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詳細光盤目錄列表如下：

.以下為光盤目錄：
1、制造半導體器件的方法和用于清洗襯底的設備
[技術摘要]從噴嘴33的端部向晶片表面上噴涂剝離劑，同時起動第一供給噴嘴33使從晶片的中央部分**至其外部。該操作提供這樣一種情況，其中，通過由噴嘴供給的剝離劑的表面張力將殘存小液滴38的界面從晶片的中央拉回到晶片的外部。其間，第二供給噴嘴36也以與第一供給噴嘴33**的相同速度**。從第二供給噴嘴36的孔中噴涂蒸汽IPA。這提供了在從第一供給噴嘴33向晶片表面上噴涂剝離劑之后立即向其表面上噴涂蒸汽IPA，并將晶片表面上殘存的剝離劑用IPA有效地取代。

2、制造半導體器件的方法和裝置
[技術摘要]一種用于制造半導體器件的方法，其中，在形成用于側壁或襯墊的BTBAS-SiN膜和用作偏移隔離層的氧化物膜的同時在半導體襯底背面側上形成的BTBAS-SiN膜和氧化物膜完全被去除，從而使半導體襯底的背面*露；在半導體襯底的背面被*露后，利用靜電吸盤或真空吸盤作為晶片裝卸器在處理或**半導體襯底的過程中對半導體襯底進行裝卸。

3、半導體器件檢查裝置
[技術摘要]一種用于獲取關于一個或多個孔的信息的系統，所述一個或多個孔設置于半導體晶片中或設置于在所述半導體晶片上或之上所設置的層中。所述系統包括：發射電子束的電子*；測量補償電流的電流測定裝置，其中，所述補償電流響應于發射到所述一個或多個孔上的電子束而產生；以及數據處理器，耦合到所述電流測定裝置，以使用由所述電流測定裝置所測量的補償電流的量來確定與所述一個或多個孔的底直徑或底周長相關的信息。

4、基板處理裝置和用于制造半導體器件的方法
[技術摘要]化學汽相淀積裝置具有用于處理晶片的反應爐；用于氣密地密封反應爐的密封罩；密封罩對面的隔離凸緣；由密封罩、隔離凸緣和反應爐壁表面形成的小室；用于給小室供給第一氣體的供給管；小室提供的流出通道，用于使第一氣體流入反應爐；和從流出通道下游向反應爐供給第二氣體的供給管。阻止諸如NH4

5、研磨墊及半導體器件的制造方法

6、半導體器件、半導體晶片、半導體組件及半導體器件的制造方法
7、半導體器件上形成導電覆層的方法
8、半導體器件的清洗液和制造方法
9、研磨狀況**方法及其裝置、研磨裝置、半導體器件制造方法、以及半導體器件
10、化合物半導體器件及其制造方法
11、用于制造半導體器件的集群型灰化設備
12、制造半導體器件的等離子體刻蝕方法和設備
13、半導體晶片、半導體器件及其制造方法
14、濺射高熔點金屬用的濺射設備和有高熔點金屬的半導體器件的制造方法
15、具有測試元件組元件的半導體器件
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16、膜接合方法、膜接合裝置以及半導體器件制造方法
17、半導體器件的制造方法
18、半導體器件及其制造方法
19、曝光處理系統、曝光處理方法和半導體器件的制造方法
20、半導體器件及其制造方法
21、樹脂封裝方法及裝置、半導體器件及其制造方法及樹脂材料
22、半導體器件及其制造方法
23、半導體器件的制造方法以及半導體晶片分割掩膜的形成裝置
24、半導體器件的制造方法及用于剝離抗蝕劑的清洗裝置
25、在制造半導體器件過程中清洗半導體晶片的波形花紋結構的方法
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26、半導體器件的電極結構及其制造方法
27、半導體晶片及半導體器件的制造方法以及半導體器件
28、半導體器件的制造方法
29、半導體器件的制造方法
30、半導體器件的制造方法
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31、具有正面襯底接觸的絕緣體上半導體器件的制造方法
32、具有蓋部分的半導體晶片制造方法和半導體器件制造方法
33、半導體器件的制造方法
34、半導體器件實驗流程和生產流程的綜合配置、流程及執行系統
35、半導體器件用連接器裝置以及半導體器件的測試方法
36、半導體器件的制造方法
37、半導體器件、該器件的制造方法和所使用的引線架
38、形成介電膜的方法和利用該方法在半導體器件中形成電容器的方法
39、半導體器件及其制造方法
40、半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
41、半導體晶片、其制造方法以及制造半導體器件的方法
42、用于制造半導體器件的裝置及其方法
43、在*化氧化物沉積工藝中減少半導體器件污染
44、電子束曝光掩模和用該掩模制造半導體器件的方法
45、埋置絕緣層上硅晶片頂層中制作有半導體元件的半導體器件的制造方法
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46、半導體器件的制造方法
47、半導體器件及其制造方法
48、晶片的分割方法、裝置、半導體器件的制造方法、制造裝置
49、用于非破壞性的檢查半導體器件的裝置和方法
50、用晶片接合的方法來制造半導體-電介質-半導體器件結構
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51、包括半導體存儲器元件的半導體器件及其制造方法
52、半導體器件及其制造方法
53、發射射線的半導體器件及其制造方法
54、半導體器件的三維缺陷分析方法
55、半導體器件的制造方法
56、半導體器件場氧化膜的制造方法
57、拋光體、拋光設備、拋光設備調節方法、拋光膜厚度或拋光終點測量方法及半導體器件的制造方法
58、具有ID標記的半導體晶片，及從中生產半導體器件的方法和設備
59、半導體器件的制造方法
60、半導體器件的制造方法
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61、半導體器件制造工藝中用的等離子**方法
62、在半導體器件制造中減小非均勻區影響的方法和設備
63、半導體器件的制造方法
64、晶片、密封裝置、金屬模和澆口及半導體器件的制造方法
65、半導體器件形成期間用于垂直定向電容器的支撐
66、半導體器件制造方法
67、垂直結構半導體器件
68、用環形接觸部件剝離半導體器件的方法和裝置
69、用于去除半導體器件中的鋁終端襯墊材料的方法和結構
70、在半導體器件上提供一致臨界尺寸的光掩模及其制造方法
71、半導體器件中的晶體管及其制造方法
72、研磨裝置及半導體器件的制造方法
73、接合裝置、接合方法和用于制造半導體器件的方法
74、半導體器件的制造方法
75、半導體器件的制造方法和半導體制造設備
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76、等離子體化學氣相沉積設備及用它制造半導體器件的方法
77、半導體器件的制造方法
78、用于非破壞性的檢查半導體器件的裝置和方法
79、半導體器件及其制造方法
80、具有亞芯片規模封裝構造的半導體器件及其制造方法
81、半導體器件的柵極形成方法
82、蝕刻方法以及半導體器件的制造方法
83、布線圖形埋入檢查方法、半導體器件制造方法及檢查裝置
84、半導體器件
85、制造半導體器件的方法
86、拋光狀態**方法、拋光狀態**裝置、拋光設備、加工晶片、半導體器件制造方法和半導體器件
87、半導體器件加工裝置以及控制半導體器件加工工藝的方法
88、聚硅氮烷層的退*工藝及其形成半導體器件隔離層的方法
89、在半導體器件上形成*細圖形的方法
90、半導體器件及其制造方法
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91、半導體器件制造設備
92、層疊型半導體器件以及層疊型電子部件的制造方法
93、制造半導體器件的方法
94、化學機械研磨方法、化學機械研磨系統、半導體器件制造方法
95、半導體器件的制造方法
96、半導體器件的制造方法
97、在半導體器件的制造中減少黑硅的方法
98、制造半導體器件的設備和方法及上述設備中用的清潔方法
99、半導體器件的制造生產線
100、制作半導體芯片主面和背面上包括電極的半導體器件方法
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101、低K介電材料的接合焊盤和用于制造半導體器件的方法
102、晶片支持板、薄膜晶片的保持方法和半導體器件的制造方法
103、用于非破壞性的檢查半導體器件的裝置和方法
104、用于電子束曝光的掩模及制造方法和半導體器件制造方法
105、制造半導體器件的方法
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106、制造半導體器件的方法
107、半導體器件及其制造方法
108、半導體器件的制造方法及半導體制造裝置
109、制造半導體器件的方法
110、半導體器件金屬化工藝
111、半導體晶片和半導體器件的制造工藝
112、半導體器件的制造
113、半導體器件，半導體晶片，芯片尺寸封裝及制作和檢測方法
114、半導體器件及其制造方法
115、半導體器件的制造方法
116、豎直堆疊的半導體器件
117、測試具有許多半導體器件的晶片的探針*及其制作方法
118、半導體器件及其制造方法
119、利用平面化技術制造半導體器件的方法
120、襯底處理裝置和半導體器件的制造方法
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121、半導體器件的生產方法
122、具有晶片中的雙金屬鑲嵌結構的半導體器件及其制造方法
123、*細孔電鍍和金凸起形成方法、半導體器件及其制造方法
124、半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
125、用于制造半導體器件的干凈化裝置
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126、晶片級封裝及其制造方法以及由其制造半導體器件的方法
127、半導體器件的制造方法
128、具有ID標記的半導體晶片，及從中生產半導體器件的方法和設備
129、半導體器件生產裝置及生產方法
130、用于半導體器件的清洗 干燥臺和生產線
131、一種半導體器件封裝結構
132、一種半導體器件及其制造方法
133、分割半導體晶片的方法和半導體器件的制造方法
134、半導體器件的制造方法、濕式蝕刻處理裝置及濕式蝕刻方法
135、半導體器件的制造方法
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136、互補金屬氧化物半導體器件
137、半導體器件制造方法及晶片加工帶
138、半導體器件的制造方法
139、用于半導體器件的缺陷調查**片的制造方法
140、半導體器件制造過程中控制多晶硅薄層電阻的方法
141、制造半導體器件的方法
142、半導體器件用的圖形制作方法
143、半導體器件及其制造方法
144、制造半導體器件的方法
145、光掩模、曝光方法與儀器、圖形制造、形成方法及半導體器件
146、半導體器件的制造方法
147、用于制造半導體器件的強聲波清洗設備
148、半導體器件的平整方法
149、半導體器件及其制造方法
150、功率半導體器件及其制造方法
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151、半導體器件及其制造方法
152、半導體器件的制造方法和用于該方法的掩膜
153、拋光墊、其生產方法及使用其生產半導體器件的方法
154、制備多晶硅薄膜的方法以及用其制備半導體器件的方法
155、金屬鍍覆方法、預處理劑以及使用它們制得的半導體晶片和半導體器件
156、具有ID標記的半導體晶片，及從中生產半導體器件的方法和設備
157、半導體器件及其制造方法
158、使用浸沒光刻工藝制造半導體器件的方法
159、半導體晶片以及半導體器件的制造方法
160、半導體器件的制造工藝
161、半導體器件及對半導體器件的控制方法
162、半導體器件
163、制造GaN襯底、外延晶片和半導體器件的方法以及外延晶片
164、使用CMP的半導體器件及其制造方法
165、偏振狀態檢查方法和檢查襯底、半導體器件的制造方法
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166、制造絕緣體上的硅結構的半導體器件的方法
167、半導體器件的制造方法
168、半導體器件和設計掩模的方法
169、半導體晶片、半導體器件和半導體器件的制造方法
170、半導體器件的制造方法
171、化合物半導體器件晶片的制造方法
172、半導體器件的制造方法
173、用于制造半導體器件的光刻工藝的方法
174、半導體器件的制造方法
175、射頻半導體器件及其制造方法
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176、半導體器件及其制造方法
177、半導體器件生產系統和半導體器件生產方法
178、半導體器件的生產工藝和其中使用的清洗裝置
179、在半導體器件上形成*細圖形的方法
180、半導體器件及其制造方法
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181、電拋光半導體器件上金屬互連的裝置
182、半導體器件及其制造方法
183、半導體器件的制造方法
184、半導體器件的制造方法
185、半導體器件及其制造方法
186、半導體器件的制造方法
187、制造半導體器件的方法
188、半導體器件及其制造方法
189、制造具有半球形顆粒的半導體器件的工藝
190、電拋光半導體器件上金屬互連的方法和裝置
191、半導體器件的制造方法
192、半導體器件的制造方法
193、半導體器件
194、晶片**機器*及包括該機器*的半導體器件制造設備
195、半導體器件及其制造方法
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196、半導體器件及其制造方法
197、半導體器件的制造方法以及半導體器件
198、半導體傳感器以及用于電鍍半導體器件的方法
199、半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
200、一種介質隔離半導體器件及其制造方法
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201、半導體器件的制造方法
202、半導體器件的制造方法
203、制造半導體器件的方法和半導體器件的制造設備
204、半導體器件制造方法、等離子處理設備及等離子處理方法
205、半導體襯底夾具和半導體器件的制造方法
206、半導體器件生產系統和半導體器件生產方法
207、半導體器件的制造方法
208、拋光體、CMP拋光設備及半導體器件制造方法
209、半導體器件及其制造方法
210、半導體器件上的標志的**方法
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211、在半導體器件上形成光刻膠膜的裝置及其形成方法
212、半導體器件及其制造方法
213、用于半導體器件測試器的接口設備
214、使用溝槽為晶片承載的半導體器件提供電流控制
215、半導體器件的制造方法
216、使用梨晶生長的碳化硅漂移層形成功率半導體器件的方法和由此形成的功率半導體器件
217、用于半導體器件的超薄模塊及其制造方法
218、半導體器件及其制造方法
219、半導體晶片、半導體器件以及半導體器件的制造方法
220、具有覆在聚合體層上的隆起的半導體器件封裝
221、半導體器件、LED頭和圖像形成裝置
222、半導體器件的制造方法
223、半導體器件的制造方法
224、供晶片用的粘合片及使用該粘合片制備半導體器件的工藝
225、用于在制造半導體器件等中分配光刻膠的方法和設備
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226、一種半導體器件封裝結構
227、半導體器件的制造方法
228、半導體器件制造方法、制造裝置及其清洗方法和制造系統
229、晶片和半導體器件的檢查方法和裝置
230、制造半導體器件的方法和用于切割半導體晶片的切割裝置
231、在半導體器件中形成銅引線的方法
232、半導體器件的制造方法
233、半導體器件的制造方法
234、測試半導體器件的探針*及半導體器件測試方法
235、用于制造半導體器件的光掩模的制造方法
236、半導體器件的制造方法
237、制造半導體器件的方法
238、制造芯片封裝型半導體器件的方法
239、晶片的制造方法及半導體器件的制造方法
240、關于分析半導體器件失效的剝層處理方法
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241、半導體器件的制造方法
242、制造具有側壁間隔層的半導體器件的方法
243、使用真空系統的半導體器件制造設備
244、用于移除浸潤式*影溶液的組合物及制造半導體器件的方法
245、半導體器件以及半導體器件的制造方法
246、半導體器件清洗裝置和清洗半導體器件的方法
247、半導體器件的制造方法
248、半導體器件的制造方法
249、半導體器件及其制造方法
250、半導體傳感器以及用于電鍍半導體器件的方法
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251、半導體器件的制造方法、半導體晶片及半導體器件
252、包括疊層芯片的半導體器件生產方法及對應的半導體器件
253、半導體器件上導電金屬層的制作
254、用于制造SOI基板及半導體器件的方法
255、半導體器件及其制造方法
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256、硅大直徑圓晶片半導體器件玻璃鈍化技術方法
257、半導體器件及其制造方法
258、制造多半導體器件的方法
259、GaAs半導體襯底、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及制造方法
260、氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
261、半導體器件，半導體晶片，芯片尺寸封裝及制作和檢測方法
262、半導體器件的制造方法及其制造生產線
263、半導體制造裝置的凈化方法和半導體器件的制造方法
264、具有存儲層的背柵半導體器件
265、用于生產半導體器件的工藝
266、半導體晶片、半導體芯片、半導體器件及晶片測試方法
267、使用CMP的半導體器件的制造方法
268、半導體晶片和半導體器件
269、制造半導體器件的方法
270、制造半導體器件的方法
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271、堆疊型半導體器件及其制造方法
272、半導體制造設備和半導體器件的制造方法
273、形成半導體器件精細圖形的方法
274、半導體器件
275、從半導體晶片中分離半導體器件的裝置
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276、具有ID標記的半導體晶片，及從中生產半導體器件的方法和設備
277、半導體器件的制造方法和晶片及其制造方法
278、測試半導體器件中的膜層厚度專用的新圖形**標記
279、對半導體器件的改進
280、半導體器件制造方法以及半導體器件
281、半導體器件的制造方法
282、半導體器件生產系統和半導體器件生產方法
283、用于半導體器件缺陷調查的**片的制造方法
284、同時制造半導體器件的方法
285、半導體器件的制造方法和設備
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286、其上具有半導體器件的單晶氧化物的生長方法
287、半導體器件的制造方法
288、半導體器件的制造方法和半導體器件的制造設備
289、半導體器件的制造裝置
290、半導體器件的襯底及其形成方法
291、半導體器件的制造方法
292、半導體元件及其制造方法，和半導體器件及其制造方法
293、用于半導體器件的測試電路和測試方法及半導體芯片
294、半導體晶片、半導體器件及半導體器件的制造方法
295、半導體器件離子注入工藝的優化方法
296、用于半導體器件的使用預處理的材料原子層沉積的方法
297、半導體器件及其制造方法
298、半導體器件及其制備方法，以及含環氧樹脂組合物的片
299、用于制造半導體器件的顯影系統及其控制方法
300、半導體器件的制造方法和襯底處理裝置
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301、對晶片承載的半導體器件提供光子控制
302、半導體器件的制造方法
303、半導體晶片及由該半導體晶片形成的半導體器件
304、半導體器件的等離子體處理方法及制造方法
305、使用上部層圖形提供對晶片承載的半導體器件的電流控制
306、半導體器件
307、用于半導體器件制備的顯影設備及其控制方法
308、半導體器件的制造方法
309、半導體器件及其制造方法
310、制造半導體器件的方法
311、半導體器件及其制造方法
312、半導體器件及其制造方法

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