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[8154-0049-0001] 發光閘流晶體管矩陣陣列及其驅動電路
[摘要] 提供一種能夠減小芯片面積的發光閘流晶體管矩陣陣列。把多個三端子發光閘流晶體管與芯片長邊平行地排列成一行，把多個鍵合焊盤與芯片長邊平行地排列成一行。由此可以使芯片面積最小化。
[8154-0028-0002] 用于對地或電源而屏蔽傳輸線的裝置
[摘要] 本發明涉及集成電路，它設有一組用于把所述集成電路連接到差動傳輸線的觸點。所述的觸點組包括：至少第一對觸點用于接收第一參考電壓、第二對觸點用于接收第二參考電壓、以及被稱為信號觸點的第三對觸點用于連接到所述的傳輸線上。每個供電觸點可以無關緊要地接收地電位或高、低電源電壓中的一個，實現兩種供電配置即正的或負的配置。所述的信號觸點被所述的供電觸點包圍，以實現獨立于正或負的供電配置的特殊屏蔽。
[8154-0069-0003] 應用于系統芯片的半導體器件的制造方法
一種應用于系統芯片的半導體器件的制造方法，提供具有存儲單元與外圍電路區的基底，在此基底的存儲單元形成復數個位線與第一介電層，以及在外圍電路區形成第二介電層。接著，在存儲單元區與外圍電路區形成復數個柵極后，以僅能夠穿透外圍電路區的基底表面但無法穿透存儲單元區的基底表面的能量進行p型金氧半導體晶體管的淡摻雜源極/漏極區的離子植入。然后，在柵極的側壁形成復數個間隙壁，其中形成在存儲單元區中相鄰的柵極側壁的間隙壁彼此相連。之后，再在外圍電路區的p型金氧半導體晶體管器件區的柵極兩側的基底中形成復數個p型源極/漏極區。
[8154-0168-0004] 利用減少漏極植入范圍而縮小器件尺寸的方法
[摘要] 一種利用減少漏極植入范圍而縮小器件尺寸的方法，可應用在存儲器件上，例如是硅層/氧化層/氮化層/氧化層/硅層(sonos)的堆棧層器件或氮化物只讀存儲器(nrom)，其中，在定義基底上的導電層之后，利用已定義的導電層作為罩幕來進行口袋離子植入，接著，在導電層的側壁形成間隙壁，再進行形成埋入式漏極的離子植入，由于部分的暴露基底已被間壁隙壁所覆蓋，因此所形成的埋入式漏極范圍縮小，而且被包覆在口袋摻雜區之內。因此，埋入式漏極的離子擴散不至于縮短信道，而有利器件縮小制作過程。
[8154-0146-0005] 提供生產有機發光二極管裝置的結合掩模的定位掩模部分
[摘要] 一種用于使得具有多個掩模部分的沉積掩模相對一種基體定位的定位裝置，以便易于將有機材料同時沉積在將要構成一種有機發光裝置一部分的所述基體上。
[8154-0052-0006] 一種只讀碼掩模及其應用方法
[摘要] 本發明提供一種于一光阻層上形成一只讀碼布植圖案的方法，該方法包含有下列步驟：提供一表面覆有一光阻層的芯片；提供一投影透鏡設于該芯片正上方；提供一預定波長曝光光源，以產生一偶極光線；以及提供一只讀碼布植掩模，設于該投影透鏡與該曝光光源之間，其中該掩模上包含有多個成不規則排列的只讀碼開口，以及多個輔助開口穿插設置于該多個成不規則排列的只讀碼開口之間，以使該多個只讀碼開口以及該多個輔助開口在一x方向上呈現周期性的圖案。
[8154-0060-0007] 用于提高介電薄膜的系統和方法
[摘要] 提供一種在基片的表面上淀積介電膜例如氮化硅、氧化物、氮氧化物和多層薄膜的方法。方法包括在熱壁快速熱處理室中提供基片，并采用硅前體以在基片上形成介電膜。
[8154-0169-0008] 制作雙擴散漏極的方法
[摘要] 本發明揭露了一種制作雙擴散漏極的方法。本發明利用單一種類摻質而非傳統的兩種摻質來形成雙擴散漏極。首先進行一次輕摻雜離子布植過程。接著執行一第一熱過程以驅入(drive in)摻質。再者執行一重摻雜離子布植過程。最后進行一第二熱過程以形成雙擴散漏極。
[8154-0195-0009] 具有雙浮置閘極存儲晶胞的集成電路及其制造方法
[摘要] 一種集成電路，包含：一第一雙浮置閘極存儲晶胞，所述晶胞具有與一第二浮置閘極隔絕的一第一浮置閘極，其目的在于儲存至少一個位元的數據，一第二雙浮置閘極存儲晶胞，所述晶胞具有與一第四浮置閘極隔絕的一第三浮置閘極，其目的在于儲存至少一個位元的數據，其中第一雙浮置閘極存儲晶胞與第二雙浮置閘極存儲晶胞共同分享一個控制閘極，而其中第一雙浮置閘極存儲晶胞的第二浮置閘極與第二雙浮置閘極存儲晶胞的第三浮置閘極共同分享一個氧化層，并且，其中氧化層從控制閘極中電性隔絕了第二與第三浮置閘極。
[8154-0057-0010] 一種氧摻雜硅碳化合物蝕刻停止層
[摘要] 本發明揭露一種應用于雙鑲嵌內連線的氧摻雜硅碳化合物蝕刻停止層。本發明一種集成電路結構包含有：一底層；壞諞喚櫚綺悖緯捎詬玫撞閔希灰皇純掏ｖ共?etch stop layer)，形成于該第一介電層上；以及一第二介電層，形成于該蝕刻停止層上。其中該蝕刻停止層系由氧摻雜硅碳化合物(oxygen-doped sic)所構成，且該第二介電層系利用化學氣相沉積(cvd)制程形成。氧摻雜硅碳化合物具有低介電常數(k＜4.2)、高擊穿電壓以及極佳的薄膜穩定性，因此可以提升元件可靠度以及操作效能。
[8154-0092-0011] 半導體存儲器件
[8154-0045-0012] 減少去除光阻所致缺點形成高品質多厚度氧化物層的方法
[8154-0180-0013] 制作罩幕式只讀存儲器的埋藏位元線的方法
[8154-0158-0014] 壓電陶瓷彎曲變換器及其應用
[8154-0161-0015] 制造半導體器件的方法
[8154-0153-0016] 非接觸互連系統
[8154-0176-0017] 非平面結構的非揮發性存儲器單元及制作方法
[8154-0112-0018] 半導體裝置的制造方法以及研磨裝置
[8154-0138-0019] 半導體集成電路
[8154-0172-0020] 安裝半導體芯片的裝置
[8154-0020-0021] 半導體器件及其制造方法
[8154-0132-0022] 干式快速散熱器
[8154-0128-0023] 用于光電模塊的副支架以及利用該支架的封裝方法
[8154-0201-0024] 疊置晶片全彩色發光二極管的封裝結構及方法
[8154-0154-0025] 半導體能束探測元件
[8154-0167-0026] 閘流體的制作方法
[8154-0127-0027] 罩幕式只讀存儲器的結構與制造方法
[8154-0018-0028] 以金屬硬遮罩層制作雙鑲嵌插銷的方法
[8154-0110-0029] 半導體制造裝置
[8154-0024-0030] 膜載帶
[8154-0014-0031] 其上結合有薄膜電容器的多層布線基板的制造工藝
[8154-0157-0032] galnn半導電層及其制備方法；包括該層的發光二極管和包括該發光二極管的...
[8154-0107-0033] 疊合標記及其應用方法
[8154-0199-0034] 具有存儲多個位的存儲單元的半導體存儲器及其驅動方法
[8154-0152-0035] 異質結bicoms集成電路的制造方法
[8154-0114-0036] 半導體器件的制造方法和制造裝置
[8154-0179-0037] 防止嵌入式非揮發性存儲器漏電流的方法
[8154-0001-0038] 復合壓電變壓器
[8154-0143-0039] 具有雙閘極絕緣層的mos元件及其制作方法
[8154-0141-0040] 半導體器件及其制造方法
[8154-0087-0041] 半導體器件及其制造方法
[8154-0088-0042] 半導體集成電路及其制造方法
[8154-0209-0043] 用于工件的等離子體清洗的方法和裝置
[8154-0025-0044] 半導體裝置
[8154-0075-0045] 半導體集成電路器件的制造方法
[8154-0197-0046] 四象限光電探測器檢測與應用的模型法
[8154-0058-0047] silk刻蝕后的濕法去膠工藝
[8154-0191-0048] 半導體記憶裝置
[8154-0071-0049] 可預先測試效能的芯片制作流程及其測試方法
[8154-0144-0050] 薄膜晶體管的多晶硅層及其顯示器
[8154-0203-0051] 發光元件及其制造方法和用于制造發光元件的引線框
[8154-0145-0052] 具有透明基板覆晶式發光二極體晶粒的高亮度發光二極體
[8154-0131-0053] 半導體器件
[8154-0105-0054] 受保護超導體組件及其制造方法
[8154-0190-0055] 具有四個狀態的存儲單元的存儲器件
[8154-0178-0056] 快閃存儲胞形成方法
[8154-0050-0057] 在基底上制作印刷線路的方法
[8154-0207-0058] 波像差測定裝置,波像差測定方法,曝光裝置及微型器件的制造方法
[8154-0030-0059] 具有熔線的半導體器件及其制造方法
[8154-0053-0060] 調整半導體反應室真空系統的排氣壓力的裝置及方法
[8154-0037-0061] 減小cmos圖像傳感器暗電流的表面鈍化
[8154-0084-0062] 具嵌梢的散熱板及其封裝件
[8154-0124-0063] 雙重鑲嵌結構的制造方法
[8154-0130-0064] 具中央引線的半導體封裝組件及其封裝方法
[8154-0007-0065] 曝光裝置、曝光方法以及元件制造方法
[8154-0013-0066] 硅的游離基氧化方法和裝置
[8154-0054-0067] 半導體器件的制造方法
[8154-0151-0068] 晶片制備設備
[8154-0073-0069] 半導體集成電路器件的制造方法
[8154-0200-0070] 改變透明導電層透射率的方法、平板顯示器及其制造方法
[8154-0042-0071] 半導體發光器件及其制造方法
[8154-0184-0072] 多層布線結構的半導體器件及其制造方法
[8154-0212-0073] 面結型場效應晶體管及其制造方法
[8154-0068-0074] 一種系統整合芯片的制作方法
[8154-0100-0075] 電子裝置的外殼組件
[8154-0061-0076] 利用氧原子植入以制作自動對準的場氧化層的方法
[8154-0193-0077] snnns類非揮發性存儲胞的數據寫入與清除方法
[8154-0171-0078] 半導體模塊及其生產方法以及用于ic卡等的模塊
[8154-0174-0079] 半導體器件及其制造方法
[8154-0164-0080] 基板干燥裝置以及使用該裝置的基板干燥方法
[8154-0188-0081] 電平移動器
[8154-0117-0082] 具有淺源極/漏極結區的mos晶體管的制造方法
[8154-0091-0083] 相聯存儲器及其存儲單元
[8154-0118-0084] 半導體裝置的制造方法
[8154-0033-0085] 半導體存儲器
[8154-0139-0086] 半導體集成電路裝置及其制造方法
[8154-0082-0087] 半導體裝置及半導體裝置的制造方法
[8154-0149-0088] 壓電變壓器的驅動電路、冷陰極管發光裝置、液晶面板
[8154-0166-0089] 形成具有高深寬比的溝槽的蝕刻方法
[8154-0183-0090] 半導體器件和其制造方法
[8154-0135-0091] 多重布線板
[8154-0029-0092] 改善玻璃鈍化硅器件高溫反向特性的鈍化玻璃涂敷液
[8154-0148-0093] 帶有識別節點圖案的壓電變壓器
[8154-0063-0094] 制造薄膜晶體管的方法
[8154-0002-0095] 磁阻效應元件和磁阻效應型磁頭
[8154-0173-0096] 局部形成硅化金屬層的方法
[8154-0111-0097] 階梯式開口的制造方法
[8154-0215-0098] 形成玻璃窗的光電裝置
[8154-0163-0099] 化學溶液輸送裝置和制備懸浮液的方法
[8154-0116-0100] 薄膜晶體管的制造方法
[8154-0192-0101] 三維只讀存儲器集成電路
[8154-0012-0102] 減少微粒產生的方法
[8154-0150-0103] 用pld法制備具有室溫正巨磁阻效應的鐵碳薄膜材料
[8154-0147-0104] 半導體發光裝置
[8154-0094-0105] 氮化只讀存儲器的結構及其制造方法
[8154-0041-0106] 發光二極管裝置
[8154-0156-0107] 光能轉換裝置
[8154-0034-0108] 半導體存儲裝置
[8154-0081-0109] 薄膜晶體管陣列基板的制造方法及其結構
[8154-0134-0110] 半導體組件
[8154-0066-0111] 晶片及評價其載體濃度的方法
[8154-0126-0112] 非易失性存儲器的制造方法
[8154-0078-0113] 垂直式的氮化物只讀存儲單元的制造方法
[8154-0095-0114] 發光器件
[8154-0216-0115] 高速凹槽雙擴散金屬氧化物半導體
[8154-0160-0116] 一種處理半導體晶片的方法和所用的半導體晶片的襯底
[8154-0136-0117] 半導體器件
[8154-0106-0118] 包封的陶瓷超導體
[8154-0208-0119] 采用氨中退火來建立超薄柵極絕緣體的方法
[8154-0194-0120] 具有多重閘極絕緣層的非揮發性存儲器組件
[8154-0055-0121] 一種高介電柵介質al2o3/...
[8154-0142-0122] 一種功率型多晶硅發射極晶體管
[8154-0036-0123] 固體攝象裝置以及使用該裝置的攝像機微型組件
[8154-0059-0124] 改善dxz氧化硅對silk粘附性的工藝
[8154-0043-0125] 通過激光退火和快速加溫退火形成超淺結的方法
[8154-0089-0126] 半導體器件、機器人、彩票的運營方法、記錄媒體
[8154-0101-0127] 溝槽深度檢測和控制的方法及裝置
[8154-0182-0128] 暴露信號線以及在信號線與基片之間有間隙的半導體器件
[8154-0038-0129] 發光設備及其制造方法
[8154-0046-0130] 顯示器件的制造方法
[8154-0083-0131] 半導體器件用的接觸器和接觸方法
[8154-0102-0132] 非揮發性內存裝置用的雙重間隔器方法
[8154-0080-0133] 一種嵌入式存儲器的制作方法
[8154-0218-0134] 藉由內部及外部光學組件之使用而加強發光二極管中的光放出
[8154-0051-0135] 半導體襯底制造方法
[8154-0123-0136] 半導體裝置及其制造方法
[8154-0006-0137] 半導體器件制造方法、制造裝置及其清洗方法和制造系統
[8154-0077-0138] 靜態隨機存儲器的制造方法
[8154-0056-0139] 切削機
[8154-0016-0140] 標記位置檢測裝置
[8154-0155-0141] 具有改進的導通狀態特性的高壓薄膜晶體管及其制造方法
[8154-0202-0142] 形成具有金屬基板的半導體元件
[8154-0204-0143] 一種制作高溫超導器件的離子表面改性方法
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[8154-0213-0145] 用單附加掩模注入操作制造雙閾值電壓n溝道和p溝道mosfet的方法
[8154-0122-0146] 具有溝槽隔離的半導體器件及其制造方法
[8154-0098-0147] 制造半導體發光裝置的方法及其制造的半導體發光裝置
[8154-0125-0148] 金屬內連線的制造方法
[8154-0039-0149] 非對稱高電壓金屬氧化物半導體元件
[8154-0096-0150] 高介電系數介質與半導體構成的耐壓層
[8154-0090-0151] 半導體裝置
[8154-0175-0152] 平面單元存儲元件的硅化物膜制造方法
[8154-0189-0153] 具有提供在存儲單元中的阱抽頭的半導體器件
[8154-0206-0154] 用于多種處理的立式配置腔室
[8154-0159-0155] 半導體廠自動化的保護電路
[8154-0031-0156] 半導體集成電路
[8154-0097-0157] 寬譜域低溫疊層硅基薄膜太陽電池
[8154-0067-0158] 雙重鑲嵌結構的制造方法
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[8154-0137-0160] 具有埋入型導電層的半導體器件及其制造方法
[8154-0165-0161] 在半導體晶圓去除圓周邊緣的介電層的方法
[8154-0022-0162] 氮化硅只讀存儲器組件的制造方法
[8154-0133-0163] 散熱板熱管制造方法
[8154-0181-0164] 半導體裝置
[8154-0009-0165] 發熱體cvd裝置及采用該裝置的發熱體cvd方法
[8154-0044-0166] 半導體基板洗滌劑和洗滌方法
[8154-0103-0167] 用于測量電子器件參數的方法及設備
[8154-0185-0168] 功率半導體次級組件及功率半導體組件
[8154-0104-0169] 可表面裝配的發光二極管光源和制造發光二極管光源的方法
[8154-0047-0170] 半導體器件及其制備方法
[8154-0186-0171] 功率半導體模塊
[8154-0032-0172] 非易失性半導體存儲器
[8154-0027-0173] 引線架、樹脂密封模型及使用它們的半導體
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