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[8127-0100-0001] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[摘要] 在ｐ型半導體基板上集成有雙極晶體管和ｃｍｏｓ晶體管。雙極晶體管具有基極引出電極側面部分的氧化膜、基極引出電極側面的硅氮化膜和基極引出電極側面的多晶硅膜。ｃｍｏｓ晶體管具有柵極電極側面部分的氧化膜、柵極電極側面的硅氮化膜和柵極電極的絕緣側壁。基極引出電極側面的硅氮化膜與柵極電極側面的硅氮化膜用同一工序形成。
[8127-0180-0002] 帶突出電極的電子部件的制造裝置和制造方法
[摘要] 帶突出電極的電子部件的制造裝置和制造方法,為生成突出電極,將焊料球載置于工件的電極上,在檢查出載置失敗可自動地修復。先使吸附裝置移到供給部分的上方真空吸起焊料球,再移往助焊劑貯存部分的上方使焊料球粘上助焊劑,接著移往基板的上方把焊料球載置于基板的電極上。用攝象機觀察基板,檢查焊料球是否已正確地載置于電極上。正確時則把基板送往加熱爐,不正確時,用噴嘴裝置于基板上,從而在焊料球載置失敗時可立即修復之。
[8127-0181-0003] 半導體晶片邊緣檢查方法和設備
用于同時對多枚半導體晶片的邊緣進行檢查的儀器設備和方法。晶片被保持在盒中并把一束圓柱形光束正切式地投射到晶片的上邊緣部分。視覺檢測來自任何晶片的邊緣的揭示邊緣缺陷的光的反向散射。應用儀器設備使晶片進行旋轉使得晶片的整個圓圈都被檢查。本儀器設備這樣保持晶片,使得在檢查工藝期間保護它們的已拋光的表面。
[8127-0075-0004] 用于高密度信息圖象顯示裝置的二維有機發光二極管陣列
[摘要] 一種二維有機ｌｅｄ陣列，包括位于絕緣基層上且橫向分開的導電帶，在該導電帶上有一層介電材料，并在其中界定了穿過其間的腔以便露出腔中的導電帶區域。在腔中的導電帶上至少有一層活性發射體材料和一層低功函數金屬，以便在每一腔中形成一個ｌｅｄ，其中導電帶形成了每一ｌｅｄ的第一電極。金屬層密封于每一腔上并形成與導電帶正交的金屬帶，以此形成每一個ｌｅｄ的第二電極。
[8127-0112-0005] 窄禁帶源漏區金屬氧化物半導體場效應晶體管及集成電路
[摘要] 本發明給出了一簇新型ｍｏｓｆｅｔ，其特征在于采用了不同于器件襯底材料的窄禁帶異質材料做為器件的源區或源、漏區，使器件中的寄生ｂｊｔ的發射結成為異質結，并且有β<<１的特點，因而本發明從器件結構上徹底消除了寄生ｂｊｔ對ｂｖds的影響;由本發明組成的cmos ic也徹底消除了閉鎖效應;本發明還給出了窄禁帶異質材料的選取原則；本發明工藝制造容易，還可節省芯片面積，是一種性能好、實用性強的窄禁帶源漏區ｍｏｓｆｅｔ和ｉｃ。
[8127-0164-0006] 光化學電池
[摘要] 本發明涉及到一種制造光化學電池，尤其是染料太陽能電池的方法，所述電池包括至少一承載基體和其上的復合層。本發明提出通過許多連續完成的印刷操作涂布出各層（７，８，９，１０，１１；８，９，１０）。本發明還涉及到由此制得的光化學電池以及使用印刷機制造這種電池的方法，還涉及到用于制造光化學電池的印刷機。
[8127-0063-0007] 有最佳靜電放電保護的輸入/輸出晶體管
[摘要] 一種在輸入／輸出晶體管中，提供靜電放電（ｅｓｄ)保護的裝置。安置在靠近門（３５）和基底（２５）的表面是一個輕摻雜區（１０５）。選擇蝕刻側邊氧化物層（４５）以便由門側向延伸一個顯著的量。將重摻雜源極（７０）和漏極（７５）植入漏極所在的基底中，通過側邊氧化物的顯著延伸，有可能將源極與門分開。
[8127-0120-0008] 突起形成體及突起的形成方法
[摘要] 本發明提供了一種突起形成體及其形成方法，電特性、連接可靠性優良，且在焊區電極下也能配置層間絕緣層、有源層、多層布線等。在各焊區電極２上，也以蓋住鈍化膜３的周緣部的狀態，形成由約２０μｍ鋁噴鍍厚膜組成的底層５ａ。在底層５ａ之上，形成由約３０μｍ銅噴鍍厚膜形成的表面層５ｂ。以此形成２層結構的突起６。
[8127-0032-0009] 等離子體處理裝置
[摘要] 本發明揭示一種等離子體處理裝置，它包括：真空容器、基板電極、放電線圈、高頻電源、用導線連至放電線圈且用連接電纜連至高頻電源的匹配電路；通過把高頻電壓施加至放電線圈，在真空容器內產生等離子體，從而處理基板電極上的基板；其特征在于，所述放電線圈一部分或全部制成多重渦形的放電線圈或多重螺旋形的放電線圈。具有放電線圈用匹配電路的匹配用并聯線圈引起的電力效率降低小及溫升小的優點。
[8127-0134-0010] 半導體器件中接觸的形成方法
[摘要] 公開了一種半導體器件的接觸的形成方法，在半導體襯底上淀積有不同腐蝕速率的絕緣膜和金屬氧化物膜，形成光刻膠圖形，使其寬度是用常規曝光設備所能達到的最小線寬。用光刻膠圖形腐蝕絕緣膜和金屬氧化物膜時，由于彼此的腐蝕速率不同，使構成的接觸孔比其常規接觸孔更精細。而且不必購置另外的設備就能制成精細接觸孔，可用于具有較高集成度的半導體器件。
[8127-0209-0011] 硅片的制造方法及其裝置
[8127-0098-0012] 制造自裝配微結構的方法
[8127-0210-0013] 用于形成鎢布線的方法
[8127-0038-0014] 太陽能電池元件組,太陽能電池組件及其制造方法
[8127-0013-0015] 降低集成電路溫漂和全溫程失調的修正技術
[8127-0089-0016] 用于以良好生產率密封半導體芯片的模塑模具和用于安裝半導體芯片的引線框架
[8127-0019-0017] 具有至少一個應力釋放端部的壓電/電致伸縮膜元件
[8127-0116-0018] 用于形成半導體的元件隔離膜的方法
[8127-0047-0019] 壓電元件及其制造方法
[8127-0092-0020] 化合物半導體發光器件及其制備方法
[8127-0119-0021] 半導體器件及其裝配方法
[8127-0102-0022] 絲焊方法,半導體器件,絲焊的毛細管及球塊形成方法
[8127-0151-0023] 厚膜電阻元件制造方法
[8127-0194-0024] 用于電子封裝的超薄貴金屬涂層
[8127-0036-0025] 由大小均一的金屬微珠組成的圖形陣列
[8127-0068-0026] 用于樹脂密封半導體器件的引線框和樹脂密封半導體器件的制造方法
[8127-0074-0027] 光檢測裝置及其制造方法
[8127-0117-0028] 未封裝半導體芯片的測試裝置
[8127-0214-0029] 柵控晶閘管
[8127-0192-0030] 半導體器件及其制造方法
[8127-0096-0031] 碳化硅與氮化鎵間的緩沖結構及由此得到的半導體器件
[8127-0106-0032] 超小型半導體器件及其制造和連接方法
[8127-0022-0033] 半導體器件及其制造方法
[8127-0050-0034] 半導體器件壓觸管殼
[8127-0136-0035] 電源檢測電路
[8127-0167-0036] 制造金屬氧化物硅場效應晶體管的方法
[8127-0125-0037] 閾值電壓穩定的場效應晶體管及其制造方法
[8127-0033-0038] 半導體器件的金屬接觸法
[8127-0014-0039] 半導體器件的制造方法
[8127-0017-0040] 靜電放電保護電路
[8127-0009-0041] 陶瓷膜結構體及其制造方法
[8127-0034-0042] 半導體器件及其制造方法
[8127-0188-0043] 用于生產半導體封裝引線框架的工藝
[8127-0216-0044] 穩定非晶硅及含穩定非晶硅的器件
[8127-0028-0045] 半導體裝置
[8127-0099-0046] 表面安裝型發光二極管
[8127-0207-0047] 電路的制造方法
[8127-0204-0048] 化學處理基片的方法和裝置
[8127-0057-0049] ｍｉｓ門復合半導體裝置及其驅動方法以及電源轉換裝置
[8127-0011-0050] 半導體集成電路器件及其制造工藝
[8127-0026-0051] 靜電放電防護電路
[8127-0205-0052] 奇數尼龍高溫鐵電體的制備方法
[8127-0095-0053] 半導體基板的表面處理液、用該液的表面處理方法和裝置
[8127-0217-0054] 以槽形外殼構件組構的半導體二極管及其封裝方法
[8127-0132-0055] 形成半導體器件中金屬間絕緣層的方法
[8127-0124-0056] 一種半導體器件及其制造工藝
[8127-0046-0057] 壓電陶瓷組合物
[8127-0183-0058] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8127-0056-0059] 彩色有機發光二極管陣列
[8127-0012-0060] 具有基板結構的矽半導體整流電橋
[8127-0189-0061] 形成半導體器件精細圖案的方法
[8127-0037-0062] 具有高非離子載流子遷移率有機材料的應用
[8127-0079-0063] 半導體腐蝕方法及用該腐蝕方法制造半導體器件的方法
[8127-0003-0064] 制造薄膜晶體管的方法及設備
[8127-0002-0065] 用于引線連接式芯片的有機芯片載體
[8127-0166-0066] 測量半導體器件結區漏電流的方法
[8127-0168-0067] 制造ldd結構的mos晶體管的方法
[8127-0069-0068] 制造金屬氧化物半導體場效應晶體管的方法
[8127-0105-0069] 制造半導體器件的方法
[8127-0154-0070] 一種制造具有高電流密度的超導帶材的方法
[8127-0058-0071] 樹脂密封式半導體裝置及其制造方法
[8127-0140-0072] 帶有電鍍引線的半導體器件的制造方法
[8127-0053-0073] 半導體器件制造方法
[8127-0152-0074] 半導體元件互連器件及其制造方法
[8127-0005-0075] 防止焊墊金屬剝離的裝置
[8127-0064-0076] 射頻功率晶體管的布局
[8127-0007-0077] 外延片及其制造方法
[8127-0212-0078] 具有埋入觸頭的多層薄膜太陽能電池
[8127-0186-0079] 用于軸外照明的標度掩模板
[8127-0054-0080] 薄膜太陽能電池
[8127-0042-0081] 在半導體器件間設置隔離的方法
[8127-0137-0082] 電子元件的接頭
[8127-0071-0083] 半導體器件及其有關集成電路
[8127-0114-0084] 使用壓電體的發電方法、發電裝置和電子機器
[8127-0141-0085] 形成半導體器件的旋涂玻璃膜的方法
[8127-0123-0086] 含有波導和光電接收器件的集成光學模塊
[8127-0165-0087] 半導體器件
[8127-0021-0088] pmosfet及由此制造的cmos器件
[8127-0027-0089] 半導體器件和半導體器件的制造方法
[8127-0121-0090] 熱電式冷卻裝置、其所用半導體的制備方法及熱電式冷凍機
[8127-0128-0091] 形成半導體器件金屬互連的方法
[8127-0160-0092] 有機器件的鈍化
[8127-0015-0093] 半導體器件場氧化層的形成方法
[8127-0155-0094] 封裝引線框架的方法和預壓坯以及預壓坯的加工設備
[8127-0065-0095] 光電轉換器及其制造方法
[8127-0130-0096] 制造半導體器件的方法及實施該方法的設備
[8127-0048-0097] 薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0077-0098] 器件隔離方法
[8127-0153-0099] 一種電介質,其制造方法,和半導體器件
[8127-0182-0100] 制造金屬氧化物場效應晶體管的方法
[8127-0144-0101] 半導體器件及其制造方法
[8127-0060-0102] 制造半導體器件中晶體管的方法
[8127-0039-0103] 半導體器件及其制造的方法
[8127-0041-0104] 半導體器件
[8127-0030-0105] 用于電子器件封裝中的吸附劑套殼
[8127-0061-0106] 用于制造半導體器件的曝光裝置
[8127-0201-0107] 形成三阱的方法
[8127-0176-0108] 封裝芯片的方法、載體及模具零件
[8127-0200-0109] 高粘度材料用成型模、高粘度材料用成型裝置及高粘度材料的成型方法
[8127-0118-0110] 用于把兩個集成電路直流上相互隔離的方法和設備
[8127-0006-0111] 形成半導體器件隔離的方法
[8127-0170-0112] 恒溫電熱管
[8127-0018-0113] 高升壓比壓電式變壓器
[8127-0043-0114] 半導體器件及其制造方法
[8127-0055-0115] 橫向型霍爾器件
[8127-0004-0116] 固態成像器件及其制造方法
[8127-0122-0117] 半導體發光器件及其制造方法
[8127-0023-0118] 雙極晶體管電路元件
[8127-0150-0119] 用于形成半導體器件雜質結區的方法
[8127-0088-0120] 用肉眼檢查半導體器件引線的方法及設備
[8127-0080-0121] 氣體傳熱等離子體處理裝置
[8127-0016-0122] 半導體器件的制造方法
[8127-0109-0123] 包括z軸導電膜的微電子組件
[8127-0078-0124] 形成具有淺結和低薄層電阻半導體器件的方法
[8127-0029-0125] 散熱器
[8127-0093-0126] 發光二極管結構
[8127-0139-0127] 單片高頻集成電路結構及其制造方法
[8127-0035-0128] 半導體器件及其制造方法
[8127-0031-0129] 連接一個電子元件的端子到另一個電子元件的端子的方法
[8127-0190-0130] 形成半導體器件金屬布線的方法
[8127-0145-0131] 使半導體元件免受靜電損壞的保護二極管
[8127-0044-0132] 制造半導體器件的方法及晶體生長促進劑
[8127-0135-0133] 表面安裝型發光二極管
[8127-0177-0134] 多孔半導體材料
[8127-0020-0135] 氮化物半導體發光器件
[8127-0163-0136] 真空層壓設備和方法
[8127-0008-0137] 制造半導體器件的方法
[8127-0175-0138] 半導體器件及其制造方法
[8127-0191-0139] 固體攝象器件及其制造方法
[8127-0091-0140] 光電池、光電池陣列及其組成的電解裝置
[8127-0051-0141] 載片及其制造方法和安裝方法
[8127-0025-0142] 集成電路的靜電放電防護電路
[8127-0206-0143] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0086-0144] 半導體裝置
[8127-0082-0145] 制造半導體器件的方法
[8127-0161-0146] 用于清洗半導體晶片的裝置和方法
[8127-0049-0147] 存儲器及其制造方法
[8127-0146-0148] 耗散熱量的半導體器件
[8127-0162-0149] 半導體組件的制造方法及半導體組件
[8127-0148-0150] 在半導體器件中形成鎢插頭的方法
[8127-0193-0151] 半導體器件
[8127-0198-0152] 用于形成半導體裝置的精細圖形的方法
[8127-0070-0153] 制備半導體器件中的電容器電荷儲存電極的方法
[8127-0143-0154] 有源矩陣光電器件
[8127-0149-0155] 半導體基片的清洗方法、清洗系統和制造清洗液的方法
[8127-0184-0156] 在半導體器件上形成微細圖形的方法
[8127-0215-0157] 能抑制軟差錯的電阻負載型靜態隨機存取存儲器單元
[8127-0197-0158] 用于制造半導體器件的方法
[8127-0110-0159] 具有浮動集電區的絕緣體上的硅器件
[8127-0172-0160] 用堆疊集成電路芯片平面陣列的方式來制作單片電子組件的方法
[8127-0052-0161] 半導體裝置的制造方法
[8127-0115-0162] 光電轉換器件與圖象讀取器件
[8127-0173-0163] 隱埋引線式芯片座及使用該座的芯片封裝
[8127-0147-0164] 一種半導體器件的制造方法
[8127-0104-0165] 激光退火方法
[8127-0010-0166] 具有雙溝道的薄膜晶體管及其制造方法
[8127-0076-0167] 制造掩模只讀存儲器的方法
[8127-0083-0168] 限流裝置
[8127-0073-0169] 熱*探測器
[8127-0090-0170] 場致發光裝置
[8127-0218-0171] 高輸出功率的高頻靜態感應晶體管
[8127-0196-0172] 硅半導體二極管元件和芯片與絕緣胴體的結構及其制法
[8127-0213-0173] 電路裝置及適用于該電路裝置的結型場效應晶體管
[8127-0138-0174] 樹脂密封型半導體裝置及其制造方法
[8127-0185-0175] 形成半導體器件的電荷儲存電極的方法
[8127-0179-0176] 功率半導體模塊
[8127-0062-0177] 半導體器件及其制造方法
[8127-0072-0178] 半導體器件的制造方法
[8127-0085-0179] 帶有塑料封裝的半導體器件
[8127-0045-0180] 金剛石膜上的薄層硅結構芯片材料及其制備方法
[8127-0133-0181] 高速去膠法
[8127-0195-0182] 用于半導體器件的引線框組件
[8127-0159-0183] 半導體器件及其制造
[8127-0108-0184] 用于形成歐姆電極的疊層體和歐姆電極
[8127-0040-0185] 多層混合集成的厚膜電路
[8127-0066-0186] 具有動態可控閾電壓的mos晶體管讀出放大器
[8127-0129-0187] 測定發光器件老化的方法及使用該方法的光發射驅動裝置
[8127-0024-0188] 集成電路的布局方法
[8127-0084-0189] 高電遷徒阻力的多層金屬化結構及其設計方法
[8127-0113-0190] 利用中溫氧化層去除由離子注入產生的缺陷的方法
[8127-0157-0191] 隔離柵半導體器件及其制造方法
[8127-0001-0192] 利用晶界形成半導體器件中的兩層多晶硅柵極的方法
[8127-0103-0193] 集成電光封裝
[8127-0059-0194] 半導體器件的結構及形成該器件外殼的方法
[8127-0171-0195] 制造半導體器件電容器的方法
[8127-0094-0196] 具有減小電阻的化合物半導體器件
[8127-0158-0197] 制造垂直雙極型晶體管的方法
[8127-0156-0198] 連接襯底的結構和方法
[8127-0087-0199] 快速電可擦可編程只讀存儲器單元及其制造方法
[8127-0199-0200] 制造具有精細接觸孔的半導體器件的方法
[8127-0081-0201] 被研磨基板的保持裝置基板的研磨裝置及基板的研磨方法
[8127-0202-0202] 氮化硅電路板
[8127-0208-0203] 制造半導體器件中的場氧化層的方法
[8127-0126-0204] 具有分級位線結構的半導體存儲器件
[8127-0203-0205] 不夾持的真空傳熱站
[8127-0097-0206] 太陽電池裝置
[8127-0211-0207] 用鍺進行硅/硅鍵合的方法及其制備的硅器件襯底片
[8127-0111-0208] 絕緣柵異質結雙極晶體管
[8127-0107-0209] 變容二極管和制造變容二極管的方法
[8127-0174-0210] 用于在半導體器件的諸金屬布線之間形成絕緣薄膜的方法
[8127-0101-0211] 分析半導體器件的缺陷的方法
[8127-0169-0212] 感離子場效應管傳感器的靜電放電保護
[8127-0131-0213] 制造半導體器件的方法
[8127-0127-0214] 在基片上形成凸起的方法
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