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[8103-0132-0001] 基板的表面處理方法
[摘要] 一種利用光泵浦過程對導電基板進行表面處理的方法，其中，將一個導電基板放置于一個處理容器(1)中，所述處理容器中的壓力保持在0.001～1個大氣壓，同時向基板(2)施加一個負偏壓，從裝于帶有一個光輸出窗的容器的紫外線光源(5)產生具有3～10ev的光能的紫外線，該光能大于所述基板表面的功函數，并且向所述處理容器(1)中通入工藝氣體，從而通過從所述基板表面發射的電子與工藝氣體組分碰撞來產生離子和*基(6)，所述離子和*基可以到達所述基板(2)的表面，因此，即使對于大面積的基板來說，也可能簡單地、高效地、低成本地并且容易地對基板進行表面處理。
[8103-0083-0002] 形成布線結構的方法和半導體器件
[摘要] 本發明提供形成布線結構的方法和半導體器件。通過優化作為分別適用于通孔和布線溝槽的阻擋金屬膜的成膜模式，獲得微型化布線結構，其中在此采用濺射工藝，其具體為用于在通孔上形成阻擋金屬膜的多步驟濺射工藝，以及用于在布線溝槽上形成阻擋金屬膜的單步驟、低功率濺射工藝，由此實現改進的電特性如通孔電阻以及布線電阻，以及改進的布線可靠性如銅填充特性和電遷移電阻。
[8103-0144-0003] 半導體器件
借助于分隔和連接半導體芯片(22)內部各個電路區的匯流條(21d)，本發明能夠為各個電路區供應電源，此外，借助于進一步形成能夠連接到匯流條(21d)而不管內引線(21b)間距的最佳特性，借助于使焊點(22a)的間距小于內引線(21b)的間距，或借助于將焊點(22a)形成為鋸齒排列，能夠增加電源焊點(22a)的數目，或能夠將常規地用于電源的引線(21a)用于信號。
[8103-0102-0004] 非易失存儲器和非易失存儲器制造方法
[摘要] 一種非易失存儲器件，包括在半導體襯底中形成的源極和漏極區，以及在半導體襯底中的源極區和漏極區之間的溝道區上形成的絕緣膜。非易失存儲器件還包括在溝道區上形成的儲存電荷的介質膜，以及在介質膜上形成的控制柵極。在溝道區中的壓縮應力等于或小于50mpa。
[8103-0062-0005] 光電電池
[摘要] 一種光電電池，包括第一個和第二個電極、在緙溲由斕男磯嗄擅紫吆筒賈迷諛擅紫咧淶慕峁埂
[8103-0122-0006] 單片式白光發射器件
[摘要] 本發明提供了一種單片式白光發射器件。該單片式白光發射器件中的有源層摻有形成次能帶的硅或稀土金屬。該單片式白光發射器件中包括的有源層數量為一或二個。當該白光發射器件中包括兩個有源層時，在該兩個有源層之間插入一覆層。根據這種白光發射結構，可以由半導體發射白光，因此就不需要磷光材料了。傳統的白光發射器件需要磷光材料的幫助，與之相比，這種單片式白光發射器件可以低成本簡單地制造且可應用到很寬范圍的領域中。
[8103-0167-0007] 進行半導體機臺初期流動管理的方法與相關系統
[摘要] 本發明提供一種進行半導體機臺初期流動管理的方法及相關系統。其方法包含有：記錄各機臺的各個處理參數、于各機臺進行對應的處理時，將各機臺進行處理的情形記錄于至少一對應的設備參數、在各機臺對各半導體制品完成對應的處理后，評估并記錄各個處理后半導體制品的品質及對應的量測參數、以及分析各機臺對應的各處理參數、各設備參數、與對應半導體制品品質間的關系。
[8103-0064-0008] 聚合物電荷遷移組分和由其制得的電子器件
[摘要] 本發明涉及一種聚合物電荷遷移組分。本發明還涉及電子器件，其至少一層活性層包括這種電荷遷移組合物。
[8103-0061-0009] 具有透明陰極的場致發光設備
[摘要] 本發明涉及一種具有透明陰極的場致發光設備。所述場致發光設備包含基底(1)，以及鄰近所述基底(1)，由第一電極(2)，場致發光層(3)，第二金屬電極(4)組成的疊層體。所述第二電極覆蓋由透明絕緣層(5)，該透明絕緣層(5)增加了光通過該第二金屬電極(4)的傳輸率，并作為濾光器。
[8103-0010-0010] 3d rram
[摘要] 在硅基底上與外圍電路一起形成在3d rram中使用的存儲器陣列層；沉積和形成氧化硅、底部電極材料、氧化硅、電阻器材料、氧化硅、氮化硅、氧化硅、頂部電極以及覆蓋氧化物的層。多個存儲器陣列層彼此層疊形成。本發明的rram可以在單步或兩步編程過程中編程。
[8103-0173-0011] 半導體裝置的制造方法及半導體元件的定位方法
[8103-0068-0012] 形成半導體器件的電容器的方法
[8103-0135-0013] 干式蝕刻方法、干式蝕刻氣體及全氟-2-戊炔的制備方法
[8103-0188-0014] 薄膜晶體管及其制造方法
[8103-0027-0015] 短溝道場效晶體管制造方法
[8103-0170-0016] 制作用于雙柵soi工藝的標記的方法
[8103-0023-0017] 電子元件及其制造方法
[8103-0184-0018] 半導體器件的制造方法
[8103-0201-0019] 標記方法及標記裝置和檢查裝置
[8103-0090-0020] 離子布植掩膜式只讀存儲器及其制造方法
[8103-0040-0021] 可穿戴的硅芯片
[8103-0030-0022] 具有改進型抗蝕劑及/或蝕刻輪廓特征的介電膜用蝕刻方法
[8103-0004-0023] 包含多層電極結構的半導體器件
[8103-0082-0024] 半導體裝置的可靠性*方法
[8103-0071-0025] 同時雙面研磨晶片形工件的裝置
[8103-0164-0026] 氮化鎵類化合物半導體裝置
[8103-0038-0027] 轉移應變半導體材料層的方法
[8103-0142-0028] 被處理體的輸送方法
[8103-0166-0029] 自對準納米管場效應晶體管及其制造方法
[8103-0150-0030] 納米電子器件和電路
[8103-0200-0031] 用以分析晶片制程中的集成電路的缺陷的設備及方法
[8103-0212-0032] 外側導流集成熱管散熱器
[8103-0054-0033] 薄膜晶體管電子器件及其制造
[8103-0145-0034] 具有引線接合電感器的半導體器件和方法
[8103-0152-0035] 鐵電門器件
[8103-0192-0036] 具有輕摻雜漏極的金屬氧化物半導體的制作方法
[8103-0014-0037] 半導體器件
[8103-0211-0038] 基板
[8103-0114-0039] 氮化鎵系發光二極管的結構及其制作方法
[8103-0181-0040] 在鋁酸鎂襯底上高質量鋅極性zno單晶薄膜的制備方法
[8103-0043-0041] 集成半導體結構
[8103-0124-0042] 保護半導體器件的方法及采用這種方法用于半導體器件的保護裝置
[8103-0207-0043] 制造高性能銅疊層感應器的方法
[8103-0182-0044] 真空處理裝置
[8103-0134-0045] 高溫下各向異性地蝕刻多層結構
[8103-0052-0046] 固體攝像器件
[8103-0065-0047] 抑制相鄰通道間耦合串擾的電極布線結構及其制造方法
[8103-0067-0048] 基板處理裝置及基板處理方法
[8103-0058-0049] 大功率、高光通量發光二極管及其制作方法
[8103-0084-0050] 半導體器件及其制造方法
[8103-0017-0051] 提高半導體光電轉換器件性能的方法
[8103-0206-0052] 通過比例縮放使電路面積最小化
[8103-0018-0053] 360度(體發光)高光效光致發光二極管
[8103-0146-0054] 堆疊微電子封裝
[8103-0199-0055] 非易失性存儲器評估方法和非易失性存儲器
[8103-0196-0056] 網版印刷金屬蒙版和振動部件的樹脂密封方法
[8103-0046-0057] 大功率矩柵陣列封裝和插座
[8103-0063-0058] 用于有機電致發光器件的緩沖層及其制造方法和應用
[8103-0077-0059] 垂直場效應晶體管及其制作方法和含有它的顯示裝置
[8103-0036-0060] 用于動態傳感器配置和運行時間執行的方法和設備
[8103-0140-0061] ic封裝中的選擇性連接
[8103-0208-0062] 高壓大功率低壓差線性集成穩壓電源電路的制造方法
[8103-0174-0063] 等離子體處理設備和等離子體處理方法
[8103-0108-0064] 異質結雙極型晶體管及其制造方法
[8103-0032-0065] 縱向結型場效應晶體管及其制造方法
[8103-0044-0066] 在襯底上形成接點陣列
[8103-0127-0067] 曝光用轉寫掩模及曝光用轉寫掩模的圖形更換方法
[8103-0029-0068] 等離子體處理裝置
[8103-0051-0069] 氮化物只讀存儲器存儲單元陣列制造方法
[8103-0109-0070] 半導體器件及其制造方法
[8103-0153-0071] 磁隨機存取存儲器
[8103-0215-0072] 半導體裝置
[8103-0050-0073] 集成電容器裝置,尤其是集成柵極電容器組
[8103-0217-0074] 半導體器件
[8103-0157-0075] 半導體器件及其制造方法
[8103-0056-0076] 可表面安裝的微型發光二極管和/或光電二極管以及它們的制造方法
[8103-0147-0077] 多配置處理器-存儲設備
[8103-0138-0078] 自修復聚合物組合物
[8103-0041-0079] 反應焊接材料
[8103-0180-0080] 制備單晶gan襯底的方法及單晶gan襯底
[8103-0034-0081] 撓性配線基板及其制造方法
[8103-0194-0082] 形成晶粒封裝保護層的方法
[8103-0214-0083] 具有增層結構的晶圓級半導體封裝件及其制法
[8103-0103-0084] 具有孔洞的影像感測裝置及其制造方法
[8103-0213-0085] 半導體元件
[8103-0042-0086] 使用納米管冷卻管芯并使其接地的方法和裝置
[8103-0013-0087] 偏置電路、固態成像裝置及其制造方法
[8103-0097-0088] 金屬導線結構及其制程
[8103-0088-0089] cmos阱結構及其形成方法
[8103-0175-0090] 絕緣膜成形方法、絕緣膜成形裝置和等離子體膜成形裝置
[8103-0055-0091] 將半導體芯片固定在塑料殼本體中的方法、光電半導體構件和其制造方法
[8103-0154-0092] 半導體襯底的制造方法以及半導體裝置的制造方法和由該方法制造的半導體襯底以...
[8103-0118-0093] 發光元件及其制造方法
[8103-0105-0094] 半導體裝置及其制造方法
[8103-0151-0095] 肖特基壁壘cmos器件及其方法
[8103-0006-0096] 單晶集成電路具集電極電流控制觸發的esd保護電路
[8103-0075-0097] 碳化硅熱處理裝置和方法
[8103-0159-0098] 半導體器件及其制造方法和制造設備
[8103-0080-0099] 降低半導體器件連接區域的接觸電阻的方法
[8103-0115-0100] 發光半導體裝置的緩沖層
[8103-0216-0101] 半導體器件及其制造方法
[8103-0189-0102] 金屬氧化物半導體場效應電晶體及其制造方法
[8103-0098-0103] 具有穩健的靜電放電保護的輸入/輸出晶胞
[8103-0104-0104] 固體攝像裝置及其制造方法
[8103-0020-0105] 發光二極管及其制造方法
[8103-0110-0106] 具有改進的開態電阻性能的高電壓橫向fet結構
[8103-0128-0107] 向接收基板轉移碳化硅薄層的優化方法
[8103-0163-0108] 提高光伏電池輸出功率的方法
[8103-0119-0109] 氮化物系半導體發光元件
[8103-0031-0110] 在基板上形成絕緣膜的方法、半導體裝置的制造方法和基板處理裝置
[8103-0076-0111] 異質結雙極晶體管及其制造方法
[8103-0079-0112] 金屬氧化物半導體晶體管的制造方法
[8103-0072-0113] 金屬線間的溝填方法
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[8103-0186-0115] 襯底拋光裝置
[8103-0218-0116] 半導體襯底及其制造方法以及半導體器件
[8103-0022-0117] 熱電材料和使用該熱電材料的熱電組件
[8103-0156-0118] 一種雙極晶體管
[8103-0204-0119] 切割模片粘接膜
[8103-0198-0120] 半導體裝置
[8103-0053-0121] 含有場效應晶體管的集成電路及其制造方法
[8103-0073-0122] 半導體裝置及其制造方法
[8103-0087-0123] 半導體集成電路
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[8103-0210-0126] 用于削弱電磁干擾的系統和方法
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[8103-0116-0128] 側光型彩色發光二極管封裝結構
[8103-0033-0129] 半導體封裝件及其制備方法
[8103-0048-0130] 具有構造塊的集成電路
[8103-0133-0131] 熱處理方法和熱處理裝置
[8103-0028-0132] 將相異移除速度應用到襯底表面的方法與裝置
[8103-0060-0133] 帶有濾色鏡的場致發光器件
[8103-0095-0134] 芯片封裝體及其制造方法
[8103-0085-0135] 半導體器件
[8103-0002-0136] 半導體晶片封裝體及其封裝方法
[8103-0066-0137] 應變finfet及其制造方法
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[8103-0070-0140] 晶片的分割方法、裝置、半導體器件的制造方法、制造裝置
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