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本套光盤目錄如下：

1-BG156431 半導體裝置及其制造方法 資
2-BG156431 半導體裝置及其制造方法 料
3-BG156431 半導體器件及其制造方法 來
4-BG156431 半導體激光器件及其制造方法 源
5-BG156431 半導體連接基板用帶粘合劑的帶及使用了其的銅膜疊層板 :
6-BG156431 半導體器件及其制造方法 萬
7-BG156431 面發光半導體激光器的制造方法及采用該激光器的傳感器 息
8-BG156431 半導體器件及剝離方法以及半導體器件的制造方法 數
9-BG156431 半導體存儲器及其制造方法 據
10-BG156431 半導體器件的制造方法以及使用SOI基片的半導體芯片
11-BG156431 半導體發光器件及其制造方法 0
12-BG156431 無焊線式半導體裝置及其封裝方法 2
13-BG156431 半導體激光元件及其制造方法 8
14-BG156431 半導體器件及其制造的方法
15-BG156431 非易失性半導體存儲器件及其制造方法 :
16-BG156431 轉移疊層的方法以及制造半導體器件的方法 6
17-BG156431 氮化物系半導體發光元件及其制造方法 5
18-BG156431 半導體器件及其制造方法 8
19-BG156431 半導體元件及使用該半導體元件的顯示器件 1
20-BG156431 輕薄疊層封裝半導體器件及其制造工藝 8
21-BG156431 半導體器件及其制造方法 3
22-BG156431 半導體器件及其制造方法 5
23-BG156431 帶光檢部的面發光半導體激光器及制造法和用它的傳感器 6
24-BG156431 半導體器件及其制造方法
25-BG156431 自屏蔽半導體器件及其制造方法
26-BG156431 半導體器件及其形成方法
27-BG156431 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
28-BG156431 半導體器件及其形成方法
29-BG156431 半導體器件及其制造的方法
30-BG156431 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
31-BG156431 半導體器件及其形成方法
32-BG156431 高成品率半導體器件及其制造方法
33-BG156431 半導體裝置及其制造方法
34-BG156431 物體分離裝置和方法以及半導體襯底制造方法
35-BG156431 半導體器件中的電容器結構及其形成方法
36-BG156431 半導體器件及其制作方法
37-BG156431 氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
38-BG156431 半導體器件及其形成方法
39-BG156431 接觸結構及半導體器件
40-BG156431 半導體器件的芯片規模表面安裝封裝及其制造方法
41-BG156431 N溝道金屬氧化物半導體驅動電路及其制造方法
42-BG156431 半導體發光器件及其制造方法
43-BG156431 散熱器和用它的半導體激光裝置及半導體激光疊層裝置
44-BG156431 半導體裝置及其制造方法電路基板及電子設備
45-BG156431 基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
46-BG156431 疊層體、疊層體的制備方法及半導體元件
47-BG156431 半導體構裝基板及其制作工藝
48-BG156431 半導體存儲裝置及其制造方法
49-BG156431 半導體結構及其形成方法
50-BG156431 半導體裝置及其制造方法
51-BG156431 半導體發光元件及發光裝置
52-BG156431 半導體發光元件及其制造方法、使用此的發光裝置
53-BG156431 半導體器件及其制造方法
54-BG156431 半導體器件及其制造方法
55 200680007935 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半導體裝置及電極形成方法
56-BG156431 半導體存儲器件及其制造方法
57-BG156431 晶體管及半導體裝置的制作方法
58-BG156431 一種半導體發光器件及其制造方法
59-BG156431 存儲裝置及半導體集成電路
60-BG156431 半導體發光元件及其制造方法
61-BG156431 半導體疊層結構及其制造方法
62-BG156431 半導體封裝及其形成方法
63-BG156431 半導體器件及其制造方法
64-BG156431 高速大功率氮化物半導體器件及其制造方法
65-BG156431 一種半導體發光器件及其制造方法
66-BG156431 接觸結構及半導體器件
67-BG156431 半導體結構及形成該半導體結構的方法
68-BG156431 半導體裝置及引線接合方法
69-BG156431 氮化物半導體元件及其制法
70-BG156431 非易失性半導體存儲裝置及其制造方法
71-BG156431 半導體發光元件及其制造方法、使用此的發光裝置
72-BG156431 半導體襯底及其制造方法
73-BG156431 非易失性半導體存儲器件及其制造方法
74-BG156431 內部裝有半導體的模塊及其制造方法
75-BG156431 形成非揮發性記憶胞的方法及用這方法形成的半導體結構
76-BG156431 氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
77-BG156431 布線圖形形成方法、半導體裝置制造方法以及電光學裝置
78-BG156431 半導體記憶元件及其記憶胞編程方法和罩幕式只讀存儲器
79-BG156431 三維安裝半導體組件及三維安裝半導體裝置
80-BG156431 半導體器件及其制造方法
81-BG156431 具有低電阻的半導體器件及其制造方法
82-BG156431 平面發射型半導體激光器件及其制造方法
83-BG156431 基板檢查方法及裝置、氮化物半導體元件制造方法及裝置
84-BG156431 切削方法、切削裝置及半導體器件的制造方法
85-BG156431 具有微帶線結構的襯底及其制作方法和具有微帶線結構的半導體器件
86-BG156431 半導體器件及其制造方法
87-BG156431 具有多晶硅熔絲的半導體器件及其微調方法
88-BG156431 半導體激光器及其制造方法
89-BG156431 氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
90-BG156431 氮化物半導體激光元件及其制造方法
91-BG156431 半導體集成電路器件及其制造方法
92-BG156431 半導體存儲器及其制造方法
93-BG156431 集成半導體發光元件及其制造方法
94-BG156431 半導體裝置及其制造方法、電路基板以及電子設備
95-BG156431 半導體裝置及疊層型半導體裝置
96-BG156431 半導體器件及其形成方法
97-BG156431 使用通過加熱的化學反應和擴散制造化合物半導體和化合物絕緣體的方法、使用該方法制造的化合物半導體和化合......
98-BG156431 半導體裝置及采用其的顯示裝置
99-BG156431 半導體發光元件及其制造方法、使用此的發光裝置
100-BG156431 具有有機抗反射涂層ARC的半導體器件及其制造方法
101-BG156431 多層構造半導體微型組件及制造方法
102-BG156431 半導體器件及其制造方法
103-BG156431 半導體器件及其制造方法
104-BG156431 疊層基板制造方法和用其的組件用半導體元件及制造設備
105-BG156431 半導體襯底及其制造方法
106-BG156431 襯底、其制造方法以及半導體器件
107-BG156431 用于提高耦合比的非易失性半導體存儲器件及其制造方法
108-BG156431 半導體器件及其制造方法
109-BG156431 非易失半導體存儲裝置及其制造方法
110-BG156431 半導體器件的晶體管及其制造方法
111-BG156431 表面發射半導體激光器及其制造方法
112-BG156431 藍寶石基板、外延基板及半導體裝置
113-BG156431 半導體發光元件及其制造方法
114-BG156431 半導體器件及其制造方法
115-BG156431 半導體元件及其制造方法
116-BG156431 半導體器件以及顯示器件
117-BG156431 允許金屬接觸圖形未對準的半導體集成電路及其制造方法
118-BG156431 半導體器件及其制造方法
119-BG156431 半導體激光元件及其制造方法
120-BG156431 半導體疊層微型組件及其制造方法
121-BG156431 半導體器件及用于形成柵極結構的方法
122-BG156431 含有金屬鉻基板的銦鎵鋁氮半導體發光元件及其制造方法
123-BG156431 電感器諧振電路半導體集成電路振蕩器以及通信裝置
124-BG156431 具有集成的閃存與外圍電路的半導體器件及其制造方法
125-BG156431 氧化物半導體電極、色素增感型太陽能電池及它們的制造方法
126-BG156431 半導體裝置及制造方法
127-BG156431 半導體裝置及其制造方法
128-BG156431 DRAM疊層封裝、DIMM以及半導體制造方法
129-BG156431 半導體受光元件及其制造方法
130-BG156431 半導體器件及其制造方法
131-BG156431 多層結構半導體模塊及其制造方法
132-BG156431 半導體器件及其制造的方法
133-BG156431 半導體裝置以及其制造方法
134-BG156431 窗口結構半導體激光裝置及其制造方法
135-BG156431 半導體激光裝置及具備該裝置的光拾取裝置
136-BG156431 異質結半導體器件及其制造方法
137-BG156431 半導體IC、具有嵌入半導體IC的模塊以及它們的制造方法
138-BG156431 半導體器件及其制造方法
139-BG156431 半導體激光器及其制法
140-BG156431 半導體器件以及其制造方法
141-BG156431 半導體發光元件及其制造方法
142-BG156431 半導體放射線檢測器、放射線檢測模塊及核醫學診斷裝置
143-BG156431 半導體裝置及其制造方法
144-BG156431 氮化合物系半導體裝置及其制造方法
145-BG156431 耐熱性樹脂疊層膜與含其的覆金屬層的疊層膜以及半導體器件
146-BG156431 半導體裝置及其制造方法
147-BG156431 半導體器件及其形成方法
148-BG156431 激光加工方法及半導體芯片
149-BG156431 激光加工方法及半導體芯片
150-BG156431 氮化物半導體元件及其制造方法
151-BG156431 半導體結構及其制造方法
152-BG156431 疊層半導體裝置及疊層半導體裝置的下層模塊
153-BG156431 半導體結構及其制造方法
154-BG156431 氮化物半導體裝置及其制造方法
155-BG156431 半導體器件及其制造方法
156-BG156431 電容器及其制造方法、以及包含該電容器的半導體器件
157-BG156431 半導體器件的襯底及其形成方法
158-BG156431 半導體裝置及其制造方法
159-BG156431 半導體疊層結構及其制造方法以及半導體器件
160-BG156431 半導體結構及其形成方法
161-BG156431 半導體結構及其制造方法
162-BG156431 半導體激光裝置及其制造方法
163-BG156431 半導體結構及其形成方法
164-BG156431 半導體器件及其制造方法
165-BG156431 半導體元件及其制作方法
166-BG156431 平面顯示器的半導體結構及其制造方法
167-BG156431 半導體器件及制造方法
168-BG156431 半導體激光元件及其制造方法
169-BG156431 疊層布線和利用該疊層布線的半導體器件及其制造方法
170-BG156431 互補金屬氧化物半導體及其形成方法
171-BG156431 非易失性半導體存儲元件及其制造方法
172-BG156431 半導體器件及半導體器件的制造方法
173-BG156431 半導體激光裝置及其制作方法
174-BG156431 反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半導體裝置的制造方法
175-BG156431 半導體結構以及制造半導體結構的方法
176-BG156431 半導體器件及其制造方法
177-BG156431 適于疊層半導體封裝的半導體封裝通過電極及半導體封裝
178-BG156431 半導體結構及其制造方法
179-BG156431 一種適合于半導體閃存器件的柵疊層結構及制備方法
180-BG156431 一種具有通孔的半導體結構及其制造方法
181-BG156431 氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
182-BG156431 同層形成上層熔絲的半導體及其制造方法
183-BG156431 半導體器件及其制造方法
184-BG156431 表面發射半導體激光器及其制造方法
185-BG156431 半導體器件結構及其制造方法
186-BG156431 互補金屬氧化物半導體圖像傳感器件的結構及其制造方法
187-BG156431 半導體裝置、電子設備及它們的制造方法，以及電子儀器
188-BG156431 表面發射半導體激光器及使用其的通信系統
189-BG156431 半導體裝置、電子設備及它們制造方法，以及電子儀器
190-BG156431 含絕緣體的半導體裝置及其制造方法
191-BG156431 半導體器件及其制造方法
192-BG156431 半導體器件及其制造方法
193-BG156431 半導體器件及剝離方法以及半導體器件的制造方法
194-BG156431 半導體發光元件及其制法
195-BG156431 電容器及制造電容器的方法、半導體裝置和液晶顯示裝置
196-BG156431 區域安裝型半導體裝置及用于該半導體裝置的小片接合用樹脂組合物、密封用樹脂組合物
197-BG156431 氮化物半導體裝置及其制造方法
198-BG156431 至少一對間隔的應力區之間包括應變超晶格的半導體器件以及相關方法
199-BG156431 半導體存儲裝置及其制造方法
200-BG156431 包括應變超晶格和上覆應力層的半導體器件以及相關方法
201-BG156431 包含半導體芯片疊層的半導體器件及其制造方法
202-BG156431 氮化物半導體元件及其制造方法
203-BG156431 半導體激光發光裝置及其制造方法
204-BG156431 疊層基板的裁切方法、半導體器件及其制法、發光裝置
205-BG156431 金屬氧化物半導體元件及其制造方法
206-BG156431 制造半導體器件的方法以及用該方法獲得的半導體器件
207-BG156431 半導體器件及其制造方法
208-BG156431 半導體器件互連層頂層布線層及其形成方法
209-BG156431 氮化物類半導體疊層結構及半導體光元件以及其制造方法
210-BG156431 氮化物半導體元件及其制造方法
211-BG156431 氮化物半導體發光元件、氮化物半導體發光器件及其制造方法
212-BG156431 半導體裝置、其制造方法及應用該半導體裝置的顯示裝置
213-BG156431 適于疊層半導體封裝的半導體封裝通過電極及半導體封裝
214-BG156431 混合取向技術互補金屬氧化物半導體結構及其制造方法
215 200780009786 Ⅲ族氮化物半導體發光元件和其制造方法、以及燈
216-BG156431 半導體元件及其制作方法
217-BG156431 一種半導體結構及其制造方法
218-BG156431 半導體器件及其制造方法
219-BG156431 半導體器件中的疊層電容器及其制造方法
220-BG156431 半導體結構及其形成方法
221-BG156431 半導體裝置以及其制造方法
222-BG156431 基于GaN的半導體發光器件及其制造方法
223-BG156431 半導體元件的疊層封裝結構及其方法
224-BG156431 半導體發光元件及晶片
225-BG156431 具有絕緣體上半導體結構和超晶格的半導體器件及相關方法
226-BG156431 包括具有超晶格溝道的浮柵存儲單元的半導體器件及相關方法
227-BG156431 基于有機半導體異質結電荷產生層作為連接層的疊層有機電致發光器件及制法
228-BG156431 半導體器件及其制造方法
229-BG156431 半導體裝置的制造方法及粘結薄膜
230-BG156431 半導體結構及其形成方法
231-BG156431 半導體芯片及具有該半導體芯片的疊層半導體封裝
232-BG156431 半導體發光元件及其制造方法
233-BG156431 半導體器件及其制造方法
234-BG156431 半導體裝置及其制造方法、顯示裝置
235-BG156431 半導體裝置及其驅動方法
236-BG156431 半導體電子部件及使用該部件的半導體裝置
237-BG156431 非易失性存儲元件和其制造方法、以及使用了該非易失性存儲元件的非易失性半導體裝置
238-BG156431 薄膜半導體元件及元件復合結構
239-BG156431 半導體器件及其制造方法
240-BG156431 撓性半導體裝置的制造方法及撓性半導體裝置
241-BG156431 形成具有中間層的半導體器件的方法及該半導體器件的結構
242-BG156431 半導體激光裝置及其制造方法
243-BG156431 粘接帶及使用該粘接帶制造的半導體裝置
244 200910138035 Ⅲ族氮化物晶體及其表面處理方法以及Ⅲ族氮化物的疊層體和半導體器件及其制造方法
245-BG156431 具有集成電路元件的半導體結構及其形成和操作的方法
246-BG156431 半導體器件及制造該半導體器件的方法
247-BG156431 n型導電性氮化鋁半導體結晶及其制造方法
248-BG156431 半導體器件及其制造方法
249-BG156431 半導體元件及其制造方法、以及包括該半導體元件的電子器件
250-BG156431 半導體器件、半導體芯片及它們的制造方法和疊層封裝
251-BG156431 歐姆電極結構體及半導體元件
252-BG156431 新型低成本疊層陣列液體制冷半導體激光器及其制備方法
253-BG156431 氮化物半導體發光元件及其制造方法
254-BG156431 氧化物半導體電極、色素增感型太陽能電池及它們的制造方法
255-BG156431 半導體激光裝置及其制造方法
256-BG156431 柔性半導體裝置的制造方法及用于它的疊層膜
257-BG156431 半導體器件及其制造方法
258-BG156431 一種適合于半導體閃存器件的柵疊層結構及制備方法
259-BG156431 不對稱半導體器件及其制造方法
260-BG156431 多晶硅疊層、雙柵以及半導體材料疊層刻蝕方法
261-BG156431 半導體器件及其制造方法
262-BG156431 半導體芯片保護結構以及半導體芯片
263-BG156431 半導體發光元件以及其制造方法
264-BG156431 半導體器件及其制造方法
265-BG156431 3D半導體結構及其制造方法
266-BG156431 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
267-BG156431 激光加工方法及半導體芯片
268-BG156431 半導體結構及其形成方法
269-BG156431 半導體封裝結構及其制造方法
270-BG156431 半導體發光元件及其制造方法
271-BG156431 半導體裝置及其驅動方法
272-BG156431 非易失性存儲元件和其制造方法、以及使用該非易失性存儲元件的非易失性半導體裝置
273-BG156431 制造半導體器件的方法以及半導體器件
274-BG156431 氮化物系半導體元件及其制造方法
275-BG156431 氮化物系半導體元件及其制造方法
276-BG156431 氮化物系半導體元件及其制造方法
277-BG156431 半導體器件及其制造方法
278-BG156431 半導體發光元件及其制造方法、燈
279-BG156431 輻射敏感樹脂組合物、疊層體及其制造方法、以及半導體器件
280-BG156431 氮化物類半導體發光元件及其制造方法
281-BG156431 柵極再氧化方法及半導體結構的制造方法
282-BG156431 側向功率金屬氧化物半導體場效應晶體管結構及制造方法
283-BG156431 半導體裝置及其制造方法、疊層芯片安裝結構及其形成方法
284-BG156431 半導體封裝結構以及半導體封裝工藝
285-BG156431 帶多層WLED陣列及散熱器的半導體照明燈

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