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.以下為光盤目錄：
1、第Ⅲ族氮化物晶體襯底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半導體器件
[技術摘要]提供了一種具有低的位錯密度、制造便宜的第III族氮化物晶體襯底、制造這種襯底的方法，及結合所述第III族氮化物晶體襯底的第III族氮化物半導體器件。所述第III族氮化物晶體襯底的制造方法包括：將第一種第III族氮化物晶體通過液相取向附生生長到基礎襯底上面的步驟；和將第二種第III族氮化物晶體通過氣相取向附生生長到所述第一種第III族氮化物晶體上面的步驟。由這種制造方法制造的第III族氮化物晶體襯底的位錯密度為1×107

2、氮化物半導體自支撐襯底和氮化物半導體發光*件
[技術摘要]本發明提供了在形成了發光器件結構時可以減小發光波長、發光輸出、*件壽命的偏差、提高發光器件成品率的氮化物半導體自支撐襯底和使用該襯底的氮化物半導體發光*件。形成的氮化物半導體自支撐襯底的晶格常數的偏差為±12ppm以下，使用該氮化物半導體自支撐襯底形成氮化物半導體發光*件。

3、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
[技術摘要]本發明提供了一種氮化鎵系III-V族化合物半導體器件的制造方法，該半導體器件具有形成在具有第一和第二主表面的襯底的第一主表面之上、含有n型氮化鎵系III-V族化合物半導體層和p型氮化鎵系III-V族化合物半導體層的半導體疊層結構，其中，所述制造方法包括下列步驟：形成所述半導體疊層結構的步驟；第二電極材料形成步驟，用于在所述p型半導體層上形成包含從鉻、鎳、金、鈦、鉑構成的一組材料中選出的至少兩種材料的電極材料；以及熱處理退*步驟，通過對所述第二電極材料和所述半導體疊層結構進行熱處理，降低第二電極的接觸電阻。

4、發光氮化物半導體器件及其制造方法
[技術摘要]提供了一種發光氮化物半導體器件，其包括：一襯底，覆蓋所述襯底的具有第一導電性的半導體層，覆蓋具有所述第一導電性的所述半導體層的發光層，覆蓋所述發光層的具有第二導電性的半導體層，以及至少覆蓋具有所述第二導電性的所述半導體層的第二電極，其中，所述第二電極對主發光波長具有高反射率，并且所述發光器件使光主要在其側面得到提取。

5、氮化物類半導體*件的制造方法

6、氮化物基半導體發光二極管
7、氮化物半導體材料及氮化物半導體結晶的制造方法
8、氮化物半導體發光器件的透明電極及其制法
9、氮化物半導體發光器件
10、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
11、發光器件及其制造方法，以及氮化物半導體襯底
12、氮化物類半導體*件
13、III－V氮化物半導體激光器件
14、氮化物半導體*器件
*、氮化物半導體器件制造方法
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16、一種氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的電極
17、氮化物半導體發光*件
18、一種用于雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體存儲器且具有二位清除能力的控制柵極***
19、氮化物半導體發光器件及其制造方法
20、氮化物半導體*件
21、氮化物半導體的制造方法及半導體器件的制造方法
22、含P型三族氮化合物半導體的光電半導體*件的制造方法
23、氮化物系化合物半導體*件的制造方法
24、基于氮化物的半導體發光二極管及其制造方法
25、氮化物半導體基板及其制造方法
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26、Ⅲ族氮化物半導體器件
27、Ⅲ族氮化物半導體發光*件及其制造方法
28、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體陣列金屬位結構及單個單*操作
29、氮化物半導體發光*件以及氮化物半導體發光*件制造方法
30、氮化鎵化合物半導體發光*件及其制造方法
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31、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置
32、制造p型Ⅲ族氮化物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物半導體發光器件
33、形成第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件用的電極的方法
34、氮化物半導體*器件
35、氮化物半導體器件及其制造方法
36、氮化物半導體發光器件及其制備方法
37、氮化物半導體生長用襯底
38、制作氮化物半導體發光器件的方法
39、氮化物基半導體裝置的制造方法
40、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體基板及其評價方法
41、氮化鎵系化合物半導體磊晶層結構及其制造方法
42、Ⅲ族氮化物單晶體及其制造方法以及半導體器件
43、氮化物半導體*件及其制造方法
44、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
45、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件的制造方法
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46、氮化物系半導體激光*件
47、氮化物半導體*件的制造方法和氮化物半導體*件
48、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
49、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
50、摻氮Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的成膜方法
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51、氮化物半導體器件及其制造方法
52、氮化物半導體發光*件
53、III族氮化物半導體發光器件
54、Ⅲ族氮化物半導體藍色發光器件
55、低缺陷氮化物半導體薄膜及其生長方法
56、半導體發光器件和氮化物半導體發光器件
57、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
58、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法
59、氮化物半導體襯底及器件
60、氮化物半導體發光*件以及氮化物半導體發光*件的制造方法
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61、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
62、氮化物半導體發光器件
63、氮化物半導體裝置及其制造方法
64、Ⅲ族*素氮化物結晶半導體器件
*、倒裝型氮化物半導體發光器件
66、氮化物半導體發光裝置
67、氮化物半導體發光器件的制造方法
68、氮化物半導體器件及其制造方法
69、氮化物單晶生長方法、氮化物半導體發光裝置及制造方法
70、第3-5族氮化物半導體多層襯底，用于制備第3-5族氮化物半導體自立襯底的方法和半導體*件
71、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體LED的發光裝置及其制造方法
72、氮化物半導體發光器件的制造方法
73、氮化物基半導體發光器件及其制造方法
74、氮化物半導體*件
75、氮化物半導體發光器件
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76、氮化物半導體*件及其制造方法
77、用于第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的n-電極
78、氮化物半導體器件的制造方法及氮化物半導體器件
79、氮化鎵基Ⅲ-V族化合物半導體發光器件及其制造方法
80、基于氮化物的半導體發光二極管
81、氮化物半導體襯底、其制法及氮化物半導體發光器件用外延襯底
82、氮化鎵基化合物半導體器件
83、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
84、氮化物半導體器件及其制造方法
*、具有埋設金屬硅化物位線的金屬氧氮氧半導體裝置
86、用于n型Ⅲ族氮化物半導體的n型歐姆電極、具有該電極的半導體發光器件及用于形成n型歐姆電極的方法
87、在硅底材上成長三族氮化物半導體異質磊晶結構的方法
88、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
89、粘貼有Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體層的襯底和半導體器件
90、氮化物半導體發光*件及氮化物半導體激光*件的制造方法
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91、氮化物半導體器件的肖特基電極及其制作方法
92、硅襯底上以三族氮化物為主材的半導體晶體生長方法及器件
93、氮化物基半導體器件及其制造方法
94、氮化物半導體發光器件及其制備方法
95、氮化物半導體發光器件的制造方法
96、氮化物半導體發光*件及其制造方法
97、氮化物系半導體襯底及半導體裝置
98、氮化物半導體發光器件及其制造方法
99、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法
100、氮化物半導體LED及其制造方法
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101、Ⅲ族氮化物半導體多層結構
102、氮化物半導體基板及氮化物半導體基板的加工方法
103、氮化物半導體激光器*件及其制作方法
104、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
105、氮化物半導體光****及其制造方法
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106、氮化物半導體激光器
107、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
108、氮化物半導體器件制造方法
109、氮化物系半導體*件的制造方法及氮化物系半導體*件
110、Ⅲ族氮化物半導體發光*件
111、氮化物半導體激光裝置以及提高其功能的方法
112、氮化鎵系列化合物半導體*件
113、氮化物半導體發光器件
114、氮化物半導體發光二極管芯片及其制造方法
1*、氮化鎵及其化合物半導體的橫向外延生長方法
116、氮化物基半導體發光裝置及其制造方法
117、氮化物半導體激光*件及其制造方法
118、具有電流狹窄層的氮化物半導體激光器*件及其制造方法
119、蝕刻金屬氧化物半導體柵極構造的氮氧化方法
120、氮化物半導體LED和其制造方法
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121、在Ⅲ-V族氮化物半導體基板上制作產生輻射的半導體芯片的方法以及產生輻射的半導體芯片
122、利用檢測閘門氧化硅層中氮化物含量的半導體*件制成方法
123、氮化物半導體發光裝置制造方法
124、氮化物半導體發光器件及其制造方法
*、氮化物半導體發光*件
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126、氮化物半導體*件
127、氮化物半導體、其制造方法以及氮化物半導體*件
128、制造Ⅲ族氮化物半導體的方法
129、氮化物半導體*件
130、基于氮化物的半導體發光二極管
131、具有支持襯底的氮化物半導體器件及其制造方法
132、氮化物半導體器件及其制備方法
133、氮化物半導體；使用該半導體的發光器件，發光二極管，激光器件和燈；及其制造方法
134、氮化鎵系化合物半導體發光器件
135、氮化鎵基半導體層疊結構、其制造方法以及采用該層疊結構的化合物半導體和發光器件
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136、氮化物半導體發光器件
137、氮化物半導體發光器件的制造方法
138、具有多層緩沖層結構的氮化物型半導體*件及其制造方法
139、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
140、第III族氮化物半導體激光器及其制造方法
141、氮化物半導體發光*件及制造氮化物半導體發光*件的方法
142、Ⅲ族類氮化物半導體器件及其制造方法
143、氮化物半導體發光*件
144、Ⅲ族氮化物半導體發光器件
145、氮化物基的半導體發光器件及其制造方法
146、氮化物半導體*件及其制造方法和氮化物半導體基板的制造方法
147、鈮酸鋰/Ⅲ族氮化物異質結鐵電半導體薄膜制備方法及應用
148、氮化物半導體及其制備方法
149、氮化物基化合物半導體發光器件及其制造方法
*0、P型氮化物半導體結構以及雙極晶體管
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*1、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
*2、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
*3、氮化物基化合物半導體發光器件
*4、制備III族氮化物半導體的方法及III族氮化物半導體器件
*5、氮化物半導體的生長方法、氮化物半導體襯底及器件
*6、Ⅲ族氮化合物半導體器件
*7、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半導體裝置及電極形成方法
*8、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
*9、氮化物半導體*器件
160、氮化物系半導體發光*件及其制造方法
161、氮化物半導體基板及制法和使用該基板的氮化物半導體裝置
162、單一ELOG生長的橫向P-N結氮化物半導體激光器
163、氮化物半導體器件
164、氮化物半導體*件
1*、氮化物類半導體*件及其制造方法
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166、基于氮化鎵的Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體裝置及其制造方法
167、加工氮化物半導體晶體表面的方法和由該方法得到的氮化物半導體晶體
*、氮化物半導體*器件
169、Ⅲ族氮化物半導體晶體和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體器件
170、氮化物半導體*件
171、制造Ⅲ族氮化物半導體*件的方法
172、氮化物半導體*件
173、氮化物半導體*件
174、氮化物半導體裝置及其制作方法
175、氮化物半導體*件
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176、硅襯底上Ⅲ族氮化物半導體外延生長技術
177、氮化物半導體裝置及其制造方法
178、氮化物半導體*件
179、氮化物半導體發光器件
180、氮化物半導體*器件
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181、氮化物半導體發光*件
182、Ⅲ族氮化物半導體器件和外延襯底
183、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
184、緣經過研磨的氮化物半導體基片及其邊緣加工方法
1*、氮化物半導體基底以及使用該基底的氮化物半導體裝置
186、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
187、立方晶體氮化物半導體器件及其制造方法
188、半導體工藝設備的碳氮化物涂層部件及其制造方法
189、氮化物半導體發光裝置
190、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
191、氮化物半導體*件
192、具有氮化氧化物層的半導體器件及其方法
193、GaN單晶基底、氮化物類半導體外延生長基底、氮化物類半導體器件及其生產方法
194、非極性單晶A-面氮化物半導體晶圓及其制備
195、用于形成第Ⅲ主族氮化物半導體層的方法以及半導體器件
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196、氮化物半導體生長工藝
197、Ⅲ－Ⅴ族氮化物半導體的生長方法及氣相生長裝置
*、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件
199、氮化鎵類化合物半導體發光*件及其制造方法
200、高質量氮化物半導體薄膜及其制作方法
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201、氮化物半導體*件及其制法
202、氮化物半導體器件
203、基于氮化物的化合物半導體晶體襯底結構及其制造方法
204、硅襯底上的氮化物半導體及其制造方法
205、制造第III族*素氮化物晶體的方法、其中所用的制造裝置以及由此制造的半導體*件
206、氮化鎵基化合物半導體發光器件
207、晶態氮化鎵基化合物的生長方法以及包含氮化鎵基化合物的半導體器件
208、氮化物半導體發光器件及其制造方法
209、氮化物半導體器件及其制備方法
210、氮化物系半導體發光*件及其制造方法
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211、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光器件
212、生長半導體襯底的方法、氮化物基發光器件及其制造方法
213、硅氧化物氮化物氧化物半導體型存儲器件
214、Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件及其制造方法
2*、氮化物系半導體*件
216、氮化物類半導體*件及其制造方法
217、第Ⅲ族氮化物化合物半導體發光*件
218、氮化物半導體發光*件及其制造方法
219、氮化物半導體器件及其制造方法
220、氮化物半導體發光器件及其制造方法
221、半導體用氮化物襯底的制備方法及氮化物半導體襯底
222、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半導體外延晶片
223、自支撐氮化鎵單晶襯底及其制造方法以及氮化物半導體*件的制造方法
224、氮化鎵系化合物半導體激光*件的制造方法及氮化鎵系化合物半導體激光*件
225、氮化物半導體激光器裝置及其制造方法
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226、氮化物半導體發光器件及其制造方法
227、一種用于氮化物半導體材料退*的新型加熱襯托
228、氮化物基半導體發光二極管
229、基于Ⅲ－氮化物半導體超晶格的單極發光器件
230、氮化物半導體單晶基材及其合成方法
231、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底、其制造方法及Ⅲ-Ⅴ族氮化物系發光*件
232、一種氮化物半導體器件
233、氮化物半導體器件
234、氮化物半導體發光器件及其制造方法
235、氮化物半導體分層結構以及結合該分層結構部分的氮化物半導體激光器
236、N型Ⅲ族氮化物半導體疊層結構
237、氮化物半導體*件
238、氮化物半導體器件
239、氮化鎵類化合物半導體等的干法刻蝕方法
240、有關氮化鎵的化合物半導體器件及其制造方法
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241、氮化物半導體發光器件及其制造方法
242、氮化物半導體薄膜及其生長方法
243、自激振蕩型氮化物半導體激光裝置及其制造方法
244、氮化合物系半導體裝置及其制造方法
245、氮化物半導體發光裝置及其制造方法
246、氮化物半導體*件及其制造方法
247、氮化物半導體*件
248、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
249、第III族氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
250、雙金屬氧化物-氮化物-氧化物半導體的控制柵極及字線電壓升壓設計
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251、使用氮化物半導體的發光器件和其制造方法
252、氮化物半導體*件制造方法
253、氮化鎵系化合物半導體發光*件及其窗戶層結構
254、氮化物半導體裝置
255、基于氮化鎵的化合物半導體發光器件
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256、氮化物半導體激光*件
257、加工氮化物半導體晶體的方法
258、周期表第13族金屬氮化物結晶的制造方法以及使用其的半導體器件的制造方法
259、以氮化物為基礎的半導體發光器件及其制造方法
260、具有結晶堿土金屬硅氮化物/氧化物與硅界面的半導體結構
261、發光裝置、用于制造該發光裝置的方法及氮化物半導體襯底
262、氮化鎵類化合物半導體裝置
263、氮化物半導體激光器
264、含有Ga的氮化物半導體單晶、其制造方法以及使用該結晶的基片和器件
2*、氮化鎵基Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體發光裝置
266、氮化物半導體器件
267、高速大功率氮化物半導體器件及其制造方法
268、氮化物半導體裝置及其制造方法
269、氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
270、氮化物半導體發光器件及其制造方法
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271、氮化物半導體垂直腔面發射激光器
272、氮化物半導體發光器件和制備氮化物半導體激光器的方法
273、氮化物半導體*件
274、氧氮化物磷光體和半導體發光器件
275、氮化物半導體發光器件
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276、氮化物半導體激光*件和氮化物半導體*件
277、制備Ⅲ族氮化物半導體的方法及Ⅲ族氮化物半導體器件
278、氮化物系化合物半導體和化合物半導體的清洗方法、這些半導體的制造方法及基板
279、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
280、GaN基底和其制備方法、氮化物半導體器件和其制備方法
281、氮化物系半導體*件及其制造方法
282、基于平面結構的Ⅲ族氮化物半導體發光二極管及其制備方法
283、氮化物類半導體*件
284、利用第三族氮化物四*金屬體系的半導體結構
2*、氮化物半導體發光器件
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286、氮化鎵基化合物半導體發光器件
287、氮化物晶體、氮化物晶體襯底、含有外延層的氮化物晶體襯底、半導體器件及其制備方法
288、氮化物系半導體*件及其制造方法
289、氮化物半導體發光*件及其制造方法
290、氮化物半導體*件的制造方法
291、氮化物半導體發光器件
292、氮化物半導體激光*件及其制造方法
293、氮化物半導體自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半導體發光*件
294、制造p-型Ⅲ族氮化物半導體的方法和制造其電極的方法
295、氮化鎵類化合物半導體裝置及其制造方法
296、生產第Ⅲ族氮化物化合物半導體器件的方法
297、氮化物半導體發光*件
298、氮化物半導體發光裝置制造方法
299、氮化物半導體激光器件
300、氮化物半導體發光器件
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301、晶片導向器，MOCVD裝置和氮化物半導體生長方法
302、反射性正電極和使用其的氮化鎵基化合物半導體發光器件
303、Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體的制造方法和發光器件的制造方法
304、基于氮化鎵的化合物半導體多層結構及其制造方法
305、氮化物半導體器件及其制造方法
306、氮化鎵基化合物半導體發光器件及其制造方法
307、基于Ⅲ族氮化物的半導體基片及其制造方法
308、用于氮化物基半導體裝置的低摻雜層
309、氮化物半導體*件
310、Ⅲ族氮化物半導體襯底及其生產工藝
311、氮化物半導體激光*件及其制造方法
312、氮化物半導體發光器件及其制造方法
313、氮化物半導體發光器件及其制造方法
314、氮化物半導體發光器件
3*、氮化物半導體及其制備方法
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316、生產Ⅲ族氮化物半導體裝置的方法
317、可以**表里的矩形氮化物半導體基片
318、氮化物半導體發光器件及其制造方法
319、氮化物半導體襯底的制造方法及復合材料襯底
320、第三族氮化物半導體器件和其生產方法
321、氮化物半導體激光器*件
322、Ⅲ族氮化物半導體晶體及其制造方法、Ⅲ族氮化物半導體器件及其制造方法以及發光器件
323、氮化物半導體*件
324、氮化物半導體*件
325、Ⅲ族氮化物半導體發光組件的切割方法
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326、Ⅲ族氮化物晶體襯底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半導體器件
327、氮化物系半導體*件的制造方法
328、氮化物半導體發光器件及其制造方法
329、氮化物半導體發光*件
330、氮化物基化合物半導體發光裝置及其制造方法
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331、Ⅲ族氮化物半導體襯底
332、氮化物半導體發光*件
333、氮化物半導體發光器件及其制備方法
334、Ⅲ族氮化物半導體*件及其制造方法
335、基于氮化物的半導體發光二極管
336、氮化物半導體激光器件及其制造方法
337、利用硼離子注入法實現氮化物半導體器件的有源區之間隔離的方法
338、Ⅲ族氮化物制造的半導體襯底及其制造工藝
339、氮化鎵基化合物半導體器件及其制作方法
340、I I I族氮化物半導體晶體的制造方法、基于氮化鎵的化合物半導體的制造方法、基于氮化鎵化合物半導體、基于氧化鎵的化合物半導體發光器件、以及使用半導體發光器件的光源
341、具有歐姆電極的氮化鎵系Ⅲ-Ｖ族化合物半導體器件及其制造方法
342、氮化物半導體激光*件及其制造方法
343、制造氮化物半導體的裝置和方法及獲得的半導體激光器件
344、氮化物半導體發光器件
345、氮化物半導體發光*件
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346、III族氮化物半導體發光二極管
347、氮化物半導體激光器件及其制造方法
348、氮化物半導體發光器件及其制造方法
349、氮化物半導體*件和氮化物半導體結晶層的生長方法
350、Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體襯底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半導體
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351、氮化物半導體*器件
352、氮化物系半導體發光*件
353、氮化物半導體*件和其制造方法
354、倒裝芯片氮化物半導體發光二極管
355、Ⅲ族氮化物晶體、其制造方法以及Ⅲ族氮化物晶體襯底及半導體器件
356、氮化物半導體*件
357、氮化物半導體裝置
358、含有Ⅲ族*素基氮化物半導體的電子器件
359、氮化物半導體激光二極管及其制作方法
360、表面處理方法、氮化物晶體襯底、半導體器件和制造方法
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361、具三族氮化合物半導體緩沖層的光電半導體組件和其制造方法
362、氮化物半導體激光器件
363、氮化物基化合物半導體發光器件的制造方法
364、自鈍化非平面結三族氮化物半導體器件及其制造方法
3*、Ⅲ族氮化物系化合物半導體發光*件及其制造方法
366、氮化物半導體器件
367、III族氮化物半導體發光裝置
368、氮化鎵基化合物半導體發光器件
369、氮化物半導體器件
370、氮化物半導體發光器件
371、第13族金屬氮化物結晶的制造方法、半導體器件的制造方法和這些制造方法中使用的溶液和熔融液
372、Ⅲ族氮化物系化合物半導體的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半導體*件
373、具有低阻抗歐姆接觸的ⅢA族氮化物半導體器件
374、氮化物半導體發光器件及其制造方法
375、氮化物半導體發光器件
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376、氮化鎵化合物半導體制造方法
377、制造氮化物基半導體器件的方法和如此制造的發光器件
378、氮化鎵系化合物半導體的外延結構及其制作方法
379、氮化物半導體光發射器件及其制造方法
380、氮化物半導體*件及其制造方法
381、氮化物半導體外延層的生長方法
382、復合氮化物半導體結構的外延成長
383、Ⅲ族氮化物基化合物半導體器件
384、氮化物半導體基板及其制造方法
3*、一種非結晶與多晶結構的氮化鎵系化合物半導體的成長方法
386、氮化物半導體發光器件及其制造方法
387、編程硅氧化物氮化物氧化物半導體存儲器件的方法
388、第Ⅲ族*素氮化物半導體*件的生產方法
389、具有減少相分離、利用第三族氮化物四*金屬體系的半導體結構及其制備方法
390、具有定向平面的單晶A-平面氮化物半導體晶片
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391、氮化鎵基化合物半導體發光器件
392、基板檢查方法及裝置、氮化物半導體*件制造方法及裝置
393、一種Ⅲ族氮化物半導體材料及其生長方法
394、氮化物系半導體襯底及其制造方法
395、氮化物半導體激光器芯片及其制造方法
396、氮化物基化合物半導體發光*件及其制造方法
397、氮化物半導體的生長方法、半導體器件及其制造方法
398、氮化物半導體激光*件及其制造方法
399、氧化鎵單晶復合體及其制造方法和使用氧化鎵單晶復合體的氮化物半導體膜的制造方法
400、氮化物半導體，半導體器件及其制造方法
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401、基于氮化物的半導體發光二極管
402、氮化物類半導體發光*件及其制造方法
403、Ⅲ族氮化物功率半導體器件
404、III族氮化物半導體器件
405、氮化物半導體襯底及其制造方法
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406、氮化物半導體器件及其制造方法
407、氮化物系半導體發光*件
408、氮化鎵系Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體器件及其制造方法
409、氮化物半導體發光器件
410、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的制造方法
411、氮化物半導體*器件
412、用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半導體的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半導體器件
413、氮化物半導體襯底和氮化物半導體襯底的加工方法
414、Ⅲ族氮化物半導體基板
4*、氮化鎵系化合物半導體的磊晶結構及其制作方法
416、氮化物半導體發光*件及其制造方法
417、氮化物半導體*件
418、氮化物半導體*件及其制造方法
419、氮化物半導體器件

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