝置及其制造方法
[8115-0100-0087] 半導體器件及其制作方法
[8115-0146-0088] 半導體制造裝置及利用這種裝置形成圖案的方法
[8115-0171-0089] 液冷式電功率轉換裝置
[8115-0155-0090] 基于納米材料排布的納米刻蝕方法
[8115-0205-0091] 制造多個組件的方法
[8115-0052-0092] 表面處理裝置
[8115-0088-0093] 半導體器件
[8115-0122-0094] 減輕緊鄰表面液體分散噴流之間交叉污染的方法和裝置
[8115-0127-0095] 具有對氮化物肩部高度敏感性的自對準接觸蝕刻
[8115-0169-0096] 晶片級封裝方法及結構
[8115-0042-0097] 利用激光結晶形成多晶系膜層的方法
[8115-0025-0098] 用于半導體工藝中高級工藝控制的動態度量方案和取樣方案
[8115-0151-0099] 用于化學機械拋光的彈性拋光墊板
[8115-0162-0100] 半導體加工用粘著片及半導體加工方法
[8115-0076-0101] 半導體裝置及其制造方法
[8115-0104-0102] 半導體器件以及半導體器件的驅動電路
[8115-0184-0103] 半導體存儲器及其驅動方法
[8115-0003-0104] 一種發光二極管結構
[8115-0177-0105] 光學器件及其制造方法
[8115-0085-0106] 芯片夾心裝置之互連及其制造方法
[8115-0064-0107] 晶片裝載室
[8115-0068-0108] 一種超深隔離槽開口形狀的控制方法及產品
[8115-0061-0109] 晶片級csp的制造方法
[8115-0084-0110] 半導體器件
[8115-0022-0111] 通過離子注入制造高電壓mos晶體管的方法
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[8115-0082-0113] 利用多層布線防止低介電常數膜剝離的半導體器件
[8115-0154-0114] 應用于半導體制備工藝中的斜面制造方法
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[8115-0034-0116] 透光、熱穩定的含有有機層的發光元件
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[8115-0156-0121] 能防止濕式清潔過程導致之損壞的半導體裝置的制造方法
[8115-0050-0122] 靜電蝕刻方法及其裝置
[8115-0186-0123] 金屬在金屬上的組件及其制造方法
[8115-0179-0124] 薄膜晶體管陣列面板
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[8115-0041-0126] 圖案形成方法
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[8115-0065-0128] 多電流路徑抑制電流擁擠效應的片上電感設計方法
[8115-0023-0129] 將密封物體固定到基底物體上的方法
[8115-0098-0130] 集成存儲器電路
[8115-0136-0131] 帶有一個或更多通孔的半導體結構
[8115-0059-0132] 半導體裝置的制造方法及半導體裝置
[8115-0056-0133] 用于銅布線化學機械拋光的清洗液提供裝置
[8115-0006-0134] 半導體發光器件及其制造方法
[8115-0008-0135] 半導體發光元件
[8115-0129-0136] 有改善的較小正向電壓損耗和較高截斷能力的半導體結構
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[8115-0213-0138] 攝像設備和包括攝像設備的攝像機系統
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[8115-0038-0146] 在蝕刻處理中控制關鍵尺寸的方法
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[8115-0102-0149] 信息處理結構體
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